JP2017204524A - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
炭化珪素半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017204524A JP2017204524A JP2016094454A JP2016094454A JP2017204524A JP 2017204524 A JP2017204524 A JP 2017204524A JP 2016094454 A JP2016094454 A JP 2016094454A JP 2016094454 A JP2016094454 A JP 2016094454A JP 2017204524 A JP2017204524 A JP 2017204524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- silicon carbide
- carbide semiconductor
- semiconductor device
- logic signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-OUBTZVSYSA-N Cobalt-60 Chemical compound [60Co] GUTLYIVDDKVIGB-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000987 absorbed dose Toxicity 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Description
112 SiC半導体層
113 不純物拡散層
114 ゲート絶縁膜
115 オーミック電極
116 ゲート電極
117 層間絶縁膜
Claims (5)
- それぞれが、電源と接地との間に配置された第1トランジスタ及び第2トランジスタと、
前記第1トランジスタと電源との間に接続された第3トランジスタと、
前記第2トランジスタと電源との間に接続された第4トランジスタとを備え、
前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタ、前記第3トランジスタ及び前記第4トランジスタは、同一導電型であり、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのゲート電極は、第1論理信号が入力される第1入力端子と接続され、
前記第3トランジスタの第1オーミック電極は、前記第1トランジスタの第2オーミック電極と接続され、
前記第4トランジスタの第1オーミック電極は、前記第2トランジスタの第2オーミック電極と接続され、
前記第3トランジスタのゲート電極及び前記第4トランジスタのゲート電極は、前記第1トランジスタの第2オーミック電極と前記第3トランジスタの第1オーミック電極との接続ノードと接続され、
前記第2トランジスタの第2オーミック電極と前記第4トランジスタの第1オーミック電極との接続ノードは、前記第1論理信号の論理演算結果を出力する出力端子と接続された、炭化珪素半導体装置。 - 前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタ、前記第3トランジスタ及び前記第4トランジスタは、基板の上に形成された炭化珪素半導体層と、前記ゲート電極と前記炭化珪素半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜とを有し、
前記ゲート絶縁膜の厚さは、3nm以上、30nm以下である、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲート電極は、モリブデン、ニオブ、又はニオブとニッケルとの積層体からなる、請求項1又は2に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1トランジスタと接地との間に接続された第5トランジスタと、
前記第2トランジスタと接地との間に接続された第6トランジスタとをさらに備え、
前記第5トランジスタ及び前記第6トランジスタのゲート電極は、第2論理信号が入力される第2入力端子と接続され、
前記出力端子から、前記第1論理信号と前記第2論理信号との否定論理積を出力する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記第1トランジスタと並列に接続された第5トランジスタと、
前記第2トランジスタと並列に接続された第6トランジスタとをさらに備え、
前記第5トランジスタ及び前記第6トランジスタのゲート電極は、第2論理信号が入力される第2入力端子と接続され、
前記出力端子から、前記第1論理信号と前記第2論理信号との否定論理和を出力する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016094454A JP6713647B2 (ja) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | 炭化珪素半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016094454A JP6713647B2 (ja) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | 炭化珪素半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017204524A true JP2017204524A (ja) | 2017-11-16 |
JP6713647B2 JP6713647B2 (ja) | 2020-06-24 |
Family
ID=60321553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016094454A Active JP6713647B2 (ja) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | 炭化珪素半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6713647B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210050348A1 (en) * | 2019-08-13 | 2021-02-18 | Hitachi, Ltd. | Radiation Resistant Circuit Device, Pressure Transmission Device, and Nuclear Power Plant Measurement System |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5496383A (en) * | 1977-07-18 | 1979-07-30 | Mostek Corp | High performance ic and method of fabricating same |
JPS58130623A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | 論理回路 |
JPH07147231A (ja) * | 1994-07-11 | 1995-06-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | GaAs論理回路装置 |
JP2011049410A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 炭化珪素絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いたインバータ回路および論理ゲート回路 |
JP2011091186A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2012526487A (ja) * | 2009-05-07 | 2012-10-25 | エスエス エスシー アイピー、エルエルシー | ワイドバンドギャップ半導体パワーjfetのための高温ゲートドライバ及びそれを含む集積回路 |
WO2015125492A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-05-10 JP JP2016094454A patent/JP6713647B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5496383A (en) * | 1977-07-18 | 1979-07-30 | Mostek Corp | High performance ic and method of fabricating same |
JPS58130623A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | 論理回路 |
JPH07147231A (ja) * | 1994-07-11 | 1995-06-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | GaAs論理回路装置 |
JP2012526487A (ja) * | 2009-05-07 | 2012-10-25 | エスエス エスシー アイピー、エルエルシー | ワイドバンドギャップ半導体パワーjfetのための高温ゲートドライバ及びそれを含む集積回路 |
JP2011049410A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 炭化珪素絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いたインバータ回路および論理ゲート回路 |
JP2011091186A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2015125492A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210050348A1 (en) * | 2019-08-13 | 2021-02-18 | Hitachi, Ltd. | Radiation Resistant Circuit Device, Pressure Transmission Device, and Nuclear Power Plant Measurement System |
US11862631B2 (en) * | 2019-08-13 | 2024-01-02 | Hitachi, Ltd. | Radiation resistant circuit device, pressure transmission device, and nuclear power plant measurement system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6713647B2 (ja) | 2020-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Snoeys et al. | A new NMOS layout structure for radiation tolerance | |
US7834358B2 (en) | Semiconductor LSI circuit and a method for fabricating the semiconductor LSI circuit | |
US8890118B2 (en) | Tunnel field effect transistor | |
JP7052322B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US10950597B2 (en) | Electrostatic protection circuit and a semiconductor structure | |
US9768289B2 (en) | Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response | |
CN1728394A (zh) | 半导体集成电路器件 | |
CN106653753B (zh) | 半导体结构 | |
Isukapati et al. | Development of Isolated CMOS and HV MOSFET on an N-epi/P-epi/4H-SiC N+ Substrate for Power IC Applications | |
JP2014029951A (ja) | 半導体装置 | |
JP6713647B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JPH0555251A (ja) | Mosトランジスタ | |
TW201128776A (en) | Density of states engineered field effect transistor | |
Hung et al. | Well-behaved 4H-SiC PMOSFET with LOCal oxidation of SiC (LOCOSiC) isolation structure and compromised gate oxide for Sub-10V SiC CMOS application | |
TWI666774B (zh) | 高電壓金氧半場效電晶體 | |
Hung et al. | Design, process, and characterization of complementary metal–oxide–semiconductor circuits and six-transistor static random-access memory in 4H-SiC | |
US10559696B2 (en) | Hybrid CMOS device and manufacturing method thereof | |
JP7204547B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN109461772B (zh) | 一种基于石墨烯的隧穿晶体管、反相器及其制备方法 | |
CN113472343A (zh) | 一种逻辑门的构建方法 | |
US20150054060A1 (en) | Protection diode | |
US10366992B2 (en) | Semiconductor device including transistors sharing gates | |
JP2004247460A (ja) | 半導体装置 | |
TWI575748B (zh) | P型場效電晶體及包含該p型場效電晶體的互補式金屬氧化半導體電晶體 | |
JPH01194349A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20160531 |
|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A80 Effective date: 20160526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160531 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190417 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6713647 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |