JP2017212082A - 有機ｅｌ表示素子及び製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】決壊や異物による欠陥部に対してセルリピアを施す際、補修材拡散による影響を最小限留めることができる、有機ＥＬ表示素子を提供する。【解決手段】行バンク本体２５ｒ１１の側壁の両側から離間した状態で隔壁２６、２７が設けられている。これらの隔壁２６、２７は、補修材の流動による列方向の拡散を防止する拡散防止材であり、補修材のプールを形成する。【選択図】図５

Description

本開示は、有機EL表示パネルに関し、特に、バンクの改良に関する。

有機EL表示パネルのバンクとは、基板上又は基板の上方に行列状に配置された絶縁材料の隔壁のことであり、行方向に延伸する行バンク、列方向に延伸する列バンクの２種がある。複数の行バンク、複数の列バンクにより区画される凹空間はセルと呼ばれ、ここに有機機能層を形成することで有機ＥＬ表示素子が構成される。
以下、従来の有機EL表示パネルの製造方法の概要について説明する。従来の有機EL表示パネルの製造方法は、基板上にバンクを形成しておいて、バンクで区画されたセルに発光層などの有機機能層を形成する。この有機機能層の形成にはウェット方式が広く用いられる。ウェット方式とは、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子を含むインクをインクジェットでセルに塗布することにより有機機能層を形成するという工法である。

ところで、従来技術では、ウェット方式によるインク塗布において、あるセルを対象として吐出されたインク液が、列バンクの垣根を越えて隣接するセルに漏れ出すことがある。このようなインク液の漏洩は、列バンクの形成不良や、列バンクに付着していた異物を原因として発生する。インク液の漏洩を避けるため、従来の有機EL表示パネルの製造工程では、行バンク、列バンクの形成後にバンクの欠陥部の有無を検査し、欠陥部が存在すれば、バンクに補修を施す。これにより、欠陥部の存在を原因としたインク混色から、欠陥部の周囲に位置するセルを救済する。

国際公開ＷＯ２０１０／０１３６５４号

ところで上記のバンク補修では、ペースト状の補修材が使用される。そのため、バンク補修がなされた箇所では、補修材の染み出しが発生する。この補修材の染み出しが、列バンクの側壁をつたって周囲に広がると、バンクの補修により救済されるべきセルやこれに隣接するセルが欠陥部になるという問題がある。
本開示の目的は、補修材の染み出しの広がりを抑制して、セルの欠陥化を減少させることができる有機ＥＬ表示素子を提供することである。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示素子は、基板と、基板上又は基板の上方に並設された複数の列バンク及び複数の行バンクと、有機機能層とを有する有機ＥＬ表示素子であって、
前記有機機能層は、複数の行バンク及び複数の列バンクのうち隣接するもの同士で区画された凹空間に形成されており、
前記複数の列バンクの何れかには欠陥部分が存在しており、
前記欠陥部分の行方向の両側のそれぞれに位置する凹空間は、補修材からなる堰がその上面に積層された行バンクによって列方向の端部が規定されており、
前記堰は、前記行バンクに付随して設けられた拡散防止材により、補修材の流動による列方向の拡大が規制されているという態様のものである。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示素子によれば、行バンクに付随して設けられた拡散防止部材により、補修材の染み出しの広がりが抑制されるので、セルの欠陥数を減少させることができる。

実施の形態１に係る表示パネル１００を有する有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。 表示パネル１００の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。 表示パネル１００を図２のＡ−Ａ'線で切断した一部拡大断面図である。 （ａ）は、有機EL表示パネルを平面視した際の、１つの行バンク（行バンク２４ｒ１１）の形状を示す。（ｂ）は、一点鎖線Ｂ−Ｂ‘の位置で行バンク２４ｒ１１を切断した際の断面構造を示す。（ｃ）は、一点鎖線Ｃ−Ｃ’の位置で行バンク２４ｒ１１を切断した場合の断面構造を示す。図４（ｄ）は、行バンク２４ｒ１１を斜め上から俯瞰した場合の斜視図である。 （ａ）は、補修材P1が積層された状態の行バンク２４ｒ１１を示す平面図、（ｂ）は、補修材P1が積層された状態の行バンク２４ｒ１１を、一点鎖線Ｂ−Ｂ‘の位置で切断した場合の側面図、（ｃ）は、補修材P1が積層された行バンク２４ｒ１１を、一点鎖線Ｃ−Ｃ’の位置で切断した場合の断面図、（ｄ）は、補修材P1が積層された行バンク２４ｒ１１を、斜め上から俯瞰した場合の斜視図である。 表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。 （ａ）〜（ｃ）は、表示パネル１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、表示パネル１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。 列バンクの欠陥部検出工程の詳細を示すフローチャートである。 バンク欠陥部の検出と、その補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。 （ａ）は、複数のセルの斜視図である。（ｂ）は、ペースト性の補修材の積層がなされた状態の行バンク(行バンク２４r２１、行バンク２４r３１、行バンク２４r２２、行バンク２４r３２)を示す。（ｃ）は、補修材の積層がなされた状態の複数セルを示す。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルを平面視した際の平面図である。 （ａ）は、図１２における複数の行バンクのうち1つ（行バンク３４ｒ１１）を平面視した際の平面図である。（ｂ）は、一点鎖線Ｆ−Ｆ‘の位置で切断した場合の断面図、（ｃ）は、一点鎖線Ｇ−Ｇ’の位置で切断した場合の断面図、（ｄ）は、行バンク３４ｒ１１を斜め上から俯瞰した場合の斜視図である。 （ａ）は、補修材Ｐ１が積層された状態の行バンク３４ｒ１１の平面図、（ｂ）は、補修材Ｐ１が積層された行バンク３４ｒ１１を一点鎖線Ｆ−Ｆ’の位置で切断した場合の断面図、（ｃ）は一点鎖線Ｇ−Ｇ’の位置で切断した場合の断面図、（ｄ）は、行バンク３４ｒ１１の斜視図である。 上面突起部形成工程の詳細を示すフローチャートである。 （ａ）は、欠陥部の座標(Xi,Yi),欠陥部に近いセルであるCell(A(Xi),B(Yi))、当該Cell(A(Xi),B(Yi))を規定する行バンクの左端座標(ui,vi)がどのような位置関係にあるかを示す。（ｂ）は、フローチャートで使用されているXn,Ynが、(ui,vi)を左端座標とする行バンクの縦幅、横幅を示すこと、突起部が、行バンクの短辺からＸoffだけ隔てられた位置に存在することを示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は、ニードル２１３からの補修材吐出による突起部の形成過程を示す図である。 （ａ）は、複数のセルの斜視図である。（ｂ）は、ペースト性の補修材の積層がなされた状態の行バンク(行バンク３４r２１、行バンク３４r３１、行バンク３４r２２、行バンク３４r３２)を示す。（ｃ）は、補修材の積層がなされた状態の複数セルを示す。 （ａ）は、補修材が積層された状態の行バンク４４を示す平面図、（ｂ）は補修材が積層された状態の行バンク４４を一点鎖線Ｋ−Ｋ’の位置で切断した場合の断面図、（ｃ）は、補修材が積層された状態の行バンク４４を示す平面図、（ｄ）は補修材が積層された状態の行バンク４４を一点鎖線Ｊ−Ｊ’の位置で切断した場合の断面図である。 （ａ）は、複数のセルの斜視図である。（ｂ）は、ペースト性の補修材の積層がなされた状態の行バンク(行バンク４４r２１、行バンク４４r３１、行バンク４４r２２、行バンク４４r３２)を示す。（ｃ）は、補修材の積層がなされた状態の複数セルを示す。

＜本開示の一態様に到った経緯＞
フラットディスプレイ基板の製造技術において、例えば、特許文献１には、列バンクを形成した後、インク塗布前に、列バンクにおける決壊箇所の周囲の一部を除去し、除去した箇所に溌インク性のポリマーからなる修正液を塗布して、列バンクにおける決壊箇所を修復する技術が開示されている。バンクが部分的に決壊している場合は、このような技術を用いて決壊部分の修復を行い、修復後にインクを塗布すれば、互いに異なるインクの混合を防止することができると考えられる。

ところが、バンクには、決壊だけでなく、ほこりなどの微小な異物が付着することによって生じる欠陥部もある。ほこりなどの微小な異物はポリマー液をはじくから、うまくバンクの欠陥部を補修することができない。そこでセルリペアを実行する。図１９（ａ）は、補修材が積層された状態の行バンク４４を示す平面図、図１９（ｂ）は補修材が積層された状態の行バンク４４を一点鎖線Ｋ−Ｋ’の位置で切断した場合の断面図である。セルリペアでは、図１９（ａ）、図１９（ｂ）に示すように欠陥部の両側に位置するセルの列方向の端部を規定する行バンク４４に補修材を積層することで堰を築く。このような補修材の積層で堰を形成することで、インク混色の範囲を一部のセルに留める。ここで、このような補修材の積層状態から相応の時間が経過すると、補修材は図１９（ｃ）、（ｄ）のような状態になる。行バンク４４の上面に積層された補修材はこの図１９（ｄ）に示すように列バンク４１、４２の側壁に引き付けられる。そして補修材の染み出しが、図１９（ｃ）に示すように列バンク４１、４２の側壁を伝って、列方向の上下に広がってゆく。この染み出しが広がる過程を示したのが、図２０（ａ）~（ｃ）である。図２０（ａ）の2つのセル（Ｃ（２,１）、Ｃ(２,２)）がセルリペアの対象である場合、図2０（ｂ）に示すように、これらのセルを囲む４つの行バンク４４ｒ２１、４４ｒ３１、４４ｒ２２、４４ｒ３２に補修材が積層される。これらの行バンクに積層された補修材の染み出しが、列バンクを伝って広がると、Ｃ（２,１)、Ｃ(２,２)の上下に位置する４つのセル（Ｃ(１,１)、Ｃ（１,２）、Ｃ（３,１）、Ｃ（３,２））にまで染み出しがおよび、結果、計６つのセルが欠陥部となる。個々のセルは、ＲＧＢフルカラー方式の画素におけるＲ成分のサブピクセル、Ｇ成分のサブピクセル、Ｂ成分のサブピクセルに対応する。補修材の染み出しが広がることで、６つのサブピクセルが欠陥部になり、これを原因としたダークスポットが発生する。このようなダークスポットの拡大を避けるには、補修材の使用時にあたって、その補修材の染み出しを防止する措置が必要になる。このような考察のもとに、特に高精細のＥＬ表示装置において、セルリペアを容易に行うことができ、且つ、発光不良を抑えることのできるバンクの改良を検討した。そして、バンクの欠陥部自体を補修しなくても、列バンクの欠陥部の両側に位置する凹空間の行バンクに付随して拡散防止部材を設けることによって、異なるインク同士が混ざり合う領域が広がるのを抑えることができ、発光色不良の問題を解決できることを見出した。

＜本開示の一態様＞
本開示の一態様にかかる有機ＥＬ表示素子は、基板と、基板上又は基板の上方に並設された複数の列バンク及び複数の行バンクと、有機機能層とを有する有機ＥＬ表示素子であって、
前記有機機能層は、複数の行バンク及び複数の列バンクのうち隣接するもの同士で区画された凹空間に形成されており、
前記複数の列バンクの何れかには欠陥部分が存在しており、
前記欠陥部分の行方向の両側のそれぞれに位置する凹空間は、補修材からなる堰がその上面に積層された行バンクによって列方向の端部が規定されており、
前記堰は、前記行バンクに付随して設けられた拡散防止材により、補修材の流動による列方向の拡大が規制されているという態様のものである。

行バンクに積層された補修材の流動による列方向の広がりは、行バンクに付随して設けられた拡散防止材によって規制されるから、セルリペアにおいて、流動性を有した補修材が、行バンク上面からはみだすことはない。セルリペアの工程における補修材の拡散は、欠陥部の両側に位置する２つのセルに留まる。従って、行バンクに補修材を積層する方法でセルリペアを実行したとしても、その補修材の染み出しによる影響は、最低限に抑制される。

行バンク上に積層された堰で区画された凹空間の内部に、有機機能層を形成するインクが塗布されるから、製造された有機ＥＬ表示素子では、良好な表示性能が得られる。
ここで拡散防止材は、以下の具体的な態様にすることができる。具体的にいうと、前記拡散防止材は、前記行バンクの側壁の両側から離間した状態で並設された隔壁として構成することができる。この態様では、行バンクに積層された補修材の流動による列方向の広がりが、行バンクの両側の側壁から離間した状態で設けられた隔壁によって規制されるから、セルリペア時において、流動性を有した補修材が、行バンク上面からはみだすことはない。また、基板上の多くの行バンクに隔壁を設けておけば、正常かどうかが疑わしいセルの全てに対して自動的にリペアを行うという自動リペアの実現が可能となる。自動リペアでは、欠陥部バンクの所在を正確に把握する必要はないので、製造効率を高めることができる。

また行バンクの両側から、補修材による拡散を阻止するので、セルリピアに用いるべき補修材として、染み出しが拡散しないような補修材を選択する必要はない。これにより、セルリペアに使用することができる、補修材の材質の幅が広がる。
ここで隔壁の特徴としては、前記隔壁の高さは行バンクの高さよりも高いという態様で構成することができる。行バンクの側壁の両側から離間した状態で並設された隔壁は、行バンク本体よりも高いので、行バンク上に補修材を高く積み上げ、堰の高さを高くしたとしても、補修材の染み出しが、行バンクの周囲に拡散することはない。堰の高さを高くすることによるインク漏れの防止効果と、補修材染み出し拡散防止効果とを両立させることができる。ここで拡散防止部材の別の態様として、前記拡散防止材は、行バンクの上面から突出した親液性の突起部であり、前記行バンクの高さと、前記突起部の高さとの合計値は、前記列バンクの高さよりも低いという態様にすることができる。

突起部は行バンク上面の端部に置かれるので、補修材は親液性の突起部に引き寄せられながら行バンクの上面に積層されてゆく。これにより、補修材の流動による列方向への広がりが規制されるので、補修材の積層は、行バンク上で安定した姿勢を保つ。行バンク上面からの補修材のはみだしをなくすことができるので、補修材の染み出しを抑制することができる。拡散防止部材である突起部は、行バンクの上面に設けられ、セルに対応する有機機能層の発光領域に手が加えられることはないから、拡散防止部材の設置が画素の開口率低下を招くことはない。以上により、画素の開口率低下を招くことなく、インク塗布工程におけるインク混色を防ぐことができる。

突起部形成の対象は以下のものにすることができる。具体的にいうと、前記欠陥部の両側に位置する凹空間の列方向端部を規定する行バンクを除く、残りのバンクには、前記上面における突起部が存在しないという態様にすることができる。突起部形成の対象が、欠陥部の両側に位置する凹空間の列方向端部を規定する行バンクにのみ存在し、他の行バンクには存在しないから、突起部は、セルリペアの対象になった行バンクに形成すれば足りる。突起部形成の対象は、一部の行バンクに限られるから、製造コストの大きな増大をもたらすことはない。

