JP2017224763A - 半導体素子の製造方法、半導体素子 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態に係る半導体素子の断面図である。この半導体素子は、Znがドープされたp型InPを材料とする基板1の上に、メサ部と、メサ部を埋め込む電流狭窄部とを形成した半導体レーザ素子である。メサ部は、基板1の上方に形成されたp型層2と、p型層2の上方に形成された活性層3と、活性層3の上方に形成されたn型層4と、を有する。メサ部は、リッジ導波路を提供する。
まず、図2に示す構造を作成する。すなわち、基板1の上に、有機金属気相成長法を用いp型層2A、活性層3A及びn型層4Aを順次形成する。p型層2Aは、例えば、成長温度550〜700℃で、厚みが0.5〜2.0μmとなり、キャリア濃度が0.05〜2.5E18cm−3になるように形成する。p型層2Aは例えば、Znがドープされたp型InPクラッド層である。
次いで、図4に示す電流狭窄部を形成する。この工程では、メサ部の左右に、有機金属気相成長法により、p型電流ブロック層6Aと、p型電流ブロック層6Aの上方のn型電流ブロック層5Aと、n型電流ブロック層5Aの上方のi型の電流ブロック層6Bと、を有する電流狭窄部を形成する。成長温度は例えば550〜700℃程度である。なおi型とはアンドープということである。
次いで、有機金属気相成長装置にて例えばZnなどのp型不純物を気相拡散させ、i型の電流ブロック層6Bと、n型電流ブロック層5Aの上側の部分と、n型層4Bの左右の部分を、p型半導体とする。より具体的に言えば、i型の電流ブロック層6Bと、n型電流ブロック層5Aの上側の部分と、n型層4Bの左右の部分にp型不純物を気相拡散させて、少なくともn型電流ブロック層5Aの上側の部分と、n型層4Bの左右の部分を、p型半導体とする。この工程をp型化工程という。図5には、p型化工程後の半導体素子の断面図が示されている。n型電流ブロック層5Aの上側の部分は、p型化され、p型化された部分は図5では破線で示されている。n型層4Bの左右の部分はp型化され、p型化された部分は図5では破線で示されている。p型化工程により、図4の延長部5aはp型化し「nつながり」は解消する。また、n型層4Bの左右がp型化された結果、n型層4の幅は活性層3の幅より小さくなる。
次いで、SiO2マスク10を除去し、有機金属気相成長法を用いコンタクト層を形成する。図6には、メサ部と電流狭窄部の上に形成されたコンタクト層7が示されている。コンタクト層7は、例えば、成長温度550〜700℃で、キャリアであるSの濃度が1.0〜15.0E18cm−3となるように形成した、Sドープn型InP層である。コンタクト層7の厚さは例えば1.0〜3.0μmである。
Claims (5)
- 基板の上方に、p型層と、前記p型層の上方の活性層と、前記活性層の上方のn型層と、を有するメサ部を形成するメサ部形成工程と、
前記メサ部の左右に、p型電流ブロック層と、前記p型電流ブロック層の上方のn型電流ブロック層と、前記n型電流ブロック層の上方のi型又はp型の電流ブロック層と、を有する電流狭窄部を形成する電流狭窄部形成工程と、
前記i型又はp型の電流ブロック層と、前記n型電流ブロック層の上側の部分と、前記n型層の左右の部分にp型不純物を気相拡散又は固相拡散させて、前記n型電流ブロック層の上側の部分と、前記n型層の左右の部分を、p型半導体とするp型化工程と、を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記基板はInPであり、
前記p型層はZnがドープされたInPであり、
前記n型層はSがドープされたInPであり、
前記p型電流ブロック層はZnがドープされたInPであり、
前記n型電流ブロック層はSがドープされたInPであり、
前記p型不純物はZnであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記p型化工程では、前記p型不純物の拡散源となる膜を電流狭窄部の上に形成し、前記p型不純物を固相拡散させることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子の製造方法。
- 基板と、
前記基板の上方に形成されたp型層と、前記p型層の上方に形成された活性層と、前記活性層の上方に形成されたn型層と、を有するメサ部と、
前記メサ部の左右にp型電流ブロック層とn型電流ブロック層とを有する電流狭窄部と、を備え、
前記n型層は前記活性層よりも幅が小さいことを特徴とする半導体素子。 - 前記n型層の幅は前記活性層の幅より100nm以上小さいことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016120151A JP2017224763A (ja) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 半導体素子の製造方法、半導体素子 |
US15/404,428 US9948064B2 (en) | 2016-06-16 | 2017-01-12 | Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
CN201710457276.6A CN107528215B (zh) | 2016-06-16 | 2017-06-16 | 半导体元件的制造方法、半导体元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016120151A JP2017224763A (ja) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 半導体素子の製造方法、半導体素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017224763A true JP2017224763A (ja) | 2017-12-21 |
Family
ID=60660903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016120151A Pending JP2017224763A (ja) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 半導体素子の製造方法、半導体素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9948064B2 (ja) |
JP (1) | JP2017224763A (ja) |
CN (1) | CN107528215B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2019193679A1 (ja) * | 2018-04-04 | 2020-12-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN108767007B (zh) * | 2018-06-04 | 2021-01-22 | 电子科技大学 | 一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管 |
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CN114825046B (zh) * | 2022-06-27 | 2022-09-02 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种半导体发光结构及其制备方法 |
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JP2815769B2 (ja) * | 1992-12-15 | 1998-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
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-
2016
- 2016-06-16 JP JP2016120151A patent/JP2017224763A/ja active Pending
-
2017
- 2017-01-12 US US15/404,428 patent/US9948064B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP7145936B2 (ja) | 2018-04-04 | 2022-10-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107528215A (zh) | 2017-12-29 |
CN107528215B (zh) | 2019-11-08 |
US9948064B2 (en) | 2018-04-17 |
US20170365981A1 (en) | 2017-12-21 |
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