JP2017514167A - エッジ結合デバイス製造 - Google Patents
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Abstract
Description
本特許出願は、2014年4月9日に出願されたHuapu Panらによる「Edge Coupling Fabrication」と題する米国特許仮出願第61/977,366号に基づく優先権を主張するものである。この仮出願の教示および開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
該当なし。
該当なし。
102 逆テーパ状シングルシリコン導波路
104 シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハ
106 リブ導波路
108 高性能レンズドファイバ
200 エッジ結合デバイス
202 窒化ケイ素(SiN)層
204 二酸化ケイ素(SiO2)層
206 ダイヤモンド状炭素(DLC)層
208 半導体デバイス
210 酸窒化ケイ素(SiON)カプラ
300 エッジ結合デバイス
302 集積回路ウェーハ
304 基板
306 埋込み酸化物(BOX)層
308 半導体材料
310 逆テーパ状導波路
312 クラッド材料
314 トレンチ
316 高屈折率材料
318 リッジ導波路
400 エッジ結合デバイス
402 ウェーハ
406 埋込み酸化物層
410 逆テーパ状シリコン導波路
412 クラッド材料
414 トレンチ
416 高屈折率材料
418 リッジ導波路
420 エッチング停止層
500 エッジ結合デバイス
502 ウェーハ
504 基板
506 BOX層
508 シリコン半導体材料
510 逆テーパ状シリコン導波路
512 二酸化ケイ素クラッド材料
514 トレンチ
516 酸窒化ケイ素層または酸化ケイ素ポリマー層
518 リッジ導波路
520 窒化ケイ素エッチング停止層
522 中央部分
524 外側部分
Claims (20)
- エッジ結合デバイスを製造する方法であって、
逆テーパ状シリコン導波路上にトレンチを形成するようにクラッド材料の一部分を除去するステップと、
前記クラッド材料の残りの部分を覆っておよび前記トレンチ内に二酸化ケイ素よりも高い屈折率を有する材料を堆積するステップと、
リッジ導波路を形成するように前記トレンチ内の材料の一部分を除去するステップと、
を備える、方法。 - 前記クラッド材料の一部分を除去するステップの前に、前記逆テーパ状シリコン導波路上にエッチング停止層を形成するステップをさらに含み、前記クラッド材料の一部分は、前記エッチング停止層までエッチングすることにより除去される、請求項1に記載の方法。
- 時限エッチングプロセスを使用して前記クラッド材料の一部分を除去するステップをさらに備える、請求項2に記載の方法。
- フォトリソグラフィプロセスを使用して前記トレンチ内の材料の一部分を除去するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 前記クラッド材料は、二酸化ケイ素層を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記クラッド材料は、二酸化ケイ素層と、窒化ケイ素層および炭化ケイ素層のうちの少なくとも一方と、を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記材料の屈折率は、ケイ素の屈折率未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記材料は、窒化ケイ素(SiN)、シリコン酸化物(SiOx)、酸窒化ケイ素(SiON)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)のうちの1つである、請求項1に記載の方法。
- 前記材料の厚さは、2マイクロメートル(μm)〜20μmの間である、請求項1に記載の方法。
- 前記トレンチの幅が、逆テーパ状シリコン導波路の幅よりも大きく、前記トレンチの幅は、5μm超である、請求項1に記載の方法。
- 前記リッジ導波路は、シングルモード条件を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記リッジ導波路は、リッジ導波路幅がリッジ導波路高さと均等となるように形成される、請求項1に記載の方法。
- エッジ結合デバイスを製造する方法であって、
逆テーパ状シリコン導波路上に配設されたクラッド材料内にトレンチを形成するステップと、
前記トレンチ内に屈折率材料を堆積するステップであって、前記屈折率材料は1.445〜3.5の間の屈折率を有する、ステップと、
前記トレンチ内にリッジ導波路を形成するように前記屈折率材料をパターニングするステップと、
を備える、方法。 - 前記トレンチを形成するステップの前に、前記逆テーパ状シリコン導波路上にエッチング停止層を形成するステップをさらに備える、請求項13に記載の方法。
- 前記逆テーパ状シリコン導波路の幅が狭くなるにつれて、PICデバイスの前記逆テーパ状シリコン導波路から前記リッジ導波路まで光学モードを徐々に伝達するステップをさらに備える、請求項13に記載の方法。
- 前記エッジ結合デバイスのモードサイズが、前記リッジ導波路のサイズと一致し、前記リッジ導波路は、シングルモード条件を有し、前記モードサイズは、3マイクロメートル(μm)〜10μmの間である、請求項13に記載の方法。
- シリコン・オン・インシュレータ(SOI)デバイスに前記エッジ結合デバイスをモノリシックに一体化するステップをさらに備える、請求項13に記載の方法。
- 基板と、
前記基板を覆って配設された埋込み酸化物と、
前記埋込み酸化物を覆って配設されたクラッド材料であって、トレンチを備えるクラッド材料と、
前記トレンチの下に前記クラッド材料内に配設された逆テーパ状シリコン導波路と、
前記トレンチ内に配設されたリッジ導波路であって、前記リッジ導波路および前記逆テーパ状シリコン導波路は相互に垂直方向に整列される、リッジ導波路と、
を備える、エッジ結合デバイス。 - 前記クラッド材料の50%超が、二酸化ケイ素(SiO2)であり、前記クラッド材料は、窒化ケイ素(SiN)および炭化ケイ素(SiC)のうちの少なくとも一方を含む複数のスタックを備え、前記クラッド材料は、1マイクロメートル(μm)〜3μmの間の厚さを有する、請求項18に記載のエッジ結合デバイス。
- 前記クラッド材料の屈折率が、二酸化ケイ素の屈折率よりも高く、かつケイ素の屈折率未満であり、前記リッジ導波路は、シングルモード条件を有する、請求項18に記載のエッジ結合デバイス。
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