JP2017126658A - 電流出力回路及び光送信器 - Google Patents
電流出力回路及び光送信器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017126658A JP2017126658A JP2016005092A JP2016005092A JP2017126658A JP 2017126658 A JP2017126658 A JP 2017126658A JP 2016005092 A JP2016005092 A JP 2016005092A JP 2016005092 A JP2016005092 A JP 2016005092A JP 2017126658 A JP2017126658 A JP 2017126658A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- terminal
- signal
- output
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/564—Power control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/11—Arrangements specific to free-space transmission, i.e. transmission through air or vacuum
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/504—Laser transmitters using direct modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
【課題】高速信号伝送を実現する。【解決手段】実施形態に係わる電流出力回路は、出力ノード(Nout)と、入力信号(Vin, Vip)に基づき位相が相補の関係を有する第1及び第2の信号(Vop, Von)を出力する第1の回路(11)と、第1及び第2の信号に基づき出力ノードから出力電流を出力する第2の回路(12)と、を備える。第2の回路は、第1及び第2の端子を備え、第1の端子が第1の電源に接続される第1の電流源(CS1)と、第1の信号が入力される第3の端子、及び、第1の信号により制御される第1の電流経路を挟む第4及び第5の端子を備え、第4の端子が第2の端子に接続され、第5の端子が出力ノードに接続される第1のトランジスタ(M1)と、を備える。第2の信号は、第5の端子に入力される。【選択図】図1
Description
実施形態は、電流出力回路及び光送信器に関する。
情報化社会の発展と電子デバイスの高性能化により、情報通信機器における信号伝送速度の向上は、重要性を増してきている。光伝送は、このような信号伝送速度の向上を実現するためのキーテクノロジーである。
実施形態は、高速信号伝送を実現する技術を提案する。
実施形態によれば、電流出力回路は、出力ノードと、入力信号に基づき相補関係の位相を有する第1及び第2の信号を出力する第1の回路と、前記第1及び第2の信号に基づき前記出力ノードから出力電流を出力する第2の回路と、を備える。前記第2の回路は、第1及び第2の端子を備え、前記第1の端子が第1の電源に接続される第1の電流源と、前記第1の信号が入力される第3の端子、及び、前記第1の信号により制御される第1の電流経路を挟む第4及び第5の端子を備え、前記第4の端子が前記第2の端子に接続され、前記第5の端子が前記出力ノードに接続される第1のトランジスタと、を備える。前記第2の信号は、前記第5の端子に入力される。
以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。
(実施例)
図1は、光送信器(optical transmitter)の例を示している。
光送信器は、出力ノードNoutから出力電流iLDを出力する電流出力回路10と、出力電流iLDにより駆動される発光素子LDと、を備える。
図1は、光送信器(optical transmitter)の例を示している。
光送信器は、出力ノードNoutから出力電流iLDを出力する電流出力回路10と、出力電流iLDにより駆動される発光素子LDと、を備える。
発光素子LDは、電流出力回路10の出力ノードNoutと電源(例えば、3.3V) VCC2との間に接続される。発光素子LDは、例えば、面発光レーザ(Vertical Cavity Surface Emitting Laser: VCSEL)である。発光素子LDは、出力電流iLDに基づいて光信号を発生する。
電流出力回路10は、変調電流iM3を発生する変調電流回路(modulated current circuit)11と、バイアス電流iM1を発生するバイアス電流回路(bias current circuit)12と、を備える。出力電流iLDは、バイアス電流iM1と変調電流iM3が合算された電流である。即ち、iLD= iM1+iM3である。
まず、バイアス電流回路12を説明する。
バイアス電流回路12は、電流源CS1、トランジスタM1、及び、コンデンサC1を備える。電流源CS1は、2つの電流端子を備える。電流源CS1の2つの電流端子の一方は、電源(例えば、0V)Vssに接続される。トランジスタM1は、変調電圧Vopが入力される制御端子、及び、変調電圧Vopにより制御される電流経路を挟む2つの電流端子を備える。トランジスタM1の2つの電流端子のうちの一方は、電流源CS1の2つの電流端子の他方に接続される。トランジスタM1の2つの電流端子のうちの他方は、出力ノードNoutに接続される。コンデンサC1は、2つの端子を備える。コンデンサC1の2つの端子の一方は、電源Vssに接続され、他方は、トランジスタM1の2つの電流端子の一方に接続される。コンデンサC1は、例えば、200fFのキャパシタンスを有する。コンデンサC1の2つの端子の一方は、電源VCC1またはVCC2に接続してもよい。
変調電圧Vonは、トランジスタM1の2つの電流端子の他方に入力される。
電流源CS1は、例えば、ゲートに一定電圧が印加されるNチャネルFET (Field Effect Transistor)である。電流源CS1は、例えば、抵抗素子であってもよい。トランジスタM1は、例えば、ゲート(制御端子)に変調電圧Vopが入力されるNチャネルFETである。コンデンサC1は、独立した素子であってもよいし、配線や回路素子などの寄生容量を利用してもよい。後者の場合、独立した素子としてのコンデンサは、省略可能である。
このようなバイアス電流回路12において、バイアス電流iM1は、直流電流と補助電流を含む。直流電流は、電流源CS1に依存する。直流電流は、発光素子LDがレーザ発振するための閾値電流よりも大きい方が望ましい。補助電流は、変調電圧Vop、トランジスタM1、及びコンデンサC1に依存する。
次に、変調電流回路11を説明する。
変調電流回路11は、電流源CS2、トランジスタM2, M3、及び、抵抗素子R1を備える。
電流源CS2は、2つの電流端子を備える。電流源CS2の2つの電流端子の一方は、電源Vssに接続される。
トランジスタM2は、入力信号(差動信号)Vip, Vinの一方Vinが入力される制御端子、及び、入力信号Vinにより制御される電流経路を挟む2つの電流端子を備える。トランジスタM2の2つの電流端子のうちの一方は、電流源CS2の2つの電流端子の他方に接続される。トランジスタM2の2つの電流端子のうちの他方は、抵抗素子R1を介して、電源(例えば、1.2V)VCC1に接続される。
変調電圧Vopは、トランジスタM2の2つの電流端子のうちの他方から出力される。即ち、トランジスタM2の2つの電流端子のうちの他方は、バイアス電流回路12内のトランジスタM1の制御端子に接続される。
トランジスタM3は、入力信号(差動信号)Vip, Vinの他方Vipが入力される制御端子、及び、入力信号Vipにより制御される電流経路を挟む2つの電流端子を備える。トランジスタM3の2つの電流端子のうちの一方は、電流源CS2の2つの電流端子の他方に接続される。
変調電圧Vonは、トランジスタM3の2つの電流端子のうちの他方から出力される。即ち、トランジスタM3の2つの電流端子のうちの他方は、バイアス電流回路12内のトランジスタM1の2つの電流端子の他方に接続される。
電流源CS2は、例えば、ゲートに一定電圧が印加されるNチャネルFETである。電流源CS2は、例えば、抵抗素子であってもよい。トランジスタM2は、例えば、ゲート(制御端子)に入力信号Vinが入力されるNチャネルFETである。トランジスタM3は、例えば、ゲート(制御端子)に入力信号Vipが入力されるNチャネルFETである。
抵抗素子R1の代わりにトランジスタを用いてもよい。また、高速化のため、抵抗素子R1と電源VCC1の間にインダクタ素子を追加してもよい。
このような変調電流回路11において、変調電圧(modulation voltage)Vop, Vonは、入力信号としての電気信号(差動信号)Vip, Vinに依存し、かつ、相補関係の位相を有する。
変調電圧Vopは、出力電流iLDの立ち上がりと立ち下がりを急峻にする。即ち、変調電圧Vopは、バイアス電流iM1のうち補助電流を生成することにより、出力電流iLDの立ち上がりと立ち下がりを急峻にする。また、補助電流は、トランジスタM1の制御端子の充放電とコンデンサC1の充放電とにより発生する。従って、補助電流の発生に伴う消費電力は非常に少ない(例えば、100μW以下)。
変調電流回路11は、上述のように、差動増幅回路を備える。これは、入力信号Vip, Vinが、高速信号伝送に有効な差動信号(相補関係の位相を有する正相信号と逆相信号)であるからである。一方、光伝送では、コストの増大を抑えるため、光信号は、シングルエンド信号である。
従って、一般的には、差動増幅回路の2つの出力信号のうちの一方、即ち、トランジスタM3のドレインからの変調電圧Vonは、電流出力回路10の出力ノードNoutに供給され、その他方、即ち、トランジスタM2のドレインからの信号は、使用されない。
しかし、本実施例では、差動増幅回路の2つの出力信号のうちの他方、即ち、トランジスタM2のドレインからの変調電圧Vopも、使用される。変調電圧Vopは、上述のように、トランジスタM1の制御端子に入力され、補助電流を発生させる。このように、本実施例では、差動増幅回路の2つの出力信号を有効活用することで、補助電流を発生させるための複雑な回路を設けることなく(消費電力の増大なく)、出力電流iLDの立ち上がりと立ち下がりを急峻にできる。
尚、高速化のため、図1の光送信器において、トランジスタM1, M2, M3は、電源VCC1用のトランジスタとするのが望ましい。発光素子LDの順方向電圧が2.1V以上であるとき、VCC1を1.2Vとし、VCC2を3.3Vとすれば、トランジスタM1, M2, M3にVCC1を超える電圧が印加されることはない。これにより、トランジスタM1, M2, M3の信頼性を向上できる。
さらなる信頼性の向上のため、VCC1を3.3Vとしてもよい。あるいは、発光素子LDとトランジスタM1, M3との間に、電源VCC2用のトランジスタをカスコード接続してもよい。
また、入力信号Vip, Vinは、差動信号(相補関係の位相を有する正相信号と逆相信号)であるが、シングルエンド信号であってもよい。この場合、例えば、入力信号(正相信号)VipをトランジスタM3の制御端子に入力し、その平均電圧をトランジスタM2の制御端子に入力すればよい。これにより、本例と同様、変調電圧Vop, Vonが得られる。
図2は、図1の光送信器の入力電圧と出力電流との関係を示している。
図2のVip、Vin、iM3、Vop、Von、iM1、iLDは、それぞれ、図1のVip、Vin、iM3、Vop、Von、iM1、iLDに対応する。
図2のVip、Vin、iM3、Vop、Von、iM1、iLDは、それぞれ、図1のVip、Vin、iM3、Vop、Von、iM1、iLDに対応する。
入力信号(入力電圧)Vip, Vinは、例えば、変調速度が約12Gbpsであり、電圧値が約700mV〜約1100mVの範囲内で変化する。変調電流iM3は、図1のトランジスタ(FET) M3のドレイン電流であり、変調電圧Vipに同期して変化する。即ち、変調電圧VipがHigh levelになると、変調電流iM3もHigh levelになり、変調電圧VipがLow levelになると、変調電流iM3もLow levelになる。変調電流iM3は、例えば、電流値が約0mA〜約5mAの範囲内で変化する。変調電流iM3の最大値は、図1の電流源CS2を流れる直流電流(例えば、約5mA)にほぼ等しい。
変調電圧Vop, Vonは、例えば、電圧値が約950mV〜約1200mVの範囲内で変化する。
バイアス電流iM1は、図1のトランジスタ(FET) M1のドレイン電流である。バイアス電流iM1のうちの直流電流は、図1の電流源CS1を流れる直流電流(例えば、約3mA)にほぼ等しい。また、図1のトランジスタM1は、ソースフォロワ回路として機能する。即ち、変調電圧Vopが変化すると、図1のトランジスタM1のソースは、変調電圧Vopの位相と同じ位相で変化する。
その結果、変調電圧Vopに同期した変位電流(補助電流)が図1のコンデンサC1に流れる。例えば、変調電圧Vopは、その立ち下がりにより、バイアス電流iM1に負のピーク電流(波形の中心からのピーク高さが約-1.0mA〜-1.5mA)を発生させる。また、変調電圧Vopは、その立ち上がりにより、バイアス電流iM1に正のピーク電流(波形の中心からのピーク高さが約1.0mA〜1.5mA)を発生させる。
出力電流ILDは、バイアス電流iM1と変調電流iM3とを合算した電流である。
ここで、変調電流iM3の立ち上がり/立ち下がり(太線A)のスルーレート(単位時間当たりの信号変化量)は、例えば、発光素子LDの寄生容量により、低くなる。しかし、バイアス電流iM1のピーク電流(太線B)は、この変調電流iM3の立ち上がり/立ち下がりを補正する。これにより、出力電流iLDの立ち上がり/立ち下がり(太線C)のスルーレートが向上する。
図3は、図2のVip, Vin, iM3, iLDのアイパターンを示している。
アイパターンとは、波形データをサンプリングし、これらを重ね合わせて表示した波形図のことである。
同図によれば、図2と同様に、変調電流iM3の立ち上がり/立ち下がり(太線A)のスルーレートは低いが、出力電流iLDは、スルーレートが向上し、急峻な立ち上がり/立ち下がり(太線C)を有する。従って、パルス幅の縮小が可能になり、図1の電流出力回路の高速化を図ることができる。
発光素子LDは、レーザ発振する閾値電流以上、光出力の飽和が発生する飽和電流以下において、駆動電流(出力電流iLD)に比例した光信号を発生する。このため、発光素子LDの動作帯域が十分に高い場合、駆動電流(出力電流iLD)の立ち上がり/立ち下がりのスルーレートが向上すると、光信号の立ち上がり/立ち下がりのスルーレートも向上する。これにより、図1の光送信器の高速化が可能となる。
一方、図4に示す比較例(アイパターン)によれば、変調電流iM3の立ち上がり/立ち下がり(太線A)がそのまま出力電流iLDとなる。このため、出力電流iLDの立ち上がり/立ち下がり(太線C)のスルーレートは、低いままであり、光伝送速度の向上は難しい。但し、比較例は、図1においてトランジスタM1及びコンデンサC1を省略した光送信器とする。
このように、本実施例によれば、電流出力回路の出力電流の立ち上がり/立ち下がりが急峻になることで、電流出力回路の高速化、及び、光送信器のデータ転送速度の高速化が可能となる。
(変形例)
図5は、光送信器の第1の変形例を示している。
図5は、光送信器の第1の変形例を示している。
本例は、図1の光送信器のバイアス電流回路12の変形例である。本例の光送信器の変調電流回路11は、図1の光送信器の変調電流回路11と同じであるため、図1と同じ符号を付すことによりその詳細な説明を省略する。
バイアス電流回路12は、電流源CS1, CS3、トランジスタM1、及び、コンデンサC1を備える。電流源CS1は、2つの電流端子を備える。電流源CS1の2つの電流端子の一方は、電源(例えば、0V)Vssに接続される。電流源CS3は、2つの電流端子を備える。電流源CS3の2つの電流端子の一方は、電源Vssに接続され、その他方は、電流出力回路10の出力ノードNoutに接続される。
トランジスタM1は、変調電圧Vopが入力される制御端子、及び、変調電圧Vopにより制御される電流経路を挟む2つの電流端子を備える。トランジスタM1の2つの電流端子のうちの一方は、電流源CS1の2つの電流端子の他方に接続される。トランジスタM1の2つの電流端子のうちの他方は、出力ノードNoutに接続される。
コンデンサC1は、2つの端子を備える。コンデンサC1の2つの端子の一方は、電源Vssに接続され、他方は、トランジスタM1の2つの電流端子の一方に接続される。コンデンサC1は、例えば、200fFのキャパシタンスを有する。コンデンサC1の2つの端子の一方は、電源VCC1またはVCC2に接続してもよい。
変調電圧Vonは、トランジスタM1の2つの電流端子の他方に入力される。
電流源CS1, CS3は、それぞれ、例えば、ゲートに一定電圧が印加されるNチャネルFET (Field Effect Transistors)である。電流源CS1, CS3は、それぞれ、例えば、抵抗素子であってもよい。トランジスタM1は、例えば、ゲート(制御端子)に変調電圧Vopが入力されるNチャネルFETである。コンデンサC1は、独立した素子であってもよいし、配線や回路素子などの寄生容量を利用してもよい。後者の場合、独立した素子としてのコンデンサは、省略可能である。
このようなバイアス電流回路12において、バイアス電流に含まれる直流電流は、トランジスタM1に流れるバイアス電流iM1のうちの直流電流と、電流源CS3による直流電流iCS3との合計となる。図5のバイアス電流回路12のバイアス電流の直流電流が図1のバイアス電流回路12のバイアス電流の直流電流と同じとした場合、電流源CS1, CS3の比率を変更することで、直流電流の大きさを変えることなく、補助電流の大きさのみを制御することが可能である。これは、電流出力回路10が出力する出力電流iLDの立ち上がり/立ち下がりのスルーレートを細かく制御できることを意味する。従って、本例によれば、出力電流iLDの波形を細かく制御でき、高速信号伝送の更なる高信頼化が可能となる。
図6は、光送信器の第2の変形例を示している。
本例も、図1の光送信器のバイアス電流回路12の変形例である。本例の光送信器の変調電流回路11は、図1の光送信器の変調電流回路11と同じであるため、図1と同じ符号を付すことによりその詳細な説明を省略する。
図1の光送信器では、出力電流iLDは、電流出力回路10内に入力される方向に流れる。このため、発光素子LDのアノードが電源VCC2に接続され、カソードが出力ノードNoutに接続される。これに対し、本例の光送信器では、出力電流iLDは、電流出力回路10外に出力される方向に流れる。このため、発光素子LDのアノードが出力ノードNoutに接続され、カソードが電源Vssに接続される。また、出力電流iLDは、バイアス電流iM4から変調電流iM3を減算した電流である。即ち、iLD= iM4-iM3である。
バイアス電流回路12は、電流源CS4、トランジスタM4、及び、コンデンサC2を備える。電流源CS4は、2つの電流端子を備える。電流源CS4の2つの電流端子の一方は、電源(例えば、3.3V) VCC2に接続される。
トランジスタM4は、変調電圧Vonが入力される制御端子、及び、変調電圧Vonにより制御される電流経路を挟む2つの電流端子を備える。トランジスタM4の2つの電流端子のうちの一方は、電流源CS4の2つの電流端子の他方に接続される。トランジスタM4の2つの電流端子のうちの他方は、出力ノードNoutに接続される。
コンデンサC2は、2つの端子を備える。コンデンサC2の2つの端子の一方は、電源VCC2に接続され、他方は、トランジスタM4の2つの電流端子の一方に接続される。コンデンサC2は、例えば、200fFのキャパシタンスを有する。コンデンサC2の2つの端子の一方は、電源VssまたはVCC1に接続してもよい。
変調電圧Vopは、トランジスタM4の2つの電流端子の他方に入力される。
電流源CS4は、例えば、ゲートに一定電圧が印加されるPチャネルFET (Field Effect Transistors)である。電流源CS4は、例えば、抵抗素子であってもよい。トランジスタM4は、例えば、ゲート(制御端子)に変調電圧Vonが入力されるPチャネルFETである。コンデンサC2は、独立した素子であってもよいし、配線や回路素子などの寄生容量を利用してもよい。後者の場合、独立した素子としてのコンデンサは、省略可能である。
このようなバイアス電流回路12において、発光素子LDのアノードは、電流出力回路10の出力ノードNoutに接続され、そのカソードは、電源(例えば、0V)Vssに接続される。また、入力信号Vip, Vinは、差動信号(相補関係の位相を有する正相信号と逆相信号)である。本例では、入力信号(正相信号)VipがトランジスタM2の制御端子に入力され、入力信号(逆相信号)VinがトランジスタM3の制御端子に入力される。
本例では、図1の光送信器と異なり、変調電圧VipがHigh levelになると、変調電流iM3がLow levelになり、変調電圧VipがLow levelになると、変調電流iM3がHigh levelになる。しかしながら、先述のように、出力電流iLDは、バイアス電流iM4から変調電流iM3を減算した電流である。これにより、変調電圧VipがHigh levelになると、出力電流iLDもHigh levelになり、変調電圧VipがLow levelになると、出力電流iLDもLow levelになる。
本例においても、トランジスタM4により補助電流を発生させることにより、電流出力回路10の出力電流iLDの立ち上がり/立ち下がりを急峻にできる。従って、電流出力回路10の高速化、及び、光送信器のデータ転送速度の高速化が可能となる。
本例では、トランジスタM2, M3は、電源VCC1用のトランジスタとし、トランジスタM4は、電源VCC2用のトランジスタとするのが望ましい。発光素子LDの順方向電圧が2.1V以上であるとき、出力ノードNoutの電圧も2.1V以上となるため、電流出力回路10の電源VCC1を3.3Vとしてもよい。あるいは、VCC1を1.2Vとし、信頼性の向上のため、トランジスタM3のドレイン端子に、電源VCC2用のトランジスタをカスコード接続してもよい。
また、入力信号Vin, Vipは、差動信号(相補関係の位相を有する正相信号と逆相信号)であるが、シングルエンド信号であってもよい。この場合、例えば、入力信号(正相信号)VipをトランジスタM2の制御端子に入力し、その平均電圧をトランジスタM3の制御端子に入力すればよい。
図7は、光送信器の第3の変形例を示している。
本例は、図6の光送信器の変調電流回路11の変形例である。本例のバイアス電流回路12は、図6の光送信器のバイアス電流回路12と同じであるため、図6と同じ符号を付すことによりその詳細な説明を省略する。
本例では、出力電流iLDは、バイアス電流iM4に変調電流iM6を合算した電流である。即ち、iLD= iM4+iM6である。
変調電流回路11は、電流源CS5、トランジスタM5, M6、及び、抵抗素子R2を備える。
電流源CS5は、2つの電流端子を備える。電流源CS5の2つの電流端子の一方は、電源(例えば、3.3V)VCC1に接続される。
トランジスタM5は、入力信号(差動信号)Vip, Vinの一方Vipが入力される制御端子、及び、入力信号Vipにより制御される電流経路を挟む2つの電流端子を備える。トランジスタM5の2つの電流端子のうちの一方は、電流源CS5の2つの電流端子の他方に接続される。トランジスタM5の2つの電流端子のうちの他方は、抵抗素子R2を介して、電源(例えば、0V)Vssに接続される。
変調電圧Vonは、トランジスタM5の2つの電流端子のうちの他方から出力される。即ち、トランジスタM5の2つの電流端子のうちの他方は、バイアス電流回路12内のトランジスタM4の制御端子に接続される。
トランジスタM6は、入力信号(差動信号)Vip, Vinの他方Vinが入力される制御端子、及び、入力信号Vinにより制御される電流経路を挟む2つの電流端子を備える。トランジスタM6の2つの電流端子のうちの一方は、電流源CS5の2つの電流端子の他方に接続される。
変調電圧Vopは、トランジスタM6の2つの電流端子のうちの他方から出力される。即ち、トランジスタM6の2つの電流端子のうちの他方は、バイアス電流回路12内のトランジスタM4の2つの電流端子の他方に接続される。
電流源CS5は、例えば、ゲートに一定電圧が印加されるPチャネルFETである。電流源CS5は、例えば、抵抗素子であってもよい。トランジスタM5は、例えば、ゲート(制御端子)に入力信号Vipが入力されるPチャネルFETである。トランジスタM6は、例えば、ゲート(制御端子)に入力信号Vinが入力されるPチャネルFETである。
このような変調電流回路11において、変調電圧Vop, Vonは、入力信号としての電気信号(差動信号)Vip, Vinに依存し、かつ、相補関係の位相を有する。
変調電圧Vonは、出力電流iLDの立ち上がりと立ち下がりを急峻にする。即ち、変調電圧Vonは、バイアス電流iM4のうち補助電流を生成することにより、出力電流iLDの立ち上がりと立ち下がりを急峻にする。また、補助電流は、トランジスタM4の制御端子の充放電とコンデンサC2の充放電とにより発生する。従って、補助電流の発生に伴う消費電力は非常に少ない(例えば、100μW以下)。
本例では、トランジスタM5, M6は、電源VCC1用のトランジスタとし、トランジスタM4は、電源VCC2用のトランジスタとするのが望ましい。低消費電力化のため、電源VCC1の値は電源VCC2の値より小さくしてもよい。
また、入力信号Vip, Vinは、差動信号(相補関係の位相を有する正相信号と逆相信号)であるが、シングルエンド信号であってもよい。この場合、例えば、入力信号(正相信号)VipをトランジスタM5の制御端子に入力し、その平均電圧をトランジスタM6の制御端子に入力すればよい。
本例においても、トランジスタM6により補助電流を発生させることにより、電流出力回路10の出力電流iLDの立ち上がり/立ち下がりを急峻にできる。従って、電流出力回路10の高速化、及び、光送信器のデータ転送速度の高速化が可能となる。
(その他)
上述の実施例及び各変形例では、電流出力回路の出力ノードに発光素子のみが接続される。但し、電流出力回路の出力ノードと電源との間に、並列接続された発光素子及び抵抗素子を接続してもよい。この場合、変調電流回路の負荷が小さくなるため、より高速なデータ転送を実現できる。しかし、この場合、発光素子LDのみを接続した場合と同じ電流を発光素子LDに流すためには、電流源CS1〜CS5の電流(直流電流)を増やす必要があるため、消費電力が増大する。従って、低消費電力化に重点を置く場合は、電流出力回路の出力ノードに発光素子のみを接続するのが望ましい。
上述の実施例及び各変形例では、電流出力回路の出力ノードに発光素子のみが接続される。但し、電流出力回路の出力ノードと電源との間に、並列接続された発光素子及び抵抗素子を接続してもよい。この場合、変調電流回路の負荷が小さくなるため、より高速なデータ転送を実現できる。しかし、この場合、発光素子LDのみを接続した場合と同じ電流を発光素子LDに流すためには、電流源CS1〜CS5の電流(直流電流)を増やす必要があるため、消費電力が増大する。従って、低消費電力化に重点を置く場合は、電流出力回路の出力ノードに発光素子のみを接続するのが望ましい。
(適用例)
上述の光送信器を有する光伝送システムの例を説明する。
上述の光送信器を有する光伝送システムの例を説明する。
図8は、光伝送システムの例を示している。
光伝送システム20は、電気信号(差動信号)Va1, Va2を光信号に変換し、その光信号を送信する光送信器(optical transmitter)21と、光信号を受信し、その光信号を電気信号(差動信号)Vb1, Vb2に変換する光受信器(optical receiver)22と、を備える。光信号は、例えば光ファイバを備えた光ケーブルにより伝送される。
本例は、光信号が一方向に伝送される例であるが、光信号は、双方向に伝送可能であってもよい。例えば、光送信器21及び光受信器22を共に光送受信が可能な光トランシーバとすれば、光信号の双方向伝送が可能となる。いずれの場合も、光信号のチャネル数は、1つでもよいし、複数でもよい。また、光信号の双方向伝送が可能な場合、光信号の伝送方向に応じてチャネル数を異ならせてもよい。
図9は、光送信器の例を示している。
光送信器21は、電気信号Va1, Va2を増幅するインターフェース回路(IF: Interface)21-1と、インターフェース回路21-1の出力信号Vin, Vipに基づいて出力電流iLDを出力する電流出力回路(Driver)21-2と、出力電流iLDに基づいて光信号を発生する発光素子(例えば、面発光レーザ(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser))LDと、を備える。
電流出力回路21-2は、例えば、図1、図5など、の電流出力回路である。また、電流出力回路21-2及び発光素子LDは、例えば、図6、図7など、の電流出力回路及び発光素子に置き換えることも可能である。
図10は、光受信器の例を示している。
光受信器22は、光信号を電気信号(電流信号)に変換する受光素子(例えば、p-i-nフォトダイオード(Photo diode: PD)22-1と、受光素子22-1が生成した電流信号を電圧信号に変換するトランスインピーダンスアンプ(Trans-impedance Amplifier: TIA)22-2と、トランスインピーダンスアンプ22-2の出力信号を増幅するリミッティングアンプ(Limiting Amplifier: LA)22-3と、リミッティングアンプ22-3の出力信号Vb1’, Vb2’に基づいて出力信号Vb1, Vb2を出力するインターフェース(IF)回路22-4と、を備える。
トランスインピーダンスアンプ22-2は、シングルエンド入力であるが、差動入力に代えてもよい。また、トランスインピーダンスアンプ22-2の出力信号は、シングルエンド信号であるが、差動信号に代えてもよい。
リミッティングアンプ22-3は、トランスインピーダンスアンプ22-2の出力信号と基準電圧Vref(例えば、トランスインピーダンスアンプ22-2の出力信号の平均電圧)とを比較することにより、トランスインピーダンスアンプ22-2からのシングルエンド信号を差動信号に変換する。
図11は、光伝送システムを適用したストレージシステムの例を示している。
このストレージシステムは、デバイス(例えば、SSD(Solid State Drive)、ハードディスクなど)30と、デバイス30に対してデータのリード/ライトを指示するホスト(例えば、コンピュータ、サーバなど)40と、これらを接続する光伝送システム20と、を備える。
ストレージシステムでは、デバイス30とホスト40とがSATA(Serial ATA: advanced technology attachment)やSAS(Serial Attached SCSI: small computer system interface)やPCIe(Peripheral Component Interconnect Express)といったインターフェース規格に基づいて接続される。これらインターフェース規格では、高速の信号伝送(例えば12Gbps)、が用いられる。従って、光伝送システム20として上述の光伝送システムを採用するのは有効である。
(むすび)
以上、実施形態によれば、高速信号伝送を実現できる。
以上、実施形態によれば、高速信号伝送を実現できる。
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。上述の実施形態で説明したブロック、ブロック内の回路、回路内の素子などは一例であり、これらを同様の機能を果たす代替品に適宜置換可能である。
例えば、上記の実施形態において、MOSトランジスタは、MOSトランジスタ以外の電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタ、Bi-CMOSトランジスタなど、に置き換えることもできる。また、発光素子は、発光ダイオード、半導体レーザなど、の種々の発光素子を使用可能である。また、受光素子は、PINフォトダイオード、MSMフォトダイオード、アバランシェ・フォトダイオード、フォトコンダクタなど、の種々の受光素子を使用可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10: 電流出力回路、 11: 変調電流回路、 12: バイアス電流回路、 20: 光伝送システム、 21: 光送信器、 22: 光受信器、 30: デバイス、 40: ホスト、 LD: 発光素子。
Claims (5)
- 出力ノードと、入力信号に基づき相補関係の位相を有する第1及び第2の信号を出力する第1の回路と、前記第1及び第2の信号に基づき前記出力ノードから出力電流を出力する第2の回路と、を具備し、
前記第2の回路は、
第1及び第2の端子を備え、前記第1の端子が第1の電源に接続される第1の電流源と、
前記第1の信号が入力される第3の端子、及び、前記第1の信号により制御される第1の電流経路を挟む第4及び第5の端子を備え、前記第4の端子が前記第2の端子に接続され、前記第5の端子が前記出力ノードに接続される第1のトランジスタと、
を備え、
前記第2の信号は、前記第5の端子に入力される、
電流出力回路。 - 前記第2の回路は、前記第4の端子及び前記第1の電源間に接続されるコンデンサをさらに備える、
請求項1に記載の電流出力回路。 - 前記第2の回路は、
第6及び第7の端子を備え、前記第6の端子が前記第1の電源に接続され、前記第7の端子が前記出力ノードに接続される第2の電流源、
をさらに備える、
請求項1乃至2に記載の電流出力回路。 - 前記第1の回路は、
第8及び第9の端子を備え、前記第8の端子が第2の電源に接続される第3の電流源と、
前記入力信号が入力される第10の端子、及び、前記入力信号により制御される第2の電流経路を挟む第11及び第12の端子を備え、前記第11の端子が前記第9の端子に接続され、前記第12の端子が第3の電源に接続される第2のトランジスタと、
前記入力信号の反転信号が入力される第13の端子、及び、前記反転信号により制御される第3の電流経路を挟む第14及び第15の端子を備え、前記第14の端子が前記第9の端子に接続される第3のトランジスタと、
を備え、
前記第1の信号は、前記第12の端子から出力され、
前記第2の信号は、前記第15の端子から出力される、
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電流出力回路。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電流出力回路と、
前記電流出力回路の前記出力ノード及び第4の電源間に接続される発光素子と、
を具備する光送信器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016005092A JP6046288B1 (ja) | 2016-01-14 | 2016-01-14 | 電流出力回路及び光送信器 |
US15/066,489 US9749059B2 (en) | 2016-01-14 | 2016-03-10 | Current outputting circuit and optical transmitter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016005092A JP6046288B1 (ja) | 2016-01-14 | 2016-01-14 | 電流出力回路及び光送信器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6046288B1 JP6046288B1 (ja) | 2016-12-14 |
JP2017126658A true JP2017126658A (ja) | 2017-07-20 |
Family
ID=57543969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016005092A Active JP6046288B1 (ja) | 2016-01-14 | 2016-01-14 | 電流出力回路及び光送信器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9749059B2 (ja) |
JP (1) | JP6046288B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019165131A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 日本電信電話株式会社 | Dmlドライバ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3208897B1 (en) | 2014-10-15 | 2019-05-15 | Fujikura, Ltd. | Optical transmitter, active optical cable, and optical transmission method |
CN109417272B (zh) * | 2018-09-20 | 2020-10-09 | 索尔思光电(成都)有限公司 | 用于光发射器的抗阻匹配电路及其制造和使用方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07240554A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
JPH07302943A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-11-14 | Toshiba Corp | 駆動回路 |
JP3423115B2 (ja) * | 1995-07-18 | 2003-07-07 | 富士通株式会社 | 光信号送信装置 |
JP3368738B2 (ja) * | 1996-01-17 | 2003-01-20 | 三菱電機株式会社 | 光送信器 |
JP3668612B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2005-07-06 | 株式会社東芝 | 光半導体素子駆動回路及び光送受信モジュール |
DE10065838C2 (de) * | 2000-12-29 | 2003-06-26 | Infineon Technologies Ag | Elektronische Treiberschaltung für einen direkt modulierten Halbleiterlaser |
TW550977B (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-01 | Ind Tech Res Inst | Control circuit for driving light emitting device |
US6792019B2 (en) * | 2002-02-28 | 2004-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Driver with tail currents in discrete subranges |
ATE340425T1 (de) * | 2003-02-05 | 2006-10-15 | Cit Alcatel | Ansteuerschaltung und verfahren zum betreiben eines halbleiterlasers |
JP4959617B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2012-06-27 | 日本オプネクスト株式会社 | 光送信回路 |
US8009709B2 (en) * | 2008-04-25 | 2011-08-30 | Jds Uniphase Corporation | DC coupled driver with active termination |
JP5071248B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2012-11-14 | 住友電気工業株式会社 | レーザダイオード駆動回路 |
US8948607B2 (en) * | 2008-10-09 | 2015-02-03 | Finisar Corporation | Active linear amplifier inside transmitter module |
US8358080B2 (en) * | 2010-01-29 | 2013-01-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting element driving circuit |
CN103348544B (zh) * | 2011-02-07 | 2015-02-11 | 三菱电机株式会社 | 激光二极管驱动电路 |
JP2013106010A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Fujitsu Ltd | 駆動回路および光送信装置 |
JP2013183147A (ja) | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Hitachi Ltd | レーザーダイオード駆動装置および駆動方法、並びにそれを用いた光伝送システム |
JP2013251375A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Toshiba Corp | 光送信回路及び光送受信回路モジュール |
US9153936B2 (en) * | 2013-06-20 | 2015-10-06 | Fujitsu Limited | Power-efficient high-speed driver for a vertical-cavity surface-emitting laser |
-
2016
- 2016-01-14 JP JP2016005092A patent/JP6046288B1/ja active Active
- 2016-03-10 US US15/066,489 patent/US9749059B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019165131A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 日本電信電話株式会社 | Dmlドライバ |
US11462883B2 (en) | 2018-03-20 | 2022-10-04 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | DML driver |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170207857A1 (en) | 2017-07-20 |
JP6046288B1 (ja) | 2016-12-14 |
US9749059B2 (en) | 2017-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI391721B (zh) | 可為光源控制偏壓電流之系統 | |
EP2111709A2 (en) | Differential receiver with common-gate input stage | |
JP6405681B2 (ja) | 垂直キャビティ面発光レーザー用の電力効率の優れた高速ドライバ | |
JP6046288B1 (ja) | 電流出力回路及び光送信器 | |
JP5762943B2 (ja) | 光送受信回路装置及び受信回路 | |
US9559655B2 (en) | Amplification circuit | |
Bae et al. | Design of silicon photonic interconnect ICs in 65-nm CMOS technology | |
US20130322886A1 (en) | Optical transmission circuit and optical transmission/reception circuit module | |
JP2015076581A (ja) | 光送信回路、光送信装置、および、光伝送システム | |
JP4886725B2 (ja) | トランスインピーダンスアンプ回路 | |
US9729249B2 (en) | Amplification circuit | |
Kim et al. | 12.5-Gb/s analog front-end of an optical transceiver in 0.13-μm CMOS | |
ITVA20010048A1 (it) | Circuito analogico d'ingresso con compatibilita' di modo comune versoentrambi i nodi di alimentazione | |
Hong et al. | A 10-meter active optical cable utilizing POF with 4× 10-Gb/s CMOS transceiver chipsets | |
Chen et al. | Design of low-power short-distance opto-electronic transceiver front-ends with scalable supply voltages and frequencies | |
US9148129B2 (en) | Driver circuit with asymmetric boost | |
US20150381172A1 (en) | Driver circuit | |
Li et al. | An improved push-pull driver using 0.13 μm CMOS | |
KR20200121532A (ko) | 구동 회로 및 이를 포함하는 광 송신기 | |
US9018984B2 (en) | Driver for high speed electrical-optical modulator interface | |
US8942276B2 (en) | Transmission apparatus | |
JP2005217468A (ja) | 光電流・電圧変換回路 | |
JP3243899B2 (ja) | 光信号の復調方法 | |
Quadir | Research and design of high-speed advanced analogue front-ends for fibre-optic transmission systems | |
Sundstrom et al. | Receiver Logic and Drive Circuitry |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161116 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6046288 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |