JP2017130560A - 基板保持装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第i部分空間Si(i=1,2,‥)に対応して配置された通気孔21を通じた通気経路22の流体抵抗Riおよび第1部分空間の体積Viの積Ri×Viが、第i+1部分空間Si+1の当該積Ri+1×Vi+1よりも小さくなるように、通気経路22が構成され、かつ、複数の凸部11の配置態様が調節されるように設計されている。
【選択図】図1
Description
前記複数の凸部のうち少なくとも一部が、前記環状凸部または前記隔壁部と比較して上端面が高くまたは同じ高さに形成されている。
図1に示されている本発明の一実施形態としての基板保持装置は、セラミックス焼結体からなる略円板状の基体1を備えている。基体1には、上面に開口している複数の通気孔21および当該複数の通気孔21のそれぞれに連通する通気経路22が形成されている。基体1には、その上面から突出する複数の凸部11と、上面から突出して複数の通気孔21および複数の凸部11を囲う環状凸部12と、環状の第1隔壁部31と、環状の第2隔壁部32と、が形成されている。本実施形態では、凸部11および環状凸部12が、それぞれの高さが一致するように形成されている。
本発明の基板保持装置によれば、基体1に形成された通気経路22および通気孔21を通じて、基体1の上面、環状凸部12の内周面および基板の下面により画定された閉空間が減圧されて負圧領域が形成される。この際、第1部分空間S1のほうが、第2部分空間S2よりもごく短時間ではあるものの先に負圧領域が形成される。これは、第1部分空間S1に対応して配置された通気孔21を通じた通気経路22の流体抵抗R1および第1部分空間S1の体積V1の積R1×V1が、第2部分空間の当該積R2×V2よりも小さくなるように通気経路22が構成され、かつ、複数の凸部11の配置態様が調節されて形成されているためである。同様の理由により、第2部分空間S2のほうが、第3部分空間S3よりもごく短時間ではあるものの先に負圧領域が形成される。
前記実施形態では、外側が内側を順次囲むように形成された環状の第1隔壁部31、環状の第2隔壁部32および環状凸部12により、外側が内側を順次囲むような3つの部分空間S1〜S3に区分されたが、他の実施形態として閉空間が単一の環状の隔壁部およびこれを囲む環状凸部12により2つの部分空間に区分されてもよく、外側が内側を順次囲むように形成された3つ以上の環状の隔壁部および環状凸部12により4つ以上の部分空間に区分されてもよい。部分空間は、基体1の径方向(中心から外側に向かう方向)に順次配置されるように区分されるほか、代替的または付加的に、基体1の周方向(中心囲むように回る方向)に順次配置されるように区分されてもよい。
(実施例1)
炭化ケイ素焼結体からなる径φ300[mm]、厚さt2[mm]の略円板状の基体1が作製された。径500[μm]、高さ200[μm]の略円柱状の複数の凸部11が基体1の上面に形成され、基体1の中心を基準として中心径297[mm]、幅0.3[mm]、高さ200[μm]の略円環状の環状凸部12が基体1の上面に形成された。複数の凸部11は、基体1の上面の全体にわたり均一密度となるように間隔3.5[mm]の三角格子状に配置された。基体1の中心を基準として中心径145[mm]、幅0.1[mm]、高さ200[μm]の略円環状の第1隔壁部31が基体1の上面に形成された。基体1の中心を基準として中心径230[mm]、幅0.1[mm]、高さ200[μm]の略円環状の第2隔壁部32が基体1の上面に形成された。通気孔21および通気経路22が図1に示されている実施形態にしたがって基体1に形成された。これにより、部分空間S1〜S3のそれぞれの体積V1〜V3は表1に示されているように設計された。
第1部分空間S1における基体1の上面が、他の部分空間S2、S3における基体1の上面よりも50[μm]だけ低くなるように基体1が形成され、かつ、第1部分空間S1に配置された複数の凸部11の高さが250[μm]に設計されたほかは、実施例1と同様に構成された実施例2の基板保持装置が作製された。
