JP2017152478A - 回路基板および電子装置 - Google Patents
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Abstract
Description
子装置に用いられる回路基板として、例えば、セラミック焼結体等からなる絶縁基板の上面に金属板が接合されたものが用いられている。
図1および図2を参照して、本発明の実施形態の回路基板20および電子装置30について説明する。図1(a)は本発明の第1の実施形態の回路基板20を示す断面図であり、図1(b)は本発明の第1の実施形態の電子装置30を示す断面図である。図1(b)に示す電子装置30に含まれる回路基板10の断面図は、例えば図1(a)のA−A線における断面図である。
等のセラミック材料からなる。また、第1金属板3、第2金属板4および第3金属板5は、後述するように銅等の金属材料からなる。
回路の所定部位に対向して接合されれば、第2金属板4を介して回路基板20および電子装置30と外部電気回路との電気的な接続が行なわれる。この電気的な接続は、例えば第2金属板4を接地電位とするために行なわれる。
が効果的に低減されている。
あり、回路基板20および電子装置30の所定の外形寸法および機械的強度等の条件に応じて適宜設定すればよい。
5は、第1金属板3および第2金属板4の厚みを合わせた厚みよりも厚いものでもよい。この場合には、実施形態の回路基板20の見かけの熱膨張係数が、仮に窒化ケイ素質焼結体の単板を絶縁基板として使用した場合の回路基板(図示せず)の見かけの熱膨張係数よりも大きくなり、モールド樹脂8の熱膨張係数に近付く。つまり、両者の熱膨張係数の差に起因する応力がより小さくなる。
等のめっき層が被着されていてもよい。めっき層は、例えば、第1金属板3および第2金属板4のそれぞれの露出表面から順に被着されたニッケルめっき層および金めっき層によって構成され、第1金属板3および第2金属板4のそれぞれの露出表面を全面的に被覆するものである。このめっき層の被着によって、上記のような電子部品6の搭載および外部電気回路に対する接続等をより容易で強固なものとすることができる。
上記実施形態の回路基板20および電子装置30の種々の変形例について、以下に説明する。以下の説明において、実施形態の回路基板20および電子装置30と同様の点については説明を省略する。
係数のセラミック材料、タングステン、モリブデン等の低熱膨張係数の金属材料および300℃以下で低熱膨張係数を示す種々の合金材料等が挙げられる。この合金材料としては、
例えば42アロイおよびインバー等の鉄−ニッケル系合金であって300℃以下で低熱膨張
係数を示す合金が挙げられる。このような材料にレーザー切断、打ち抜きおよび切削等から選択した加工を施すことによって、板体9を作製することができる。
図5(a)のA−A線における断面図である。図5において図1と同様の部位には同様の符号を付している。図5に示す例では、第1セラミック板1が、第1セラミック板1を厚み方向に貫通する貫通孔1bを有している。
図6(a)は本発明の第2の実施形態の回路基板20を示す断面図であり、図6(b)は図6(a)のA−A線における断面図である。図5において図1と同様の部位には同様の符号を付している。
、本実施形態の回路基板20が下方向に凸状(図示せず)になれば、発熱する電子部品6から外部基板への最も熱経路の短いその直下(第2金属板4の下面の中央部)に、外部基板との間で空気層(隙間)が生じる可能性を小さくすることができるようになる。そのために、例えば、固定用孔10にねじ等を通し、外部基板にねじ止めしたり、回路基板20の周囲をばね等で上から押さえることによって、電子装置30を外部基板に対して機械的、熱的に接続した場合には、より効率的に外部に熱を逃がすことができる。
と同様の部位には同様の符号を付している。第2の実施形態の電子装置30は、第2の実施形態の回路基板20に電子部品6が搭載されて製作されている。これ以外の点は、第1の実施形態の電子装置30と同様である。
1a・・・薄肉部
1b・・・貫通孔
1c・・・開口部
2・・・第2セラミック板
3・・・第1金属板
4・・・第2金属板
5・・・第3金属板
5a・・・凹部
5b・・・上面側の凹部
5c・・・凸部
6・・・電子部品
7・・・ボンディングワイヤ
8・・・モールド樹脂
9・・・板体
10・・・固定用孔
20・・・回路基板
30・・・電子装置
Claims (8)
- それぞれに上面および下面を有する第1セラミック板および第2セラミック板と、
前記第1セラミック板の前記上面に配置された第1金属板と、
前記第2セラミック板の前記下面に配置された第2金属板と、
前記第1セラミック板の前記下面と前記第2セラミック板の前記上面との間に挟まれて配置された第3金属板とを備えており、
該第3金属板が凹部を含む下面を有しており、前記第3金属板の厚みが前記第1金属板の厚みおよび前記第2金属板の厚みのいずれよりも大きいことを特徴とする回路基板。 - 前記第1セラミック板の厚みが前記第2セラミック板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の回路基板。
- 前記凹部内に、前記第3金属板よりも熱膨張率が小さい板体が配置されており、該板体が前記第3金属板および前記第2セラミック板の少なくとも一方と接合していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板。
- 前記第1セラミック板が薄肉部を有していることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の回路基板。
- 前記第1セラミック板が、該第1セラミック板を厚み方向に貫通する貫通孔を有していることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の回路基板。
- 前記第1セラミック板が、該第1セラミック板を厚み方向に貫通する開口部を有しており、該開口部内において前記第3金属板が上方向に突出した凸部を有していることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の回路基板。
- 請求項1〜請求項5のいずれかに記載の回路基板と、
前記第1金属板上に搭載された電子部品と、
該電子部品から前記第2セラミック板の側面にかけて一体的に被覆しているモールド樹脂とを備えること特徴とする電子装置。 - 請求項6に記載の回路基板と、
前記凸部の上面に搭載された電子部品と、
該電子部品から前記第2セラミック板の側面にかけて一体的に被覆しているモールド樹脂とを備えること特徴とする電子装置。
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