突起部の材質としては以下のものを採用することができる。具体的にいうと、前記親液性の突起部は、前記行バンクと同じ材質で構成することができる。補修材として、行バンクの材質と同様のものを採用するから、補修材の吸い寄せ効果を高めることができる。行バンクに積層された補修材の列方向の広がりが規制され、補修材の染み出しの広がりがなくなるので、セルリペアを実行したとしても、欠陥部とされるセルの数を少なくすることができる。

製造方法としては、基板上方に複数の行バンク及び複数の列バンクを形成し、複数の行バンク及び複数の列バンクで区画された凹空間のそれぞれに、有機機能層を形成することによって有機ＥＬ表示素子を製造する方法であって、複数の列バンク及び複数の行バンクを形成すると共に、各行バンクの側壁の両側から離間した状態で並設された複数の隔壁を形成し、前記基板上方に形成された列バンクにおける欠陥部分を検出し、行バンクであって、欠陥部分の行方向の両側のそれぞれに位置する凹空間の列方向端部を規定するものの上面に、補修材を積層し、複数の列バンク及び補修材が積層された複数の行バンクにより区画される凹空間のそれぞれに、インクジェットノズルから吐出されたインクを塗布することで前記有機機能層を形成することができる。列バンク、行バンクを形成する際、行バンクに沿って、行バンク側壁の両側から離間した状態で隔壁を形成するので、既存の有機ＥＬ表示素子の製造工程を大きく変更する必要はない。これにより、補修材の列方向の染み出しの広がりを効率的に防止できるような有機ＥＬ表示パネルの早期実用化を図ることができる。

ここで隔壁形成工程の特徴としては、前記隔壁の高さは、行バンクの高さよりも高くすることができる。行バンク側壁の両側から離間した状態で並設された隔壁は、行バンク本体よりも高いので、行バンク上に補修材を高く積み上げ、堰の高さを高くしたとしても、補修材の染み出しが、行バンクの周囲に拡散することはない。堰の高さを高くすることによるインク漏れの防止効果と、補修材染み出し拡散防止効果とを両立させることができる。

上記の製造方法の態様では、行バンクの形成時に併せて、隔壁を形成するから、工程増加による処理効率低下が懸念される。そのような処理効率の低下を招かない製造方法として、 基板上方にバンクを形成し、当該バンクで区画された凹空間のそれぞれに、有機機能層を形成することによって有機ＥＬ表示素子を製造する方法であって、前記基板上方に形成された列バンクにおける欠陥部分を検出し、行バンクであって、欠陥部分の行方向の両側のそれぞれに位置する凹空間の列方向端部を規定するものを検出して、検出された行バンクの上面の端部に、親液性の突起部を形成し、突起部が形成された行バンクの上面の端部に補修材を積層することで堰を形成し、複数の列バンク及び補修材が積層された複数の行バンクにより区画される凹空間のそれぞれに、インクジェットノズルから吐出されたインクを塗布することで前記有機機能層を形成することができる。欠陥部の両側に位置するセルを検出して、補修材を積層すべき行バンクを特定した後に、補修材積層の前処理として、行バンク上面への突起部形成を行うので、拡散防止材の設置を短期間に完遂することができる。

突起部形成の対象は以下のものにすることができる。具体的にいうと、 前記欠陥部の両側に位置する凹空間の列方向端部を規定する行バンクを除く、残りのバンクには、前記上面における突起部を設けない態様にすることができる。突起部形成の対象が、欠陥部の両側に位置する凹空間の列方向端部を規定する行バンクにのみに限られるから、製造コストの大きな増大をもたらすことはない。

突起部形成時に使用すべき素材として、以下のものを採用することができる。具体的にいうと、前記親液性の突起部は、前記欠陥部分の行方向の両側のそれぞれに位置する凹空間の列方向端部を規定する行バンクを検出した際、当該行バンクと同じ材質の素材を、前記行バンクの上面に吐出することで形成することができる。補修材として、行バンクの材質と同様のものを採用するから、補修材の吸い寄せ効果を高めることができる。行バンクに積層された補修材の列方向の広がりが規制され、補修材の染み出しの広がりがなくなるので、セルリペアを実行したとしても、欠陥部とされるセルの数を少なくすることができる。

＜実施の形態１＞
［有機ＥＬ表示装置の全体構成］
図１は、実施形態１に係る表示パネル１００を有する有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部１０１とを有している。表示パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、図２に示すように、複数の発光素子（有機ＥＬ表示素子）１０が基板上にマトリクス状に配列されている。駆動制御部１０１は、４つの駆動回路１０２〜１０５と制御回路１０６とから構成されている。

なお、表示パネル１００に対する駆動制御部１０１の配置などは、これに限られない。
［有機ＥＬ表示パネルの構成］
図２は、表示パネル１００の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図３は、表示パネル１００を図２のＡ−Ａ'線で切断した一部拡大断面図である。表示パネル１００は、いわゆるトップエミッション型であって、Ｚ方向側が表示面となっている。

表示パネル１００の構成について、図２，３を参照しながら説明する。
図３に示すように、表示パネル１００は、その主な構成として、下地基板１１、画素電極１２、ホール注入層１３、列バンク１４、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を備える。
ホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６が、機能層に相当し、画素電極１２と共通電極１７によって、機能層が挟まれた構造となっている。そして、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する有機発光層１５を有する発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂをサブピクセルとし、図２に示すように、サブピクセルがマトリクス状に配設されている。なお、図２においては、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を取り除いた状態を示している。

［下地基板］
下地基板１１は、基板本体部１１ａ、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層１１ｂ、層間絶縁層１１ｃを有する。
基板本体部１１ａは、表示パネル１００の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。

ＴＦＴ層１１ｂは、基板本体部１１ａの表面にサブピクセル毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む画素回路が形成されている。
層間絶縁層１１ｃは、ＴＦＴ層１１ｂ上に形成されている。層間絶縁層１１ｃは、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料からなり、ＴＦＴ層１１ｂと画素電極１２との間の電気的絶縁性を確保すると共に、ＴＦＴ層１１ｂの上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極１２を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。

［画素電極］
画素電極１２は、下地基板１１上に、サブピクセル毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）等の光反射性導電材料からなる。本実施形態において、画素電極１２は、陽極である。

なお、画素電極１２の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。透明導電膜は、画素電極１２とホール注入層１３の間に介在し、各層間の接合性を良好にする。
［ホール注入層］
ホール注入層１３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層１３は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１５に対しホールを注入および輸送する機能を有する。

［バンク］
列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなり、ホール注入層１３の表面において、Ｙ方向に伸長する平面視にて短冊形状をなし、複数のものが並列に設けられている。

各列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４の断面は、図３に示されるように台形であって、列バンク１４同士の間には、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４によって区画された溝空間２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）が形成され、各溝空間２０の底部には、複数の画素電極１２がＹ方向に列設され、その上に機能層としてのホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６が形成されている。

列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４は、Ｘ方向に隣接する発光素子１０どうしを区画すると共に、有機発光層１５をウェット法で形成するときに、塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物としても機能する。尚、図２に示した列バンクの参照符号のうち、アルファベットｃに続く１から４までの数値は、列バンクの列位置を示す。図２における列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４は、その列位置が異なるのみでその構造・材質は同一である。

行バンク２４ｒ１１〜２４ｒ３１、２４ｒ１２〜２４ｒ３２、２４ｒ１３〜２４ｒ３３は、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４よりも高さが低く、各溝空間２０においてＹ方向に隣接する画素電極１２と画素電極１２との間に形成され、Ｙ方向に隣接する発光素子１０どうしを区画する。
複数の各溝空間２０において、形成されている複数の行バンク２４ｒ１１、２４ｒ１２、２４ｒ１３のＹ方向の位置は同じである。各行バンク２４ｒ１１、２４ｒ２１、２４ｒ３１はＸ方向に伸長し、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４の下を通り隣の行バンク２４ｒ１２、２４ｒ２２、２４ｒ３２につながってＸ方向に伸長する短冊状となっている。尚、行バンクの参照符号のうち、アルファベットｒに続く１１から４４までの数値は、行バンクの行列位置を示す。図２における行バンク２４ｒ１１〜２４ｒ４１、２４ｒ１２〜２４ｒ４２、２４ｒ１３〜２４ｒ４１３、２４ｒ１４〜２４ｒ４４は、その行列位置が異なるのみでその構造・材質は同一である。図２におけるセルＣ（１,１）〜セルＣ（３,１）、セルＣ（１,２）〜セルＣ（３,２）は、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３と、行バンク２４ｒ１１〜２４ｒ３１、２４ｒ１２〜２４ｒ３２とで区画される複数のセルを示す。

［有機発光層］
有機発光層１５は、キャリア（正孔と電子）が再結合して発光する部位であって、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応する有機材料を含む。
この有機発光層１５は、上記のバンク１４によって区画されたＹ方向に伸長する溝状の凹空間（図３（ａ）の溝空間２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ参照）に形成されている。

なお、図３（ａ）に示す溝空間２０Ｒは赤色の発光層が形成されて赤色の発光素子１０Ｒが形成される溝空間であり、溝空間２０Ｇ、溝空間２０Ｂは緑色、青色の発光層が形成されて、緑色、青色の発光素子１０Ｇ、１０Ｂが形成される溝空間である。
従って、互いに色の異なる有機発光層１５が、列バンク１４を挟んで配置されていることになる。

有機発光層１５の材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。

［電子輸送層］
電子輸送層１６は、共通電極１７から注入された電子を有機発光層１５へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などで形成されている。
［共通電極］
共通電極１７は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性を有する光透過性材料で形成され全てのサブピクセルに亘って設けられている。

本実施形態において、共通電極１７は陰極である。
［封止層１８］
封止層１８は、ホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７を水分及び酸素から保護するために設けられている。
なお、図示はしないが、封止層１８の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。

［行バンクの構成］
図２に示した複数の行バンクのうち１つを抜き出して説明する。図４（ａ）は、有機EL表示パネルを平面視した際の、１つの行バンク（行バンク２４ｒ１１）の形状を示す。図４（ｂ）は、図４（ａ）の一点鎖線Ｂ−Ｂ‘位置で行バンク２４ｒ１１を切断した際の側面構造を示す。図４（ｃ）は、図４（ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｃ’の位置で行バンク２４ｒ１１を切断した場合の断面構造を示す。図４（ｄ）は、行バンク２４ｒ１１を斜め上から俯瞰した場合の斜視図である。図４（ａ）〜（ｄ）に示すように、行バンク２４ｒ１１は、本体２５ｒ１１と、本体２５ｒ１１の側壁の両側から離間した状態で並設された一対の隔壁２６ｒ１１、２７ｒ１１とからなる。

行バンク側壁の両側から離間した状態で並設された隔壁２６ｒ１１、２７ｒ１１は、その行バンク本体２５ｒ1１よりも高く、列バンク１４ｃ１、列バンク１４ｃ２、１４ｃ３の高さの５０％〜１００％の範囲に設定されている。隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１を、列バンク１４ｃ１、列バンク１４ｃ２と同じ高さにすれば、行バンク本体２５ｒ１１に積層された補修材は、行バンク本体２５ｒ１１、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１で囲まれる空間に安定的に蓄積されることになる。しかし、行バンク本体２５ｒ１１上に積層された際、補修材は、表面張力によりしばしの間、安定的な形状を保つので必ずしも、列バンク１４ｃ１、列バンク１４ｃ２と同じ高さにする必要はない。列バンク１４ｃ１、１４ｃ２の高さに対して、６０％程度の高さがあれば、補修材の安定的な蓄積が可能になると考えられる。

尚、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１は、行バンク本体２５ｒ１１と同じ高さにしてもよい。隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１を同じ高さにすれば、一回のフォトリソグラフィーで、行バンク本体２５ｒ１１、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１を形成することができるからである。一方、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１が、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３の高さを超えることはあってはならない。列バンク１４ｃ１の高さを超えると、対向電極１６の形成に支障が生じるからである。

隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１の形状について述べる。隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１は、図４（ａ）~（ｄ）に示すように相応の厚みをもった板体であり、行バンク本体２５ｒ１１に沿って行方向に延伸する。隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１を板体としたのは、行バンク本体２５ｒ１１と併せて、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１を形成するという形成効率を重視したためである。しかしこれは一例であり、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１は角柱であってもよい。またその断面形状は、長方形、台形であってもよい。隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１の断面形状を台形とすれば、行バンク本体２５ｒ１１と、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１とがなす空間に、多くの補修材を安定的に蓄積することができる。

隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１の厚さについて述べる。隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１は、フォトリソグラフィーで形成可能な最小の厚みを有していれば足りる。隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１は補修材の積層が完了するまでに使用される一時的なものであり、充分な強度を有している必要はないからである。行バンク本体２５ｒ１１との間隔について述べる。行バンク本体２５ｒ１１と、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１との間隔は、行バンク２４ｒ１１全体の約５％の広さで足りる。行バンク本体２５ｒ１１と、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１とにこの程度の隙間があれば、行バンク本体２５ｒ１１上に積層された補修材が流れ込むだけのスペースを確保することができるからである。

隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１の設置場所について述べる。隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１は、行バンク本体２５ｒ１１のうち、列バンク１４ｃ１、列バンク１４ｃ２と接する場所、つまり、行バンク本体２５ｒ１１の端部には必ず設ける必要がある。補修材は、列バンク１４ｃ１、列バンク１４ｃ２に引き寄せられた後、列方向に広がるので、当該吸い寄せが発生する行バンク本体２５ｒ１１の両端部において、補修材の染み出しを堰き止める必要があるからである。図４では、行バンク本体２５ｒ１１の全周にわたって、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１を設けたが、部分的に、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１が存在しない箇所があってもよい。例えば、行バンク本体２５ｒ１１の行方向の中央部付近は、隔壁が存在しない空白部分にしてもよい。

行バンク本体２５ｒ１１、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１を含む行バンク２４ｒ１１の幅について述べる。行バンク２４ｒ１は、図２の平面図に示すように、コンタクトホール２ｒ１１のちょうど真上に存在して、その一部が、画素電極１２に重複している。そのため、隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１の幅を広くしたり、行バンク本体２５ｒ１１から隔壁２６ｒ１１、隔壁２７ｒ１１までの間隔を広くすると、行バンク２４ｒ１１と、セルの下部に存在する画素電極１２との重複部分の面積が大きくなる。かかる重複部分の面積が大きくなると、セルに対応するサブピクセルの画素開口率が小さくなる。よって隔壁２６ｒ１１、２７ｒ１1を含む行バンク２４ｒ１１の横幅は、一般的な行バンクの幅（１０μｍ）の１００〜１３０％の範囲にすることが望ましい。

図５（ａ）は、補修材P1が積層された状態の行バンク２４ｒ１１を示す平面図、図５（ｂ）は、補修材P1が積層された状態の行バンク２４ｒ１１を、図５（ａ）の一点鎖線Ｂ−Ｂ‘の位置で切断した場合の断面図、図５（ｃ）は、補修材P1が積層された行バンク２４ｒ１１を、図５（ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｃ’の位置で切断した場合の断面図、図５（ｄ）は、補修材P1が積層された行バンク２４ｒ１１を、斜め上から俯瞰した場合の斜視図である。これらの図に示すように、補修材P1は、行バンク本体２５ｒ１１と、隔壁２６ｒ１１及び隔壁２７ｒ１１とがなす溝部に入り込む形で行バンク本体２５ｒ１１上に蓄積されるので、補修材P1の染み出しが周囲に広がることはない。尚、隔壁２６ｒ１１及び隔壁２７ｒ１１により囲まれる空間が補修材P1で満たされると、補修材P1がセルに流れ込むこともあるが、その流入量は極めて少なくなる。以上、行バンク２４ｒ１１について説明したが、行バンク２４ｒ１１以外の行バンク（図２の行バンク２４ｒ２１〜２４ｒ３１、２４ｒ１２〜２４ｒ３２、２４ｒ３１〜ｒ３３）も同様の構成となる。

［表示パネルの製造方法］
図６は、表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。
図７、図８は、表示パネル１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。
表示パネル１００の製造方法について、図６、図７、図８を参照しながら説明する。
まず、基板本体部１１ａ上にＴＦＴ層１１ｂを形成する（図６のステップＳ１）。

続いて、ＴＦＴ層１１ｂの上に、絶縁性に優れる有機材料を用いてフォトレジスト法で層間絶縁層１１ｃを形成して下地基板１１を作製する（ステップＳ２）。層間絶縁層１１ｃの厚みは例えば約４μｍである。なお、図３の断面図および図６の工程図には現れないが、層間絶縁層１１ｃを形成するときに、コンタクトホール２（図２参照）を形成する。
次に、下地基板１１上に、真空蒸着法またはスパッタ法によって、厚み４００［ｎｍ］程度の金属材料からなる画素電極１２を、サブピクセル毎に形成する（ステップＳ３）。

続いて、スパッタ法などで酸化タングステンを、下地基板１１および画素電極１２上に一様に成膜することによって、ホール注入層１３を形成する（ステップＳ４）。
次に、図２の行バンク２４ｒ１１〜２４ｒ３１、２４ｒ１２〜２４ｒ３２、２４ｒ３１〜ｒ３３と列バンク１４ｃ１〜１４ｃ４を以下のようにフォトリソグラフィー法で形成する（ステップＳ５）。

まず行バンク２４を形成するためのバンク材料（感光性を有するフォトレジスト材料）を、ホール注入層１３上に一様に塗布する。その後、塗布されたバンク材料像に、行バンク２４ｒ１１、２４ｒ１２、２４ｒ１３のパターンに合わせた開口を有するフォトマスクを重ね合わせて、ＵＶ照射して露光し、未硬化の余分なバンク材料を現像液で除去することで、図７（ａ）の行バンク２４ｒ１１、２４ｒ１２、２４ｒ１３、２４ｒ１４の原型を形成する。

本実施形態の行バンク２４ｒ１１は、行バンク本体２５ｒ１１の側壁の両側から離間した状態で、隔壁２６ｒ１１、２７ｒ１１が並設しているという構成なので、図６のステップＳ５においては、２つのレイヤに分けて行バンクの形成を行う。ここでの２つのレイヤとは、隔壁２６ｒ１１、２７ｒ１１のうち、行バンク本体２５ｒ１１から突き出た部分からなる第１レイヤ、行バンク本体２５ｒ１１と、隔壁２６ｒ１１、２７ｒ１１の残りの部分とからなる第２レイヤである。第１レイヤに合わせた開口を有するフォトマスクを用いて、UV照射、露光、現像液の除去といった上記の一連の工程を実行する。その結果、図７（ｂ）に示すように、隔壁２６ｒ１１、２６ｒ１２、２６ｒ１３、２６ｒ１４、及び、隔壁２７ｒ１１、２７ｒ１２、２７ｒ１３、２７ｒ１４の一部分が形成される。次に、第２レイヤ形成のためのフォトマスクを用いて、上記のUV照射から露光、現像液除去までの工程を行う。これにより、図７（ｃ）に示すように、隔壁２６ｒ１１、２６ｒ１２、２６ｒ１３、２６ｒ１４、及び、隔壁２７ｒ１１、２７ｒ１２、２７ｒ１３、２７ｒ１４の残り部分と、行バンク本体２５ｒ１１、２５ｒ１２、２５ｒ１３、２５ｒ１４とが形成される。

次に、列バンク１４を形成するためのバンク材料（ネガ型感光性樹脂組成物）を、行バンク２４ｒ１１、２４ｒ１２、２４ｒ１３を形成した基板上に一様に塗布する。そのバンク材料層上に、形成しようとする列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３のパターンに合わせた開口を有するマスクを重ねて、マスクの上から露光する。その後、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出すことによって、バンク材料をパターニングして、列バンクのパターンを形成する。このような工程を経て、図８（ａ）に示すような未焼成列バンク１４ｃ１、ｃ２、ｃ３が形成される。そして隣接する列バンク１４ｃ１、ｃ２、ｃ３同士の間に、溝空間２０ａ１、ａ２が形成される。

次に、このパターン形成された未焼成列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３における欠陥部の発生を調べて（ステップＳ６）、欠陥部があればその補修を行う。
この補修は、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３の欠陥部の両側に位置するセルの列方向端部を規定する行バンクに補修材を積層することで堰を形成し、乾燥することでなされる（図６のステップＳ７）。図８（ｂ）は、列バンク１４ｃ１〜ｃ３間の溝空間２０ａ１、ａ２に補修材が塗布され、未焼成の堰５ａ１、５ａ２が形成された状態を示している。

その後、未焼成の列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３と、未焼成堰５ａ１とを、同時に加熱焼成することによって、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、行バンク２４及び堰５ａ１，５ａ２が出来上がり、セルリペアが完了する（ステップＳ８）。この同時焼成は、例えば、未焼成の列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３及び堰５ａ１、５ａ２を、１５０℃〜２１０℃の温度で６０分間加熱することによって行う。図８（ｃ）は、この焼成によって、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、行バンク２４が形成されると共に堰５ａ１、５ａ２が形成された状態、すなわち、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３が補修されて形成された状態を示している。

このように製造された列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３において、さらに、次の工程で塗布するインクに対する列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３の接触角を調節してもよい。あるいは、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３の表面に撥水性を付与するために、所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理したり、プラズマ処理を施してもよい。

続いて、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３同士の間の溝空間２０ａ１、ａ２に、図８（ｃ）に示すように、発光層形成用のインクを塗布する。このインクは、有機発光層１５を構成する有機材料と溶媒を混合したものであり、インクジェット法を用いて塗布される。
そして、図８（ｄ）に示すように、塗布されたインク層１５ａ1,１５a2に含まれる溶媒を蒸発させて乾燥し、必要に応じて加熱焼成する。これによって、図８（ｅ）に示すように、各溝空間２０ａ１、ａ２内に有機発光層１５ａ１，ａ２が形成される（ステップＳ９）。

次に、有機発光層１５および列バンク１４の上に、電子輸送層１６を構成する材料を真空蒸着法で成膜して、電子輸送層１６を形成する（ステップＳ１０）。
そして、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料を、スパッタ法等で成膜して、共通電極１７を形成する（ステップＳ１１）。そして、共通電極１７の表面に、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の光透過性材料をスパッタ法あるいはＣＶＤ法等で成膜して、封止層１８を形成する（ステップＳ１２）。

［補修方法］
次に、セルリペアによるバンク補修について説明する。セルリペアでは、列バンク１４ｃ１〜１４ｃ３における欠陥部を検出する必要がある。そのような欠陥部検出は、例えば、下地基板１１上に形成した列バンク１４ｃ１〜１４ｃ３の表面画像を撮影し、その表面画像のパターンを検査することでなされる。かかるパターン検査で、列バンクの欠陥部が発見されれば、これらの欠陥部に対してセルリペアを実行する。以下、欠陥部検出について説明する。

図９は、列バンクの欠陥部検出工程の詳細を示すフローチャートである。本フローチャートは、変数iを制御変数としたループ構造を規定する。変数iは、画像認識により発見された複数の欠陥部のそれぞれを指示する変数である。当該ループ構造の継続要件は、変数iが列バンクの最大数以下であるとの要件をみたすことであり(Ｓ３５でYes)、当該要件を満たす場合、変数iをインクリメントして（Ｓ３６）、Ｓ３２に戻る。当該ループ構造の終了条件は、変数iが、列バンクの最大数を上回ることである。変数iが、列バンクの最大数を上回る場合（S35でNo）、本フローチャートの処理を終了する。以下、ループ構造の対象となる処理は以下の通りである。まずi番目の列バンクについて、欠陥部の有無を調べる(Ｓ３２)。欠陥部が存在する場合(Ｓ３３でYes)、欠陥部中央の座標(Xi,Yi)を検出し格納する(Ｓ３４)。欠陥部が存在しない場合(Ｓ３３でNo)、かかる座標格納は行わない。

次に、セルリペアで用いられる補修装置について説明する。
図１０は、バンク補修に用いられる補修装置の一例を示す概略構成図である。この補修装置２００においては、ベース２０１上に、上記の下地基板１１を載置するテーブル２０２と、撮像素子２１１及びディスペンサ２１２が取り付けられたヘッド部２１０とを有している。そして、テーブル２０２は、コントローラ２３０の指示に基づいてＹ方向に移動でき、ヘッド部２１０は、コントローラ２３０の指示によって、Ｘ方向及びＺ方向に移動できるようになっている。

従って、ヘッド部２１０に取り付けられている撮像素子２１１及びディスペンサ２１２は、コントローラ２３０の指示によって、テーブル２０２上に載置された下地基板１１の上方で、下地基板１１に対して、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に相対移動することができる。補修装置２００が備えるディスペンサ２１２は、ニードル式のディスペンサであって、その先端部分に補修材を収納するタンク(図示せず)が取り付けられ、当該タンク内を貫通するようにニードル２１３が上下に移動することによって、ニードル２１３に付着させた補修材をマイクロリットル単位で塗布できるようになっている。このディスペンサ２１２におけるニードル２１３の駆動は、コントローラ２３０からの制御信号に基づいてなされる。

堰形成のための補修材として、補修装置２００は、光や熱を加えることによって硬化する樹脂の組成物を用いる。そのような硬化性の樹脂としては、例えば、（メタ）アクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する硬化性の樹脂が挙げられる。また、樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。この樹脂構造の中に、フッ素が導入されているフッ化ポリマーを用いてもよい。補修材の樹脂にフッ素が導入されることによって、形成される堰５に溌インク性を付与することができる。あるいは、樹脂に各種溌インク剤を添加してもよい。撥インク剤の添加量は０．０１〜１０ｗｔ％とする。撥インク剤の添加量をこの範囲にすることで、樹脂組成物の貯蔵安定性が良好で、且つ形成される堰５の撥インク性も良好となる。上記補修材を構成する樹脂の組成物に、必要に応じて、溶剤、光重合開始剤を適宜添加してもよい。溶剤は、樹脂に対する溶解性を有するもので、沸点が１５０〜２５０℃程度の溶剤を1種類以上用いても良い。光重合開始剤としては、市販の各種光重合開始剤を用いることができる。

続いて、図１１（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、セルリペアの工程について説明する。図１１（ａ）、（ｂ）は、斜め上から俯瞰した場合の、列バンク１４c１〜１４c３、行バンク２４r２１〜２４r3１、行バンク２４r２２〜２４r３２の配置を示す。図中のセルＣ（１,１）〜セルＣ（４,１）、セルＣ（１,２）〜セルＣ（４,２）は、図中の行バンク、列バンクにより区画された複数セルの配列を示す。本図では、列バンク１４c２に欠陥部Defが存在するので、この列バンク１４c２を介して隣り合うセルＣ（２,１）、セルＣ（２,２）がセルリペアの対象となり、セルＣ（２,１）、セルＣ（２,２）を区画する４つの行バンク(行バンク２４r２１、行バンク２４r３１、行バンク２４r２２、行バンク２４r３２)に対してペースト性の補修材の積層がなされる。図１１（ｂ）は、ペースト性の補修材の積層がなされた状態の行バンク(行バンク２４r２１、行バンク２４r３１、行バンク２４r２２、行バンク２４r３２)を示す。ペースト性の補修材の積層により、行バンク２４r２１、行バンク２４r３１、行バンク２４r２２、行バンク２４r３２が高くなったので、複数のセルは、図１１（ｃ）に示すものとなる。つまり、補修材の染み出しはセルC（１、１）、C（１、２）、C（３、１）、C(３、２)に及ばず、セルC(２、１)、C（２、２）の範囲に留まる。

以上説明したように、本開示の実施の形態１によれば、行バンクの形成に合わせて、行バンク本体の上面に補修材を溜め込むための隔壁を形成するから、補修材の染みだしを意識することなく、後段のセルリペアにおけるバンク補修を実行することができる。こうすることで、有機EL表示パネルの発光不良の発生を抑制しつつ、ウェット方式による有機EL表示パネルの製造効率向上を図ることができる。

＜実施の形態２＞
実施の形態１に係る有機ＥＬ表示素子は、複数の行バンクのそれぞれに、拡散防止部材である隔壁を設ける構成であった。しかし隔壁の形成は、UV照射から露光、現像液除去までの工程を繰り返し行う必要があり、製造工程の負担が大きい。これに対して実施の形態２では、そのような製造工程の負担を軽減する改良を提案する。具体的にいうと実施の形態２では、補修材の列方向の拡散を防止する拡散防止部材の設置場所を、一部のセルの行バンクに制限する構成を開示する。

図１２は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルを平面視した際の平面図である。本図における行バンク３４ｒ１１、３４ｒ１２、３４ｒ２１、３４ｒ２２は、拡散防止部材である突起部が設けられた行バンクである。つまり、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示素子では、全ての行バンクに、拡散防止部材である隔壁が設けられていたのに対し、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示素子では、拡散防止部材付与の対象が、一部の行バンク（セルＣ（１,１）、セルＣ（１,２）の列方向端部を規定する行バンク）に限定されている。

［行バンクの構成］
図１２に示した複数の行バンクの１つを抜き出して、その詳細な構成を説明する。図１３（ａ）は、図１２における複数の行バンクのうち1つ（行バンク３４ｒ１１）を平面視した際の平面図である。図１３（ｂ）は、一点鎖線Ｆ−Ｆ‘の位置で切断した場合の断面図、図１３（ｃ）は、一点鎖線Ｇ−Ｇ’の位置で切断した場合の断面図、図１３（ｄ）は、行バンク３４ｒ１１を斜め上から俯瞰した場合の斜視図である。かかる行バンク３４r１１と、実施の形態１の行バンク２４r１１との違いは、拡散防止部材が設けられている場所である。

具体的にいうと、実施の形態１の拡散防止部材は隔壁であり、行バンク本体側壁の両側から離間した状態で並設されていた（図４（ａ）の隔壁２６ｒ１１、２７ｒ１１）のに対し、実施の形態２の拡散防止部材は、突起部３６ｒ１１、突起部３７r１１であり、行バンク本体３５ｒ１１の上面の端部に設けられている点が異なる。突起部３６ｒ１１、突起部３７r１１は、親ペースト液性（親液性）の材質で構成される。そのような親液性材質の素材としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等がある。このような材質の素材の一例として行バンク本体２５ｒ１１の材質を使用することができる。また、親液性の材質として列バンク１４ｃ１の材質を使用してもよい。

突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１の設置場所について述べる。突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１は、行バンク本体３５ｒ１１の長尺方向の両端部に設けられている。行バンク本体３５ｒ１１に補修材が積層された際、補修材は、列バンク１４ｃ１、列バンク１４ｃ２に引き寄せられた後、列方向に広がる。こうして補修材が引き寄せられる際、補修材は、行バンク本体２５ｒ１１の両端部を必ず通過するから、この行バンク本体３５ｒ１１の両端に、突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１を設けることにしている。尚、補修材が必ず通過する位置として、行バンク本体３５ｒ１１の中間付近を選んでもよい。また行バンク本体３５ｒ１１において一定間隔を置いて複数の突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１を配置してもよい。一定間隔を置いて突起部を設ける際、突起部の個数ｎは、ｎ＝行バンクの長さ÷（突起部の径＋インクの着弾点ピッチ）−１に設定することが望ましい。

列バンク１４ｃ１、列バンク１４ｃ２から突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１までの間隔は、突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１の高さに応じて大きく定めることが望ましい。突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１の素材が流れ落ちたとしても、列バンク１４ｃ１、列バンク１４ｃ２に到達しないような配慮が求められるからである。具体的にいうと、補修装置２００のニードル２１３が発するインクの着弾点ピッチ（２０μｍ）の整数倍にすることが望ましい。

突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１の形状について述べる。突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１の形状については、山なりの形状であればどのようなものでもよい。突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１は、行バンク本体３５ｒ１１に補修材が積層され、焼成されるまで使用される一時的なものであり、ノズル２１３からの数回のインク吐出で形成できるという形成の便宜を優先すべきだからである。

突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１の高さについて述べる。突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１は、行バンク本体３５ｒ１１と、突起部３６ｒ１１又は突起部３７ｒ１１との合計の高さが、列バンク１４ｃ１、列バンク１４ｃ２の高さ（約１μｍ）の５０〜８０％になるように定めることが望ましい。突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１を高くすると、多くの補修材を吸い寄せ得る反面、補修材積層が完了するまでに、突起自体が倒壊してしまう可能性も増すからである。また突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１の径は、突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１の高さに応じて漸増するように定めることが望ましい。その際、突起部の径は、ニードル２１３が発するインク着弾点のスポット径の整数倍にすることが望ましい。

図１４（ａ）は補修材Ｐ１が積層された状態の行バンク３４ｒ１１の平面図、図１４（ｂ）は、補修材Ｐ１が積層された行バンク３４ｒ１１を、図１４（ａ）の一点鎖線Ｆ−Ｆ’の位置で切断した場合の断面図、図１４（ｃ）は、図１４（ａ）の一点鎖線Ｇ−Ｇ’の位置で切断した場合の断面図、図１４（ｄ）は補修材Ｐ１が積層された状態の行バンク３４ｒ１１を示す斜視図である。図１４（ｂ）、（ｃ）に示すように補修材P１は、親液性の突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１に吸い付けられる形で、山なりの形状をなし、行バンク本体３５ｒ１１上に留まる。突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１に吸い寄せられることで、行バンク本体３５ｒ１１からこぼれ落ちる補修材P1の量は少なくなるから、補修材P1の染み出しを小さくことができる。

以上、行バンク３４ｒ１１について説明したが、残りの行バンク（行バンク３４ｒ２１．３４ｒ１２、３４ｒ２２）の構成も同様である。続いて、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示素子の製造方法の詳細について説明する。
［製造方法］
実施の形態１に係る製造方法と、実施の形態２に係る製造方法との違いは、拡散防止部材の形成時期である。実施の形態１における拡散防止部材は隔壁だったので、バンク形成工程において、拡散防止部材を形成していたのに対し、実施の形態２における拡散防止部材は突起部なのでバンク形成後のセルリペアの工程で作成されるという違いである。

そこで実施の形態２では、列バンクの欠陥部検出を実行した後(図６のＳ６)、行バンクに対する補修材塗布の実行（図６のＳ７）に先立ち、前処理を実行する。そして、行バンク本体上面の突起部を、この前処理で形成する。以下、この前処理である上面突起部形成について説明する。
図１５は、上面突起部形成工程の詳細を示すフローチャートである。本フローチャートは、変数iを制御変数としたループ構造を規定する。変数iは、画像認識により発見された複数の欠陥部のそれぞれを指示する変数である。当該ループ構造の継続要件は、変数iが欠陥部の最大数以下であるとの要件をみたすことであり(Ｓ５０でYes)、当該要件を満たす場合、変数iをインクリメントして(Ｓ５１)、Ｓ４１に戻る。

当該ループ構造の終了条件は、変数iが、欠陥部の最大数を上回ることである(Ｓ５０でNo)。変数iが、欠陥部の最大数を上回る場合、本フローチャートの処理を終了する。ループ構造の対象となる処理について説明する。尚、本フローチャートの説明にあたっては、図１６（ａ）、（ｂ）の参考図を引用する。図１６（ａ）は、フローチャートで使用されている欠陥部の座標(Xi,Yi),欠陥部に近いセルであるCell(A(Xi),B(Yi))、当該Cell(A(Xi),B(Yi))を規定する行バンクの左端座標(ui,vi)がどのような位置関係にあるかを示す。図１６（ｂ）は、フローチャートで使用されているXn,Ynが、(ui,vi)を左端座標とする行バンクの縦幅、横幅を示すこと、突起部が、行バンクの短辺から−Ｘoffだけ隔てられた位置に存在することを示す。以下、図１５におけるステップS４１〜S49の処理について説明する。

第１に、欠陥部座標(Xi,Yi)に近いセルの列位置A(Xi),行位置B(Yi)を特定し(Ｓ４１)、行列位置(A(Xi),B(Yi))に存在する行バンクの左端座標を算出して、これを基準座標(ui,vi)とする(Ｓ４２)。続いて、(ui+Ｘoff,Vi+(Yn)/2)と、(ui+Xn−Ｘoff,vi+(Yn)/2)とに、親ペースト性の突起部を形成する（Ｓ４３）。
第２に、行列位置(A(Xi)-1,B(Yi))に存在する行バンクの左端座標を算出して、これを基準座標(ui,vi)とする(Ｓ４４)。こうして、基準座標が算出されれば、(ui+Ｘoff,vi+(Yn)/2)と、(ui+Xn−Ｘoff,Vi+(Yn)/2)とに、親ペースト性の突起部を形成する（Ｓ４３）。

第３に、行列位置(A(Xi),B(Yi)-1)に存在する行バンクの左端座標を算出して、これを基準座標(ui,vi)とする(Ｓ４６)。こうして、基準座標が算出されれば、(ui+Ｘoff,vi+(Yn)/2)と、(ui+Xn−Ｘoff,vi+(Yn)/2)とに、親ペースト性の突起部を形成する（Ｓ４７）。
第４に、行列位置(A(Xi)-1,B(Yi)-1)に存在する行バンクの左端座標を算出して、これを基準座標(ui,vi)とする(Ｓ４８)。こうして、基準座標が算出されれば、(ui+Ｘoff,vi+(Yn)/2)と、(ui+Xn−Ｘoff,vi+(Yn)/2)とに、親ペースト性の突起部を形成する（Ｓ４９）。

以上の処理を繰り返すことにより、欠陥部を介して隣り合う２つのセルにおいて、互いに対向する行バンクの端部に突起を形成する。
図１７（ａ）~（ｃ）を参照して、ニードル２１３からの補修材吐出による突起部の形成過程を説明する。まずはじめに、図１７（ａ）に示すように、一対の突起部のうち一方のもの（突起部３６ｒ１１）を形成する。次いで、図１７（ｂ）に示すように、一対の突起部のうち、他方のもの（突起部３７ｒ１１）を形成する。前処理により、一対の突起部を形成した後、図１７（ｃ）に示すように、行バンク本体３５ｒ１１の上面に、補修材P1を積層する。このようにして、行バンク本体３５ｒ１１上に積み上げられた補修材は、一対の突起部３６ｒ１１、３７ｒ１１に引き寄せられるから、補修材は、列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３の隔壁に引き寄せられることなく、行バンク３４ｒ１１上に留まる。

図１８を参照しながら、突起部を用いたセルリペアの過程の一例を説明する。図１８（ａ）は、複数の行バンク３４ｒ２１、３４ｒ３１、３４ｒ２２、３４ｒ３２と、複数の列バンク１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３とにより区画された複数のセルを示す。
かかる複数セルに対するセルリペアの結果を図１８（ｂ）に示す。図１８（ｂ）の行バンク３４r２１、行バンク３４r３１、行バンク３４r２２、行バンク３４r３２は、列バンクの欠陥部を介して、隣接する２つセル(セルＣ（２,１）、セルＣ（２,２）)を区画する行バンクである。これらの行バンク３４r２１、行バンク３４r３１、行バンク３４r２２、行バンク３４r３２には、その上面に突起部が設けられているので、これらの行バンクに積層された補修材は、列方向に拡散することなく、行バンク３４r２１、行バンク３４r３１、行バンク３４r２２、行バンク３４r３２の上面に留まる。図１８（ｃ）は、図１８（ｂ）のＣ（１,１）、Ｃ（１,２）、Ｃ（２,１）、Ｃ（２,２）、C(３、１)、C(３、２)を平面視した図である。突起部に引き付けられることで補修材は行バンク上に安定的に留まるから、補修材の染み出しはセルC（１、１）、C（１、２）、C（３、１）、C(３、２)に及ばず、セルC(２、１)、C（２、２）の範囲に留まる。

以上説明したように、本開示の実施の形態２によれば、補修工程のパターン認識で列バンクの欠陥部を発見した際、その欠陥部の両隣に位置するセルのセルリピアの前処理として、突起部形成を行うため、拡散防止部材追加に伴う工数増大が最低限なものになる。これにより、ウェット方式による有機EL表示パネルの製造効率向上、及び、有機EL表示パネルの品位向上の両立を図ることができる。

＜変形例＞
実施の形態１、２において行バンク及び列バンクは、画素電極12、又は、画素電極１２並びにホール注入層１３を介して、TFT基板１１上に設けたが、TFT基板１１の上に直接、行バンク及び列バンクを設けてもよい。また、TFT基板１１の上方に、行バンク及び列バンクを設ける場合、画素電極１２、ホール注入層１３以外の層を、介在させてもよい。

また、上記実施の形態では、トップエミッション型有機ＥＬパネルを例にとって説明したが、ボトムエミッション型有機ＥＬパネルにおいても適用可能である。

本発明は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ表示装置に利用可能である。

１ 有機ＥＬ表示装置
２ コンタクトホール
５ａ 堰
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ 発光素子
１１ 下地基板
１１ａ 基板本体部
１１ｂ ＴＦＴ層
１１ｃ 層間絶縁層
１２ 画素電極
１３ ホール注入層
１４ｃ１〜１４ｃ3 列バンク
１５ 有機発光層
１６ 電子輸送層
１７ 共通電極
１８ 封止層
２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ 溝空間
２４r１１〜２４ｒ１３ 行バンク
２５ｒ１１ 行バンク本体
２６ｒ１１ 隔壁
２７ｒ１１ 隔壁
３４r１１〜３４ｒ１３ 行バンク
３５ｒ１１ 行バンク本体
３６ｒ,３７ｒ 突起部
４４ｒ 行バンク
１００ 表示パネル
１０１ 駆動制御部
１０２〜１０５ 駆動回路
１０６ 制御回路
２００ 補修装置
２０１ ベース
２０２ テーブル
２１０ ヘッド部
２１１ 撮像素子
２１２ ディスペンサ
２１３ ニードル
２３０ コントローラ

Claims (11)

1. 基板と、基板上又は基板の上方に並設された複数の列バンク及び複数の行バンクと、有機機能層とを有する有機ＥＬ表示素子であって、
   前記有機機能層は、複数の行バンク及び複数の列バンクのうち隣接するもの同士で区画された凹空間に形成されており、
   前記複数の列バンクの何れかには欠陥部分が存在しており、
   前記欠陥部分の行方向の両側のそれぞれに位置する凹空間は、補修材からなる堰がその上面に積層された行バンクによって列方向の端部が規定されており、
   前記堰は、前記行バンクに付随して設けられた拡散防止材により、補修材の流動による列方向の拡大が規制されている、有機ＥＬ表示素子。
2. 前記拡散防止材は、
   前記行バンクの側壁の両側から離間した状態で並設された隔壁である
   請求項１記載の有機ＥＬ表示素子。
3. 前記隔壁の高さは行バンクの高さよりも高い、請求項２記載の有機ＥＬ表示素子。
4. 前記拡散防止材は、行バンクの上面から突出した親液性の突起部であり、
   前記行バンクの高さと、前記突起部の高さとの合計値は、前記列バンクの高さよりも低い
   請求項１記載の有機ＥＬ表示素子。
5. 前記欠陥部の両側に位置する凹空間の列方向端部を規定する行バンクを除く、残りのバンクには、前記上面における突起部が存在しない
   請求項４記載の有機ＥＬ表示素子。
6. 前記親液性の突起部は、前記行バンクと同じ材質で構成される
   請求項４記載の有機ＥＬ表示素子。
7. 基板上又は基板上方に複数の行バンク及び複数の列バンクを形成し、複数の行バンク及び複数の列バンクで区画された凹空間のそれぞれに、有機機能層を形成することによって有機ＥＬ表示素子を製造する方法であって、
   複数の列バンク及び複数の行バンクを形成すると共に、各行バンクの側壁の両側から離間した状態で並設された複数の隔壁を形成し、
   前記基板上方に形成された列バンクにおける欠陥部分を検出し、
   行バンクであって、欠陥部分の行方向の両側のそれぞれに位置する凹空間の列方向端部を規定するものの上面に、補修材を積層し、
   複数の列バンク及び補修材が積層された複数の行バンクにより区画される凹空間のそれぞれに、インクジェットノズルから吐出されたインクを塗布することで前記有機機能層を形成する、有機ＥＬ表示素子の製造方法。
8. 前記隔壁の高さは、行バンクの高さよりも高くする、請求項７記載の有機ＥＬ表示素子。
9. 基板上又は基板上方にバンクを形成し、当該バンクで区画された凹空間のそれぞれに、有機機能層を形成することによって有機ＥＬ表示素子を製造する方法であって、
   前記基板上方に形成された列バンクにおける欠陥部分を検出し、
   行バンクであって、欠陥部分の行方向の両側のそれぞれに位置する凹空間の列方向端部を規定するものを検出して、検出された行バンクの上面の端部に、親液性の突起部を形成し、
   突起部が形成された行バンクの上面の端部に補修材を積層することで堰を形成し、
   複数の列バンク及び補修材が積層された複数の行バンクにより区画される凹空間のそれぞれに、インクジェットノズルから吐出されたインクを塗布することで前記有機機能層を形成する
   有機ＥＬ表示素子の製造方法。
10. 前記欠陥部の両側に位置する凹空間の列方向端部を規定する行バンクを除く、残りのバンクには、前記上面における突起部を設けない
    請求項９記載の有機ＥＬ表示素子の製造方法。
11. 前記親液性の突起部は、前記欠陥部分の行方向の両側のそれぞれに位置する凹空間の列方向端部を規定する行バンクを検出した際、当該行バンクと同じ材質の素材を、前記行バンクの上面に吐出することで形成される
    請求項９記載の有機ＥＬ表示素子の製造方法。

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