第2部分空間S2における基体1の上面が、他の部分空間S1、S3における基体1の上面よりも50[μm]だけ低くなるように基体1が形成され、かつ、第2部分空間S2に配置された複数の凸部11の高さが250[μm]に設計されたほかは、実施例1と同様に構成された実施例3の基板保持装置が作製された。
第3部分空間S3における基体1の上面が、他の部分空間S1、S2における基体1の上面よりも50[μm]だけ低くなるように基体1が形成され、かつ、第3部分空間S3に配置された複数の凸部11の高さが250[μm]に設計されたほかは、実施例1と同様に構成された実施例4の基板保持装置が作製された。
第1隔壁部31が基体1の中心を基準として中心径120.0[mm]の位置に形成されたほかは、実施例1と同様に構成された実施例5の基板保持装置が作製された。
第2隔壁部32が基体1の中心を基準として中心径205.0[mm]の位置に形成されたほかは、実施例5と同様に構成された実施例6の基板保持装置が作製された。
本実施例の基体1の第1隔壁部31、第2隔壁部32および環状凸部12のそれぞれの高さが196[μm]に設計されたほかは、実施例1と同様に構成された実施例7の基板保持装置が作製された。
本実施例の基体1の第1隔壁部31および第2隔壁部32のそれぞれの高さが196[μm]に設計されたほかは、実施例1と同様に構成された実施例8の基板保持装置が作製された。
各実施例の基板保持装置を用いて径φ300[mm]、厚さt0.7[mm]の略円板状の基板が吸着保持された際の平坦度がレーザー干渉計を用いて評価された。当該測定結果が表1に示されている。
始端側経路226において、始端から基体1の上面まで連通するように開口された位置が、第2部分空間S2までを70[mm]、および第3部分空間S3までを30[mm]となるよう設計されたほかは、実施例1と同様に構成された基板保持装置が作製され、R1×V1>R2×V2>R3×V3に設計された。比較例1の基板保持装置を用いて径φ300[mm]、厚さt0.7[mm]の略円板状の基板が吸着保持された際の平坦度がレーザー干渉計を用いて評価された。当該測定結果が表2に示されている。
第1部分空間S1に配置された複数の凸部11の高さが400[μm]に設計され、第2部分空間S2に配置された複数の凸部11の高さが110[μm]に設計され、第3部分空間S3に配置された複数の凸部11の高さが80[μm]に設計されたほかは、実施例1と同様に構成された基板保持装置が作製され、R1×V1>R2×V2>R3×V3に設計された。比較例2の基板保持装置を用いて径φ300[mm]、厚さt0.7[mm]の略円板状の基板が吸着保持された際の平坦度がレーザー干渉計を用いて評価された。当該測定結果が表2に示されている。
Claims (3)
- 上面に開口している複数の通気孔および前記複数の通気孔のそれぞれに連通する通気経路が形成されている平板状の基体と、前記基体の上面から突出して形成されている複数の凸部と、前記基体の上面から突出して前記複数の通気孔および前記複数の凸部を囲うように形成されている環状凸部と、を備えている基板保持装置であって、
前記基体の上面、前記環状凸部の内周面および基板の下面により画定されている空間において順に隣接する第1〜第Nの部分空間(N≧3)を区画する隔壁部が前記基体の上面から突出して形成され、前記第1〜第Nの部分空間のうち第iの部分空間(i=1,2,‥N−1)に対応して配置された通気孔を通じた前記通気経路の流体抵抗および当該第iの部分空間の体積の積が、前記第iの部分空間に隣接する第i+1の部分空間に対応して配置された通気孔を通じた前記通気経路の流体抵抗および当該他の部分空間の体積の積よりも小さくなるように、前記通気経路が構成され、かつ、前記複数の凸部が形成されていることを特徴とする基板保持装置。 - 請求項1記載の基板保持装置において、
前記隔壁部の少なくとも一部が、前記環状凸部と比較して上端面が低くまたは同じ高さに形成されていることを特徴とする基板保持装置。 - 請求項1または2記載の基板保持装置において、
前記複数の凸部のうち少なくとも一部が、前記環状凸部または前記隔壁部と比較して上端面が高くまたは同じ高さに形成されていることを特徴とする基板保持装置。
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