JP2017171817A - Adhesive for semiconductor, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Adhesive for semiconductor, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device Download PDF

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一尊 本田
幸一 茶花
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幸一 茶花
永井　朗
Akira Nagai
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    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive for semiconductor that is excellent in adhesive force and reflow resistance while assuring visibility in a flip chip package.SOLUTION: The adhesive for semiconductor comprises a resin having a weight average molecular weight of less than 10,000, a curing agent, a fibrous filler having a diameter of 10 nm or less and a length of 100 nm or more. In the adhesive 40 for semiconductor, the component of the fibrous filler is alumina. The adhesive 40 for semiconductor further contains a polymer compound having a weight average molecular weight of 30,000 or more and a glass transition temperature of 100°C or less. In a semiconductor device 100 where respective connection parts of a film-like semiconductor chip 10 and a wiring circuit board 20 are connected, the adhesive 40 for semiconductor is used in the connection parts.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体用接着剤、半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor adhesive, a semiconductor device, and a method for manufacturing a semiconductor device.

従来、半導体チップと基板を接続するには金ワイヤ等の金属細線を用いるワイヤーボンディング方式が広く適用されてきたが、半導体装置に対する高機能・高集積・高速化等の要求に対応するため、半導体チップ又は基板にバンプと呼ばれる導電性突起を形成して、半導体チップと基板間で直接接続するフリップチップ接続方式（ＦＣ接続方式）が広まりつつある。   Conventionally, a wire bonding method using a fine metal wire such as a gold wire has been widely applied to connect a semiconductor chip and a substrate. However, in order to meet demands for high functionality, high integration, high speed, etc., for semiconductor devices, A flip chip connection method (FC connection method) in which conductive protrusions called bumps are formed on a chip or a substrate to directly connect the semiconductor chip and the substrate is becoming widespread.

フリップチップ接続方式としては、はんだ、スズ、金、銀、銅等を用いて金属接合させる方法、超音波振動を印加して金属接合させる方法、樹脂の収縮力によって機械的接触を保持する方法などが知られているが、接続部の信頼性の観点から、はんだ、スズ、金、銀、銅等を用いて金属接合させる方法が一般的である。   Flip chip connection methods include metal bonding using solder, tin, gold, silver, copper, etc., metal bonding by applying ultrasonic vibration, method of maintaining mechanical contact by the shrinkage force of the resin, etc. However, from the viewpoint of the reliability of the connection portion, a method of metal bonding using solder, tin, gold, silver, copper, or the like is common.

例えば、半導体チップと基板間の接続においては、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等に盛んに用いられているＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）型の接続方式もフリップチップ接続方式である。また、フリップチップ接続方式は半導体チップ上にバンプ又は配線を形成して、半導体チップ間で接続するＣＯＣ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）型接続方式にも広く用いられている（例えば、下記特許文献１参照）。   For example, in connection between a semiconductor chip and a substrate, a COB (Chip On Board) type connection method that is actively used in BGA (Ball Grid Array), CSP (Chip Size Package), etc. is also a flip chip connection method. . The flip-chip connection method is also widely used in a COC (Chip On Chip) type connection method in which bumps or wirings are formed on semiconductor chips to connect the semiconductor chips (for example, see Patent Document 1 below). .

更なる小型化、薄型化、高機能化が強く要求されたパッケージでは、上述した接続方式を積層・多段化したスタック型パッケージ（ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ Ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）も広く普及し始めている。平面状でなく立体状に配置することでパッケージを小さくできることから、上記の技術は多用され、半導体の性能向上及びノイズ低減、実装面積の削減、省電力化にも有効であり、次世代の半導体配線技術として注目されている。   For packages that are strongly required to be further reduced in size, thickness and functionality, stack type packages (POP (Package On Package) and TSV (Through-Silicon Via)) in which the above-mentioned connection methods are stacked and multi-staged are also widely used. Since the package can be made smaller by arranging it in a three-dimensional shape instead of a flat shape, the above technique is frequently used, and it is effective for improving the performance of the semiconductor, reducing noise, reducing the mounting area, and saving power, It is attracting attention as a next-generation semiconductor wiring technology.

また、生産性向上の観点から、ウエハ上に半導体チップを圧着（接続）した後に個片化して半導体パッケージを作製するＣＯＷ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｗａｆｅｒ）、ウエハ同士を圧着（接続）した後に個片化して半導体パッケージを作製するＷＯＷ（Ｗａｆｅｒ Ｏｎ Ｗａｆｅｒ）も注目されている。   Also, from the viewpoint of improving productivity, COW (Chip On Wafer) for manufacturing a semiconductor package by bonding a semiconductor chip onto a wafer after being crimped (connected), and individualizing after bonding (connecting) the wafers together A WOW (Wafer On Wafer) for manufacturing a semiconductor package has also attracted attention.

特開２００８−２９４３８２号公報JP 2008-294382 A

上述したフリップチップパッケージでは、高機能化・高集積化に伴い、バンプ間及び配線ピッチが狭くなり、バンプ径及び配線幅が小さくなっている。また、誘電率を下げるために低誘電率層（Ｌｏｗ−ｋ層）のような脆弱層が必要となり、接続と共にバンプ及び脆弱層の保護が必要となる。   In the above-described flip chip package, with higher functionality and higher integration, the bump spacing and the wiring pitch are reduced, and the bump diameter and the wiring width are reduced. Further, in order to lower the dielectric constant, a fragile layer such as a low dielectric constant layer (Low-k layer) is required, and it is necessary to protect the bump and the fragile layer together with the connection.

フリップチップパッケージの組立方式としては、先供給方式と後入れ方式があるが、接続と同時に脆弱層を保護するという観点から、先供給方式の方に移行しつつある。   As an assembly method of the flip chip package, there are a first supply method and a last insertion method, but from the viewpoint of protecting the vulnerable layer at the same time as the connection, the first supply method is being shifted.

先供給方式としては、先に基板及び半導体チップに半導体用接着剤を供給する方式と、ウエハに半導体用接着剤を供給して一括でダイシングする方式（ウエハ貼付方式）がある。ウエハ貼付方式の方がプロセスを簡略化できるため生産性が向上する一方、半導体用接着剤を介して、ウエハ上のアライメントマークをフリップチップボンダーが認識する必要があるため、半導体用接着剤は透明性（高い光透過率）を有し、半導体用接着剤を介して、その下部のアライメントマーク等を視認できること（以下、単に「視認性」という）が必要とされる。   As the first supply method, there are a method in which the semiconductor adhesive is first supplied to the substrate and the semiconductor chip, and a method in which the semiconductor adhesive is supplied to the wafer and dicing in a lump (wafer attaching method). The wafer bonding method simplifies the process and improves productivity. On the other hand, the semiconductor chip adhesive is transparent because the flip chip bonder needs to recognize the alignment mark on the wafer via the semiconductor adhesive. It is necessary to be able to visually recognize an alignment mark or the like under the adhesive (high light transmittance) (hereinafter simply referred to as “visibility”) through a semiconductor adhesive.

加えて、上述した様々な半導体装置に用いられる半導体用接着剤には、吸湿後に例えば２６０℃前後のリフロ炉に通しても、接続不良、剥離等が発生しない耐リフロ性が強く必要とされている。   In addition, the adhesive for semiconductors used in the various semiconductor devices described above is strongly required to have reflow resistance that does not cause poor connection or peeling even if it is passed through a reflow furnace at around 260 ° C. after moisture absorption. Yes.

ここで、半導体用接着剤の耐リフロ性を確保するために必要な特性として、耐熱性、耐吸湿性及び接着力が挙げられる。これらの特性を向上させる手法として、従来、半導体用接着剤に無機フィラを添加する方法が知られている。しかしながら、無機フィラを添加すると視認性が低下する傾向がある。一方、無機フィラの添加量を減少すると視認性は向上するものの、上記特性が低下する傾向があり、視認性を低下させずに耐リフロ性を向上させることが困難であった。   Here, heat resistance, hygroscopic resistance, and adhesive force are mentioned as a characteristic required in order to ensure the reflow resistance of the adhesive agent for semiconductors. As a technique for improving these characteristics, a method of adding an inorganic filler to a semiconductor adhesive is conventionally known. However, when an inorganic filler is added, the visibility tends to decrease. On the other hand, when the addition amount of the inorganic filler is reduced, the visibility is improved, but the above characteristics tend to be lowered, and it is difficult to improve the reflow resistance without lowering the visibility.

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、視認性を確保しつつ、接着力及び耐リフロ性に優れる半導体用接着剤、並びに該半導体用接着剤を用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and has an adhesive for semiconductor having excellent adhesion and reflow resistance while ensuring visibility, and a semiconductor device using the adhesive for semiconductor, and An object is to provide a method for manufacturing a semiconductor device.

本発明は、下記［１］〜［９］を提供する。
［１］ 重量平均分子量が１００００未満の樹脂と、硬化剤と、繊維状フィラと、を含有する半導体用接着剤。
［２］ 前記繊維状フィラの直径が１０ｎｍ以下であり、かつ前記繊維状フィラの長さが１００ｎｍ以上である、［１］に記載の半導体用接着剤。
［３］ 前記繊維状フィラの成分がアルミナである、［１］又は［２］に記載の半導体用接着剤。
［４］ 重量平均分子量が１００００以上の高分子化合物を更に含有する、［１］〜［３］のいずれかに記載の半導体用接着剤。
［５］ 前記高分子化合物の重量平均分子量が３００００以上であり、かつ前記高分子化合物のガラス転移温度が１００℃以下である、［４］に記載の半導体用接着剤。
［６］ フィルム状である、［１］〜［５］のいずれかに記載の半導体用接着剤。
［７］ 半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において前記接続部の封止に用いられる、［１］〜［６］のいずれかに記載の半導体用接着剤。
［８］ ［１］〜［７］のいずれかに記載の半導体用接着剤を用いる、半導体装置の製造方法。
［９］ ［１］〜［７］のいずれかに記載の半導体用接着剤又はその硬化物を備える半導体装置。 The present invention provides the following [1] to [9].
[1] A semiconductor adhesive containing a resin having a weight average molecular weight of less than 10,000, a curing agent, and a fibrous filler.
[2] The adhesive for a semiconductor according to [1], wherein the fibrous filler has a diameter of 10 nm or less, and the fibrous filler has a length of 100 nm or more.
[3] The semiconductor adhesive according to [1] or [2], wherein the fibrous filler component is alumina.
[4] The semiconductor adhesive according to any one of [1] to [3], further comprising a polymer compound having a weight average molecular weight of 10,000 or more.
[5] The adhesive for semiconductors according to [4], wherein the polymer compound has a weight average molecular weight of 30000 or more and the polymer compound has a glass transition temperature of 100 ° C. or less.
[6] The adhesive for semiconductors according to any one of [1] to [5], which is a film.
[7] In the semiconductor device in which the connection portions of the semiconductor chip and the printed circuit board are electrically connected to each other, or in the semiconductor device in which the connection portions of the plurality of semiconductor chips are electrically connected to each other, The adhesive for semiconductors according to any one of [1] to [6], which is used for sealing.
[8] A method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor adhesive according to any one of [1] to [7].
[9] A semiconductor device comprising the semiconductor adhesive according to any one of [1] to [7] or a cured product thereof.

本発明によれば、視認性を確保しつつ、接着力及び耐リフロ性に優れる半導体用接着剤、並びに該半導体用接着剤を用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive for semiconductors which is excellent in adhesive force and reflow resistance, ensuring visibility, the semiconductor device using this adhesive for semiconductors, and the manufacturing method of a semiconductor device can be provided.

本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention. 本発明に係る半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows other one Embodiment of the semiconductor device which concerns on this invention. 本発明に係る半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows other one Embodiment of the semiconductor device which concerns on this invention. 本発明に係る半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows other one Embodiment of the semiconductor device which concerns on this invention.

以下、場合により図面を参照しつつ本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as the case may be. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.

＜半導体用接着剤＞
本実施形態に係る接着剤は、半導体用接着剤として好適に用いられるものであり、重量平均分子量が１００００未満の樹脂（以下、場合により「（ａ）成分」という）と、硬化剤（以下、場合により「（ｂ）成分」という）と、繊維状フィラ（以下、場合により「（ｃ）成分」という）と、を含有する。 <Semiconductor adhesive>
The adhesive according to the present embodiment is suitably used as an adhesive for semiconductors, a resin having a weight average molecular weight of less than 10,000 (hereinafter sometimes referred to as “component (a)”), and a curing agent (hereinafter, referred to as “component”). Optionally (referred to as “component (b)”) and fibrous filler (hereinafter sometimes referred to as “component (c)”).

本実施形態に係る接着剤は、必要に応じて、重量平均分子量が１００００以上の高分子化合物（以下、場合により「（ｄ）成分」という）を更に含有していてもよい。   The adhesive according to the present embodiment may further contain a polymer compound having a weight average molecular weight of 10,000 or more (hereinafter sometimes referred to as “component (d)”) as necessary.

（ａ）成分：重量平均分子量が１００００未満の樹脂
重量平均分子量が１００００未満の樹脂としては、特に制限されないが、耐熱性の観点から、（ｂ）成分の硬化剤と反応するものが好ましい。重量平均分子量が１００００未満の樹脂としては、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂等が挙げられる。 Component (a): resin having a weight average molecular weight of less than 10,000 The resin having a weight average molecular weight of less than 10,000 is not particularly limited, but from the viewpoint of heat resistance, a resin that reacts with the curing agent of component (b) is preferable. Examples of the resin having a weight average molecular weight of less than 10,000 include epoxy resins and (meth) acrylic resins.

エポキシ樹脂としては、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、及びジシクロペンタジエン型等のエポキシ樹脂、並びに、各種多官能エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、耐熱性及び取り扱い性の観点から、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂が好ましい。   The epoxy resin is not particularly limited as long as it has two or more epoxy groups in the molecule. For example, bisphenol A type, bisphenol F type, naphthalene type, phenol novolak type, cresol novolak type, phenol aralkyl type, Examples thereof include epoxy resins such as biphenyl type, triphenylmethane type, and dicyclopentadiene type, and various polyfunctional epoxy resins. An epoxy resin can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, and triphenylmethane type epoxy resin are preferable from the viewpoints of heat resistance and handleability.

（ａ）成分としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の含有量は、接着剤の全量を１００質量部としたときに、１０〜５０質量部が好ましい。１０質量部未満であると、硬化成分が少ないため、硬化後も樹脂の流動を十分に制御することが難しく、５０質量部を超えると、硬化物が硬くなりすぎてパッケージの反りが大きくなる傾向がある。   When an epoxy resin is used as the component (a), the content of the epoxy resin is preferably 10 to 50 parts by mass when the total amount of the adhesive is 100 parts by mass. If the amount is less than 10 parts by mass, since there are few curing components, it is difficult to sufficiently control the flow of the resin even after curing. If the amount exceeds 50 parts by mass, the cured product tends to be too hard and the warpage of the package tends to increase. There is.

（メタ）アクリル樹脂としては、分子内に１個以上の（メタ）アクリロイル基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、フルオレン型、及びアダマンタン型等の（メタ）アクリル樹脂、並びに、各種多官能（メタ）アクリル樹脂が挙げられる。（メタ）アクリル樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、「（メタ）アクリル樹脂」は「アクリル樹脂」及び「メタクリル樹脂」、「（メタ）アクリロイル基」は「アクリロイル基」及び「メタクリロイル基」をそれぞれ意味する。   The (meth) acrylic resin is not particularly limited as long as it has one or more (meth) acryloyl groups in the molecule. For example, bisphenol A type, bisphenol F type, naphthalene type, phenol novolac type, cresol novolak type. Type, phenol aralkyl type, biphenyl type, triphenylmethane type, dicyclopentadiene type, fluorene type, and adamantane type (meth) acrylic resin, and various polyfunctional (meth) acrylic resins. (Meth) acrylic resins can be used alone or in combination of two or more. “(Meth) acrylic resin” means “acrylic resin” and “methacrylic resin”, and “(meth) acryloyl group” means “acryloyl group” and “methacryloyl group”, respectively.

（ａ）成分として（メタ）アクリル樹脂を用いる場合、（メタ）アクリル樹脂の含有量は、接着剤の全量を１００質量部としたときに、１０〜５０質量部が好ましく、１５〜４０質量部がより好ましい。１０質量部未満であると、硬化成分が少ないため、硬化後も樹脂の流動を十分に制御することが難しく、５０質量部を超えると、硬化物が硬くなりすぎてパッケージの反りが大きくなる傾向がある。   When a (meth) acrylic resin is used as the component (a), the content of the (meth) acrylic resin is preferably 10 to 50 parts by mass when the total amount of the adhesive is 100 parts by mass, and 15 to 40 parts by mass. Is more preferable. If the amount is less than 10 parts by mass, since there are few curing components, it is difficult to sufficiently control the flow of the resin even after curing. If the amount exceeds 50 parts by mass, the cured product tends to be too hard and the warpage of the package tends to increase. There is.

（メタ）アクリル樹脂は室温（２５℃）で固形であることが好ましい。液状に比べて固形の方が、ボイドが発生しにくく、また、硬化前（Ｂステージ）の接着剤の粘性（タック）が小さく取り扱いに優れる。   The (meth) acrylic resin is preferably solid at room temperature (25 ° C.). The solid is less likely to generate voids than the liquid, and the viscosity (tack) of the adhesive before curing (B stage) is small and excellent in handling.

（メタ）アクリル樹脂における（メタ）アクリロイル基の官能基数は、３以下が好ましい。官能基数が４以上であると、官能基数が多いため、短時間での硬化が十分に進行せず、硬化反応率が低下する場合があり（硬化のネットワークが急速に進み、未反応基が残存する場合があり）、硬化物特性が低下する。   The number of functional groups of the (meth) acryloyl group in the (meth) acrylic resin is preferably 3 or less. When the number of functional groups is 4 or more, the number of functional groups is so large that curing in a short time does not proceed sufficiently and the curing reaction rate may decrease (the curing network proceeds rapidly, leaving unreacted groups remaining). The cured product properties are reduced.

（ａ）成分の重量平均分子量は１００００未満であるが、耐熱性の観点から、１００以上１００００未満が好ましく、３００以上８０００以下がより好ましく、３００以上５０００以下が更に好ましい。なお、本明細書において、重量平均分子量は、高速液体クロマトグラフィー（島津製作所製Ｃ−Ｒ４Ａ）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。   Although the weight average molecular weight of (a) component is less than 10,000, from a heat resistant viewpoint, 100 or more and less than 10,000 are preferable, 300 or more and 8000 or less are more preferable, 300 or more and 5000 or less are still more preferable. In addition, in this specification, a weight average molecular weight means the weight average molecular weight when measured in polystyrene conversion using a high performance liquid chromatography (Shimadzu Corporation C-R4A).

（ｂ）成分：硬化剤
硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、ホスフィン系硬化剤、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。 (B) Component: Curing agent Examples of the curing agent include phenol resin curing agents, acid anhydride curing agents, amine curing agents, imidazole curing agents, phosphine curing agents, azo compounds, and organic peroxides. Is mentioned.

（ｉ）フェノール樹脂系硬化剤
フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール及び各種多官能フェノール樹脂を使用することができる。フェノール樹脂系硬化剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 (I) Phenolic resin-based curing agent The phenolic resin-based curing agent is not particularly limited as long as it has two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule. For example, phenol novolak resin, cresol novolac resin, phenol aralkyl resin Cresol naphthol formaldehyde polycondensate, triphenylmethane type polyfunctional phenol and various polyfunctional phenol resins can be used. A phenol resin hardening | curing agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

上記（ａ）成分に対するフェノール樹脂系硬化剤の当量比（フェノール性水酸基／（ａ）成分における官能基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると、未反応のフェノール性水酸基が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する傾向がある。   The equivalent ratio of the phenol resin-based curing agent to the component (a) (phenolic hydroxyl group / functional group in the component (a), molar ratio) is 0.3 from the viewpoint of good curability, adhesiveness, and storage stability. -1.5 are preferable, 0.4-1.0 are more preferable, and 0.5-1.0 are still more preferable. If the equivalent ratio is 0.3 or more, the curability tends to be improved and the adhesive strength tends to be improved. If the equivalent ratio is 1.5 or less, the unreacted phenolic hydroxyl group does not remain excessively, and the water absorption rate Tends to be kept low and the insulation reliability tends to improve.

（ｉｉ）酸無水物系硬化剤
酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテートを使用することができる。酸無水物系硬化剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 (Ii) Acid anhydride curing agent Examples of the acid anhydride curing agent include methylcyclohexanetetracarboxylic dianhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, and ethylene glycol bis. Anhydro trimellitate can be used. An acid anhydride type hardening | curing agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

上記（ａ）成分に対する酸無水物系硬化剤の当量比（酸無水物基／（ａ）成分における官能基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると、未反応の酸無水物が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する傾向がある。   The equivalent ratio of the acid anhydride curing agent to the component (a) (acid anhydride group / functional group in the component (a), molar ratio) is 0 from the viewpoint of good curability, adhesiveness, and storage stability. .3-1.5 is preferable, 0.4-1.0 is more preferable, and 0.5-1.0 is still more preferable. If the equivalent ratio is 0.3 or more, the curability tends to be improved and the adhesive force tends to be improved. If the equivalent ratio is 1.5 or less, the unreacted acid anhydride does not remain excessively, and the water absorption rate Tends to be kept low and the insulation reliability tends to improve.

（ｉｉｉ）アミン系硬化剤
アミン系硬化剤としては、例えばジシアンジアミドを使用することができる。 (Iii) Amine-based curing agent As the amine-based curing agent, for example, dicyandiamide can be used.

上記（ａ）成分に対するアミン系硬化剤の当量比（アミン／（ａ）成分における官能基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応のアミンが過剰に残存することがなく、絶縁信頼性が向上する傾向がある。   The equivalent ratio of the amine curing agent to the component (a) (amine / functional group in the component (a), molar ratio) is 0.3 to 1. from the viewpoint of good curability, adhesiveness, and storage stability. 5 is preferable, 0.4 to 1.0 is more preferable, and 0.5 to 1.0 is still more preferable. If the equivalence ratio is 0.3 or more, the curability tends to be improved and the adhesive strength tends to be improved. If the equivalent ratio is 1.5 or less, excessive unreacted amine does not remain and the insulation reliability is improved. Tend to.

（ｉｖ）イミダゾール系硬化剤
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノ−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。これらの中でも、優れた硬化性、保存安定性及び接続信頼性の観点から、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノ−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。イミダゾール系硬化剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤としてもよい。 (Iv) Imidazole-based curing agent Examples of the imidazole-based curing agent include 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1- Cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyano-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6 -[2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2, 4-Diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s Triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5- Examples include dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, and adducts of epoxy resins and imidazoles. Among these, from the viewpoint of excellent curability, storage stability, and connection reliability, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyano-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole trimelli Tate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 [2′-Ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine Isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl -4-Methyl-5-hydroxymethylimidazole is preferred. An imidazole type hardening | curing agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Moreover, it is good also as a latent hardening | curing agent which encapsulated these.

イミダゾール系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、０．１〜１０質量部がより好ましい。イミダゾール系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると、硬化性が向上する傾向があり、２０質量部以下であると、金属接合が形成される前に接着剤が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。   0.1-20 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (a) component, and, as for content of an imidazole series hardening | curing agent, 0.1-10 mass parts is more preferable. If the content of the imidazole-based curing agent is 0.1 parts by mass or more, the curability tends to be improved, and if it is 20 parts by mass or less, the adhesive may be cured before the metal bond is formed. There is a tendency that poor connection is less likely to occur.

（ｖ）ホスフィン系硬化剤
ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ（４−メチルフェニル）ボレート及びテトラフェニルホスホニウム（４−フルオロフェニル）ボレートが挙げられる。ホスフィン系硬化剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 (V) Phosphine-based curing agent Examples of the phosphine-based curing agent include triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra (4-methylphenyl) borate and tetraphenylphosphonium (4-fluorophenyl) borate. Can be mentioned. A phosphine type hardening | curing agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

ホスフィン系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。ホスフィン系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると、硬化性が向上する傾向があり、１０質量部以下であると、金属接合が形成される前に接着剤が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。   0.1-10 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (a) component, and, as for content of a phosphine type hardening | curing agent, 0.1-5 mass parts is more preferable. If the content of the phosphine-based curing agent is 0.1 parts by mass or more, the curability tends to be improved, and if it is 10 parts by mass or less, the adhesive may be cured before the metal bond is formed. There is a tendency that poor connection is less likely to occur.

フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤及びアミン系硬化剤は、それぞれ１種を単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤はそれぞれ単独で用いてもよいが、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はアミン系硬化剤と共に用いてもよい。   The phenol resin curing agent, the acid anhydride curing agent and the amine curing agent can be used singly or as a mixture of two or more. The imidazole-based curing agent and the phosphine-based curing agent may each be used alone, but may be used together with a phenol resin-based curing agent, an acid anhydride-based curing agent, or an amine-based curing agent.

（ｖｉ）有機過酸化物系硬化剤
有機過酸化物系硬化剤としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネイト、パーオキシエステルが挙げられる。これらの中でも、良好な保存安定性の観点から、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド及びパーオキシエステルが好ましく、良好な耐熱性の観点から、ハイドロパーオキサイド及びジアルキルパーオキサイドがより好ましい。有機過酸化物系硬化剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 (Vi) Organic peroxide type curing agent Examples of the organic peroxide type curing agent include ketone peroxide, peroxyketal, hydroperoxide, dialkyl peroxide, diacyl peroxide, peroxydicarbonate, and peroxyester. Is mentioned. Among these, hydroperoxide, dialkyl peroxide and peroxyester are preferable from the viewpoint of good storage stability, and hydroperoxide and dialkyl peroxide are more preferable from the viewpoint of good heat resistance. An organic peroxide type hardening | curing agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

有機過酸化物系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．５〜１０質量部が好ましく、１〜５質量部がより好ましい。０．５質量部未満であると、十分に硬化が進行せず、１０質量部超であると、硬化が急激に進行し、反応点が多くなるため、分子鎖が短くなり、未反応基が残存し、信頼性が低下する傾向がある。   0.5-10 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (a) component, and, as for content of an organic peroxide type hardening | curing agent, 1-5 mass parts is more preferable. When the amount is less than 0.5 parts by mass, the curing does not proceed sufficiently, and when it exceeds 10 parts by mass, the curing proceeds rapidly and the number of reaction points increases. It remains and tends to be less reliable.

（ａ）成分としてエポキシ樹脂又は（メタ）アクリル樹脂、（ｂ）成分として（ｉ）〜（ｖｉ）の硬化剤を用いる場合の（ａ）成分及び（ｂ）成分の組み合わせは、硬化が進行すれば特に制限はない。   When the epoxy resin or (meth) acrylic resin is used as the component (a) and the curing agents (i) to (vi) are used as the component (b), the combination of the components (a) and (b) is cured. There are no particular restrictions.

（ａ）成分としてエポキシ樹脂を用いる場合は、取り扱い性、保存安定性及び硬化性の観点から、（ｂ）成分として、例えば、フェノール系硬化剤とイミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤とイミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤とイミダゾール系硬化剤、イミダゾール系硬化剤単独を用いるのが好ましい。これらの中でも、生産性の向上、及び保存安定性の観点から、（ｂ）成分としてイミダゾール系硬化剤を単独で用いるのがより好ましい。これにより、短時間で硬化が進行して低分子成分等の揮発が抑制でき、ボイドの発生を抑制することができる。   In the case of using an epoxy resin as the component (a), from the viewpoint of handleability, storage stability and curability, as the component (b), for example, a phenolic curing agent and an imidazole curing agent, an acid anhydride curing agent, It is preferable to use an imidazole curing agent, an amine curing agent and an imidazole curing agent, or an imidazole curing agent alone. Among these, it is more preferable to use an imidazole-based curing agent alone as the component (b) from the viewpoints of productivity improvement and storage stability. Thereby, hardening progresses in a short time, volatilization of a low molecular component etc. can be suppressed and generation | occurrence | production of a void can be suppressed.

（ａ）成分として（メタ）アクリル樹脂を用いる場合は、取り扱い性及び保存安定性の観点から、（ｂ）成分として、例えば、有機過酸化物系硬化剤を用いるのが好ましい。   When a (meth) acrylic resin is used as the component (a), it is preferable to use, for example, an organic peroxide-based curing agent as the component (b) from the viewpoint of handleability and storage stability.

（ｃ）成分：繊維状フィラ
本実施形態に係る接着剤は、繊維状フィラを含有することで、球状フィラと比較して光透過率が低下することなく、樹脂（硬化物）のバルク強度が向上するという効果を奏する。繊維状フィラとしては、例えばナノファイバーが挙げられる。 (C) Component: Fibrous filler The adhesive according to the present embodiment contains a fibrous filler, so that the bulk strength of the resin (cured product) is reduced without lowering the light transmittance as compared with a spherical filler. There is an effect of improving. Examples of the fibrous filler include nanofibers.

繊維状フィラは、直径（短径）が１０ｎｍ以下であり、かつ長さ（長径）が１００ｎｍ以上であることが好ましい。直径が１０ｎｍ以下であると、透過率が低下しない傾向があり、長さが１００ｎｍ以上であると、樹脂（硬化物）のバルク強度が向上する傾向がある。光透過率及び樹脂（硬化物）のバルク強度の観点から、直径が１〜１０ｎｍであり、長さが１００〜１００００ｎｍであり、かつアスペクト比（長さ／直径）が３０〜５０００であることがより好ましい。また、樹脂の流動性（半導体チップ上バンプ及び基板の埋め込み性、並びにフリップチップパッケージの接続性）の観点から、直径が３〜７ｎｍであり、長さが５００〜５０００ｎｍであり、かつアスペクト比（長さ／直径）が１００〜１５００であることが更に好ましい。なお、繊維状フィラの直径及び長さは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）及び透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて測定することができる。   The fibrous filler preferably has a diameter (minor axis) of 10 nm or less and a length (major axis) of 100 nm or more. When the diameter is 10 nm or less, the transmittance tends not to decrease, and when the length is 100 nm or more, the bulk strength of the resin (cured product) tends to be improved. From the viewpoint of light transmittance and bulk strength of the resin (cured product), the diameter is 1 to 10 nm, the length is 100 to 10000 nm, and the aspect ratio (length / diameter) is 30 to 5000. More preferred. Further, from the viewpoint of resin fluidity (bumps on the semiconductor chip and the embedding property of the substrate, and connectivity of the flip chip package), the diameter is 3 to 7 nm, the length is 500 to 5000 nm, and the aspect ratio ( More preferably, the length / diameter is 100-1500. The diameter and length of the fibrous filler can be measured using a scanning electron microscope (SEM) and a transmission electron microscope (TEM).

繊維状フィラの成分としては、無機成分、樹脂等が挙げられ、絶縁信頼性の観点から、絶縁性を有することが好ましい。   Examples of the component of the fibrous filler include an inorganic component, a resin, and the like, and from the viewpoint of insulation reliability, it is preferable to have insulation.

無機成分としては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ、窒化ホウ素が挙げられる。取り扱い性（形状均一性）の観点から、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素が好ましく、透明性、絶縁性、耐熱性及び熱伝導性の観点から、アルミナがより好ましい。   Examples of the inorganic component include glass, silica, alumina, titanium oxide, carbon black, mica, and boron nitride. Silica, alumina, and boron nitride are preferable from the viewpoint of handleability (shape uniformity), and alumina is more preferable from the viewpoints of transparency, insulation, heat resistance, and thermal conductivity.

樹脂としては、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、メタクリル酸メチル樹脂、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂（ＭＢＳ）が挙げられる。   Examples of the resin include polyurethane resin, polyimide resin, methyl methacrylate resin, and methyl methacrylate-butadiene-styrene copolymer resin (MBS).

繊維状フィラの含有量としては、半導体用接着剤全量を基準として１〜１０質量％であることが好ましく、２〜５質量％であることがより好ましい。１質量％未満であると、接着力の向上効果が発現し難く、１０質量％超であると、粘度が高くなり、流動性（半導体チップ上バンプ及び基板の埋め込み性、並びにフリップチップパッケージの接続性）が低下する。   As content of a fibrous filler, it is preferable that it is 1-10 mass% on the basis of the adhesive agent for semiconductors, and it is more preferable that it is 2-5 mass%. If it is less than 1% by mass, the effect of improving the adhesive force is hardly exhibited, and if it exceeds 10% by mass, the viscosity becomes high, and the fluidity (the embedding property of the bump on the semiconductor chip and the substrate, and the connection of the flip chip package). ) Is reduced.

（ｄ）成分：分子量１００００以上の高分子化合物
本実施形態に係る接着剤は、重量平均分子量が１００００以上の高分子化合物を更に含有することができる。 (D) Component: Polymer compound having a molecular weight of 10,000 or more The adhesive according to this embodiment may further contain a polymer compound having a weight average molecular weight of 10,000 or more.

（ｄ）成分としては、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性及びフィルム形成性に優れる観点から、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂、及びポリカルボジイミド樹脂が好ましく、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、及びアクリルゴムがより好ましい。分子量１００００以上の高分子化合物は単独又は２種以上の混合体若しくは共重合体として使用することもできる。   As the component (d), epoxy resin, phenoxy resin, polyimide resin, polyamide resin, polycarbodiimide resin, cyanate ester resin, acrylic resin, polyester resin, polyethylene resin, polyethersulfone resin, polyetherimide resin, polyvinyl acetal resin, Examples thereof include urethane resin and acrylic rubber. Among these, from the viewpoint of excellent heat resistance and film formability, epoxy resin, phenoxy resin, polyimide resin, acrylic resin, acrylic rubber, cyanate ester resin, and polycarbodiimide resin are preferable, epoxy resin, phenoxy resin, polyimide resin, Acrylic resin and acrylic rubber are more preferable. The polymer compound having a molecular weight of 10,000 or more can be used alone or as a mixture or copolymer of two or more kinds.

（ａ）成分としてエポキシ樹脂を用いる場合、（ａ）成分と（ｄ）成分との質量比は、特に制限されないが、フィルム状を保持する観点から、（ｄ）成分１質量部に対して、（ａ）成分が、好ましくは０．０１〜５質量部、より好ましくは０．０５〜４質量部、更に好ましくは０．１〜３質量部である。（ａ）成分が０．０１質量部より小さいと、硬化性が低下し、接着力が低下するおそれがあり、５質量部より大きいと、フィルム形成性及び膜形成性が低下するおそれがある。   When using an epoxy resin as the component (a), the mass ratio of the component (a) and the component (d) is not particularly limited, but from the viewpoint of maintaining a film shape, (A) A component becomes like this. Preferably it is 0.01-5 mass parts, More preferably, it is 0.05-4 mass parts, More preferably, it is 0.1-3 mass parts. When the component (a) is less than 0.01 parts by mass, the curability may be reduced and the adhesive strength may be reduced. When the component is greater than 5 parts by mass, the film formability and the film formability may be reduced.

（ａ）成分として（メタ）アクリル樹脂を用いる場合、（ａ）成分と（ｄ）成分との質量比は、特に制限されないが、フィルム状を保持する観点から、（ｄ）成分１質量部に対して、（ａ）成分が、好ましくは０．０１〜１０質量部、より好ましくは０．０５〜５質量部、更に好ましくは０．１〜５質量部である。（ａ）成分が０．０１質量部より小さいと、硬化性が低下し、接着力が低下するおそれがあり、１０質量部より大きいと、フィルム形成性が低下するおそれがある。   When (meth) acrylic resin is used as the component (a), the mass ratio of the component (a) to the component (d) is not particularly limited, but from the viewpoint of maintaining the film shape, On the other hand, (a) component becomes like this. Preferably it is 0.01-10 mass parts, More preferably, it is 0.05-5 mass parts, More preferably, it is 0.1-5 mass parts. When the component (a) is less than 0.01 parts by mass, the curability may be reduced and the adhesive strength may be reduced. When the component is greater than 10 parts by mass, the film formability may be reduced.

（ｄ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、接着剤の基板及びチップへの貼付性に優れる観点から、１００℃以下が好ましく、８５℃以下がより好ましい。Ｔｇが１００℃を超える場合には、半導体チップに形成されたバンプ、基板に形成された電極、配線パターン等の凹凸を接着剤により埋め込むことが難しく、気泡が残存してボイドが発生しやすい傾向がある。なお、本明細書において、Ｔｇは、ＤＳＣ（パーキンエルマー社製ＤＳＣ−７型）を用いて、サンプル量１０ｍｇ、昇温速度１０℃／分、測定雰囲気：空気の条件で測定したときのＴｇを意味する。   The glass transition temperature (Tg) of the component (d) is preferably 100 ° C. or lower, more preferably 85 ° C. or lower, from the viewpoint of excellent adhesiveness to the substrate and chip of the adhesive. When Tg exceeds 100 ° C., it is difficult to embed irregularities such as bumps formed on a semiconductor chip, electrodes formed on a substrate, wiring patterns, etc. with an adhesive, and bubbles tend to remain and voids tend to occur. There is. In addition, in this specification, Tg is Tg when measured using DSC (DSC-7 type manufactured by Perkin Elmer Co., Ltd.) with a sample amount of 10 mg, a heating rate of 10 ° C./min, and a measurement atmosphere: air. means.

（ｄ）成分の重量平均分子量は１００００以上であるが、単独で良好なフィルム形成性を示す観点から、３００００以上が好ましく、４００００以上がより好ましく、５００００以上が更に好ましい。重量平均分子量が１００００以上であることで、フィルム形成性向上効果が得られる。なお、本明細書において、重量平均分子量は、高速液体クロマトグラフィー（島津製作所製Ｃ−Ｒ４Ａ）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。   Although the weight average molecular weight of (d) component is 10,000 or more, from a viewpoint of showing favorable film-forming property independently, 30000 or more are preferable, 40000 or more are more preferable, and 50000 or more are still more preferable. The film formation improvement effect is acquired because a weight average molecular weight is 10,000 or more. In addition, in this specification, a weight average molecular weight means the weight average molecular weight when measured in polystyrene conversion using a high performance liquid chromatography (Shimadzu Corporation C-R4A).

本実施形態に係る接着剤は、フラックス剤（すなわち、フラックス活性（酸化物、不純物等を除去する活性）を示すフラックス活性剤）を更に含有することができる。フラックス剤としては、非共有電子対を有する含窒素化合物（イミダゾール類、アミン類等。ただし、（ｂ）成分に含まれるものを除く）、カルボン酸類、フェノール類及びアルコール類が挙げられる。なお、アルコール類に比べてカルボン酸類の方がフラックス活性を強く発現し、接続性を向上し易い。   The adhesive according to the present embodiment can further contain a flux agent (that is, a flux activator exhibiting flux activity (activity for removing oxides, impurities, etc.)). Examples of the fluxing agent include nitrogen-containing compounds having an unshared electron pair (imidazoles, amines, etc., except for those contained in the component (b)), carboxylic acids, phenols, and alcohols. In addition, compared with alcohol, carboxylic acid expresses flux activity strongly, and it is easy to improve connectivity.

本実施形態に係る接着剤には、粘度及び硬化物の物性を制御するため、並びに、半導体チップ同士、又は半導体チップと基板とを接続した際のボイドの発生及び吸湿率の抑制のために、（ｃ）成分以外のフィラを配合してもよい。（ｃ）成分以外のフィラとしては、絶縁性無機フィラ、樹脂フィラ等が挙げられる。絶縁性無機フィラとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ、窒化ホウ素が挙げられ、その中でも、取り扱い性の観点から、シリカ、アルミナ、酸化チタン、窒化ホウ素等が好ましく、形状統一性（取り扱い性）の観点から、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素がより好ましい。樹脂フィラとしては、例えば、ポリウレタン、ポリイミド、メタクリル酸メチル樹脂、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂（ＭＢＳ）が挙げられる。これらのフィラ及びウィスカーは単独又は２種以上の混合体として使用することもできる。フィラの粒径、及び配合量については、特に制限されない。   In the adhesive according to the present embodiment, in order to control the viscosity and physical properties of the cured product, and to suppress generation of voids and moisture absorption when semiconductor chips are connected to each other or a semiconductor chip and a substrate, (C) You may mix | blend fillers other than a component. Examples of fillers other than the component (c) include insulating inorganic fillers and resin fillers. Examples of the insulating inorganic filler include glass, silica, alumina, titanium oxide, carbon black, mica, and boron nitride. Among them, silica, alumina, titanium oxide, boron nitride, and the like are preferable from the viewpoint of handleability. From the viewpoint of shape uniformity (handleability), silica, alumina, and boron nitride are more preferable. Examples of the resin filler include polyurethane, polyimide, methyl methacrylate resin, and methyl methacrylate-butadiene-styrene copolymer resin (MBS). These fillers and whiskers can be used alone or as a mixture of two or more. There is no particular limitation on the particle size and blending amount of the filler.

フィラは、絶縁信頼性の観点から、絶縁性を有することが好ましい。本実施形態に係る接着剤は、銀フィラ、はんだフィラ等の導電性の金属フィラを含有していないことが好ましい。   The filler preferably has insulating properties from the viewpoint of insulating reliability. The adhesive according to this embodiment preferably does not contain conductive metal fillers such as silver fillers and solder fillers.

フィラの物性は、表面処理によって適宜調整されてもよい。フィラは、分散性の向上、接着力の更なる向上の観点から、表面処理を施したフィラであることが好ましい。表面処理剤としては、グリシジル系（エポキシ系）、アミン系、フェニル系、フェニルアミノ系、（メタ）アクリル系、ビニル系の化合物等が挙げられる。   The physical properties of the filler may be appropriately adjusted by surface treatment. The filler is preferably a surface-treated filler from the viewpoint of improving dispersibility and further improving the adhesive strength. Examples of the surface treatment agent include glycidyl (epoxy), amine, phenyl, phenylamino, (meth) acrylic, and vinyl compounds.

表面処理としては、表面処理のしやすさから、エポキシシラン系、アミノシラン系、アクリルシラン系等のシラン化合物によるシラン処理が好ましい。表面処理剤としては、分散性及び流動性に優れ、接着力を更に向上させる観点から、グリシジル系、フェニルアミノ系、（メタ）アクリル系の化合物が好ましい。表面処理剤としては、保存安定性の観点から、フェニル系、（メタ）アクリル系の化合物が好ましい。   As the surface treatment, silane treatment with a silane compound such as epoxy silane, amino silane, or acrylic silane is preferable because of the ease of surface treatment. As the surface treatment agent, a glycidyl-based, phenylamino-based or (meth) acrylic-based compound is preferable from the viewpoint of excellent dispersibility and fluidity and further improving the adhesive force. As the surface treatment agent, phenyl and (meth) acrylic compounds are preferable from the viewpoint of storage stability.

フィラの平均粒径は、フリップチップ接続時のかみ込み防止の観点から、１．５μｍ以下が好ましく、視認性（透明性）に優れる観点から、１．０μｍ以下がより好ましい。   The average particle size of the filler is preferably 1.5 μm or less from the viewpoint of preventing biting during flip chip connection, and more preferably 1.0 μm or less from the viewpoint of excellent visibility (transparency).

フィラの含有量は、接着剤の固形分全量を基準として、３０〜９０質量％が好ましく、４０〜８０質量％がより好ましい。含有量が３０質量％未満では、放熱性が低く、また、ボイド発生、吸湿率が大きくなる等の傾向がある。含有量が９０質量％を超えると、粘度が高くなって接着剤の流動性の低下、接続部へのフィラの噛み込み（トラッピング）等が生じ、接続信頼性が低下しやすい傾向がある。   The filler content is preferably 30 to 90 mass%, more preferably 40 to 80 mass%, based on the total solid content of the adhesive. When the content is less than 30% by mass, heat dissipation is low, and there is a tendency that voids are generated and the moisture absorption rate is increased. When the content exceeds 90% by mass, the viscosity is increased, the fluidity of the adhesive is lowered, the filler is trapped in the connection part (trapping), and the connection reliability tends to be lowered.

本実施形態に係る接着剤は、イオントラッパー、酸化防止剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤等の添加剤を更に含有してもよい。これらの添加剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの添加剤の含有量は、各添加剤の効果が発現するように適宜調整すればよい。   The adhesive according to this embodiment may further contain additives such as an ion trapper, an antioxidant, a silane coupling agent, a titanium coupling agent, and a leveling agent. These additives can be used alone or in combination of two or more. What is necessary is just to adjust content of these additives suitably so that the effect of each additive may express.

本実施形態に係る接着剤は、２００℃以上の高温での圧着が可能である。本実施形態に係る接着剤は、はんだ等の金属を溶融させて接続を形成するフリップチップパッケージに用いられたときにより効果を発現する。   The adhesive according to this embodiment can be pressure-bonded at a high temperature of 200 ° C. or higher. The adhesive according to the present embodiment is more effective when used in a flip chip package that forms a connection by melting a metal such as solder.

＜フィルム状接着剤の製造方法＞
本実施形態に係る接着剤は、生産性が向上する観点から、フィルム状（フィルム状接着剤）であることが好ましい。フィルム状接着剤の作製方法を以下に説明する。 <Method for producing film adhesive>
The adhesive according to this embodiment is preferably in the form of a film (film adhesive) from the viewpoint of improving productivity. A method for producing the film adhesive will be described below.

まず、（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、及び必要に応じてその他の成分を有機溶媒中に加えた後に攪拌混合、混錬等により溶解又は分散させて樹脂ワニスを調製する。その後、離型処理を施した基材フィルム上に、ナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター、ダイコーター、コンマコーター等を用いて樹脂ワニスを塗布した後、加熱により有機溶媒を減少させて、基材フィルム上にフィルム状接着剤を形成する。また、加熱により有機溶媒を減少させる前に、樹脂ワニスをウエハ等にスピンコートして膜を形成した後、溶媒乾燥を行う方法によりウエハ上にフィルム状接着剤を形成してもよい。   First, the resin varnish is prepared by adding the component (a), the component (b), the component (c), and other components, if necessary, to an organic solvent and then dissolving or dispersing them by stirring, mixing, kneading, or the like. . Then, after applying the resin varnish using a knife coater, roll coater, applicator, die coater, comma coater, etc. on the base film subjected to the release treatment, the organic solvent is reduced by heating, and the base film A film adhesive is formed thereon. Further, before reducing the organic solvent by heating, a film adhesive may be formed on the wafer by a method of drying the solvent after spin-coating a resin varnish on the wafer or the like to form a film.

基材フィルムとしては、有機溶媒を揮発させる際の加熱条件に耐え得る耐熱性を有するものであれば特に制限はなく、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。基材フィルムとしては、これらのフィルムのうちの１種からなる単層のものに限られず、２種以上のフィルムからなる多層フィルムであってもよい。   The base film is not particularly limited as long as it has heat resistance capable of withstanding the heating conditions when the organic solvent is volatilized. The polyester film, the polypropylene film, the polyethylene terephthalate film, the polyimide film, the polyetherimide film, the poly Examples include ether naphthalate film and methylpentene film. The base film is not limited to a single layer composed of one of these films, and may be a multilayer film composed of two or more films.

塗布後の樹脂ワニスから有機溶媒を揮発させる際の条件としては、具体的には、５０〜２００℃、０．１〜９０分間の加熱を行うことが好ましい。実装後のボイド、粘度調整等に影響がなければ、有機溶媒が１．５質量％以下まで揮発する条件とすることが好ましい。   As conditions for volatilizing the organic solvent from the resin varnish after application, specifically, heating at 50 to 200 ° C. for 0.1 to 90 minutes is preferable. As long as there is no effect on voids and viscosity adjustment after mounting, it is preferable that the organic solvent is volatilized to 1.5% by mass or less.

本実施形態に係るフィルム状接着剤におけるフィルムの厚さは、視認性の観点から、１０〜１００μｍが好ましく、２０〜５０μｍがより好ましい。   From the viewpoint of visibility, the thickness of the film in the film adhesive according to the present embodiment is preferably 10 to 100 μm, and more preferably 20 to 50 μm.

＜半導体装置＞
本実施形態に係る接着剤は、半導体装置に好適に用いられ（半導体用接着剤として好適であり）、半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部の封止に特に好適に用いられる。 <Semiconductor device>
The adhesive according to the present embodiment is preferably used for a semiconductor device (suitable as a semiconductor adhesive), and a semiconductor device in which respective connection portions of a semiconductor chip and a printed circuit board are electrically connected to each other, or In the semiconductor device in which the connection portions of the plurality of semiconductor chips are electrically connected to each other, it is particularly preferably used for sealing the connection portions.

本実施形態に係る接着剤を用いた半導体装置について説明する。半導体装置における接続部は、バンプと配線との金属接合、及び、バンプとバンプとの金属接合のいずれでもよい。半導体装置では、例えば、接着剤を介して電気的な接続を得るフリップチップ接続が用いられてよい。   A semiconductor device using the adhesive according to this embodiment will be described. The connection portion in the semiconductor device may be either metal bonding between the bump and the wiring or metal bonding between the bump and the bump. In the semiconductor device, for example, flip chip connection for obtaining electrical connection via an adhesive may be used.

図１は、半導体装置の実施形態（半導体チップ及び基板のＣＯＢ型の接続態様）を示す模式断面図である。図１（ａ）に示すように、第１の半導体装置１００は、互いに対向する半導体チップ１０及び基板（回路配線基板）２０と、半導体チップ１０及び基板２０の互いに対向する面にそれぞれ配置された配線１５と、半導体チップ１０及び基板２０の配線１５を互いに接続する接続バンプ３０と、半導体チップ１０及び基板２０間の空隙に隙間なく充填された接着剤４０とを有している。半導体チップ１０及び基板２０は、配線１５及び接続バンプ３０によりフリップチップ接続されている。配線１５及び接続バンプ３０は、接着剤４０により封止されており外部環境から遮断されている。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device (COB type connection mode between a semiconductor chip and a substrate). As shown in FIG. 1A, the first semiconductor device 100 is disposed on the semiconductor chip 10 and the substrate (circuit wiring board) 20 facing each other, and on the surfaces facing each other of the semiconductor chip 10 and the substrate 20, respectively. The wiring 15 includes connection bumps 30 that connect the semiconductor chip 10 and the wiring 15 of the substrate 20 to each other, and an adhesive 40 that is filled in the gap between the semiconductor chip 10 and the substrate 20 without any gaps. The semiconductor chip 10 and the substrate 20 are flip-chip connected by wiring 15 and connection bumps 30. The wiring 15 and the connection bump 30 are sealed with an adhesive 40 and are shielded from the external environment.

図１（ｂ）に示すように、第２の半導体装置２００は、互いに対向する半導体チップ１０及び基板２０と、半導体チップ１０及び基板２０の互いに対向する面にそれぞれ配置されたバンプ３２と、半導体チップ１０及び基板２０間の空隙に隙間なく充填された接着剤４０とを有している。半導体チップ１０及び基板２０は、対向するバンプ３２が互いに接続されることによりフリップチップ接続されている。バンプ３２は、接着剤４０により封止されており外部環境から遮断されている。   As shown in FIG. 1B, the second semiconductor device 200 includes a semiconductor chip 10 and a substrate 20 that face each other, a bump 32 that is disposed on each surface of the semiconductor chip 10 and the substrate 20 that face each other, and a semiconductor It has the adhesive 40 with which the space | gap between the chip | tip 10 and the board | substrate 20 was filled without gap. The semiconductor chip 10 and the substrate 20 are flip-chip connected by connecting opposing bumps 32 to each other. The bumps 32 are sealed with an adhesive 40 and are shielded from the external environment.

図２は、半導体装置の他の実施形態（半導体チップ同士のＣＯＣ型の接続態様）を示す模式断面図である。図２（ａ）に示すように、第３の半導体装置３００は、２つの半導体チップ１０が配線１５及び接続バンプ３０によりフリップチップ接続されている点を除き、第１の半導体装置１００と同様である。図２（ｂ）に示すように、第４の半導体装置４００は、２つの半導体チップ１０がバンプ３２によりフリップチップ接続されている点を除き、第２の半導体装置２００と同様である。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of a semiconductor device (COC type connection mode between semiconductor chips). As shown in FIG. 2A, the third semiconductor device 300 is the same as the first semiconductor device 100 except that two semiconductor chips 10 are flip-chip connected by wirings 15 and connection bumps 30. is there. As shown in FIG. 2B, the fourth semiconductor device 400 is the same as the second semiconductor device 200 except that the two semiconductor chips 10 are flip-chip connected by the bumps 32.

半導体チップ１０としては、特に制限はなく、シリコン、ゲルマニウム等の同一種類の元素から構成される元素半導体、ガリウムヒ素、インジウムリン等の化合物半導体などの各種半導体を用いることができる。   There is no restriction | limiting in particular as the semiconductor chip 10, Various semiconductors, such as an element semiconductor comprised from the same kind of elements, such as silicon and germanium, and compound semiconductors, such as gallium arsenide and indium phosphide, can be used.

基板２０としては、配線回路基板であれば特に制限はなく、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエステル、セラミック、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン等を主な成分とする絶縁基板の表面に形成された金属層の不要な個所をエッチング除去して配線（配線パターン）が形成された回路基板、上記絶縁基板の表面に金属めっき等によって配線（配線パターン）が形成された回路基板、上記絶縁基板の表面に導電性物質を印刷して配線（配線パターン）が形成された回路基板などを用いることができる。   The substrate 20 is not particularly limited as long as it is a printed circuit board, and does not require a metal layer formed on the surface of an insulating substrate mainly composed of glass epoxy, polyimide, polyester, ceramic, epoxy, bismaleimide triazine, or the like. A circuit board on which wiring (wiring pattern) is formed by etching away a portion, a circuit board on which wiring (wiring pattern) is formed by metal plating on the surface of the insulating substrate, and a conductive substance on the surface of the insulating substrate A circuit board on which wiring (wiring pattern) is formed by printing can be used.

配線１５、バンプ３２等の接続部は、主成分として金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅）、ニッケル、スズ、鉛等を含有しており、複数の金属を含有していてもよい。   The connection parts such as the wiring 15 and the bumps 32 are gold, silver, copper, solder (main components are, for example, tin-silver, tin-lead, tin-bismuth, tin-copper), nickel, tin, lead, etc. And may contain a plurality of metals.

配線（配線パターン）の表面には、金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅）、スズ、ニッケル等を主な成分とする金属層が形成されていてもよい。この金属層は単一の成分のみで構成されていてもよく、複数の成分から構成されていてもよい。また、複数の金属層が積層された構造をしていてもよい。銅、はんだは安価であることから一般的に使用されている。なお、銅、はんだには酸化物、不純物等が含まれるため、接着剤はフラックス活性を有することが好ましい。   The surface of the wiring (wiring pattern) is mainly composed of gold, silver, copper, solder (main components are, for example, tin-silver, tin-lead, tin-bismuth, tin-copper), tin, nickel, or the like. A metal layer may be formed. This metal layer may be composed of only a single component or may be composed of a plurality of components. Moreover, you may have the structure where the some metal layer was laminated | stacked. Copper and solder are generally used because they are inexpensive. Note that since the copper and solder contain oxides, impurities, and the like, the adhesive preferably has a flux activity.

バンプと呼ばれる導電性突起の材質としては、主な成分として、金、銀、銅、はんだ（主成分は例えば、スズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅）、スズ、ニッケル等が用いられ、単一の成分のみで構成されていてもよく、複数の成分から構成されていてもよい。また、これらの金属が積層された構造をなすように形成されていてもよい。バンプは半導体チップ又は基板に形成されていてもよい。銅、はんだは安価であることから一般的に使用されている。なお、銅、はんだには酸化物、不純物等が含まれるため、接着剤はフラックス活性を有することが好ましい。   As materials for the conductive protrusions called bumps, the main components are gold, silver, copper, solder (main components are, for example, tin-silver, tin-lead, tin-bismuth, tin-copper), tin, nickel, etc. May be used, and may be composed of only a single component or may be composed of a plurality of components. Moreover, you may form so that the structure where these metals were laminated | stacked may be made | formed. The bump may be formed on a semiconductor chip or a substrate. Copper and solder are generally used because they are inexpensive. Note that since the copper and solder contain oxides, impurities, and the like, the adhesive preferably has a flux activity.

また、図１又は図２に示すような半導体装置（パッケージ）を積層して金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅）、スズ、ニッケル等で電気的に接続してもよい。銅、はんだは安価であることから一般的に使用されているため好ましい。なお、銅、はんだには酸化物、不純物等が含まれるため、接着剤はフラックス活性を有することが好ましい。例えば、ＴＳＶ技術で見られるような、接着剤を半導体チップ間に介して、フリップチップ接続又は積層し、半導体チップを貫通する孔を形成し、パターン面の電極とつなげてもよい。   Also, a semiconductor device (package) as shown in FIG. 1 or FIG. 2 is laminated and gold, silver, copper, solder (main components are, for example, tin-silver, tin-lead, tin-bismuth, tin-copper), You may electrically connect with tin, nickel, etc. Copper and solder are preferred because they are generally used because they are inexpensive. Note that since the copper and solder contain oxides, impurities, and the like, the adhesive preferably has a flux activity. For example, as seen in the TSV technology, an adhesive may be flip-chip connected or stacked between semiconductor chips to form a hole penetrating the semiconductor chip and connected to the electrode on the pattern surface.

図３は、半導体装置の他の実施形態（半導体チップ積層型の態様（ＴＳＶ））を示す模式断面図である。図３に示すように、第５の半導体装置５００では、インターポーザ５０上に形成された配線１５が半導体チップ１０の配線１５と接続バンプ３０を介して接続されることにより、半導体チップ１０とインターポーザ５０とはフリップチップ接続されている。半導体チップ１０とインターポーザ５０との間の空隙には接着剤４０が隙間なく充填されている。上記半導体チップ１０におけるインターポーザ５０と反対側の表面上には、配線１５、接続バンプ３０及び接着剤４０を介して半導体チップ１０が繰り返し積層されている。半導体チップ１０の表裏におけるパターン面の配線１５は、半導体チップ１０の内部を貫通する孔内に充填された貫通電極３４により互いに接続されている。なお、貫通電極３４の材質としては、銅、アルミニウム等を用いることができる。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the semiconductor device (semiconductor chip laminated type (TSV)). As shown in FIG. 3, in the fifth semiconductor device 500, the wiring 15 formed on the interposer 50 is connected to the wiring 15 of the semiconductor chip 10 via the connection bumps 30, so that the semiconductor chip 10 and the interposer 50 are connected. Is flip-chip connected. The gap between the semiconductor chip 10 and the interposer 50 is filled with the adhesive 40 without any gaps. On the surface of the semiconductor chip 10 opposite to the interposer 50, the semiconductor chip 10 is repeatedly laminated via the wiring 15, the connection bump 30 and the adhesive 40. The wirings 15 on the pattern surface on the front and back sides of the semiconductor chip 10 are connected to each other by through electrodes 34 filled in holes that penetrate the inside of the semiconductor chip 10. In addition, as a material of the penetration electrode 34, copper, aluminum, etc. can be used.

このようなＴＳＶ技術により、通常は使用されない半導体チップの裏面からも信号を取得することができる。更には、半導体チップ１０内に貫通電極３４を垂直に通すため、対向する半導体チップ１０間、又は半導体チップ１０及びインターポーザ５０間の距離を短くし、柔軟な接続が可能である。本実施形態に係る接着剤は、このようなＴＳＶ技術において、対向する半導体チップ１０間、又は半導体チップ１０及びインターポーザ５０間の封止材料として好適に用いられる。   With such TSV technology, a signal can be obtained from the back surface of a semiconductor chip that is not normally used. Furthermore, since the through electrode 34 passes vertically through the semiconductor chip 10, the distance between the semiconductor chips 10 facing each other or between the semiconductor chip 10 and the interposer 50 can be shortened and flexible connection is possible. The adhesive according to the present embodiment is suitably used as a sealing material between the semiconductor chips 10 facing each other or between the semiconductor chip 10 and the interposer 50 in such a TSV technology.

＜半導体装置の製造方法＞
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、本実施形態に係る接着剤を用いて、半導体チップ及び配線回路基板、又は、複数の半導体チップ同士を接続する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、例えば、接着剤を介して半導体チップ及び配線回路基板を互いに接続すると共に半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部を互いに電気的に接続して半導体装置を得る工程、又は、接着剤を介して複数の半導体チップを互いに接続すると共に複数の半導体チップのそれぞれの接続部を互いに電気的に接続して半導体装置を得る工程を備える。 <Method for Manufacturing Semiconductor Device>
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment connects a semiconductor chip and a printed circuit board, or a plurality of semiconductor chips using the adhesive according to the present embodiment. In the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment, for example, the semiconductor chip and the printed circuit board are connected to each other via an adhesive, and the connection portions of the semiconductor chip and the printed circuit board are electrically connected to each other. A step of obtaining a device, or a step of connecting a plurality of semiconductor chips to each other via an adhesive and electrically connecting respective connecting portions of the plurality of semiconductor chips to each other to obtain a semiconductor device.

本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、接続部を互いに金属接合によって接続することができる。すなわち、半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部を互いに金属接合によって接続する、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部を互いに金属接合によって接続する。   In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, the connection portions can be connected to each other by metal bonding. That is, the connection portions of the semiconductor chip and the printed circuit board are connected to each other by metal bonding, or the connection portions of the plurality of semiconductor chips are connected to each other by metal bonding.

本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例として、図４に示す第６の半導体装置６００の製造方法について説明する。第６の半導体装置６００は、配線（銅配線）１５を有する基板（例えばガラスエポキシ基板）６０と、配線（例えば銅ピラー、銅ポスト）１５を有する半導体チップ１０とが接着剤４０を介して互いに接続されている。半導体チップ１０の配線１５と基板６０の配線１５とは、接続バンプ（はんだバンプ）３０により電気的に接続されている。基板６０における配線１５が形成された表面には、接続バンプ３０の形成位置を除いてソルダーレジスト７０が配置されている。   As an example of the method for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment, a method for manufacturing the sixth semiconductor device 600 shown in FIG. 4 will be described. The sixth semiconductor device 600 includes a substrate (for example, a glass epoxy substrate) 60 having a wiring (copper wiring) 15 and a semiconductor chip 10 having a wiring (for example, copper pillar, copper post) 15, with an adhesive 40 interposed therebetween. It is connected. The wiring 15 of the semiconductor chip 10 and the wiring 15 of the substrate 60 are electrically connected by connection bumps (solder bumps) 30. A solder resist 70 is disposed on the surface of the substrate 60 where the wiring 15 is formed, except for the position where the connection bump 30 is formed.

第６の半導体装置６００の製造方法では、まず、ソルダーレジスト７０が形成された基板６０上に接着剤（フィルム状接着剤等）４０を貼付する。貼付は、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等によって行うことができる。接着剤４０の供給面積及び厚みは、半導体チップ１０又は基板６０のサイズ、バンプ高さ等によって適宜設定される。接着剤４０を半導体チップ１０に貼付してもよく、半導体ウエハに接着剤４０を貼付した後にダイシングして半導体チップ１０に個片化することによって、接着剤４０を貼付した半導体チップ１０を作製してもよい。この場合、高い光透過率を有する接着剤であれば、アライメントマークを覆っても視認性が確保されることから、半導体ウエハ（半導体チップ）のみならず、基板上においても貼付する範囲が制限されず、取り扱い性に優れる。   In the sixth method for manufacturing a semiconductor device 600, first, an adhesive (film adhesive or the like) 40 is pasted on the substrate 60 on which the solder resist 70 is formed. Affixing can be performed by a hot press, roll lamination, vacuum lamination, or the like. The supply area and thickness of the adhesive 40 are appropriately set depending on the size of the semiconductor chip 10 or the substrate 60, the bump height, and the like. The adhesive 40 may be affixed to the semiconductor chip 10, and after the adhesive 40 is affixed to the semiconductor wafer, the semiconductor chip 10 is affixed with the adhesive 40 by dicing into pieces. May be. In this case, if the adhesive has a high light transmittance, visibility is ensured even if the alignment mark is covered, so that the range to be applied not only on the semiconductor wafer (semiconductor chip) but also on the substrate is limited. Excellent handling.

接着剤４０を基板６０又は半導体チップ１０に貼り付けた後、半導体チップ１０の配線１５上の接続バンプ３０と、基板６０の配線１５とをフリップチップボンダー等の接続装置を用いて位置合わせする。そして、半導体チップ１０と基板６０を接続バンプ３０の融点以上の温度で加熱しながら押し付けて（接続部にはんだを用いる場合は、はんだ部分に２４０℃以上かかることが好ましい）、半導体チップ１０と基板６０を接続すると共に、接着剤４０によって半導体チップ１０と基板６０の間の空隙を封止充てんする。接続荷重は、バンプ数に依存するが、バンプの高さばらつき吸収、バンプ変形量の制御等を考慮して設定される。接続時間は、生産性向上の観点から、短時間が好ましい。はんだを溶融させ、酸化膜、表面の不純物等を除去し、金属接合を接続部に形成することが好ましい。   After the adhesive 40 is attached to the substrate 60 or the semiconductor chip 10, the connection bumps 30 on the wiring 15 of the semiconductor chip 10 and the wiring 15 of the substrate 60 are aligned using a connection device such as a flip chip bonder. Then, the semiconductor chip 10 and the substrate 60 are pressed while being heated at a temperature equal to or higher than the melting point of the connection bump 30 (when solder is used for the connection portion, the solder portion preferably takes 240 ° C. or more). 60 is connected, and the gap between the semiconductor chip 10 and the substrate 60 is sealed and filled with the adhesive 40. The connection load depends on the number of bumps, but is set in consideration of absorption of bump height variation, control of the amount of bump deformation, and the like. The connection time is preferably a short time from the viewpoint of improving productivity. It is preferable to melt the solder, remove the oxide film, surface impurities, etc., and form a metal joint at the connection.

短時間の接続時間（圧着時間）とは、接続形成（本圧着）中に接続部に２４０℃以上かかる時間（例えば、はんだ使用時の時間）が１０秒以下であることをいう。接続時間は、５秒以下が好ましく、３秒以下がより好ましい。   The short connection time (crimping time) means that the time required for 240 ° C. or more (for example, time when using solder) is 10 seconds or less during the connection formation (main crimping). The connection time is preferably 5 seconds or less, and more preferably 3 seconds or less.

位置合わせをした後、仮固定して、リフロ炉で加熱処理することによってはんだバンプを溶融させて半導体チップと基板を接続することによって半導体装置を製造してもよい。仮固定は、金属接合を形成する必要性が顕著に要求されないため、上述の本圧着に比べて低荷重、短時間、低温度でもよく、生産性向上、接続部の劣化防止等のメリットが生じる。半導体チップと基板を接続した後、オーブン等で加熱処理を行って、接着剤を硬化させてもよい。加熱温度は、接着剤の硬化が進行し、好ましくは完全に硬化する温度である。加熱温度及び加熱時間は適宜設定すればよい。この場合、得られる半導体装置は、接着剤の硬化物を備える。   After the alignment, the semiconductor device may be manufactured by temporarily fixing, melting the solder bumps by heat treatment in a reflow furnace, and connecting the semiconductor chip and the substrate. Temporary fixing does not require the necessity of forming a metal bond, so it can have lower load, shorter time, and lower temperature than the above-mentioned main pressure bonding, and there are merits such as improvement of productivity and prevention of deterioration of connection parts. . After the semiconductor chip and the substrate are connected, the adhesive may be cured by performing a heat treatment in an oven or the like. The heating temperature is a temperature at which the curing of the adhesive proceeds, preferably complete curing. The heating temperature and the heating time may be set as appropriate. In this case, the obtained semiconductor device includes a cured product of the adhesive.

以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the examples.

以下に示す成分を表１に示す配合で用い、下記の方法に従ってフィルム状接着剤を作製した。また、得られたフィルム状接着剤について、下記の方法に従って各特性を評価した。結果を表１に示す。   Using the components shown below in the formulation shown in Table 1, a film adhesive was prepared according to the following method. Moreover, each characteristic was evaluated in accordance with the following method about the obtained film adhesive. The results are shown in Table 1.

（実施例１〜２及び比較例１〜４）
・（ａ）成分：重量平均分子量が１００００未満の樹脂
（ａ−１）：トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名：ＥＰ１０３２Ｈ６０、重量平均分子量：８００〜２０００）
（ａ−２）：ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名：ＹＬ９８３Ｕ、重量平均分子量：約３４０）
（ａ−３）：可撓性半固形状エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名：ＹＬ７１７５−１０００、重量平均分子量：１０００〜５０００）
・（ｂ）成分：硬化剤
（ｂ−１）：１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名：２ＰＺＣＮ）
（ｂ−２）：２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体（四国化成株式会社製、商品名：２ＭＡＯＫ−ＰＷ）
・（ｃ）成分：繊維状フィラ：繊維状アルミナナノフィラ サイズ：直径４ｎｍ、長さ３０００ｎｍ（川研ファインケミカル株式会社製、商品名：Ｆ３０００）
・（ｄ）成分：重量平均分子量が１００００以上の高分子化合物：フェノキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名：ＺＸ１３５６−２、Ｔｇ：約７１℃、重量平均分子量：約６３０００）
・（ｅ）成分：フラックス剤（カルボン酸）：２−メチルグルタル酸（アルドリッチ社製、融点約７７℃）
・（ｆ）成分：無機フィラ
（ｆ−１）：シリカフィラ（株式会社アドマテックス製、ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ）
（ｆ−２）：フェニル表面処理ナノシリカフィラ（株式会社アドマテックス製、ＹＡ０５０Ｃ−ＳＰ、平均粒径０．０５μｍ）
（ｆ−３）：アルミナフィラ（株式会社アドマテックス製、商品名：ＡＥ２０５０、平均粒径０．７）
・（ｇ）成分：樹脂フィラ：有機フィラ（ロームアンドハースジャパン（株）製、ＥＸＬ−２６５５：コアシェルタイプ有機微粒子） (Examples 1-2 and Comparative Examples 1-4)
-(A) component: Resin whose weight average molecular weight is less than 10,000 (a-1): Triphenolmethane skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name: EP1032H60, weight average molecular weight: 800 to 2000 )
(A-2): Bisphenol F type liquid epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name: YL983U, weight average molecular weight: about 340)
(A-3): Flexible semi-solid epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name: YL7175-1000, weight average molecular weight: 1000-5000)
Component (b): Curing agent (b-1): 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., trade name: 2PZCN)
(B-2): 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct (trade name: 2MAOK-PW, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.)
Component (c): Fibrous filler: Fibrous alumina nanofiller Size: Diameter 4 nm, Length 3000 nm (trade name: F3000, manufactured by Kawaken Fine Chemical Co., Ltd.)
Component (d): Polymer compound having a weight average molecular weight of 10,000 or more: Phenoxy resin (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., trade name: ZX1356-2, Tg: about 71 ° C., weight average molecular weight: about 63000)
Component (e): Flux agent (carboxylic acid): 2-methylglutaric acid (manufactured by Aldrich, melting point: about 77 ° C.)
-(F) component: inorganic filler (f-1): silica filler (manufactured by Admatechs, SE2050, average particle size 0.5 μm)
(F-2): Phenyl surface-treated nano silica filler (manufactured by Admatechs, YA050C-SP, average particle size 0.05 μm)
(F-3): Alumina filler (manufactured by Admatechs, trade name: AE2050, average particle size 0.7)
-(G) component: Resin filler: Organic filler (Rohm and Haas Japan Co., Ltd., EXL-2655: Core shell type organic fine particles)

（フィルム状接着剤の作製方法）
（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、（ｅ）成分、（ｆ）成分及び（ｇ）成分に、ＮＶ（不揮発分）６０質量％になるように有機溶媒（メチルエチルケトン）を添加した。その後、φ１．０ｍｍ、φ２．０ｍｍのビーズを固形分と同質量加え、ビーズミル（フリッチュ・ジャパン株式会社製、遊星型微粉砕機Ｐ−７）で３０分撹拌した。その後、（ｄ）成分を加え、再度、ビーズミルで３０分撹拌した。撹拌に用いたビーズをろ過によって除去した。作製したワニスを小型精密塗工装置（廉井精機）で塗工し、クリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ社製）で乾燥（７０℃／１０分）し、厚さ４０〜４５μｍのフィルム状接着剤を得た。 (Method for producing film adhesive)
Add organic solvent (methyl ethyl ketone) to component (a), component (b), component (c), component (e), component (f) and component (g) so that NV (nonvolatile content) is 60% by mass. did. Thereafter, φ1.0 mm and φ2.0 mm beads were added in the same mass as the solid content, and the mixture was stirred for 30 minutes with a bead mill (Fritsch Japan Co., Ltd. planetary pulverizer P-7). Thereafter, component (d) was added, and the mixture was again stirred for 30 minutes with a bead mill. The beads used for stirring were removed by filtration. The produced varnish was applied with a small precision coating apparatus (Yurui Seiki) and dried (70 ° C / 10 minutes) in a clean oven (manufactured by ESPEC) to obtain a film adhesive having a thickness of 40 to 45 µm. .

（１）半導体装置の製造方法
作製したフィルム状接着剤を切り抜き（７．３ｍｍ×７．３ｍｍ×０．０４５ｍｍｔ）、はんだバンプ付き半導体チップ（チップサイズ：７．３ｍｍ×７．３ｍｍ×０．１５ｍｍｔ、バンプ高さ：銅ピラー＋はんだ計約４５μｍ、バンプ数３２８、ピッチ８０μｍ）上に貼付し、ガラスエポキシ基板（ガラスエポキシ基材：４２０μｍ厚、銅配線：９μｍ厚）にＦＣＢ３（パナソニック製）で実装し（実装条件：１３０℃／０．５ＭＰａ／３秒の条件で位置合わせして仮圧着した後、２５０℃／０．５ＭＰａ／５秒の条件で本圧着）、図４に示す半導体装置と同様の構造を有する半導体装置を得た。圧着する際に基板を置くＦＣＢ３内のステージ温度は８０℃とした。 (1) Manufacturing method of semiconductor device The produced film adhesive was cut out (7.3 mm × 7.3 mm × 0.045 mm t ), and a semiconductor chip with solder bumps (chip size: 7.3 mm × 7.3 mm × 0.00 mm). 15mm t , bump height: copper pillar + solder meter about 45μm, number of bumps 328, pitch 80μm), FCB3 (manufactured by Panasonic) on glass epoxy board (glass epoxy substrate: 420μm thickness, copper wiring: 9μm thickness) ) (Mounting condition: 130 ° C./0.5 MPa / 3 seconds after alignment and temporary pressure bonding, then 250 ° C./0.5 MPa / 5 seconds condition) and the semiconductor shown in FIG. A semiconductor device having the same structure as the device was obtained. The stage temperature in the FCB 3 on which the substrate was placed during the pressure bonding was 80 ° C.

（２）接続評価
上記ガラスエポキシ基板とはんだバンプ付き半導体チップ（デイジーチェーン接続）をＦＣＢ３で実装後にマルチメータ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、商品名：Ｒ６８７１Ｅ）を用いて初期導通の可否を測定した。初期接続抵抗値が１０．０Ω以上１３．５Ω以下の場合をＡ（接続良好）、初期接続抵抗値が１３．５Ω超２０Ω以下、又は接続できていない（Ｏｐｅｎ）場合をＢ（接続不良）と評価した。 (2) Connection evaluation After mounting the glass epoxy substrate and a semiconductor chip with solder bumps (daisy chain connection) on FCB3, the initial conduction was measured using a multimeter (trade name: R6871E, manufactured by ADVANTEST). When the initial connection resistance value is 10.0Ω or more and 13.5Ω or less, A (good connection), when the initial connection resistance value is more than 13.5Ω and 20Ω or less, or when it is not connected (Open), it is B (connection failure). evaluated.

（３）光透過率の測定
上記（フィルム状接着剤の作製方法）と同様の方法で、ＰＥＴセパレータフィルム上に厚さ２０μｍのフィルム状接着剤が形成されたシート（フィルム状接着剤シート）を得た。得られたフィルム状接着剤シート、及びＰＥＴセパレータフィルム単体をそれぞれ３０ｍｍ×３０ｍｍのサイズに切り出した後、分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製、商品名：Ｕ−３３１０）のサンプル取り付け部にフィルム状接着剤シートを、リファレンス取り付け部にセパレータフィルム単体を設置し、４００〜８００ｎｍの波長領域において、スキャン速度３００ｎｍ／分で光透過率（％Ｔ）を測定した。６５０ｎｍの波長における光透過率を測定値とした。 (3) Measurement of light transmittance A sheet (film adhesive sheet) in which a film adhesive having a thickness of 20 μm is formed on a PET separator film by the same method as described above (Method for producing film adhesive). Obtained. After the obtained film-like adhesive sheet and the PET separator film alone were cut out to a size of 30 mm × 30 mm, they were applied to the sample mounting portion of a spectrophotometer (trade name: U-3310, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The separator film itself was installed in the reference attachment part, and the light transmittance (% T) was measured at a scanning speed of 300 nm / min in the wavelength region of 400 to 800 nm. The light transmittance at a wavelength of 650 nm was taken as a measured value.

（４）視認性評価
（１）で用いたはんだバンプ付き半導体チップに、上記（フィルム状接着剤の作製方法）と同様の方法で作製した厚さ４０μｍのフィルム状接着剤を、真空ラミネーター（ニチゴー・モートン製、商品名：Ｖ１３０）を用い、８０℃でラミネートした。ＦＣＢ３を使用して、フィルム状接着剤をラミネートしたはんだバンプ付き半導体チップ上のアライメントマークが認識可能か否かについて評価した。ＦＣＢ３でオートアライメント認識が可能であったものをＯＫ、不可であったものをＮＧと評価した。 (4) Visibility evaluation A 40 μm-thick film adhesive produced by the same method as the above (Film adhesive production method) was applied to the semiconductor chip with solder bumps used in (1), and a vacuum laminator (Nichigo) -Laminated at 80 ° C. using a Morton product name: V130). FCB3 was used to evaluate whether or not the alignment mark on the solder bumped semiconductor chip laminated with the film adhesive could be recognized. The case where auto alignment recognition was possible with FCB3 was evaluated as OK, and the case where it was not possible was evaluated as NG.

（５）２６０℃における吸湿後の接着力の測定
作製したフィルム状接着剤を切り抜き（５ｍｍ×５ｍｍ×０．０４５ｍｍｔ）、シリコンチップ（５ｍｍ×５ｍｍ×０．７２５ｍｍｔ、シリコン窒化膜コーティング）に８０℃で貼付け、更に熱圧着試験機（日立化成テクノプラント株式会社製）を用いてシリコンチップ（１０ｍｍ×８ｍｍ×０．７２５ｍｍｔ、シリコン窒化膜コーティング）に圧着して積層体を得た（圧着条件：２５０℃／５秒／０．５ＭＰａ）。次に、積層体をクリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ社製）中でアフターキュアした（１７５℃／２時間）。その後、積層体を８５℃／６０％の恒温恒湿器（ＥＳＰＥＣ社製、商品名：ＰＲ−２ＫＰ）に４８時間放置した後取り出し、２６０℃のホットプレート上で接着力測定装置（ＤＡＧＥ社製、万能型ボンドテスタＤＡＧＥ４０００型）を用いて、吸湿後の接着剤の接着力を測定した（測定条件：基板からのツール高さ０．０５ｍｍ、ツール速度０．０５ｍｍ／秒）。 (5) Measurement of adhesive strength after moisture absorption at 260 ° C. The produced film adhesive was cut out (5 mm × 5 mm × 0.045 mm t ) and silicon chip (5 mm × 5 mm × 0.725 mm t , silicon nitride film coating) Affixed at 80 ° C., and further pressed onto a silicon chip (10 mm × 8 mm × 0.725 mm t , silicon nitride film coating) using a thermocompression tester (manufactured by Hitachi Chemical Technoplant Co., Ltd.) to obtain a laminate (crimping) Conditions: 250 ° C./5 seconds / 0.5 MPa). Next, the laminate was after-cured (175 ° C./2 hours) in a clean oven (manufactured by ESPEC). Thereafter, the laminate was left for 48 hours in an 85 ° C./60% constant temperature and humidity chamber (trade name: PR-2KP, manufactured by ESPEC Co., Ltd.). , Universal bond tester DAGE 4000) was used to measure the adhesive strength of the adhesive after moisture absorption (measuring conditions: tool height from the substrate 0.05 mm, tool speed 0.05 mm / second).

（６）耐リフロ性評価
（１）で作製したパッケージ（半導体装置）を封止材（日立化成製、商品名：ＣＥＬ９７５０ＺＨＦ１０）を用いて、モールドした（条件：１８０℃／６．７５ＭＰａ／９０秒）。次に、クリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）中、１７５℃で５時間アフターキュアを行った。その後、ＪＥＤＥＣ ｌｅｖｅｌ ２条件にて、高温吸湿後の耐リフロ性を、表面実装機器（ＦＵＲＵＫＡＷＡ ＥＬＥＣＴＲＩＣ製、商品名：ＳＡＬＡＭＡＮＤＥＲ）を用いて評価した。評価に際しては、サンプルをリフロ炉に３回通した。リフロ炉を通した後であっても、半導体チップ及び基板の剥離がなく接続良好である場合をＡ、半導体チップ及び基板の剥離、又は接続不良が生じた場合をＢと評価した。接続評価は上記（２）と同様の方法で行った。 (6) Evaluation of reflow resistance The package (semiconductor device) produced in (1) was molded using a sealing material (trade name: CEL9750ZHF10 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) (condition: 180 ° C./6.75 MPa / 90 seconds). ). Next, after-curing was performed at 175 ° C. for 5 hours in a clean oven (manufactured by ESPEC). Then, under JEDEC level 2, the reflow resistance after high temperature moisture absorption was evaluated using a surface mount device (manufactured by FURUKAWA ELECTRIC, trade name: SALAMANDER). In the evaluation, the sample was passed through a reflow furnace three times. Even after passing through the reflow furnace, the case where there was no separation of the semiconductor chip and the substrate and the connection was good was evaluated as A, and the case where the separation of the semiconductor chip and the substrate or a connection failure occurred was evaluated as B. Connection evaluation was performed in the same manner as in (2) above.

Figure 2017171817
Figure 2017171817

繊維状フィラを含有する実施例１〜２の接着剤は、繊維状フィラを含有しない比較例１〜４の接着剤と比較して、光透過率及び視認性が高く、２６０℃における吸湿後の接着力が強く、優れた耐リフロ性を示した。以上より、本発明によれば、視認性を確保しつつ、接着力及び耐リフロ性に優れる半導体用接着剤を提供できることが確認された。   The adhesives of Examples 1 and 2 containing fibrous fillers have higher light transmittance and visibility compared to the adhesives of Comparative Examples 1 to 4 that do not contain fibrous fillers. Adhesive strength was strong and showed excellent reflow resistance. As mentioned above, according to this invention, it was confirmed that the adhesive agent for semiconductors which is excellent in adhesive force and reflow resistance can be provided, ensuring visibility.

１０…半導体チップ、１５…配線、２０，６０…基板、３０…接続バンプ、３２…バンプ、３４…貫通電極、４０…接着剤、５０…インターポーザ、７０…ソルダーレジスト、１００，２００，３００，４００，５００，６００…半導体装置。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor chip, 15 ... Wiring, 20, 60 ... Substrate, 30 ... Connection bump, 32 ... Bump, 34 ... Through electrode, 40 ... Adhesive, 50 ... Interposer, 70 ... Solder resist, 100, 200, 300, 400 , 500, 600... Semiconductor device.

Claims (9)

重量平均分子量が１００００未満の樹脂と、硬化剤と、繊維状フィラと、を含有する半導体用接着剤。   A semiconductor adhesive comprising a resin having a weight average molecular weight of less than 10,000, a curing agent, and a fibrous filler. 前記繊維状フィラの直径が１０ｎｍ以下であり、かつ前記繊維状フィラの長さが１００ｎｍ以上である、請求項１に記載の半導体用接着剤。   The semiconductor adhesive according to claim 1, wherein the fibrous filler has a diameter of 10 nm or less, and the fibrous filler has a length of 100 nm or more. 前記繊維状フィラの成分がアルミナである、請求項１又は２に記載の半導体用接着剤。   The adhesive for semiconductors of Claim 1 or 2 whose component of the said fibrous filler is an alumina. 重量平均分子量が１００００以上の高分子化合物を更に含有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。   The adhesive for semiconductors as described in any one of Claims 1-3 which further contains the high molecular compound whose weight average molecular weight is 10,000 or more. 前記高分子化合物の重量平均分子量が３００００以上であり、かつ前記高分子化合物のガラス転移温度が１００℃以下である、請求項４に記載の半導体用接着剤。   The semiconductor adhesive according to claim 4, wherein the polymer compound has a weight average molecular weight of 30000 or more and a glass transition temperature of the polymer compound is 100 ° C. or less. フィルム状である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。   The adhesive for semiconductors as described in any one of Claims 1-5 which is a film form. 半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において前記接続部の封止に用いられる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。   A semiconductor device in which respective connection portions of a semiconductor chip and a printed circuit board are electrically connected to each other, or a semiconductor device in which respective connection portions of a plurality of semiconductor chips are electrically connected to each other, for sealing the connection portion. The adhesive for semiconductors as described in any one of Claims 1-6 used. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体用接着剤を用いる、半導体装置の製造方法。   The manufacturing method of a semiconductor device using the adhesive agent for semiconductors as described in any one of Claims 1-7. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体用接着剤又はその硬化物を備える半導体装置。
A semiconductor device provided with the adhesive for semiconductors as described in any one of Claims 1-7, or its hardened | cured material.
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