JP2017147329A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017147329A JP2017147329A JP2016028012A JP2016028012A JP2017147329A JP 2017147329 A JP2017147329 A JP 2017147329A JP 2016028012 A JP2016028012 A JP 2016028012A JP 2016028012 A JP2016028012 A JP 2016028012A JP 2017147329 A JP2017147329 A JP 2017147329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- unit
- edge
- processing
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 407
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 134
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 134
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 111
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 94
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 85
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 69
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 63
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 8
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 48
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 31
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 31
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 27
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 22
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 8
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 102100030373 HSPB1-associated protein 1 Human genes 0.000 description 5
- 101000843045 Homo sapiens HSPB1-associated protein 1 Proteins 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000003862 amino acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001389 inorganic alkali salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- -1 organic acid salt Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical group 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
- G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
(1)基板処理装置
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図1および図2以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
図2は、図1の塗布処理部121、現像処理部131および洗浄乾燥処理部161の内部構成を示す模式的側面図である。図2に示すように、塗布処理部121には、塗布処理室21,22,23,24が階層的に設けられる。塗布処理室21,23には、基板W上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用塗布処理ユニット129aが設けられる。塗布処理室22,24には、基板W上に反射防止膜を形成するための反射防止膜用塗布処理ユニット129bが設けられる。現像処理部131には、現像処理室31〜34が階層的に設けられる。各現像処理室31〜34には、現像処理ユニット139が設けられる。
図6は、図1の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162の内部構成を示す模式的側面図である。図6に示すように、熱処理部123は、上方に設けられる上段熱処理部301および下方に設けられる下段熱処理部302を有する。上段熱処理部301および下段熱処理部302には、複数の熱処理ユニットPHP、複数の密着強化処理ユニットPAHPおよび複数の冷却ユニットCPが設けられる。
洗浄乾燥処理部162には、複数(本例では6つ)の金属除去ユニットMRが設けられる。図7は、金属除去ユニットMRの構成を説明するための模式図である。図7に示すように、金属除去ユニットMRには、モータ1、スピンチャック3、カップ4、2つの裏面洗浄ノズル7、周縁部洗浄ノズル8および気体供給部9が設けられる。スピンチャック3は、鉛直軸の周りで回転可能にモータ1の回転軸2の上端に取り付けられる。カップ4は、スピンチャック3に保持された基板Wの周囲を取り囲むように配置される。カップ4の下部には排液部5および排気部6が形成される。
図9は、搬送部122,132,163の内部構成を示す模式的側面図である。図9に示すように、搬送部122は、上段搬送室125および下段搬送室126を有する。搬送部132は、上段搬送室135および下段搬送室136を有する。上段搬送室125には搬送機構127が設けられ、下段搬送室126には搬送機構128が設けられる。また、上段搬送室135には搬送機構137が設けられ、下段搬送室136には搬送機構138が設けられる。
図1、図2、図6および図9を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック11のキャリア載置部111(図1)には、未処理の基板Wが収容されたキャリア113が載置される。搬送機構115は、キャリア113から基板載置部PASS1,PASS3(図9)に未処理の基板Wを搬送する。また、搬送機構115は、基板載置部PASS2,PASS4(図9)に載置された処理済みの基板Wをキャリア113に搬送する。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、基板W上にレジスト膜が形成された後であって基板Wが露光装置15に搬送される前に、基板W上のレジスト膜のエッジ露光処理およびエッジ現像処理が行われる。これにより、基板Wの周縁部からレジスト膜を適切に除去することができる。したがって、基板Wの周縁部における金属成分の残存が防止される。その結果、基板Wの周縁部に残存する金属成分に起因して基板処理装置100および露光装置15に金属汚染が生じることが十分に防止される。
本発明の第2の実施の形態について、上記第1の実施の形態と異なる点を説明する。図11は、第2の実施の形態におけるレジスト膜用塗布処理ユニット129aの構成を説明するための模式図である。図11のレジスト膜用塗布処理ユニット129aが図3のレジスト膜用塗布処理ユニット129aと異なる点は、加熱部42および現像液ノズル43が設けられないことである。これにより、図11のレジスト膜用塗布処理ユニット129aにおいては、エッジ露光処理後に、エッジ加熱処理およびエッジ現像処理が行われない。
(1)上記実施の形態では、基板Wの周縁部に金属用除去液を供給する金属除去ユニットMRがインターフェイスブロック14に設けられるが、本発明はこれに限定されない。例えば、レジスト膜用塗布処理ユニット129aに基板Wの周縁部に金属用除去液を吐出可能なノズルが設けられてもよい。また、エッジ現像処理によって基板Wの周縁部の金属成分を十分に除去可能である場合には、金属除去ユニットMRが設けられなくてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
12 第1の処理ブロック
13 第2の処理ブロック
14 インターフェイスブロック
14A 洗浄乾燥処理ブロック
14B 搬入搬出ブロック
15 露光装置
20 待機部
25 スピンチャック
27 カップ
28 塗布液ノズル
29 ノズル搬送機構
38 スリットノズル
41 エッジ露光部
42 加熱部
43 現像液ノズル
100 基板処理装置
129a レジスト膜用塗布処理ユニット
139 現像処理ユニット
CP 冷却ユニット
MR 金属除去ユニット
PAHP 密着強化処理ユニット
PHP 熱処理ユニット
W 基板
Claims (11)
- 基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成ユニットと、
金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するエッジ露光部と、
基板の周縁部に現像液を供給することにより前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の部分の現像処理を行うエッジ現像処理部と、
前記エッジ現像処理部による現像処理後の基板を前記露光装置に搬送する搬送機構と、
前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行う現像処理ユニットとを備える、基板処理装置。 - 前記膜形成ユニットは、
基板を保持して回転する回転保持部と、
前記回転保持部により回転される基板の前記被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液を供給する液供給部とを含み、
前記エッジ露光部は、前記液供給部による塗布液の供給後に前記回転保持部により回転される基板の周縁部に光を照射するように構成される、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記膜形成ユニットは、
前記液供給部による塗布液の供給後に前記回転保持部により回転される基板の周縁部に前記塗布液を溶解させる第1の除去液を供給する第1の除去液供給部をさらに含む、請求項2記載の基板処理装置。 - 前記エッジ現像処理部は、前記エッジ露光部による光照射後に前記回転保持部により回転される基板の周縁部に現像液を吐出するように構成される、請求項2または3記載の基板処理装置。
- 前記エッジ露光部による光照射後であって前記エッジ現像処理部による現像処理前に前記回転保持部により回転される基板の周縁部を加熱するように構成された加熱部をさらに備える、請求項2〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記エッジ現像処理部は、前記現像処理ユニットに設けられる、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記エッジ現像処理部および前記現像処理ユニットは、現像液を吐出可能な共通の現像液ノズルを有する、請求項6記載の基板処理装置。
- 前記エッジ露光部による光照射後であって前記エッジ現像処理部による現像処理前の基板に加熱処理を行う熱処理ユニットをさらに備える、請求項1〜3、6および7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記エッジ現像処理部による現像処理後に基板の周縁部に金属成分を溶解させる第2の除去液を供給する第2の除去液供給部をさらに備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するステップと、
エッジ露光部により金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するステップと、
エッジ現像処理部により基板の周縁部に現像液を供給することにより前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の部分の現像処理を行うステップと、
前記エッジ現像処理部による現像処理後の基板を露光装置に搬送するステップと、
現像処理ユニットにおいて前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うステップとを備える、基板処理方法。 - 前記金属含有感光性膜を形成するステップは、
回転保持部により回転される基板の前記被処理面に液供給部により金属含有感光性膜用の塗布液を供給するステップとを含み、
前記基板の周縁部に光を照射するステップは、前記液供給部による塗布液の供給後に前記回転保持部により回転される基板の周縁部に前記エッジ露光部により光を照射することを含む、請求項10記載の基板処理方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016028012A JP6666164B2 (ja) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | 基板処理装置および基板処理方法 |
PCT/JP2017/004031 WO2017141736A1 (ja) | 2016-02-17 | 2017-02-03 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN201780009122.9A CN108604536B (zh) | 2016-02-17 | 2017-02-03 | 基板处理装置及基板处理方法 |
US16/073,881 US10591820B2 (en) | 2016-02-17 | 2017-02-03 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR1020187021793A KR102207790B1 (ko) | 2016-02-17 | 2017-02-03 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TW106104127A TWI644345B (zh) | 2016-02-17 | 2017-02-08 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016028012A JP6666164B2 (ja) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017147329A true JP2017147329A (ja) | 2017-08-24 |
JP6666164B2 JP6666164B2 (ja) | 2020-03-13 |
Family
ID=59625081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016028012A Active JP6666164B2 (ja) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10591820B2 (ja) |
JP (1) | JP6666164B2 (ja) |
KR (1) | KR102207790B1 (ja) |
CN (1) | CN108604536B (ja) |
TW (1) | TWI644345B (ja) |
WO (1) | WO2017141736A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109164677A (zh) * | 2018-09-05 | 2019-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置 |
CN109656104A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种基板曝光方法及装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7045196B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2022-03-31 | 東京応化工業株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2020013823A (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7117923B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-08-15 | 株式会社Screenホールディングス | 塗布処理装置および塗布処理方法 |
JP7198698B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2023-01-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61278506A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光開始剤 |
JPH0210358A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
JPH06124887A (ja) * | 1991-09-27 | 1994-05-06 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置 |
JP2002258486A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Nec Kagoshima Ltd | パターン形成方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
JP2004006765A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法及び製造装置、並びに不要膜除去装置 |
JP2009295716A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP2013045864A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、及び周辺露光装置 |
JP2014049463A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2016194285A1 (ja) * | 2015-06-03 | 2016-12-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6827814B2 (en) * | 2000-05-08 | 2004-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus, processing system and processing method |
JP3848070B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2006-11-22 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP4381285B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2009-12-09 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
US8709705B2 (en) * | 2004-12-13 | 2014-04-29 | Pryog, Llc | Metal-containing compositions and method of making same |
JP4781834B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-09-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 現像装置および現像方法 |
JP6118044B2 (ja) | 2012-07-19 | 2017-04-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5827939B2 (ja) * | 2012-12-17 | 2015-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び成膜装置 |
JP6618334B2 (ja) | 2015-06-03 | 2019-12-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 |
JP6439766B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像方法及び塗布、現像装置 |
-
2016
- 2016-02-17 JP JP2016028012A patent/JP6666164B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-03 WO PCT/JP2017/004031 patent/WO2017141736A1/ja active Application Filing
- 2017-02-03 CN CN201780009122.9A patent/CN108604536B/zh active Active
- 2017-02-03 KR KR1020187021793A patent/KR102207790B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-03 US US16/073,881 patent/US10591820B2/en active Active
- 2017-02-08 TW TW106104127A patent/TWI644345B/zh active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61278506A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光開始剤 |
JPH0210358A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
JPH06124887A (ja) * | 1991-09-27 | 1994-05-06 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置 |
JP2002258486A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Nec Kagoshima Ltd | パターン形成方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
JP2004006765A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法及び製造装置、並びに不要膜除去装置 |
JP2009295716A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP2013045864A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、及び周辺露光装置 |
JP2014049463A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2016194285A1 (ja) * | 2015-06-03 | 2016-12-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109164677A (zh) * | 2018-09-05 | 2019-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置 |
CN109164677B (zh) * | 2018-09-05 | 2021-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置 |
US11249399B2 (en) | 2018-09-05 | 2022-02-15 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Photolithography method, method of preparing flexible substrate and photoresist drying device |
CN109656104A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种基板曝光方法及装置 |
CN109656104B (zh) * | 2018-12-26 | 2021-03-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种基板曝光方法及装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108604536A (zh) | 2018-09-28 |
CN108604536B (zh) | 2023-02-14 |
KR20180099803A (ko) | 2018-09-05 |
JP6666164B2 (ja) | 2020-03-13 |
TWI644345B (zh) | 2018-12-11 |
US10591820B2 (en) | 2020-03-17 |
US20190041754A1 (en) | 2019-02-07 |
KR102207790B1 (ko) | 2021-01-26 |
WO2017141736A1 (ja) | 2017-08-24 |
TW201742111A (zh) | 2017-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102119331B1 (ko) | 현상 유닛, 기판 처리 장치, 현상 방법 및 기판 처리 방법 | |
JP6666164B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR100839886B1 (ko) | 도포·현상 장치 및 도포·현상 방법 | |
JP5014811B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
KR20200033993A (ko) | 기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법 | |
KR102128183B1 (ko) | 막처리 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US20210233784A1 (en) | Film processing method | |
CN110364459B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质 | |
WO2016194285A1 (ja) | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 | |
JP6713910B2 (ja) | 現像装置、基板処理装置、現像方法および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6666164 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |