JP2017175808A - 遮断装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】スイッチがオンである間に消費される電力が小さい遮断装置を提供する。【解決手段】遮断装置10では、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、温度スイッチ22がオフである。このため、サブスイッチ21がオフであり、昇圧回路23からメインスイッチ20に電圧が印加され、メインスイッチ20はオンに維持される。メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、温度スイッチ22がオンとなる。これにより、サブスイッチ21がオンとなり、メインスイッチ20のゲートの電位が接地電位となる。結果、メインスイッチ20がオフに切替わる。【選択図】図1
Description
本発明は、スイッチをオフに切替えることによって、スイッチを介した給電を遮断する遮断装置に関する。
車両には、バッテリから負荷への給電を遮断する遮断装置が搭載されている。バッテリに代表される直流電源から負荷への給電を遮断する遮断装置が特許文献1,2に開示されている。
特許文献1に記載の遮断装置は温度ヒューズによって構成される。温度ヒューズでは、第1の基体に棒状の導体の一端部が接続されており、第2の基体に導体の他端部が半田を介して接続されている。温度ヒューズの第1の基体及び第2の基体夫々は、直流電源の正極、及び、負荷の一端に接続されている。直流電源の負極は負荷の他端に接続されている。直流電源は温度ヒューズを介して負荷に給電する。温度ヒューズの周囲温度が所定温度以上となった場合、半田が溶解し、導体と第2の基体との接続が外れる。これにより、直流電源から負荷への給電が遮断される。
特許文献2に記載の遮断装置は、スイッチを備える。スイッチの一方の端子は負荷の一端に接続され、スイッチの他方の端子は直流電源の負極の接続されている。負荷の他端は直流電源の正極に接続されている。直流電源はスイッチを介して負荷に給電する。スイッチは制御端子を有する。スイッチは、制御端子の電圧が所定電圧以上である場合にオンであり、制御端子の電圧が所定電圧未満である場合にオフである。
特許文献2に記載の遮断装置は第2のスイッチを更に備え、第2のスイッチは、2つの端子と、2つの端子中の一方の端子に接続されているバイメタルとを有する。第2のスイッチの他方の端子は第1抵抗の一端に接続されており、第2のスイッチの一方の端子は第2抵抗の一端と、スイッチの制御端子とに接続されている。第1抵抗の他端は直流電源の正極に接続され、第2抵抗の他端は直流電源の負極に接続されている。
バイメタルはスイッチの周囲温度に応じて変形する。スイッチの周囲温度が所定温度未満である場合、バイメタルは第2のスイッチの他方の端子に接触しているので、第1抵抗及び第2抵抗は、直流電源の出力電圧を分圧し、分圧した電圧をスイッチの制御端に出力する。このとき、スイッチの制御端子の電圧は所定電圧以上であるので、スイッチはオンである。結果、直流電源から負荷に給電される。
スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、バイメタルは、第2のスイッチの他方の端子から離れ、スイッチの制御端子の電圧は略ゼロVとなり、所定電圧未満となる。これにより、スイッチがオフに切替わり、直流電源から負荷への給電は遮断される。その後、スイッチの周囲温度が所定温度未満に戻った場合、バイメタルは、第2のスイッチの他方の端子に再び接触し、直流電源から負荷への給電が再開される。
特許文献1に記載の遮断装置では、温度ヒューズの周囲温度が所定温度以上に上昇して半田が溶解した後に温度ヒューズの周囲温度が再び所定温度未満となった場合、直流電源から負荷への給電が再開されることはない。このため、特許文献1に記載の遮断装置には利便性が低いという問題がある。
特許文献2に記載の遮断装置では、スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合にスイッチがオフに切替わり、直流電源から負荷への給電が遮断される。更に、スイッチの周囲温度が再び所定温度未満となった場合、スイッチはオンに切替わり、直流電源から負荷への給電が再開される。このため、利便性が高い。
しかしながら、特許文献2に記載の遮断装置では、スイッチがオンである間、直流電源から第1抵抗及び第2抵抗に電流が流れ続け、第1抵抗及び第2抵抗で直流電源の電力が消費され続ける。直流電源から負荷に常時、給電する電源システムに、特許文献2に記載の遮断装置を適用した場合においては、スイッチがオンである間、直流電源から電流が第1抵抗及び第2抵抗に流れ続けるので、消費電力が大きいという問題がある。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スイッチがオンである間に消費される電力が小さい遮断装置を提供することにある。
本発明に係る遮断装置は、固定電位を基準とした制御端子の電圧が閾値以上である場合にオンであり、該制御端子の電位が前記固定電位と略一致している場合にオフである第1スイッチを備え、該第1スイッチをオフに切替えることによって、該第1スイッチを介した給電を遮断する遮断装置において、前記固定電位を基準として前記閾値以上である電圧を前記制御端子に出力する出力部と、一方の端子が前記制御端子に接続され、他方の端子の電位が前記固定電位である第2スイッチとを備え、該第2スイッチは、前記第1スイッチの周囲温度が所定温度以上である場合にオンであり、該周囲温度が前記所定温度未満である場合にオフであることを特徴とする。
本発明にあっては、第1スイッチの周囲温度が所定温度未満である場合、第2スイッチがオフである。このとき、第1スイッチの制御端子の電圧は、出力部が出力した電圧であり、固定電位を基準とした第1スイッチの制御端の電圧は閾値以上である。このため、第1スイッチはオンに維持される。例えば、第1スイッチがNチャネル型のFET(Field Effect Transistor)である場合、第2スイッチがオフである間、出力部から、制御端子に相当する第1スイッチのゲートに電流が流れることはない。従って、第1スイッチがオンである間に消費される電力は小さい。
第1スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、第2スイッチがオンに切替わる。これにより、第1スイッチの制御端の電位が固定電位と略一致し、第1スイッチがオフに切替わる。第1スイッチがオフに切替わった場合、第1スイッチを介した給電が遮断される。第1スイッチの周囲温度が再び所定温度未満となった場合、第2スイッチがオフに切替わり、第1スイッチがオンに切替わる。
本発明に係る遮断装置は、前記周囲温度に応じて変形する導体によって2つの端子が接続される第3スイッチを備え、前記導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記2つの端子の少なくとも1つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記2つの端子に接触し、前記第2スイッチは、前記固定電位を基準とした制御端子の電圧が第2の閾値以上である場合にオンであり、前記固定電位を基準とした前記2つの端子中の一方の電圧は前記第2の閾値以上であり、前記2つの端子中の他方は、前記第2スイッチの前記制御端子に接続されていることを特徴とする。
本発明にあっては、第2スイッチは、例えば、Nチャネル型のFETである。第2スイッチの制御端子には、第3スイッチを介して、第2の閾値以上である電圧が出力される。第3スイッチでは、第1スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、導体が2つの端子に接触し、第3スイッチを介して、第2の閾値以上である電圧が第2スイッチの制御端子に出力される。これにより、第2スイッチがオンに切替わり、第1スイッチがオフに切替わる。
第2スイッチ及び第3スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。
第2スイッチ及び第3スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。
本発明に係る遮断装置は、前記周囲温度に応じて変形する導体によって2つの端子が接続される第3スイッチを備え、前記導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記2つの端子の少なくとも1つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記2つの端子に接触し、前記第2スイッチは、該第2スイッチの前記一方の端子の電位を基準とした制御端子の電圧が第3の閾値未満である場合にオンであり、前記第2スイッチの前記一方の端子を基準とした前記2つの端子中の一方の電圧は前記第3の閾値未満であり、前記2つの端子中の他方は、前記第2スイッチの制御端子に接続されていることを特徴とする。
本発明にあっては、第2スイッチは、例えば、Pチャネル型のFETである。第2スイッチの制御端子には、第3スイッチを介して、第3の閾値未満である電圧が出力される。第3スイッチでは、第1スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、導体が2つの端子に接触し、第3スイッチを介して、第3の閾値未満である電圧が第2スイッチの制御端子に出力される。これにより、第2スイッチがオンに切替わり、第1スイッチがオフに切替わる。
第2スイッチ及び第3スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。
第2スイッチ及び第3スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。
本発明に係る遮断装置は、前記第2スイッチでは、前記周囲温度に応じて変形する導体によって前記一方の端子及び他方の端子が接続され、該導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記一方の端子及び他方の端子中の少なくとも1つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記一方の端子及び他方の端子に接触することを特徴とする。
本発明にあっては、第1スイッチの周囲温度が所定温度未満である場合、第2スイッチの導体は、第2スイッチの2つの端子中の少なくとも1つから離れており、第2スイッチはオフである。このとき、第1スイッチはオンである。第1スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、第2スイッチの導体は、第2スイッチの2つの端子に接触し、第2スイッチはオンに切替わる。これにより、第1スイッチの制御端の電位が固定電位と略一致し、第1スイッチはオフに切替わる。
第2スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。
第2スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。
本発明に係る遮断装置は、前記周囲温度が上昇した場合に上昇する電圧を発生する発生体を備え、前記第2スイッチは、前記固定電位を基準とした制御端子の電圧が第2の閾値以上である場合にオンであり、前記発生体は、発生した電圧を、前記第2スイッチの制御端子に出力することを特徴とする。
本発明にあっては、第2スイッチは、例えば、Nチャネル型のFETである。発生体は、第1スイッチの周囲温度が高い程、高い電圧を第2スイッチの制御端子に出力する。第1スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、発生体が出力する電圧は第2の閾値以上となり、第2スイッチはオンに切替わる。これにより、第1スイッチはオフに切替わる。結果、第2スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。
本発明に係る遮断装置は、前記周囲温度が上昇した場合に低下する電圧を発生する発生体を備え、前記第2スイッチは、前記一方の端子の電位を基準とした制御端子の電圧が第3の閾値未満である場合にオンであり、前記発生体は、発生した電圧を、前記第2スイッチの制御端子に出力することを特徴とする。
本発明にあっては、第2スイッチは、例えば、Pチャネル型のFETである。発生体は、第1スイッチの周囲温度が高い程、低い電圧を第2スイッチの制御端子に出力する。第1スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、発生体が出力する電圧は、第2スイッチの一方の端子の電位を基準として第3の閾値未満となり、第2スイッチはオンに切替わる。これにより、第1スイッチはオフに切替わる。結果、第2スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。
本発明に係る遮断装置は、前記発生体は、自身内で温度勾配が発生した場合に電圧を発生させ、該発生体が発生する電圧の絶対値は、前記温度勾配が大きい程大きいことを特徴とする。
本発明にあっては、発生体で温度勾配が発生した場合に正又は負の電圧を発生させる。例えば、発生体が直方体状をなしている場合において、発生体の一方の端部の温度を、放熱板等を用いて一定温度に保ち、発生体の他方の端部を第1スイッチの近傍に配置する。第1スイッチの周囲温度が上昇した場合、発生体で温度勾配が発生し、発生体から正又は負の電圧が出力される。第1スイッチの周囲温度が大きい程、温度勾配が大きくなり、発生体が第2スイッチの制御端に出力する電圧の絶対値が上昇する。
本発明によれば、第1スイッチがオンである間に消費される電力が小さい。
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1における電源システム1の回路図である。電源システム1は、車両に好適に搭載されており、遮断装置10、バッテリ11及び負荷12を備える。遮断装置10は、バッテリ11の正極と、負荷12の一端とに各別に接続されている。バッテリ11の負極と、負荷12の他端とは接地されている。接地電位は、例えば、車両のボディの電位であり、固定されている。接地電位は固定電位に相当する。
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1における電源システム1の回路図である。電源システム1は、車両に好適に搭載されており、遮断装置10、バッテリ11及び負荷12を備える。遮断装置10は、バッテリ11の正極と、負荷12の一端とに各別に接続されている。バッテリ11の負極と、負荷12の他端とは接地されている。接地電位は、例えば、車両のボディの電位であり、固定されている。接地電位は固定電位に相当する。
バッテリ11は、遮断装置10を介して負荷12に給電する。負荷12は、車両に搭載された電気機器であり、バッテリ11から供給された電力によって作動する。遮断装置10は、バッテリ11から負荷12への給電を遮断する。バッテリ11から負荷12への給電が遮断された場合、負荷12は動作を停止する。
遮断装置10は、メインスイッチ20、サブスイッチ21、温度スイッチ22、昇圧回路23及び抵抗R1,R2を有する。メインスイッチ20及びサブスイッチ21夫々は、Nチャネル型のFETである。温度スイッチ22は、導体3、第1端子T1及び第2端子T2を有する。導体3は長板状をなし、導体3の一端部は第1端子T1に接続されている。図1には、導体3の側面が示されている。
メインスイッチ20のドレインはバッテリ11の正極に接続されている。メインスイッチ20のソースは負荷12の一端に接続されている。メインスイッチ20のドレインは、更に、温度スイッチ22の第1端子T1と、昇圧回路23の入力端とに接続されている。メインスイッチ20のゲートは、昇圧回路23の出力端と、サブスイッチ21のドレインとに接続されている。サブスイッチ21のゲートは、抵抗R1,R2夫々の一端に接続されている。サブスイッチ21のソースと、抵抗R1の他端とは接地されている。抵抗R2の他端は、温度スイッチ22の第2端子T2に接続されている。
遮断装置10では、サブスイッチ21のソースは接地されているため、サブスイッチ21のソースの電位は接地電位である。また、前述したように、抵抗R2の一端がサブスイッチ21のゲートに接続され、抵抗R2の他端が温度スイッチ22の第2端子T2に接続されているので、第2端子T2は抵抗R2を介してサブスイッチ21のゲートに接続されている。
メインスイッチ20に関して、接地電位を基準としたゲートの電圧が第1オン閾値以上である場合、ドレイン及びソース間の抵抗値が略ゼロΩであり、電流がドレイン及びソース間を流れる。このとき、メインスイッチ20はオンである。また、メインスイッチ20に関して、接地電位を基準としたゲートの電圧が第1オフ閾値未満である場合、ドレイン及びソース間の抵抗値が十分に大きく、電流がドレイン及びソース間を流れることはない。このとき、メインスイッチ20はオフである。第1オフ閾値は、正であり、第1オン閾値未満である。第1オン閾値は、バッテリ11の出力電圧よりも高い。
メインスイッチ20及びサブスイッチ21夫々は第1スイッチ及び第2スイッチとして機能する。メインスイッチ20及びサブスイッチ21夫々のゲートは制御端子として機能する。
メインスイッチ20及びサブスイッチ21夫々は第1スイッチ及び第2スイッチとして機能する。メインスイッチ20及びサブスイッチ21夫々のゲートは制御端子として機能する。
サブスイッチ21に関して、接地電位を基準としたゲートの電圧が第2閾値以上である場合、電流がドレイン及びソース間を流れる。このとき、サブスイッチ21はオンである。また、サブスイッチ21に関して、接地電位を基準としたゲートの電圧が第2閾値未満である場合、電流がドレイン及びソース間を流れることはない。このとき、サブスイッチ21はオフである。第2閾値は正である。
温度スイッチ22は、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、オフであり、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、オンである。メインスイッチ20がオフである場合、電流が第1端子T1及び第2端子T2間を流れることはない。メインスイッチ20がオンである場合、電流が第1端子T1及び第2端子T2間を流れる。
図2は、温度スイッチ22のオン又はオフへの切替えの説明図である。図2には、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合における温度スイッチ22の導体3の状態と、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合における温度スイッチ22の導体3の状態とが示されている。
導体3は、所謂バイメタルであり、第1金属体3a及び第2金属体3bを有する。第1金属体3a及び第2金属体3b夫々は長板状をなす。第1金属体3a及び第2金属体3bは、第1金属体3aの板面が第2金属体3bの板面に密着した状態で互いに接着されている。図2には、図1と同様に、導体3の側面が示されている。第1金属体3a及び第2金属体3b夫々の一端部は温度スイッチ22の第1端子T1に接続されている。
導体3はメインスイッチ20の近傍に配置されている。第1金属体3a及び第2金属体3b夫々は、メインスイッチ20の周囲温度が上昇した場合、膨張し、板面に沿って延びる。周囲温度が1度上昇した場合に延びる第1金属体3aの長さは、周囲温度が1度上昇した場合に延びる第2金属体3bの長さよりも長い。このため、メインスイッチ20の周囲温度が上昇した場合、導体3は第2金属体3b側に湾曲する。導体3の曲率は、メインスイッチ20の周囲温度が高い程大きい。
このように、温度スイッチ22の導体3は、メインスイッチ20の周囲温度に応じて変形する。
このように、温度スイッチ22の導体3は、メインスイッチ20の周囲温度に応じて変形する。
図2に示すように、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、導体3の曲率が小さいため、導体3は第2端子T2から離れている。この場合、電流が第1端子T1及び第2端子T2間を流れることはなく、温度スイッチ22はオフである。
また、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、導体3の曲率が大きいため、導体3は、第2端子T2に接触し、第1端子T1及び第2端子T2を接続する。これにより、電流が、導体3を介して、第1端子T1及び第2端子T2間を流れ、温度スイッチ22はオンである。基準温度は一定である。温度スイッチ22は第3スイッチとして機能する。
また、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、導体3の曲率が大きいため、導体3は、第2端子T2に接触し、第1端子T1及び第2端子T2を接続する。これにより、電流が、導体3を介して、第1端子T1及び第2端子T2間を流れ、温度スイッチ22はオンである。基準温度は一定である。温度スイッチ22は第3スイッチとして機能する。
図1に示されている昇圧回路23は、バッテリ11の出力電圧を、接地電位を基準として、メインスイッチ20の第1オン閾値以上である一定の電圧に昇圧し、昇圧した電圧を、図示しない内部抵抗を介して、出力端からメインスイッチ20のゲートに出力する。昇圧回路23は出力部として機能する。
遮断装置10において、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、前述したように、温度スイッチ22はオフである。このため、抵抗R1,R2に電流は流れない。このため、接地電位を基準としたサブスイッチ21のゲートの電圧は、略ゼロVであり、第2閾値未満である。従って、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、サブスイッチ21はオフである。
サブスイッチ21がオフである場合、メインスイッチ20のゲートの電圧は、昇圧回路23が出力した電圧と略一致する。前述したように、昇圧回路23が出力する電圧はメインスイッチ20の第1オン閾値以上であるので、メインスイッチ20はオンである。メインスイッチ20がオンである場合、バッテリ11から負荷12に給電され、負荷12が作動する。
以上のように、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である間、メインスイッチ20のゲートの電圧は、昇圧回路23が出力した電圧と略一致しており、メインスイッチ20がオンに維持される。
昇圧回路23は、例えばコイルを用いて構成される。昇圧回路23が理想的な昇圧回路である場合、昇圧回路23の入力端に入力される電力と、昇圧回路23の出力端から出力される電力とは一致する。更に、メインスイッチ20はFETであるため、サブスイッチ21がオフである場合、昇圧回路23からメインスイッチ20のゲートに電流が流れることはない。
従って、遮断装置10では、メインスイッチ20をオフに維持するためにバッテリ11の電力が殆ど消費されることはなく、メインスイッチ20がオンである間に消費される電力は小さい。
従って、遮断装置10では、メインスイッチ20をオフに維持するためにバッテリ11の電力が殆ど消費されることはなく、メインスイッチ20がオンである間に消費される電力は小さい。
また、前述したように、温度スイッチ22の導体3はメインスイッチ20の周囲温度に応じて変形する。更に、温度スイッチ22がオフである場合、抵抗R1,R2に電流が流れず、サブスイッチ21はオフに維持される。このため、サブスイッチ21及び温度スイッチ22をオフに維持するためにバッテリ11の電力が消費されることはない。
メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、温度スイッチ22がオンに切替わる。これにより、バッテリ11の正極から、電流が温度スイッチ22及び抵抗R2,R1の順に流れる。抵抗R1,R2は、バッテリ11の出力電圧を分圧し、分圧した電圧をサブスイッチ21のゲートに印加する。このとき、接地電位を基準としたサブスイッチ21のゲートの電圧は、第2閾値以上となり、サブスイッチ21はオンに切替わる。従って、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、サブスイッチ21はオンである。
抵抗R1,R2が分圧した電圧が第2閾値以上であるため、バッテリ11の出力電圧も第2閾値以上である。従って、接地電位を基準とした温度スイッチ22の第1端子T1の電圧は第2閾値以上である。
サブスイッチ21がオンに切替わった場合、メインスイッチ20のゲートの電位は接地電位と一致するか又は略一致する。このとき、接地電位を基準としたメインスイッチ20のゲートの電圧は、ゼロV又は略ゼロVであり、第1オフ閾値未満である。結果、メインスイッチ20はオフに切替わる。メインスイッチ20がオフに切替わることによって、メインスイッチ20を介したバッテリ11から負荷12への給電が遮断される。
以上のように、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、メインスイッチ20はオフに切替わる。また、メインスイッチ20の周囲温度が再び基準温度未満となった場合、温度スイッチ22及びサブスイッチ21が順次オフに切替わり、メインスイッチ20がオンに切替わる。
サブスイッチ21がオンである間、電流がバッテリ11の正極から昇圧回路23及びサブスイッチ21の順に電流が流れる。
サブスイッチ21がオンである間、電流がバッテリ11の正極から昇圧回路23及びサブスイッチ21の順に電流が流れる。
なお、温度スイッチ22の第1端子T1及び第2端子T2夫々の接続先は反対であってもよい。即ち、第1端子T1が抵抗R2の他端に接続され、第2端子T2がバッテリ11の正極に接続されていてもよい。この場合であっても、遮断装置10は、前述した効果と同様の効果を奏する。
(実施の形態2)
図3は、実施の形態2における電源システム1の回路図である。
以下では、実施の形態2について、実施の形態1と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態1と共通しているため、実施の形態1と共通する構成部には実施の形態1と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図3は、実施の形態2における電源システム1の回路図である。
以下では、実施の形態2について、実施の形態1と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態1と共通しているため、実施の形態1と共通する構成部には実施の形態1と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
実施の形態2における電源システム1では、実施の形態1における電源システム1と比較して、遮断装置10の構成が異なる。実施の形態2における遮断装置10は、実施の形態1における遮断装置10と同様に、メインスイッチ20、サブスイッチ21、温度スイッチ22及び昇圧回路23を有する。バッテリ11、負荷12、メインスイッチ20及び昇圧回路23は実施の形態1と同様に接続されている。
実施の形態2における遮断装置10は、更に、抵抗R3を有する。実施の形態2におけるサブスイッチ21はPチャネル型のFETである。
実施の形態2における遮断装置10は、更に、抵抗R3を有する。実施の形態2におけるサブスイッチ21はPチャネル型のFETである。
メインスイッチ20のゲートは、昇圧回路23の出力端と、サブスイッチ21のソースと、抵抗R3の一端とに接続されている。サブスイッチ21のゲートは、温度スイッチ22の第2端子T2と、抵抗R3の他端とに接続されている。サブスイッチ21のドレインと、温度スイッチ22の第1端子T1とは接地されている。従って、サブスイッチ21のドレインの電位は接地電位である。
サブスイッチ21に関して、ソースの電位を基準としたゲートの電圧が第3閾値未満である場合、電流がソース及びドレイン間を流れる。このとき、サブスイッチ21はオンである。また、サブスイッチ21に関して、ソースの電位を基準としたゲートの電圧が第3閾値以上である場合、電流がソース及びドレイン間を流れることはない。このとき、サブスイッチ21はオフである。第3閾値は負である。
接地電位を基準とした温度スイッチ22の第1端子T1の電圧は、略ゼロVである。接地電位を基準としたサブスイッチ21のソースの電圧は、昇圧回路23が出力する電圧と略一致しており、昇圧回路23が出力する電圧は、実施の形態1で述べたように、バッテリ11の出力電圧よりも高い。従って、サブスイッチ21のソースの電位を基準とした温度スイッチ22の第1端子T1の電圧は、負であり、この電圧の絶対値は、昇圧回路23が出力する電圧と略一致している。昇圧回路23が出力する電圧は第3閾値の絶対値よりも大きいため、サブスイッチ21のソースの電位を基準とした温度スイッチ22の第1端子T1の電圧は第3閾値未満である。
実施の形態2における遮断装置10において、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、実施の形態1で述べたように、温度スイッチ22はオフである。このため、抵抗R3に電流は流れない。このとき、サブスイッチ21のソースの電位を基準としたサブスイッチ21のゲートの電圧は、略ゼロVであり、第3閾値以上である。従って、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、サブスイッチ21はオフである。
サブスイッチ21がオフである場合、実施の形態1と同様に、メインスイッチ20がオンであり、バッテリ11から負荷12に給電され、負荷12が作動する。
サブスイッチ21がオフである場合、実施の形態1と同様に、メインスイッチ20がオンであり、バッテリ11から負荷12に給電され、負荷12が作動する。
実施の形態2においても、サブスイッチ21がオフである場合、昇圧回路23からメインスイッチ20のゲートに電流が流れることはない。更に、昇圧回路23でバッテリ11の電力が殆ど消費されることはない。このため、メインスイッチ20がオンである間に消費される電力は小さい。
また、温度スイッチ22の導体3はメインスイッチ20の周囲温度に応じて変形する。更に、温度スイッチ22がオフである場合、抵抗R3に電流が流れず、サブスイッチ21はオフに維持される。このため、サブスイッチ21及び温度スイッチ22をオフに維持するためにバッテリ11の電力が消費されることはない。
メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、温度スイッチ22がオンに切替わる。前述したように、サブスイッチ21のソースの電位を基準とした温度スイッチ22の第1端子T1の電圧は、サブスイッチ21の第3閾値未満である。このため、温度スイッチ22がオンに切替わった場合、サブスイッチ21もオンに切替わる。従って、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、サブスイッチ21はオンである。
サブスイッチ21がオンに切替わった場合、実施の形態1と同様に、メインスイッチ20のゲートの電位が接地電位に一致するか又は略一致し、メインスイッチ20がオフに切替わる。メインスイッチ20がオフに切替わったことによって、メインスイッチ20を介したバッテリ11から負荷12への給電が遮断される。
以上のように、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、メインスイッチ20はオフに切替わる。また、メインスイッチ20の周囲温度が再び基準温度未満となった場合、温度スイッチ22及びサブスイッチ21が順次オフに切替わり、メインスイッチ20がオンに切替わる。
サブスイッチ21がオンである間、電流がバッテリ11の正極から昇圧回路23及びサブスイッチ21の順に電流が流れる。
サブスイッチ21がオンである間、電流がバッテリ11の正極から昇圧回路23及びサブスイッチ21の順に電流が流れる。
なお、実施の形態2において、温度スイッチ22の第1端子T1及び第2端子T2夫々の接続先は反対であってもよい。即ち、第1端子T1がサブスイッチ21のゲートに接続され、第2端子T2が接地されていてもよい。この場合であっても、遮断装置10は、前述した効果と同様の効果を奏する。
(実施の形態3)
図4は、実施の形態3における電源システム1の回路図である。
以下では、実施の形態3について、実施の形態1と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態1と共通しているため、実施の形態1と共通する構成部には実施の形態1と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図4は、実施の形態3における電源システム1の回路図である。
以下では、実施の形態3について、実施の形態1と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態1と共通しているため、実施の形態1と共通する構成部には実施の形態1と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
実施の形態3における電源システム1では、実施の形態1における電源システム1と比較して、遮断装置10の構成が異なる。実施の形態3における遮断装置10は、実施の形態1における遮断装置10と同様に、メインスイッチ20及び昇圧回路23を有する。バッテリ11、負荷12、メインスイッチ20及び昇圧回路23は実施の形態1と同様に接続されている。
実施の形態3における遮断装置10は、更に、サブスイッチ40を有する。サブスイッチ40は、導体5、第1端子T3及び第2端子T4を有する。導体5は第1金属体5a及び第2金属体5bを有する。
サブスイッチ40は、実施の形態1における温度スイッチ22と同様に構成されている。サブスイッチ40の導体5、第1金属体5a、第2金属体5b、第1端子T3及び第2端子T4夫々は、温度スイッチ22の導体3、第1金属体3a、第2金属体3b、第1端子T1及び第2端子T2に対応する。
サブスイッチ40は、実施の形態1における温度スイッチ22と同様に構成されている。サブスイッチ40の導体5、第1金属体5a、第2金属体5b、第1端子T3及び第2端子T4夫々は、温度スイッチ22の導体3、第1金属体3a、第2金属体3b、第1端子T1及び第2端子T2に対応する。
従って、導体5の一端部は第1端子T3に接続されており、導体5はメインスイッチ20の近傍に配置されている。導体5は、メインスイッチ20の周囲温度に応じて変形する。メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、導体5はサブスイッチ40の第2端子T4から離れており、サブスイッチ40はオフである。メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、導体5は、サブスイッチ40の第2端子T4に接触し、第1端子T3及び第2端子T4を接続する。このとき、サブスイッチ40はオンである。
サブスイッチ40の第1端子T3は、メインスイッチ20のゲートと、昇圧回路23の出力端とに接続されている。サブスイッチ40の第2端子T4は接地されている。
サブスイッチ40の第1端子T3は、メインスイッチ20のゲートと、昇圧回路23の出力端とに接続されている。サブスイッチ40の第2端子T4は接地されている。
実施の形態3における遮断装置10において、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、サブスイッチ40はオフである。サブスイッチ40がオフである場合、メインスイッチ20のゲートの電圧は、昇圧回路23が出力した電圧と略一致し、メインスイッチ20の第1オン閾値以上である。このとき、メインスイッチ20はオンである。メインスイッチ20がオンである場合、バッテリ11から負荷12に給電され、負荷12が作動する。メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である間、メインスイッチ20はオンに維持される。
実施の形態3においても、サブスイッチ40がオフである場合、昇圧回路23からメインスイッチ20のゲートに電流が流れることはない。更に、昇圧回路23でバッテリ11の電力が殆ど消費されることはない。このため、メインスイッチ20がオンである間に消費される電力は小さい。また、サブスイッチ40の導体5はメインスイッチ20の周囲温度に応じて変形するので、サブスイッチ40をオフに維持するためにバッテリ11の電力が消費されることはない。
メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、サブスイッチ40がオンに切替わる。これにより、メインスイッチ20のゲートの電位は、接地電位と一致するか又は略一致する。このとき、接地電位を基準としたメインスイッチ20のゲートの電圧は、ゼロV又は略ゼロVであり、第1オフ閾値未満である。結果、メインスイッチ20はオフに切替わる。メインスイッチ20がオフに切替わることによって、メインスイッチ20を介したバッテリ11から負荷12への給電が遮断される。
以上のように、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、メインスイッチ20はオフに切替わる。また、メインスイッチ20の周囲温度が再び基準温度未満となった場合、サブスイッチ40がオフに切替わり、メインスイッチ20がオンに切替わる。
サブスイッチ40がオンである間、電流がバッテリ11の正極から昇圧回路23及びサブスイッチ40の順に電流が流れる。
サブスイッチ40がオンである間、電流がバッテリ11の正極から昇圧回路23及びサブスイッチ40の順に電流が流れる。
なお、実施の形態3において、サブスイッチ40の第1端子T3及び第2端子T4夫々の接続先は反対であってもよい。即ち、第1端子T3が接地され、第2端子T4が、メインスイッチ20のゲートと、昇圧回路23の出力端とに接続されてもよい。
また、実施の形態1,2において、温度スイッチ22の導体3は、第1金属体3a及び第2金属体3bを有するバイメタルに限定されない。導体3は、例えば、メインスイッチ20の周囲温度の上昇と共に膨張する1つの金属体であってもよい。この場合においても、導体3は、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合に第2端子T2から離れており、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合に第2端子T2に接触する。また、導体3の一端部が第1端子T1に常に接触していなくてもよい。導体3は、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合に、第1端子T1及び第2端子T2の少なくとも1つから離れており、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合に、第1端子T1及び第2端子T2に接触していればよい。
同様に、実施の形態3において、サブスイッチ40の導体5は、第1金属体5a及び第2金属体5bを有するバイメタルに限定されない。導体5は、例えば、メインスイッチ20の周囲温度の上昇と共に膨張する1つの金属体であってもよい。この場合においても、導体5は、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合に第2端子T4から離れており、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合に第2端子T4に接触する。また、導体5の一端部が第1端子T3に常に接触していなくてもよい。導体5は、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合に、第1端子T3及び第2端子T4の少なくとも1つから離れており、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合に、第1端子T3及び第2端子T4に接触していればよい。
(実施の形態4)
図5は、実施の形態4における電源システム1の回路図である。
以下では、実施の形態4について、実施の形態1と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態1と共通しているため、実施の形態1と共通する構成部には実施の形態1と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図5は、実施の形態4における電源システム1の回路図である。
以下では、実施の形態4について、実施の形態1と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態1と共通しているため、実施の形態1と共通する構成部には実施の形態1と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
実施の形態4における電源システム1では、実施の形態1における電源システム1と比較して、遮断装置10の構成が異なる。実施の形態4における遮断装置10は、実施の形態1における遮断装置10と同様に、メインスイッチ20、サブスイッチ21、温度スイッチ22、昇圧回路23及び抵抗R1,R2を有する。バッテリ11、負荷12、メインスイッチ20、サブスイッチ21、温度スイッチ22、昇圧回路23及び抵抗R1,R2は実施の形態1と同様に接続されている。
実施の形態4における遮断装置10は、直方体状の発生体60を更に有する。発生体60の一端部は抵抗R2の他端に接続されており、発生体60の他端部は接地されている。発生体60は、電圧を発生し、発生した電圧を、抵抗R2を介して、サブスイッチ21のゲートに出力する。図5には発生体60の側面が示されている。
図6は発生体60が発生する電圧の説明図である。発生体60は金属体又は半導体である。発生体60内で温度勾配が発生した場合、発生体60は、ゼーベック効果により、電圧を発生させる。以下では、発生体60において、他端部の電位を基準とした一端部の電圧を発生電圧Vzと記載する。
発生体60の他端部には、例えば、図示しない放熱板が取付けられている。これにより、発生体60の他端部の温度は、一定の温度、例えば、常温に維持されている。発生体60の一端部はメインスイッチ20の近傍に配置され、発生体60の一端部の温度はメインスイッチ20の周囲温度と略一致している。
発生電圧Vzは、一端部の温度がメインスイッチ20の周囲温度以上である場合、ゼロV以上である。発生電圧Vzの絶対値は発生体60内の温度勾配が大きい程大きい。従って、発生体60において、一端部の温度が他端部の温度よりも高い程、発生電圧Vzは高い。発生電圧Vzは、メインスイッチ20の周囲温度が上昇した場合に上昇する。
発生電圧Vzは抵抗R1,R2によって分圧される。抵抗R1,R2が分圧した電圧がサブスイッチ21のゲートに出力される。
発生電圧Vzは抵抗R1,R2によって分圧される。抵抗R1,R2が分圧した電圧がサブスイッチ21のゲートに出力される。
実施の形態4における遮断装置10において、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、発生体60の発生電圧Vzは低く、抵抗R1,R2が分圧した電圧は第2閾値未満である。従って、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、サブスイッチ21はオフである。
サブスイッチ21がオフである場合、実施の形態1で述べたように、メインスイッチ20はオンであり、バッテリ11から負荷12に給電され、負荷12が作動する。
実施の形態4においても、サブスイッチ21がオフである場合、昇圧回路23からメインスイッチ20のゲートに電流が流れることはない。更に、昇圧回路23でバッテリ11の電力が殆ど消費されることはない。このため、メインスイッチ20がオンである間に消費される電力は小さい。
また、発生体60は、バッテリ11の電力を用いることなく、発生電圧Vzを発生する。このため、サブスイッチ21をオフに維持するためにバッテリ11の電力が消費されることはない。
また、発生体60は、バッテリ11の電力を用いることなく、発生電圧Vzを発生する。このため、サブスイッチ21をオフに維持するためにバッテリ11の電力が消費されることはない。
メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、発生体60の発生電圧Vzは高く、抵抗R1,R2で分圧した電圧は、第2閾値以上である。従って、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、サブスイッチ21はオンである。
メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、サブスイッチ21はオンに切替わる。このとき、実施の形態1と同様に、メインスイッチ20のゲートの電位が接地電位と一致するか又は略一致し、メインスイッチ20がオフに切替わる。メインスイッチ20がオフに切替わったことによって、メインスイッチ20を介したバッテリ11から負荷12への給電が遮断される。
以上のように、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、メインスイッチ20はオフに切替わる。また、メインスイッチ20の周囲温度が再び基準温度未満となった場合、発生体60の発生電圧Vzが低下し、サブスイッチ21がオフに切替わり、メインスイッチ20がオンに切替わる。
サブスイッチ21がオンである間、電流がバッテリ11の正極から昇圧回路23及びサブスイッチ21の順に電流が流れる。
サブスイッチ21がオンである間、電流がバッテリ11の正極から昇圧回路23及びサブスイッチ21の順に電流が流れる。
なお、実施の形態1,4において、サブスイッチ21は、接地電位を基準とした制御端子(ゲート)の電圧が第2閾値以上である場合にオンに切替わり、接地電位を基準とした制御端子の電圧が第2閾値未満である場合にオフに切替わるスイッチであればよい。このため、サブスイッチ21は、Nチャネル型のFETに限定されず、例えば、NPN型のバイポーラトランジスタであってもよい。
(実施の形態5)
図7は、実施の形態5における電源システム1の回路図である。
以下では、実施の形態4について、実施の形態2と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態2と共通しているため、実施の形態2と共通する構成部には実施の形態2と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図7は、実施の形態5における電源システム1の回路図である。
以下では、実施の形態4について、実施の形態2と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態2と共通しているため、実施の形態2と共通する構成部には実施の形態2と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
実施の形態5における電源システム1では、実施の形態2における電源システム1と比較して、遮断装置10の構成が異なる。実施の形態5における遮断装置10は、実施の形態2における遮断装置10と同様に、メインスイッチ20、サブスイッチ21及び昇圧回路23を有する。バッテリ11、負荷12、メインスイッチ20及びサブスイッチ21は実施の形態2と同様に接続されている。サブスイッチ21は、実施の形態2で述べたように、Pチャネル型のFETである。
実施の形態5における遮断装置10は、直方体状の発生体70を更に有する。発生体70の一端部はサブスイッチ21のゲートに接続されており、発生体70の他端部はサブスイッチ21のソースに接続されている。発生体70は、電圧を発生し、発生した電圧をサブスイッチ21のゲートに出力する。図7には発生体70の側面が示されている。
図8は発生体70が発生する電圧の説明図である。発生体70は金属体又は半導体である。発生体70内で温度勾配が発生した場合、発生体70は、ゼーベック効果により、電圧を発生させる。実施の形態5では、発生体70において、他端部の電位を基準とした一端部の電圧を発生電圧Vzと記載する。
発生体70の他端部には、例えば、図示しない放熱板が取付けられている。これにより、発生体70の他端部の温度は、一定の温度、例えば、常温に維持されている。発生体70の一端部はメインスイッチ20の近傍に配置され、発生体70の一端部の温度はメインスイッチ20の周囲温度と略一致している。
実施の形態4で述べたように、発生体60の発生電圧Vzは、一端部の温度が他端部の温度以上である場合、ゼロV以上である。一方、実施の形態5における発生体70の発生電圧Vzは、一端部の温度が他端部の温度以上である場合、ゼロ以下である。発生体70は、発生体60と同様に、発生電圧Vzの絶対値は、発生体70内の温度勾配が大きい程大きい。従って、発生体60において、一端部の温度が他端部の温度よりも高い程、発生電圧Vzは低い。発生電圧Vzは、メインスイッチ20の周囲温度が上昇した場合に低下する。
前述したように、発生体70の一端部はサブスイッチ21のゲートに接続されており、発生体70の他端部はサブスイッチ21のソースに接続されている。従って、サブスイッチ21において、ソースの電位を基準としたゲートの電圧は、発生体70の発生電圧Vzに略一致する。
実施の形態5における遮断装置10において、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度未満である場合、発生体70の発生電圧Vzは高く、第3閾値以上である。従って、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、サブスイッチ21はオフである。
サブスイッチ21がオフである場合、実施の形態2と同様に、メインスイッチ20はオンであり、バッテリ11から負荷12に給電され、負荷12が作動する。
実施の形態5においても、サブスイッチ21がオフである場合、昇圧回路23からメインスイッチ20のゲートに電流が流れることはない。更に、昇圧回路23でバッテリ11の電力が殆ど消費されることはない。このため、メインスイッチ20がオンである間に消費される電力は小さい。
また、発生体60は、バッテリ11の電力を用いることなく、発生電圧Vzを発生する。このため、サブスイッチ21をオフに維持するためにバッテリ11の電力が消費されることはない。
また、発生体60は、バッテリ11の電力を用いることなく、発生電圧Vzを発生する。このため、サブスイッチ21をオフに維持するためにバッテリ11の電力が消費されることはない。
メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、発生体70の発生電圧Vzは低く、第3閾値未満である。従って、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上である場合、サブスイッチ21はオンである。
メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、サブスイッチ21はオンに切替わる。このとき、実施の形態2と同様に、メインスイッチ20のゲートの電位が接地電位となり、メインスイッチ20がオフに切替わる。メインスイッチ20がオフに切替わったことによって、メインスイッチ20を介したバッテリ11から負荷12への給電が遮断される。
以上のように、メインスイッチ20の周囲温度が基準温度以上となった場合、メインスイッチ20はオフに切替わる。また、メインスイッチ20の周囲温度が再び基準温度未満となった場合、発生体60の発生電圧Vzが上昇し、サブスイッチ21がオフに切替わり、メインスイッチ20がオンに切替わる。
サブスイッチ21がオンである間、電流がバッテリ11の正極から昇圧回路23及びサブスイッチ21の順に電流が流れる。
サブスイッチ21がオンである間、電流がバッテリ11の正極から昇圧回路23及びサブスイッチ21の順に電流が流れる。
なお、実施の形態4において、遮断装置10は、発生体60の代わりに、発生体70を有してもよい。この場合、発生体70の一端部を接地し、発生体70の他端部を抵抗R2の他端に接続すればよい。この場合であっても、遮断装置10は、実施の形態4で述べた効果と同様の効果を奏する。
また、実施の形態5において、遮断装置10は、発生体70の代わりに、発生体60を有してもよい。この場合、発生体60の一端部はサブスイッチ21のソースに接続され、発生体60の他端部はサブスイッチ21のゲートに接続される。この場合であっても、遮断装置10は、実施の形態5で述べた効果と同様の効果を奏する。
更に、実施の形態2,5において、サブスイッチ21は、メインスイッチ20のゲート側の端子(ソース)の電位を基準とした制御端子(ゲート)の電圧が第3閾値未満である場合にオフに切替わり、メインスイッチ20のゲート側の端子の電位を基準とした制御端子の電圧が第3閾値以上である場合にオンに切替わるスイッチであればよい。このため、サブスイッチ21は、Pチャネル型のFETに限定されず、例えば、PNP型のバイポーラトランジスタであってもよい。
また、実施の形態1〜5において、負荷12の位置は、メインスイッチ20の下流側に限定されず、メインスイッチ20の上流側であってもよい。この場合、電流は、バッテリ11の正極から、負荷12及びメインスイッチ20の順に流れる。このように構成された遮断装置10では、第1オン閾値は、第1オフ閾値と略一致しており、バッテリ11の出力電圧よりも高い電圧である必要はない。第1オン閾値がバッテリ11の出力電圧よりも低い場合、昇圧回路23は不要である。従って、第1オン閾値がバッテリ11の出力電圧よりも低い場合、昇圧回路23の代わりに、抵抗を用いてもよい。この抵抗の一端及び他端夫々は、バッテリ11の正極、及び、メインスイッチ20のゲートに接続される。
更に、実施の形態1〜5において、メインスイッチ20は、接地電位を基準とした制御端子(ゲート)の電圧が高い場合にオンに切替わり、接地電位を基準とした制御端子の電圧が低い場合にオフに切替わるスイッチであればよい。このため、メインスイッチ20は、Nチャネル型のFETに限定されず、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であってもよい。
開示された実施の形態1〜5は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上述の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
11 遮断装置
20 メインスイッチ(第1スイッチ)
21,40 サブスイッチ(第2スイッチ)
22 温度スイッチ(第3スイッチ)
23 昇圧回路(出力部)
60,70 発生体
20 メインスイッチ(第1スイッチ)
21,40 サブスイッチ(第2スイッチ)
22 温度スイッチ(第3スイッチ)
23 昇圧回路(出力部)
60,70 発生体
Claims (7)
- 固定電位を基準とした制御端子の電圧が閾値以上である場合にオンであり、該制御端子の電位が前記固定電位と略一致している場合にオフである第1スイッチを備え、該第1スイッチをオフに切替えることによって、該第1スイッチを介した給電を遮断する遮断装置において、
前記固定電位を基準として前記閾値以上である電圧を前記制御端子に出力する出力部と、
一方の端子が前記制御端子に接続され、他方の端子の電位が前記固定電位である第2スイッチと
を備え、
該第2スイッチは、前記第1スイッチの周囲温度が所定温度以上である場合にオンであり、該周囲温度が前記所定温度未満である場合にオフであること
を特徴とする遮断装置。 - 前記周囲温度に応じて変形する導体によって2つの端子が接続される第3スイッチを備え、
前記導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記2つの端子の少なくとも1つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記2つの端子に接触し、
前記第2スイッチは、前記固定電位を基準とした制御端子の電圧が第2の閾値以上である場合にオンであり、
前記固定電位を基準とした前記2つの端子中の一方の電圧は前記第2の閾値以上であり、前記2つの端子中の他方は、前記第2スイッチの前記制御端子に接続されていること
を特徴とする請求項1に記載の遮断装置。 - 前記周囲温度に応じて変形する導体によって2つの端子が接続される第3スイッチを備え、
前記導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記2つの端子の少なくとも1つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記2つの端子に接触し、
前記第2スイッチは、該第2スイッチの前記一方の端子の電位を基準とした制御端子の電圧が第3の閾値未満である場合にオンであり、
前記第2スイッチの前記一方の端子を基準とした前記2つの端子中の一方の電圧は前記第3の閾値未満であり、前記2つの端子中の他方は、前記第2スイッチの制御端子に接続されていること
を特徴とする請求項1に記載の遮断装置。 - 前記第2スイッチでは、前記周囲温度に応じて変形する導体によって前記一方の端子及び他方の端子が接続され、
該導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記一方の端子及び他方の端子中の少なくとも1つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記一方の端子及び他方の端子に接触すること
を特徴とする請求項1に記載の遮断装置。 - 前記周囲温度が上昇した場合に上昇する電圧を発生する発生体を備え、
前記第2スイッチは、前記固定電位を基準とした制御端子の電圧が第2の閾値以上である場合にオンであり、
前記発生体は、発生した電圧を、前記第2スイッチの制御端子に出力すること
を特徴とする請求項1に記載の遮断装置。 - 前記周囲温度が上昇した場合に低下する電圧を発生する発生体を備え、
前記第2スイッチは、前記一方の端子の電位を基準とした制御端子の電圧が第3の閾値未満である場合にオンであり、
前記発生体は、発生した電圧を、前記第2スイッチの制御端子に出力すること
を特徴とする請求項1に記載の遮断装置。 - 前記発生体は、自身内で温度勾配が発生した場合に電圧を発生させ、
該発生体が発生する電圧の絶対値は、前記温度勾配が大きい程大きいこと
を特徴とする請求項5又は請求項6に記載の遮断装置。
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