JP2017130538A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】グリスの移動を抑制しつつ、体格を小型化することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置１０は、半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂体２８と、半導体チップの生じた熱を放熱するために、半導体チップ側の面と反対の放熱面２０ｂ，２２ｂが封止樹脂体の裏面２８ｂから露出され、側面が封止樹脂体によって封止されたヒートシンク２０，２２を備える。封止樹脂体の裏面及び放熱面がなす面に、グリスを堰き止める堰き止め部２８ｅ及びグリスを堰き止め部に誘導する溝部４２が形成されている。堰き止め部は、放熱面を取り囲む環状の外周領域の一部のみに形成されている。溝部は、堰き止め部を端点として、放熱面を含むように形成されている。【選択図】図２

Description

この明細書における開示は、半導体チップの熱が、放熱部材の放熱面からグリス及び絶縁板を介して冷却器に伝達される樹脂封止型の半導体装置及びその製造方法に関する。

特許文献１には、半導体チップの熱が、放熱板（放熱部材）の放熱面からグリス及び絶縁シート（絶縁板）を介して熱吸収部材（冷却器）に伝達されるように構成された半導体モジュール実装構造が開示されている。

半導体モジュール（半導体装置）は、半導体チップと、半導体チップを封止する樹脂封止部（封止樹脂体）と、半導体チップの熱を放熱するための放熱部材と、を備えている。放熱部材と冷却器との間には、電気絶縁性の絶縁板が介在し、絶縁板と放熱部材との間にグリスが介在している。そして、半導体チップの熱が、グリス及び絶縁板を介して冷却器に伝達されるようになっている。

特開２０１２−４３５８号公報

ところで、使用環境下において、半導体チップの発熱、冷却により、半導体装置は膨張と収縮を繰り返す。なかでも放熱部材は、放熱のために熱伝導性の高い材料（たとえば銅などの金属）を用いて形成されており、熱膨張率が大きい。放熱部材が高温になると、放熱部材は膨張する。放熱部材の側面は、封止樹脂体によって覆われている。このため、封止樹脂体により、半導体チップの厚み方向に直交する方向への放熱部材の膨張が規制される。したがって、放熱部材は厚み方向に膨張せざるを得ず、膨張挙動が厚み方向に集中する。この膨張によって、放熱面と絶縁板との対向距離が狭まり、放熱面上のグリスが放熱面の周囲に押し出される。一方、放熱部材が低温になると、放熱部材は収縮する。この収縮によって、放熱面と絶縁板との対向距離が広がり、放熱面の周囲から放熱面上にグリスが戻る。

しかしながら、上記したように膨張挙動が厚み方向に集中するため、たとえば、グリスの移動の繰り返しが生じると、冷却時にグリスが放熱面上に戻りきらなくなり、放熱面と絶縁板との間に空気が巻き込まれる虞がある。この場合、放熱性が低下してしまう。

特許文献１には、グリスの移動を防ぐために、放熱板の周縁に沿って封止樹脂体に凸状部分としての阻止部が形成された半導体装置が示されている。しかしながら、阻止部は、放熱面を取り囲むように環状に形成されている。このため、全周において阻止部の配置領域が必要となり、半導体装置の体格を小型化するのが困難となる。

本開示はこのような課題に鑑みてなされたものであり、グリスの移動を抑制しつつ、体格を小型化することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

本開示は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。

本開示のひとつは、半導体チップ（１２，１４）と、半導体チップを封止する封止樹脂体（２８）と、半導体チップの生じた熱を放熱するために、半導体チップ側の面と反対の放熱面（１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂ）が封止樹脂体の表面（２８ａ，２８ｂ）から露出され、側面が封止樹脂体によって封止された放熱部材（１６，１８，２０，２２）と、を備え、表面及び該表面から露出する放熱面と、電気絶縁性を有する絶縁板（５２）との間に放熱用のグリス（５４）が介在し、半導体チップの熱が、グリス及び絶縁板を介して冷却器（５６）に伝達される樹脂封止型の半導体装置であって、表面及び放熱面がなす一面に、放熱面を取り囲む環状の外周領域の一部のみに形成され、グリスの移動を抑制する凸条の堰き止め部（２８ｅ，４４）と、堰き止め部を端点として、放熱面を含むように形成された溝部（４２，４６）と、を有している。

これによれば、一面に溝部を有するため、溝部に沿ってグリスが移動する。しかしながら、溝部の端点として凸条の堰き止め部が形成されている。したがって、半導体チップの発熱により放熱部材が膨張し、放熱部材と絶縁板との対向距離が狭まったときに、堰き止め部によりグリスの移動を抑制することができる。

また、溝部によってグリスを堰き止め部の方向へ誘導することができる。このため、一面における外周領域の一部のみに堰き止め部を設けておけばよい。したがって、放熱面を取り囲むように環状に堰き止め部を設ける構成に較べて、半導体装置の体格を小型化することができる。

本開示の他のひとつは、半導体チップ（１２，１４）と、半導体チップを封止する封止樹脂体（２８）と、半導体チップの生じた熱を放熱するために、半導体チップ側の面と反対の放熱面（１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂ）が封止樹脂体の表面（２８ａ，２８ｂ）から露出され、側面が封止樹脂体によって封止された放熱部材（１６，１８，２０，２２）と、を備え、表面及び該表面から露出する放熱面と、電気絶縁性を有する絶縁板（５２）との間に放熱用のグリス（５４）が介在し、半導体チップの熱が、グリス及び絶縁板を介して冷却器（５６）に伝達される樹脂封止型の半導体装置の製造方法であって、熱的に接続された半導体チップ及び放熱部材を放熱面ごと覆うように、封止樹脂体を成形し、放熱面が封止樹脂体の表面から露出して表面と一面をなすように、放熱部材ごと封止樹脂体を切削するとともに、一面において放熱面を取り囲む環状の外周領域の一部のみに封止樹脂体を残して、グリスの移動を抑制する凸条の堰き止め部（２８ｅ）を形成し、堰き止め部の形成後、放熱面を含むように一面に堰き止め部を端点とする溝部（４２）を形成する。

これによれば、上記した効果を奏する半導体装置を形成することができる。特に、切削により放熱部材の放熱面を露出させる際に、堰き止め部も合わせて形成するため、製造工程を簡素化することができる。

本開示の他のひとつは、半導体チップ（１２，１４）と、半導体チップを封止する封止樹脂体（２８）と、半導体チップの生じた熱を放熱するために、半導体チップ側の面と反対の放熱面（１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂ）が封止樹脂体の表面（２８ａ，２８ｂ）から露出され、側面が封止樹脂体によって封止された放熱部材（１６，１８，２０，２２）と、を備え、表面及び該表面から露出する放熱面と、電気絶縁性を有する絶縁板（５２）との間に放熱用のグリス（５４）が介在し、半導体チップの熱が、グリス及び絶縁板を介して冷却器（５６）に伝達される樹脂封止型の半導体装置の製造方法であって、熱的に接続された半導体チップ及び放熱部材を放熱面ごと覆うように、封止樹脂体を成形し、放熱面が封止樹脂体の表面から露出して表面と一面をなすように、放熱部材ごと封止樹脂体を切削するとともに、該切削の痕として、放熱面を含むように一面に溝部（４６）を形成し、溝部の形成の後、溝部の端部に連結されるように、一面において放熱面を取り囲む環状の外周領域の一部のみに、グリスの移動を抑制する凸条の堰き止め部（４４）を形成する。

これによれば、上記した効果を奏する半導体装置を形成することができる。特に、切削により放熱部材の放熱面を露出させる際に、溝部も合わせて形成するため、製造工程を簡素化することができる。

第１実施形態の半導体装置が適用される電力変換装置の概略構成を示す図である。 第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。 図２のIII-III線に沿う断面図である。 図２のIV-IV線に沿う断面図である。 半導体装置の製造方法を説明するための図である。 半導体装置を含むパワーモジュールの概略構成を示す断面図である。 第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図３に対応している。 第３実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図であり、図２に対応している。 第４実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図であり、図２に対応している。 第５実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図であり、図２に対応している。 図１０のXI-XI線に沿う断面図である。 半導体装置の製造方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図であり、図２に対応している。 図１３のXIV-XIV線に沿う断面図である。

図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的に及び／又は構造的に対応する部分には同一の参照符号を付与する。以下において、半導体チップの厚み方向をＺ方向、Ｚ方向に直交し、上アームを構成する半導体チップと下アームを構成する半導体チップの並び方向をＸ方向と示す。また、Ｚ方向及びＸ方向の両方向に直交する方向をＹ方向と示す。上記したＸ方向及びＹ方向により規定されるＸＹ面が、Ｚ方向に直交する面であり、特に断わりのない限り、ＸＹ面に沿う形状を平面形状とする。

（第１実施形態）
先ず、図１に基づき、半導体装置が適用される電力変換装置の一例について説明する。

図１に示す電力変換装置１００は、直流電源１０２から供給される直流電圧を、３相交流に変換して、三相交流方式のモータ１０４に出力するように構成されている。このような電力変換装置１００は、例えば電気自動車やハイブリッド車に搭載される。なお、電力変換装置１００は、モータ１０４により発電された電力を、直流に変換して直流電源１０２（バッテリ）に充電することもできる。図２に示す符号１０６は、平滑コンデンサである。

電力変換装置１００は、三相インバータを有している。三相インバータは、直流電源１０２の正極（高電位側）に接続された高電位電源ライン１０８と、負極（低電位側）に接続された低電位電源ライン１１０との間に設けられた三相分の上下アームを有している。そして、各相の上下アームが、それぞれ半導体装置１０によって構成されている。

半導体装置１０は、ＩＧＢＴ素子と、該ＩＧＢＴ素子に逆並列に接続された還流用のＦＷＤ素子と、を備えている。本実施形態では、後述するように、半導体チップ１２，１４に、ＩＧＢＴ素子及びＦＷＤ素子がそれぞれ構成されている。しかしながら、ＩＧＢＴ素子とＦＷＤ素子が別チップに構成されても良い。本実施形態では、ｎチャネル型のＩＧＢＴ素子を採用している。ＦＷＤ素子のカソード電極はコレクタ電極と共通化され、アノード電極はエミッタ電極と共通化されている。

半導体装置１０において、上アーム側のＩＧＢＴ素子のコレクタ電極は高電位電源ライン１０８と電気的に接続され、エミッタ電極はモータ１０４への出力ライン１１２に接続されている。一方、下アーム側のＩＧＢＴ素子のコレクタ電極はモータ１０４への出力ライン１１２に接続され、エミッタ電極は低電位電源ライン１１０と電気的に接続されている。

なお、電力変換装置１００は、上記した三相インバータに加えて、直流電源１０２から供給される直流電圧を昇圧する昇圧コンバータ、三相インバータや昇圧コンバータを構成するスイッチング素子の動作を制御する制御部を有してもよい。

次に、図２〜図４に基づき、半導体装置１０の構成について説明する。図３では、後述する溝部４２が形成されない部分における封止樹脂体２８及びヒートシンク１６，１８，２０，２２がなす面を、二点鎖線で示している。

図２〜図４に示すように、半導体装置１０は、２つの半導体チップ１２，１４、ヒートシンク１６，１８，２０，２２、ターミナル２４，２６、封止樹脂体２８を備えている。加えて、本実施形態の半導体装置１０は、外部接続用の端子として、高電位電源端子３０、低電位電源端子３２、出力端子３４、及び信号端子３６を備えている。以下、高電位電源端子３０をＰ端子、低電位電源端子３２をＮ端子、出力端子３４をＯ端子と称する。また、これらＰ端子３０、Ｎ端子３２、Ｏ端子３４を、主端子３０，３２，３４とも称する。

各半導体チップ１２，１４は、シリコンやシリコンカーバイドなどの半導体基板に、縦型のＩＧＢＴ素子及びＦＷＤ素子がそれぞれ形成されてなる。これら半導体チップ１２，１４により、一相分の上下アームが形成されており、本実施形態では、半導体チップ１２が高電位側の上アーム、半導体チップ１４が低電位側の下アームを構成している。半導体チップ１２，１４のＺ方向における同じ側の面に、図示しないコレクタ電極が形成され、コレクタ電極形成面と反対の面に、図示しないエミッタ電極が形成されている。なお、エミッタ電極形成面のうち、エミッタ電極が形成されたアクティブ領域とは異なる周辺領域には、ゲート電極用のパッドを含む複数のパッドが設けられている。これら半導体チップ１２，１４は、互いにほぼ同じ形状（平面略矩形状）及び大きさを有するとともに、Ｚ方向においてほぼ同じ高さに位置し、Ｘ方向において横並びで配置されている。

Ｚ方向において、半導体チップ１２，１４におけるコレクタ電極形成面側には、ヒートシンク１６，１８が配置され、エミッタ電極形成面側には、ヒートシンク２０，２２が配置されている。すなわち、ヒートシンク１６，２０の間に上アーム側の半導体チップ１２が配置され、ヒートシンク１８，２２の間に下アーム側の半導体チップ１４が配置されている。

これらヒートシンク１６，１８，２０，２２は、対応する半導体チップ１２，１４の熱を半導体装置１０の外部に放熱する機能を果たすとともに、配線としての機能も果たす。このため、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料(たとえば銅)を用いて形成される。本実施形態では、各ヒートシンク１６，１８，２０，２２が平面略矩形状をなしており、Ｚ方向からの投影視において、対応する半導体チップ１２，１４を内包するように設けられている。ヒートシンク１６，１８，２０，２２が放熱部材に相当する。

ヒートシンク１６は、半導体チップ１２のコレクタ電極形成面に対向配置され、ヒートシンク１６の対向面１６ａと半導体チップ１２のコレクタ電極とが、はんだなどの接合部材３８を介して電気的に接続されている。なお、対向面１６ａと反対の面が、封止樹脂体２８の一面２８ａから露出される放熱面１６ｂとされ、この放熱面１６ｂと対向面１６ａが側面１６ｃによって連結されている。側面１６ｃは、Ｚ方向に略平行とされている。

Ｐ端子３０は、上記した高電位電源ライン１０８と電気的に接続される。このＰ端子３０は、ヒートシンク１６と電気的に接続されており、Ｙ方向に延設されて、封止樹脂体２８の一面２８ａ及び該一面２８ａと反対の裏面２８ｂを連結する側面２８ｃのひとつから外部に突出している。なお、一面２８ａ及び裏面２８ｂのそれぞれが、表面に相当する。

ヒートシンク１８は、Ｘ方向においてヒートシンク１６と並設されている。このヒートシンク１８は、半導体チップ１４のコレクタ電極形成面に対向配置され、ヒートシンク１８の対向面１８ａと半導体チップ１４のコレクタ電極とが、接合部材３８を介して電気的に接続されている。なお、対向面１８ａと反対の面が、放熱面１６ｂと同じ一面２８ａから露出される放熱面１８ｂとされ、この放熱面１８ｂと対向面１８ａが側面１８ｃによって連結されている。側面１８ｃは、Ｚ方向に略平行とされている。

ヒートシンク１８は、図３に示すように、継ぎ手部１８ｄを有している。継ぎ手部１８ｄは、ヒートシンク１８の他の部分（本体部）よりも薄く設けられている。また、継ぎ手部１８ｄは、Ｙ方向において、ヒートシンク１８の一部分から、屈曲部を２箇所有してヒートシンク２０側に延設されている。

Ｏ端子３４は、上記した出力ライン１１２と電気的に接続される。このＯ端子３４は、ヒートシンク１８と電気的に接続されており、Ｙ方向に延設されて、封止樹脂体２８におけるＰ端子３０と同じ側面２８ｃから外部に突出している。

一方、半導体チップ１２のエミッタ電極形成面には、ヒートシンク２０が対向配置されている。半導体チップ１２とヒートシンク２０の間には、ターミナル２４が介在している。

ターミナル２４により、信号端子３６と半導体チップ１２のエミッタ形成面に形成されたパッドとを、図示しないボンディングワイヤにより接続するための高さが確保される。このターミナル２４は、半導体チップ１２のエミッタ電極とヒートシンク２０とを熱的及び電気的に中継するために、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料（たとえば銅）を用いて形成される。ターミナル２４は、半導体チップ１２のエミッタ電極形成面のうち、エミッタ電極に対向配置され、接合部材３８を介して、エミッタ電極と電気的に接続されている。

ヒートシンク２０は、Ｚ方向からの投影視において、その大部分がヒートシンク１６と重なるように設けられている。このヒートシンク２０は、ターミナル２４における半導体チップ１２と反対の面に対向配置されており、ヒートシンク２０の対向面２０ａとターミナル２４とが、接合部材３８を介して電気的に接続されている。なお、対向面２０ａと反対の面が、封止樹脂体２８の裏面２８ｂから露出される放熱面２０ｂとされ、この放熱面２０ｂと対向面２０ａが側面２０ｃによって連結されている。側面２０ｃは、Ｚ方向に略平行とされている。

ヒートシンク２０は、継ぎ手部２０ｄを有している。継ぎ手部２０ｄは、ヒートシンク２０の他の部分（本体部）よりも薄く設けられている。また、継ぎ手部２０ｄは、Ｙ方向において、ヒートシンク２０の一部分からＸ方向に延設されている。そして、継ぎ手部２０ｄの先端部分と継ぎ手部１８ｄの先端部分とがＺ方向において対向し、接合部材３８を介して電気的に接続されている。

同様に、半導体チップ１４のエミッタ電極形成面には、ヒートシンク２２が対向配置されている。半導体チップ１４とヒートシンク２２の間には、ターミナル２６が介在している。

ターミナル２６により、信号端子３６と半導体チップ１４のエミッタ形成面に形成されたパッドとを、図示しないボンディングワイヤにより接続するための高さが確保される。このターミナル２４は、半導体チップ１４のエミッタ電極とヒートシンク２２とを熱的及び電気的に中継するために、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料（たとえば銅）を用いて形成される。ターミナル２６は、半導体チップ１４のエミッタ電極形成面のうち、エミッタ電極に対向配置され、接合部材３８を介して、エミッタ電極と電気的に接続されている。

ヒートシンク２２は、Ｚ方向からの投影視において、その大部分がヒートシンク１８と重なるように設けられている。このヒートシンク２２は、ターミナル２６における半導体チップ１４と反対の面に対向配置されており、ヒートシンク２２の対向面２２ａとターミナル２６とが、接合部材３８を介して電気的に接続されている。なお、対向面２２ａと反対の面が、裏面２８ｂから露出される放熱面２２ｂとされ、この放熱面２２ｂと対向面２２ａが側面２２ｃによって連結されている。側面２２ｃは、Ｚ方向に略平行とされている。

Ｎ端子３２は、上記した低電位電源ライン１１０と電気的に接続される。このＮ端子３２は、ヒートシンク２２と電気的に接続されており、Ｙ方向に延設されて、封止樹脂体２８におけるＰ端子３０及びＯ端子３４と同じ側面２８ｃから外部に突出している。ヒートシンク２２は、Ｘ方向に延設された図示しない継ぎ手部を有しており、この継ぎ手部にＮ端子３２が接続されている。なお、主端子３０，３２，３４における封止樹脂体２８からの突出部分は、Ｚ方向において互いにほぼ同じ位置に配置されている。また、Ｘ方向において、Ｐ端子３０、Ｎ端子３２、Ｏ端子３４の順に並んで配置されている。

信号端子３６は、対応する半導体チップ１２，１４のパッドに、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。信号端子３６は、Ｙ方向に延設されており、封止樹脂体２８の側面２８ｃのひとつから外部に突出している。

封止樹脂体２８は、半導体チップ１２，１４、ヒートシンク１６，１８，２０，２２の一部、ターミナル２４，２６、及び各主端子３０，３２，３４，３６の一部を一体的に封止している。この封止樹脂体２８は、たとえば、エポキシ系樹脂からなり、トランスファモールド法により成形されている。図２に示すように、封止樹脂体２８は平面矩形状をなしており、Ｘ方向に略平行な側面２８ｃの一方から、主端子であるＰ端子３０、Ｎ端子３２、及びＯ端子３４が引き出されている。また、Ｘ方向に略平行な側面２８ｃの他方から、信号端子３６が引き出されている。

後述するように、ヒートシンク１６，１８，２０，２２は、封止樹脂体２８とともに切削加工されている。そして、ヒートシンク１６，１８の放熱面１６ｂ，１８ｂが、同一面内に位置するとともに、封止樹脂体２８の一面２８ａと略面一となっている。同じく、ヒートシンク２０，２２の放熱面２２ｂ，２２ｂが、同一面内に位置するとともに、封止樹脂体２８の裏面２８ｂと略面一となっている。なお、半導体装置１０において、半導体チップ１２，１４に形成された素子が駆動していない、すなわち発熱していない冷却状態において、放熱面１６ｂ、１８ｂが一面２８ａと略面一とされ、放熱面２０ｂ、２２ｂが裏面２８ｂと略面一とされる。

さらに封止樹脂体２８は、切り欠き２８ｄと堰き止め部２８ｅを有している。図２に示すように、切り欠き２８ｄは、封止樹脂体２８において、側面２８ｃに開口しつつ一面２８ａから裏面２８ｂにわたって設けられている。切り欠き２８ｄは、主端子３０，３２，３４が引き出された側面２８ｃと、信号端子３６が引き出された側面２８ｃに設けられている。切り欠き２８ｄは、Ｐ端子３０とＮ端子３２の間の位置、Ｎ端子３２とＯ端子３４の間の位置にそれぞれ設けられている。また、信号端子３６と吊りリード４０との間の位置に、切り欠き２８ｄが設けられている。なお、吊りリード４０は、リードフレームのうち、ヒートシンク１６，１８を、外周リードに固定するため部分である。

堰き止め部２８ｅは、図２及び図３に示すように、封止樹脂体２８の一部分として構成されている。堰き止め部２８ｅは、後述するグリス５４を堰き止めて、グリス５４の移動を抑制（規制）すべく、裏面２８ｂ及び放熱面２０ｂ，２２ｂがなす面に対して突出している。また、堰き止め部２８ｅは、２つの放熱面２０ｂ，２２ｂを取り囲む外周領域の一部のみに形成されている。

より具体的には、図２に示すように、堰き止め部２８ｅが、２つの放熱面２０ｂ，２２ｂを取り囲む略矩形環状の外周領域のうち、Ｘ方向において相対する２辺（１組の辺）にそれぞれ形成されている。すなわち、堰き止め部２８ｅは、主端子３０，３２，３４が引き出された側面２８ｃに対応する辺、及び、信号端子３６が引き出された側面２８ｃに対応する辺とは異なる辺に形成されている。本実施形態では、堰き止め部２８ｅが、Ｘ方向における封止樹脂体２８の両端にそれぞれ形成されている。堰き止め部２８ｅは、Ｘ方向において相対する２辺の全長にわたって、Ｙ方向に延設されている。堰き止め部２８ｅの突出高さは、後述する絶縁板５２の厚さの１／２以上であって、後述するパワーモジュール５０において冷却器５６に接触しない長さとされている。同様に、一面２８ａ及び放熱面１６ｂ，１８ｂがなす面にも、堰き止め部２８ｅが形成されている。

また、裏面２８ｂ及び放熱面２０ｂ，２２ｂがなす面には、溝部４２が形成されている。溝部４２は、グリス５４が堰き止め部２８ｅに向けて移動するように、グリス５４の移動方向を規定する。換言すれば、溝部４２は、グリス５４が移動する際に堰き止め部２８ｅの方向に誘導する。溝部４２は、裏面２８ｂ及び放熱面２０ｂ，２２ｂがなす面において、放熱面２０ｂ，２２ｂを含むように形成されている。また、堰き止め部２８ｅを端点とするように形成されている。

本実施形態では、複数の溝部４２が、切削により形成されている。溝部４２は、堰き止め部２８ｅの一方から他方にわたって形成されている。溝部４２は、Ｘ方向に沿って形成されている。複数の溝部４２はＹ方向において並設されている。複数の溝部４２のうち、Ｙ方向における一端の溝部４２が、放熱面２０ｂ，２２ｂのＹ方向の一端に略一致しており、Ｙ方向における他端の溝部４２が、放熱面２０ｂ，２２ｂのＹ方向の他端に略一致している。すなわち、複数の溝部４２は、放熱面２０ｂ，２２ｂのほぼ全面に形成されている。溝部４２の深さは十数μｍ〜数百μｍ程度とされている。また、隣り合う溝部４２のピッチは、５０〜２００μｍ程度とされている。同様に、一面２８ａ及び放熱面１６ｂ，１８ｂがなす面にも、溝部４２が形成されている。

このように構成される半導体装置１０は、２つの半導体チップ１２，１４（ＩＧＢＴ素子）を備える所謂２ｉｎ１パッケージとなっている。また、半導体チップ１２，１４のＺ方向両側にヒートシンク１６，１８，２０，２２が存在し、半導体チップ１２，１４の熱を両側に放熱できるようになっている。

また、上アームを構成する部分において、Ｚ方向の配置が、一面２８ａ側から、ヒートシンク１６、接合部材３８、半導体チップ１２、接合部材３８、ターミナル２４、接合部材３８、ヒートシンク２０の順となっている。一方、下アームを構成する部分において、Ｚ方向の配置が、一面２８ａ側から、ヒートシンク１８、接合部材３８、半導体チップ１４、接合部材３８、ターミナル２６、接合部材３８、ヒートシンク２２の順となっている。すなわち、上アームと下アームとで、Ｚ方向の並びが同じとなっている。

