JP2017535503A - 高硬度透明結晶質ガラス及びその調製方法 - Google Patents

高硬度透明結晶質ガラス及びその調製方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、高硬度透明結晶質ガラス及びその調製方法を提供する。その質量百分比組成はSiO255.0−70.0%;Al2O315.0−20.0%;MgO 0−10.0%;ZnO 0−12.5%を含み、且つ、MgO或いはZnO中のいずれか一つを含む。その結晶化されたガラスにはスピネル結晶体の微結晶を含む。本発明は適切な前駆体ガラスを使って熱処理を行い、ガラス基材から結晶化して結晶質を析出し、高硬度透明結晶質ガラスを調製する。そのモース硬さは7より大きく、1mmのガラスの可視光透過率は80%より大きい;本発明の結晶質ガラスは、普通の光学ガラスのもつ、傷つき易いという問題を克服し、携帯電話の保護パネル、光学機器と通信設備の防護ガラス、磁気ディスク基板、液晶ディスプレイパネル或いはその他光電子部品の防護ガラス等に用いることができる。

Description

本発明は、高硬度透明結晶質ガラス及びその調製方法に関する。本発明は、ガラスセラミックス技術分野に属する。
アップル製品をマークとするタッチ時代の到来により、静電容量方式タッチスクリーンは、その安定的な性能、触感良好等の長所によって、携帯電話、タブレット、タッチスクリーンノートブック等の端末製品においてファーストチョイスとなった。どんなタッチ技術でも、カバープレートは必要不可欠な保護部品であり、ガラスカバープレートは、その高透過性、強い擦り防止等特性によって、カバープレートの主流となっている。
目下、市場における高珪酸アルミニュームカバープレートのガラスのモース硬さは通常6で、当該硬さのガラス素子が携帯電話、タブレット、タッチスクリーンノートブックに装着されるが、砂やホコリには二酸化ケイ素(SiO、モース硬さ7H)が含まれており、それがスマートフォンのカバープレートガラスに摩擦されると、すり傷や細かい損傷が起き、装置の寿命を短縮させるだけではなく、修理コストを上昇させてしまう。
ガラスカバープレートの硬さを上げるため、一部の業者はサファイアガラスに着目し始めた。サファイアガラスのモース硬さは9Hである。カバープレート材料のモース硬さが7Hより大きいので、砂による摩耗に耐えられる。サファイアの耐衝撃はガラスより強いが、サファイアガラスの価格は高珪酸アルミニュームガラスに比べて、約10倍高く、消費エネルギーも約100倍を超える。1mmのサファイアの可視光透過率は80%で、透過率は比較的低い。これらのことは電池の寿命を短縮させ、また割れやすい等の欠点をもたらす。
結晶質ガラスは、ガラスの熱処理過程において、ガラスの結晶化を制御することによって得られる、大量の微結晶を含有する固体の多相材料であり、ガラスの高い透明度と、セラミックスの良好な機械性能等のメリットを兼ねる。よって、ガラスの硬さを上げるための効果的な方法がもたらされる。
発明が解決しようとする課題は、高硬度透明結晶質ガラスを提供する。
本発明は更に、上記高硬度透明結晶質ガラスの調製方法を提供する。
上記課題を解決するために、本発明は、質量百分率で組成がSiO 55.0−70.0%;Al 15.0−20.0%;MgO 0−10.0%;ZnO 0−12.5%で、且つ、MgO或いはZnOのいずれか一方を含み、結晶化したガラス中にはスピネル結晶体の微結晶を含む、高硬度透明結晶質ガラスを提供する。
更に、前記高硬度透明結晶質ガラスは、ZrO 0−10.0%;P 0−2.0%;TiO 0−7.0%;Sb 0−1.5%;CeO 0−0.5%;NaO 0−2.0%;KO 0−2.0%;Y 0−2.0%;La 0−1.0%をも含む。
更に、MgO 4−10.0%又はZnO 4−12.5%の少なくとも一方を含む。
更に、記述のガラスのモース硬さ>7で、かつ、可視光が1mm透過する率は80%より大きい。
高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であって、当該方法には以下の手順を含む:
(a)原料配合
質量比に基づいて原料を計量して、ミキサーに投入して、混合の後、前駆体ガラス原料とする;
(b)製錬
上記前駆体ガラス原料を製錬炉に投入して、高温状態で溶融、清澄を経て、上記前駆体ガラス原料を高温ガラス原液に溶解し、同時に高温ガラス原液の気泡と異物を除去する;
(c)成形及びアニーリング
溶融済みの上記高温ガラス原液を一定の出湯温度において、粗くアニーリングを行う;
(d)熱処理
上述のように粗くアニーリングされたガラスを高温炉に入れて、熱処理し、熱処理完了後はガラスにおいてスピネル結晶体の微結晶を生成し、本発明の高硬度結晶質ガラスを得る。
更に、手順(a)記述の原料は、MgO、NaO、KOは炭酸塩或いは硝酸塩或いは硫酸塩の形にて導入され、その他の成分は、酸化物の形で導入される。
更に、手順(b)記述の溶解は、温度は1550−1600℃で、時間は4−8hで行われ;記述の清澄は、温度は1600−1650℃で、時間は4−10hで行われる。
更に、手順(c)記述の出湯温度は、1500−1600℃であり;記述の成形は、熱せられた金型において冷却成形、或いはフロート法、または型押し法によって成形する。
更に、記述の熱せられた金型は、成形過程において金型温度を100−200℃に保たれ;記述の冷却は、高温ガラス液を金型に入れるとき、予熱された金型に対してエア・ブロー冷却する。
更に、手順(d)記述の熱処理には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む;記述の結晶核析出の段階に必要な温度は650−800℃で、保持時間は1−4hである;記述の微結晶成長の段階に必要な温度は850−1000℃で、保持時間は0.5−4hである。
本発明では、以下の観点から有利である:適切な前駆体ガラスを使って熱処理を行い、ガラス基材から結晶化して微結晶を析出し、高硬度透明結晶質ガラスを調製する。本発明の調製過程は簡単で、コストは低く、大規模生産に適する。本発明の高硬度透明結晶質ガラスのモース硬さは7より大きく、1mmのガラスの可視光透過率は80%より大きく、ガラスの高い透明度と、セラミックスの高硬度を含む、物理的・化学的性質を兼ねて有する。本発明の結晶質ガラスは高い機械強度、高い熱安定性、良好な化学安定性をもち、耐磨耗性が良く、電気絶縁性が良く、比較的に良好な可視光性能及び光化学加工性等の特徴を有する。そのうえ、普通の光学ガラスにおける傷つきやすいという問題を克服した。従って、携帯電話の保護パネル、光学機器と通信設備の防護ガラス、磁気ディスク基板、液晶ディスプレイパネル或いはその他光電子部品の防護ガラス等に用いられる。
本発明の高硬度透明結晶質ガラスは、ZnO(MgO)−Al−SiO系を使う。熔融過程を通じて前駆体ガラスを調製し、前駆体ガラスはアニーリングと熱処理を経て、高硬度結晶質ガラスを調製する。
SiOとAl3、及びMgO或いはZnOは、本発明のガラスを構成する主要成分であり、MgO(或いはZnO)−Al−SiO状態図に基づき、本発明において、SiOの含有量は55.0−70.0%、Alの含有量は15.0−20.0%、MgOの含有量は0−10.0%、ZnOの含有量は0−12.5%である。本発明のガラスはMgOとZnOのいずれか一つを必ず含有する。MgOとZnOの含有量がこの範囲を超えた場合は、ガラスにはその他の結晶体が現れ、ガラスの透明度を下げてしまい、要求を満たさなくなる。上記成分の含有量の範囲においては、ガラスにマグネシアアルミナ尖晶石、或いは亜鉛アルミナ尖晶石微結晶の少なくともいずれか一方を形成する。好ましくは、MgOの含有量は4−10.0%で、ZnOの含有量は4−12.5%である。
ZrO2、5、およびTiOはガラスの結晶体の核化剤であり、通常さまざまな核化剤を用いることによって、結晶核の数量が多くなり、結晶化後、結晶体のサイズが小さくて均一になり、透過率が均一になる。ZrOは溶解温度が高いため、含有量は通常10.0%を超えない;Pは含有量が多すぎると相分離現象が起きるため、通常2.0%を超えない;TiOは主要核化剤であり、その含有量は通常7.0%を超えない。TiOの含有量が多すぎると、核形成により形成されたチタン酸塩の硬さが低くなり、ガラスの硬さに影響を与える。
SbとCeOは清澄剤であり、両者は同時に使わない。Sbの含有量は1.5%を超えない。多すぎると清澄作用にならなくなる。CeOの含有量は0.5%を超えない。多すぎるとガラスの可視光透過率が低下してしまう。
NaOとKOは溶解補助剤であり、溶解温度と清澄温度を下げる。但しNaO、KOの含有量はどちらも2%を超えてはならない。多すぎるとガラスの硬さが低下してしまう。
とLaは別途追加する添加剤であり、ガラスの硬さを低下させない前提で、ガラス溶解温度を少し下げることができる。但しその量は多すぎてはならない。Yの含有量は2.0%を超えてはならず、Laの含有量は1.0%を超えてはならない。
本発明の調製方法は以下の手順を含む:
(a)原料配合
前駆体ガラスの質量組成に基づいて、MgO、NaO、KOを炭酸塩、硝酸塩或いは硫酸塩の形で導入し、その他の成分を酸化物の形で導入する。質量比によって、原料を計量して、ミキサーに投入して、混合の後前駆体ガラス原料を得る;
(b)製錬
上記前駆体ガラス原料を製錬炉に投入して、高温状態で溶融、清澄を経て、前駆体ガラス原料を高温ガラス原液に溶解し、同時に高温ガラス原液の気泡と異物を除去する;
(c)成形及びアニーリング
熔融済みの高温ガラス原液を一定の出湯温度で、熱せられた金型において冷却成形するか、或いはフロート法や、型押し法によって成形し、成形されたガラスをマッフル炉において粗くアニーリングを行う;
(d)熱処理
上述のように粗くアニーリングされたガラスを高温炉またはマッフル炉に投入して熱処理し、熱処理終了後はガラスにおいて、スピネル結晶体の微結晶を生成し、本発明の高硬度結晶質ガラスを得る。
上記手順(a)のミキサー7ではV型ミキサーを使うことができる。上記手順(b)においては高温で溶解し、その温度は1550−1600℃、時間は4−8hとする;高温で清澄し、その温度は1600−1650℃、時間は4−10hとする;記述の製錬炉には電気炉或いはるつぼ炉を使う。上記手順(c)の熱せられた金型の出湯温度は1500−1600℃である;熱せられた金型は、成形過程において、金型温度を100−200℃に保たれる;冷却は、高温ガラス液を金型に投入するとき、予熱された金型に対してエア・ブロー冷却を行う;上記手順(d)の熱処理過程には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む。結晶核析出段階に必要な温度は650−800℃で、保持時間は1−4hである;微結晶成長段階に必要な温度は850−1000℃で、保持時間は0.5−4hである。
本発明は前駆ガラスになるものを熱処理し、ガラス基材から結晶化して微結晶を析出させる方法で、高硬度の結晶質ガラスを調製し、そのモース硬さは7より大きく、強いては7.5以上になる。1mmのガラスの可視光透過率は80%より大きい。本発明で調製する高硬度結晶質ガラスは高硬度、高い機械強度、高い熱安定性、良好な化学安定性をもち、耐磨耗性が良く、電気絶縁性が良く、透明性を有し、及び光化学加工が可能な特徴を有し、携帯電話保護パネル、光学機器と通信設備の防護ガラス、磁気ディスク基板、液晶ディスプレイパネル等に用いることができる。
実施例1:
先ず、質量比に基づいて62%のSiO、18%のAl、10%のMgO、5%のTiO、3%のZrO、0.5%のPと、1.5%の清澄剤Sbを計量して、それら全部をV型ミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、1600℃の温度で8時間溶解し、1650℃の温度で10時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を1600℃で出湯して、金型によって成形する;金型温度は200℃で、成形時にはエア・ブロー冷却を行い、調製で得られたガラスを680℃のマッフル炉で粗くアニーリングする。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を750℃に保持し、2h維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を950℃程度まで上昇させて、微結晶成長段階に入り、2h維持すると、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ8の高硬度結晶質ガラスが得られ、1mmの結晶質ガラスに対する可視光透過率は80%以上となる。
実施例2:
先ず、質量比に基づいて60%のSiO、20%のAl、8%のMgO、1%のKO、1%のNaO、5%のTiO、3%のZrO、0.5%のPと、1.5%の清澄剤Sbを計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、1600℃の温度で4時間溶解し、1650℃の温度で4時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を1550℃で出湯して、フロート法による成形でガラスを製造して、680℃のマッフル炉で粗くアニーリングを行う。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を700℃に保持し、4h維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を900℃程度まで上昇させて、微結晶成長段階に入り、3h維持すると、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ8の高硬度結晶質ガラスが得られ、1mmの結晶質ガラスの可視光透過率は80%以上となる。
実施例3:
先ず、質量比に基づいて、55%のSiO、20%のAl、10%のMgO、2%のKO、7%のTiO、5.5%のZrOと、0.5%の清澄剤Sbを計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、1550℃の温度で8時間溶解し、1650℃の温度で8時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を1550℃で出湯して、圧縮法による成形によってガラスを製造して、680℃のマッフル炉で粗くアニーリングを行う。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を700℃に保持し、4h維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を900℃ぐらいまで上昇して、微結晶成長段階に入り、4h維持すると、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ8の高硬度結晶質ガラスが得られ、1mmの結晶質ガラスの可視光透過率は80%以上となる。
実施例4:
先ず、質量比に基づいて、65%のSiO、15%のAl、10%のMgO、2%のNaO、5%のTiO、1%のZrO、0.5%のPと、1.5%の清澄剤Sbを計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
その他の試験条件と手順は、実施例3と同一である。すなわち、ガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ8の高硬度結晶質ガラスが得られ、1mmの結晶質ガラスの可視光透過率は80%以上となる。
実施例5:
先ず、質量比に基づいて、62%のSiO、20%のAl、4%のMgO、4%のZnO、1%のKO、1%のNaO、5%のTiO、1%のZrO、0.5%のPと、1.5%のSbを計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
その他の試験条件と手順は、実施例3と同一である。すなわち、ガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ8の高硬度結晶質ガラスが得られ、1mmの結晶質ガラスの可視光透過率は80%以上となる。
実施例6:
先ず、質量比に基づいて、65.0%のSiO、16.0%のAl、12.5%のZnO、6.0%のZrOと、0.5%のSbを計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、1600℃の温度で8時間溶解し、1650℃の温度で8時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を1600℃で出湯して、温度200℃の金型にエア・ブロー冷却し、金型を介して形成され、得られたガラスは、680℃のマッフル炉で粗くアニーリングされる。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と結晶質成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を800℃に保持し、4h維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を1000℃程度まで上昇させて、結晶質成長段階に入り、3h継続し、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石微結晶が形成され、モース硬さ8.0の高硬度結晶質ガラスが得られ、1mmの結晶質ガラスの可視光透過率は85%以上となる。
実施例7:
先ず、質量比に基づいて、60.5%のSiO、16%のAl、12.5%のZnO、2.0%のY、1.0%のLa、1.0%のNaO、0.5%のKO、6.0%のZrOと、0.5%のCeOを計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、1600℃の温度で8時間溶解し、1600℃の温度で8時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を1600℃で出湯して、金型によって成形する;温度200℃の金型で、成形時にエア・ブロー冷却して、ガラスを製造して、680℃のマッフル炉で粗くアニーリングを行う。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を750℃に保持し、2h維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を950℃程度まで上昇させて、微結晶成長段階に入り、1h維持すると、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石結晶質が形成され、モース硬さ7.5の高硬度結晶質ガラスが得られ、1mmの結晶質のガラス可視光透過率は80%以上となる。
実施例8:
先ず、質量比に基づいて、60%のSiO、17.5%のAl、12.5%のZnO、2%のY、1%のLa、0.3%のNaO、0.2%のKO、6.0%のZrOと、0.5%のCeOを計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
次に配合済みの前駆体ガラス原料を電気炉内に投入して、1600℃の温度で8時間溶解し、1650℃の温度で8時間清澄し、それから熔融済みのガラス液を1550℃で出湯して、温度100℃の金型にエア・ブロー冷却し、金型を介して形成され、得られたガラスは、680℃のマッフル炉で粗くアニーリングされる。
調製で得たガラスを高温炉内で熱処理する。当該熱処理過程には、結晶核析出と結晶質成長の二つの段階を含む。そのうち、結晶核析出の段階においては、マッフル炉内の温度を850℃に保持し、2h維持してガラスにできるだけ多くの結晶核を生成させ、続いてマッフル炉内の温度を950℃程度まで上昇させて、微結晶成長段階に入り、0.5h維持すると、最終的にガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石結晶質が形成され、モース硬さ7.5の高硬度結晶質ガラスが得られ、1mmの結晶質ガラスの可視光透過率は80%以上となる。
実施例9:
先ず、質量比に基づいて、62%のSiO、16%のAl、12.3%のZnO、2%のY、1%のLa、0.1%のNaO、0.1%のKO、6.0%のZrOと、0.5%のCeOを計量して、それら全部をミキサーに投入して十分混合して、前駆体ガラス原料とする。
その他の試験条件と手順は、実施例8と同一である。すなわち、ガラスにおいて、均一のマグネシアアルミナ尖晶石結晶質が形成され、モース硬さ8の高硬度結晶質ガラスが得られ、1mmの結晶質ガラスの可視光透過率は80%以上となる。

Claims (10)

  1. 高硬度透明結晶質ガラスであり、その成分は質量百分率でSiO 55.0−70.0%;Al 15.0−20.0%;MgO 0−10.0%;ZnO 0−12.5%を含み、MgO或いはZnOのいずれか一方を必ず含有し、結晶化したガラス中にはスピネル結晶体の微結晶を含む。
  2. 請求項1記述の高硬度透明結晶質ガラスであり、更にZrO 0−10.0%;P 0−2.0%;TiO 0−7.0%;Sb 0−1.5%;CeO 0−0.5%;NaO 0−2.0%;KO 0−2.0%;Y 0−2.0%;La 0−1.0%を含む。
  3. 請求項1或いは2のいずれかに記述の高硬度透明結晶質ガラスであり、MgO 4−10.0%又はZnO 4−12.5%の少なくとも一方を含む。
  4. 請求項1或いは2のいずれかに記述の高硬度透明結晶質ガラスであり、前記ガラスのモース硬さ>7で、かつ、可視光が1mm透過する率は80%より大きい。
  5. 高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、当該方法は以下の手順を含む:
    (a)原料配合
    質量比に基づいて原料を計量して、ミキサーに投入して、混合の後、前駆体ガラス原料とする;
    (b)製錬
    上記前駆体ガラス原料を製錬炉に投入して、高温状態で溶融、清澄を経て、上記前駆体ガラス原料を高温ガラス原液に溶解し、同時に高温ガラス原液の気泡と異物を除去する;
    (c)成形及びアニーリング
    溶融済みの上記高温ガラス原液を一定の出湯温度において、粗くアニーリングを行う;
    (d)熱処理
    上述のように粗くアニーリングされたガラスを高温炉に入れて、熱処理し、熱処理完了後はガラスにおいてスピネル結晶体の微結晶を生成し、本発明の高硬度結晶質ガラスを得る。
  6. 請求項5記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、手順(a)記述の原料は、MgO、NaO、KOは炭酸塩或いは硝酸塩或いは硫酸塩の形にて導入され、その他の成分は、酸化物の形で導入される。
  7. 請求項5記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、手順(b)記述の溶解は、温度は1550−1600℃で、時間は4−8hで行われ;記述の清澄は、温度は1600−1650℃で、時間は4−10hで行われる。
  8. 請求項5記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、手順(c)記述の出湯温度は、1500−1600℃であり;記述の成形は、熱せられた金型において冷却成形、或いはフロート法、または型押し法によって成形する。
  9. 請求項8記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、記述の熱せられた金型は、成形過程において金型温度を100−200℃に保たれ;記述の冷却は、高温ガラス液を金型に入れるとき、予熱された金型に対してエア・ブロー冷却する。
  10. 請求項5記述の高硬度透明結晶質ガラスの調製方法であり、手順(d)記述の熱処理には、結晶核析出と微結晶成長の二つの段階を含む;記述の結晶核析出の段階に必要な温度は650−800℃で、保持時間は1−4hである;記述の微結晶成長の段階に必要な温度は850−1000℃で、保持時間は0.5−4hである。
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