次に、図５（ａ）〜（ｃ）に基づき、上記した半導体装置１０の製造方法の一例について簡単に説明する。

先ず、図５（ａ）に示すように、封止樹脂体２８の成形までを行う。はじめに、半導体チップ１２，１４、ヒートシンク１６，１８，２０，２２、ターミナル２４，２６をそれぞれ準備する。この準備工程では、Ｐ端子３０が連結されたヒートシンク１６を準備する。また、継ぎ手部１８ｄを備えるとともに、Ｏ端子３４が連結されたヒートシンク１８を準備する。また、継ぎ手部２０ｄを備えたヒートシンク２０を準備する。また、ヒートシンク２２とＮ端子３２をそれぞれ準備する。

次いで、封止樹脂体２８を成形する前の接続工程を実施する。この接続工程では、上アームを構成する各要素を電気的に接続し、下アームを構成する各要素を電気的に接続し、上アームと下アームとを、継ぎ手部１８ｄ，２０ｄにて接続する。具体的には、２段階での接合部材３８（はんだ）のリフローを実施する。このような接続工程としては、たとえば特開２０１２−２３５０８１号公報の記載を参照することができる。なお、ヒートシンク２２とＮ端子３２も、この接続工程で接続する。

次いで、接続工程を経て形成された構造体を、金型に配置し、金型のキャビティ内に樹脂を注入して、封止樹脂体２８を成形する。この成形工程では、エポキシ樹脂を用いたトランスファモールド法により、封止樹脂体２８を成形する。このとき、各ヒートシンク１６，１８，２０，２２が放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂも含めて完全に被覆されるように、封止樹脂体２８を成形する。

次いで、図５（ｂ）に示すように、切削工程を実施する。この切削工程では、封止樹脂体２８の側面２８ｃを、図示しない押さえ治具により真空チャックしつつ、Ｘ方向両側から封止樹脂体２８を押圧する。そして、この状態で、封止樹脂体２８の一面２８ａ側を、ヒートシンク１６，１８とともに切削する。次いで、裏面２８ｂ側を、ヒートシンク２０，２２とともに切削する。以上により、半導体装置１０において、一面２８ａ側(放熱面１６ｂ，１８ｂ)と裏面２８ｂ側（２０ｂ，２２ｂ）とを略平行とする。

この切削により、ヒートシンク１６，１８，２０，２２の放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂが封止樹脂体２８から露出される。また、本実施形態では、放熱面１６ｂ，１８ｂが周囲の一面２８ａと略面一となり、放熱面２０ｂ，２２ｂが周囲の裏面２８ｂと略面一となる。なお、金属材料を用いて形成されたヒートシンク１６，１８，２０，２２と封止樹脂体２８とでは、構成材料の硬さが異なるため、切削量に多少の差ができ、実際には、放熱面１６ｂ，１８ｂと一面２８ａとの間、及び、放熱面２０ｂ，２２ｂと裏面２８ｂとの間に、数μｍ以下（たとえば２μｍ以下）の段差がそれぞれ生じる。しかしながら、数μｍ以下であり、このような極微小な段差のある状態については、略面一にあるとする。

また、上記切削の際に、封止樹脂体２８の一面２８ａ及び裏面２８ｂにおいて、Ｘ方向両端の部分を残し、凸条の堰き止め部２８ｅを形成する。切削工具としてたとえばフライスを用い、堰き止め部２８ｅにより挟まれる中央部分を平面加工する。そして、加工されずに残る封止樹脂体２８の部分が、堰き止め部２８ｅとなる。

次いで、図５（ｃ）に示すように、溝部４２を形成する。本実施形態では、封止樹脂体２８のＸ方向両端に形成された堰き止め部２８ｅの一方から他方にわたって、所定深さの溝部４２を形成する。このとき、一面２８ａ側において、放熱面１６ｂ，１８ｂを跨ぐように、溝部４２を形成する。同じく裏面２８ｂ側において、放熱面２０ｂ，２２ｂを跨ぐように、溝部４２を形成する。溝部４２の一端は一方の堰き止め部２８ｅに連なり、溝部４２の他端は他方の堰き止め部２８ｅに連なる。溝部４２は、エンドミル、ドリルなどの切削工具を用いて形成することができる。切削以外にも、レーザ照射などにより、溝部４２を形成することもできる。

以上により、半導体装置１０を得ることができる。なお、図５（ａ）〜（ｃ）では、便宜上、リードフレームのうち、タイバーなどの半導体装置１０として不要な部分の図示を省略している。封止樹脂体２８の形成後に、リードフレームにおける不要部分の除去を行う。たとえば封止樹脂体２８の形成後でも良いし、溝部４２の形成後でも良い。

次に、図６に基づき、上記した半導体装置１０を備えるパワーモジュールの構成について説明する。

図６に示すように、パワーモジュール５０は、上記した半導体装置１０に加え、絶縁板５２、グリス５４，５８、冷却器５６を備えている。

絶縁板５２は、半導体装置１０と冷却器５６とを電気的に絶縁する絶縁性を有するとともに、半導体装置１０から冷却器５６へ良好に熱を伝達する熱伝導性を有している。このような絶縁板５２は、たとえば窒化ケイ素やアルミナなどのセラミックスを用いて形成され、上記した絶縁性、熱伝導性を確保すべく、所定厚さを有している。絶縁板５２は、封止樹脂体２８の一面２８ａと対向するように、Ｚ方向において一面２８ａ側に配置されるとともに、裏面２８ｂと対向するように、Ｚ方向において裏面２８ｂ側にも配置されている。

グリス５４，５８は、半導体装置１０と冷却器５６との間の接触熱抵抗の低減のために、半導体装置１０と冷却器５６との間に介在している。このようなグリス５４，５８としては、電気絶縁性と良好な熱伝導性を有するものが好ましく、たとえば、シリコーングリスを採用することができる。

グリス５４は、主として放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂ上に配置されている。グリス５４は、一面２８ａ側において、一面２８ａ及び放熱面１６ｂ，１８ｂと絶縁板５２との間に介在し、放熱面１６ｂ，１８ｂ及び絶縁板５２に密着している。また、グリス５４は、裏面２８ｂ側において、裏面２８ｂ及び放熱面２０ｂ，２２ｂと絶縁板５２との間に介在し、放熱面２０ｂ，２２ｂ及び絶縁板５２に密着している。一方、グリス５８は、絶縁板５２と冷却器５６の間に介在し、絶縁板５２及び冷却器５６に密着している。

冷却器５６は、たとえば内部に冷媒が流通されるものであり、半導体装置１０からの熱を効果的に放熱するようにした一般的なものを採用できる。

次に、本実施形態に係る半導体装置１０の効果について説明する。

本実施形態によれば、半導体装置１０における絶縁板５２との対向面、すなわちグリス５４の配置面に、堰き止め部２８ｅ及び溝部４２が形成されている。一面２８ａ側において、堰き止め部２８ｅは、２つの放熱面１６ｂ，１８ｂを取り囲む略矩形環状の外周領域の一部のみに形成されている。溝部４２は、堰き止め部２８ｅを端点として、放熱面１６ｂ，１８ｂを含むように形成されている。また、裏面２８ｂ側において、堰き止め部２８ｅは、２つの放熱面２０ｂ，２２ｂを取り囲む略矩形環状の外周領域の一部のみに形成されている。そして、溝部４２は、堰き止め部２８ｅを端点として、放熱面２０ｂ，２２ｂを含むように形成されている。

このため、使用環境下において、半導体チップ１２，１４の発熱によりヒートシンク１６，１８，２０，２２がＺ方向に膨張し、放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂと絶縁板５２との距離が狭まって、放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂ上のグリス５４が押されると、グリス５４は溝部４２に沿って移動する。しかしながら、溝部４２の端点には堰き止め部２８ｅが形成されており、堰き止め部２８ｅによってグリス５４が堰き止められる。このように、堰き止め部２８ｅによって、グリス５４の移動を抑制することができる。

また、溝部４２によってグリス５４を所定方向に誘導することができる。このため、溝部４２の端点に堰き止め部２８ｅを形成すればよい。すなわち、外周領域の一部のみに堰き止め部２８ｅを形成すればよい。したがって、グリス５４の移動を抑制しつつ、環状に堰き止め部を設ける構成に較べて、半導体装置１０の体格を小型化することができる。

なお、ヒートシンク１６，１８，２０，２２が低温になり、収縮した場合には、堰き止め部２８ｅにより堰き止められていたグリス５４が、溝部４２に沿って放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂ上に戻る。したがって、グリス５４の移動の繰り返しが生じても、放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂと絶縁板５２との間に空気が巻き込まれるのを防ぐことができる。

また、本実施形態では、堰き止め部２８ｅが、封止樹脂体２８の一部分として形成されている。このため、半導体装置１０の構成を簡素化することができる。このような堰き止め部２８ｅは、切削により放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂを露出させる際に、合わせて形成することができる。したがって、製造工程も簡素化することができる。

また、本実施形態では、溝部４２の両端に堰き止め部２８ｅが形成されている。したがって、溝部４２の一端のみに堰き止め部２８ｅが形成される構成に較べて、より効果的にグリス５４の移動を抑制することができる。

また、本実施形態では、封止樹脂体２８におけるＸ方向の両端に堰き止め部２８ｅがそれぞれ形成されている。平面加工の際、Ｙ方向に切削してＸ方向両端の封止樹脂体２８を残し、堰き止め部２８ｅとすればよいので、堰き止め部２８ｅを形成しやすい。また、溝部４２がＸ方向に沿って形成されている。エンドミルなどにより、一直線に加工して溝部４２を形成すればよいので、溝部４２を形成しやすい。

（第２実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した半導体装置１０と共通する部分についての説明は省略する。

本実施形態では、封止樹脂体２８とは別部材として堰き止め部４４が形成されている。そして、堰き止め部４４を端点として、溝部４２が形成されている。図７に示す例では、堰き止め部４４が、樹脂をポッティングすることで形成されている。具体的には、一面２８ａ及び裏面２８ｂの全面を切削し、放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂを露出させた後、エンドミルなどにより溝部４２を形成する。そして、溝部４２のＸ方向両端を覆うように、樹脂をポッティングして堰き止め部４４を形成する。図７でも、溝部４２が形成されない部分における封止樹脂体２８及びヒートシンク１６，１８，２０，２２がなす面を、二点鎖線で示している。

このように、別部材の堰き止め部４４によっても、堰き止め部２８ｅ同様、グリス５４の移動を抑制することができる。

なお、堰き止め部４４を形成してから、溝部４２を形成することもできる。また、堰き止め部４４の構成材料は樹脂に限定されない。電気絶縁性材料であればよい。たとえば、封止樹脂体２８に樹脂板を貼り付けて堰き止め部４４としてもよい。また、ゴム製の堰き止め部４４を用いることもできる。

（第３実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した半導体装置１０と共通する部分についての説明は省略する。

本実施形態では、図８に示すように、堰き止め部２８ｅが、主端子３０，３２，３４が引き出された側面２８ｃに対応する辺に形成されている。堰き止め部２８ｅは、平面略矩形状をなす封止樹脂体２８において、Ｙ方向の両端部にそれぞれ形成されている。堰き止め部２８ｅは、Ｘ方向に延設され、Ｙ方向において相対する２辺の全長にわたって形成されている。すなわち、堰き止め部２８ｅが、信号端子３６が引き出された側面２８ｃに対応する辺にも形成されている。

複数の溝部４２は、封止樹脂体２８におけるＹ方向の両端にそれぞれ形成された堰き止め部２８ｅの一方から他方にわたり、Ｙ方向に沿って形成されている。このような半導体装置１０は、第１実施形態に記載の製造方法により、形成することができる。

これによれば、主端子３０，３２，３４側に設けた堰き止め部２８ｅにより、電位差の大きい主端子３０，３２，３４間において、沿面距離を稼ぐことができる。

また、封止樹脂体２８におけるＹ方向の両端に堰き止め部２８ｅがそれぞれ形成されている。平面加工の際、Ｘ方向に切削してＹ方向両端の封止樹脂体２８を残し、堰き止め部２８ｅとすればよいので、堰き止め部２８ｅを形成しやすい。また、溝部４２がＹ方向に沿って形成されており、一直線に加工して溝部４２を形成すればよいので、溝部４２を形成しやすい。

本実施形態の堰き止め部２８ｅに代えて、第２実施形態に示した堰き止め部４４を適用することもできる。

（第４実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した半導体装置１０と共通する部分についての説明は省略する。

本実施形態では、平面略矩形状をなす封止樹脂体２８の一辺のみに、堰き止め部２８ｅが形成されている。図９に示す例では、主端子３０，３２，３４及び信号端子３６が引き出された側面２８ｃに対応する辺とは異なる辺のひとつに、堰き止め部２８ｅが形成されている。そして、溝部４２の両端が、同じ堰き止め部２８ｅの互いに異なる部分に連結されている。複数の溝部４２は、平面略Ｕ字状をなしている。このような半導体装置１０は、第１実施形態に記載の製造方法により、形成することができる。

これによれば、平面略矩形状をなす封止樹脂体２８の一辺のみに堰き止め部２８ｅが形成されているため、半導体装置１０の体格をより小型化することができる。

なお、堰き止め部２８ｅの形成位置は、上記例に限定されない。主端子３０，３２，３４が引き出された側面２８ｃに対応する辺や、信号端子３６が引き出された側面２８ｃに対応する辺、図９とは反対の辺に形成することもできる。

本実施形態の堰き止め部２８ｅに代えて、第２実施形態に示した堰き止め部４４を適用することもできる。

（第５実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した半導体装置１０と共通する部分についての説明は省略する。

本実施形態では、放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂを露出させる切削の痕として複数の溝部４６が形成されている。図１０に示す例では、第２実施形態同様、封止樹脂体２８におけるＸ方向の両端に、堰き止め部４４がそれぞれ形成されている。そして、堰き止め部４４の一方から他方にわたり、複数の溝部４６が形成されている。

各溝部４６は、両端に対して中央部分が主端子３０，３２，３４側に凸の、弧状をなしている。また、弧状をなす複数の溝部４６が、Ｙ方向に並んで形成されている。溝部４６は、図１１に示すように、断面略楔形状となっている。

次に、図１２（ａ）〜（ｃ）に基づき、上記した半導体装置１０の製造方法の一例について簡単に説明する。

図１２（ａ）に示すように、封止樹脂体２８の成形までは、第１実施形態と同じである。

封止樹脂体２８の成形後、図１２（ｂ）に示すように切削工程を実施する。この切削工程では、フライスをＺ軸周りに回転させながらＹ方向に移動させることで、ヒートシンク１６，１８ごと封止樹脂体２８の一面２８ａ全面を切削する。同様にして、ヒートシンク２０，２２ごと封止樹脂体２８の裏面２８ｂ全面を切削する。この切削により、フライスの刃による切削痕として、溝部４６が形成される。溝部４６は、一面２８ａ側において、一面２８ａ及び放熱面１６ｂ，１８ｂの全体に形成される。また、裏面２８ｂ側において、裏面２８ｂ及び放熱面２０ｂ，２２ｂの全体に形成される。

次いで、図１２（ｃ）に示すように、堰き止め部４４を形成する。本実施形態でも、第２実施形態同様、封止樹脂体２８のＸ方向両端に、樹脂のポッティングにより堰き止め部４４を形成する。このとき、溝部４６の両端付近を覆うように、堰き止め部４４を形成する。以上により、半導体装置１０を得ることができる。なお、図１２（ａ）〜（ｃ）でも、便宜上、リードフレームのうち、タイバーなどの半導体装置１０として不要な部分の図示を省略している。

本実施形態では、ヒートシンク１６，１８，２０，２２及び封止樹脂体２８の切削する際に、溝部４６を形成する。したがって、製造工程を簡素化することができる。

（第６実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した半導体装置１０と共通する部分についての説明は省略する。

本実施形態では、図１３及び図１４に示すように、半導体装置１０が、グリス５４を貯留するための貯留溝部４８を有している。図１３及び図１４に示す半導体装置１０は、第１実施形態に示した構成（図２参照）に貯留溝部４８を付け加えたものとなっている。

貯留溝部４８は、堰き止め部２８ｅに隣接し、複数の溝部４２の端部を含んで形成されている。このため、図１３に示す例では、貯留溝部４８もＹ方向に沿って形成されている。貯留溝部４８は、溝部４２の端部と、端部間を連結する連結部とにより構成されている。貯留溝部４８は、Ｙ方向全長に形成されるのではなく、溝部４２の形成範囲、換言すれば放熱面１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂに対応するＹ方向の中央付近のみに形成されている。

本実施形態では、溝部４２のうち、貯留溝部４８の形成された部分の深さが、貯留溝部４８以外の部分の深さよりも深くなっている。貯留溝部４８は、ヒートシンク１６，１８，２０，２２の厚みよりも浅く形成されている。貯留溝部４８は、溝部４２と同じ工程で形成することができる。また、溝部４２の前に形成することもできる。さらには、溝部４２の形成後に形成することもできる。

以上によれば、堰き止め部２８ｅにて堰き止められたグリス５４を、貯留溝部４８にて貯留することができる。したがって、堰き止めたグリス５４が、堰き止め部２８ｅのない方向に移動するのを抑制することができる。

また、貯留溝部４８が、溝部４２の他の部分よりも深いので、グリス５４を効果的に貯留することができる。しかしながら、貯留溝部４８の深さを、溝部４２の他の部分の深さと同じ深さとすることもできる。

本実施形態では、貯留溝部４８が、ヒートシンク１６，１８，２０，２２の側面１６ｃ，１８ｃ，２０ｃ，２２ｃとは離れた位置に形成される例を示した。しかしながら、側面１６ｃ，１８ｃ，２０ｃ，２２ｃに隣接する貯留溝部４８を採用することもできる。

本実施形態の堰き止め部２８ｅに代えて、第２実施形態に示した堰き止め部４４を適用することもできる。また、溝部４２に代えて、溝部４６を適用することもできる。

この明細書の開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。たとえば、開示は、実施形態において示された要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものと解されるべきである。

半導体装置１０の構成は上記例に限定されるものではない。一相分のアームを有する２ｉｎ１パッケージの例を示したが、上下アームを三相分有する６ｉｎ１パッケージ、上下アームの一方のみ、たとえば、半導体チップ１２のみ有する１ｉｎ１パッケージにも適用することができる。

半導体装置１０としては、ターミナル２４，２６を備える構成に限定されない。ターミナル２４，２６を備えない構成の場合、半導体チップ１２，１４に対してエミッタ電極側に配置されるヒートシンク２０，２２が、ターミナルの機能を備えるべく、たとえば凸部を有することとなる。

溝部４２，４６の両端に堰き止め部２８ｅ，４４が形成される例を示した。しかしながら、溝部４２，４６の一端のみに堰き止め部２８ｅ，４４が形成された構成を採用することもできる。

堰き止め部２８ｅ，４４は、平面略矩形状をなす封止樹脂体２８において、任意の一辺の一部のみに形成されてもよい。堰き止め部２８ｅ，４４は、環状の外周領域の一部のみに形成されればよい。

半導体装置１０として、半導体チップ１２，１４の両側にヒートシンク１６，１８，２０，２２が配置される例を示した。しかしながら、半導体チップ１２，１４の片側のみにヒートシンクが配置される片面放熱構造の半導体装置にも適用することが可能である。

１０…半導体装置、１２，１４…半導体チップ、１６，１８，２０，２２…ヒートシンク、１６ａ，１８ａ，２０ａ，２２ａ…対向面、１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂ…放熱面、１６ｃ，１８ｃ，２０ｃ，２２ｃ…側面、１８ｄ，２０ｄ…継ぎ手部、２４，２６…ターミナル、２８…封止樹脂体、２８ａ…一面、２８ｂ…裏面、２８ｃ…側面、２８ｄ…切り欠き、２８ｅ…堰き止め部、３０…高電位電源端子、３２…低電位電源端子、３４…出力端子、３６…信号端子、３８…接合部材、４０…吊りリード、４２，４６…溝部、４４…堰き止め部、４８…貯留溝部、５０…パワーモジュール、５２…絶縁板、５４，５８…グリス、５６…冷却器、１００…電力変換装置、１０２…直流電源、１０４…モータ、１０６…平滑コンデンサ、１０８…高電位電源ライン、１１０…低電位電源ライン、１１２…出力ライン

Claims (10)

1. 半導体チップ（１２，１４）と、
   前記半導体チップを封止する封止樹脂体（２８）と、
   前記半導体チップの生じた熱を放熱するために、前記半導体チップ側の面と反対の放熱面（１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂ）が前記封止樹脂体の表面（２８ａ，２８ｂ）から露出され、側面が前記封止樹脂体によって封止された放熱部材（１６，１８，２０，２２）と、を備え、
   前記表面及び該表面から露出する前記放熱面と、電気絶縁性を有する絶縁板（５２）との間に放熱用のグリス（５４）が介在し、前記半導体チップの熱が、前記グリス及び前記絶縁板を介して冷却器（５６）に伝達される樹脂封止型の半導体装置であって、
   前記表面及び前記放熱面がなす一面に、
   前記放熱面を取り囲む環状の外周領域の一部のみに形成され、前記グリスの移動を抑制する凸条の堰き止め部（２８ｅ，４４）と、
   前記堰き止め部を端点として、前記放熱面を含むように形成された溝部（４２，４６）と、を有している半導体装置。
2. 前記堰き止め部は、前記封止樹脂体の一部分である請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記溝部は、切削痕である請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記溝部の両端に、前記堰き止め部が設けられている請求項１〜３いずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記一面が平面矩形状をなしており、
   前記堰き止め部は、前記一面の相対する２辺にそれぞれ形成され、
   前記堰き止め部の一方から他方にわたって、前記溝部が形成されている請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記一面が平面矩形状をなしており、
   前記堰き止め部は、前記一面の一辺のみに形成され、
   前記溝部の両端は、同じ前記堰き止め部の互いに異なる部分に連結されている請求項４に記載の半導体装置。
7. 前記一面が平面矩形状をなしており、
   前記放熱部材は、金属を構成材料として形成されるとともに、前記半導体チップと電気的に接続され、
   前記放熱部材から延び、前記封止樹脂体の側面から外部に引き出された主端子（３０，３２，３４）をさらに備え
   前記主端子が引き出された前記側面に対応する辺に、前記堰き止め部が形成されている請求項１〜６いずれか１項に記載の半導体装置。
8. 前記溝部は、同じ前記堰き止め部を端点として複数形成されており、
   前記グリスを貯留するために、前記堰き止め部に隣接し、複数の前記溝部の端部を含んで形成された貯留溝部（４８）を有する請求項１〜７いずれか１項に記載の半導体装置。
9. 半導体チップ（１２，１４）と、
   前記半導体チップを封止する封止樹脂体（２８）と、
   前記半導体チップの生じた熱を放熱するために、前記半導体チップ側の面と反対の放熱面（１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂ）が前記封止樹脂体の表面（２８ａ，２８ｂ）から露出され、側面が前記封止樹脂体によって封止された放熱部材（１６，１８，２０，２２）と、を備え、
   前記表面及び該表面から露出する前記放熱面と、電気絶縁性を有する絶縁板（５２）との間に放熱用のグリス（５４）が介在し、前記半導体チップの熱が、前記グリス及び前記絶縁板を介して冷却器（５６）に伝達される樹脂封止型の半導体装置の製造方法であって、
   熱的に接続された前記半導体チップ及び前記放熱部材を前記放熱面ごと覆うように、前記封止樹脂体を成形し、
   前記放熱面が前記封止樹脂体の表面から露出して前記表面と一面をなすように、前記放熱部材ごと前記封止樹脂体を切削するとともに、前記一面において前記放熱面を取り囲む環状の外周領域の一部のみに前記封止樹脂体を残して、前記グリスの移動を抑制する凸条の堰き止め部（２８ｅ）を形成し、
   前記堰き止め部の形成後、前記放熱面を含むように前記一面に前記堰き止め部を端点とする溝部（４２）を形成する半導体装置の製造方法。
10. 半導体チップ（１２，１４）と、
    前記半導体チップを封止する封止樹脂体（２８）と、
    前記半導体チップの生じた熱を放熱するために、前記半導体チップ側の面と反対の放熱面（１６ｂ，１８ｂ，２０ｂ，２２ｂ）が前記封止樹脂体の表面（２８ａ，２８ｂ）から露出され、側面が前記封止樹脂体によって封止された放熱部材（１６，１８，２０，２２）と、を備え、
    前記表面及び該表面から露出する前記放熱面と、電気絶縁性を有する絶縁板（５２）との間に放熱用のグリス（５４）が介在し、前記半導体チップの熱が、前記グリス及び前記絶縁板を介して冷却器（５６）に伝達される樹脂封止型の半導体装置の製造方法であって、
    熱的に接続された前記半導体チップ及び前記放熱部材を前記放熱面ごと覆うように、前記封止樹脂体を成形し、
    前記放熱面が前記封止樹脂体の表面から露出して前記表面と一面をなすように、前記放熱部材ごと前記封止樹脂体を切削するとともに、該切削の痕として、前記放熱面を含むように前記一面に溝部（４６）を形成し、
    前記溝部の形成の後、前記溝部の端部に連結されるように、前記一面において前記放熱面を取り囲む環状の外周領域の一部のみに、前記グリスの移動を抑制する凸条の堰き止め部（４４）を形成する半導体装置の製造方法。

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