JP2017126544A - 無アーク電流開閉装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
半導体スイッチのゲート電圧に十分高いゲート飽和電圧を与えてオン抵抗を最小にするために、絶縁した電源を付加してゲートをオンし、b接点のオンでゲート電圧をゼロ近くにする。図2は、本発明に係る直流電源の開閉スイッチの第1実施形態を示す回路図である。
図7は、本発明に係る直流電源の開閉スイッチの第2実施形態を示す回路図である。
図7はb接点のオンで半導体スイッチをオフする際に、b接点を直接には使わず、光結合スイッチなどの組み合わせで間接的にゲート電圧をオフ状態にする。
図8は、本発明に係る直流電源の開閉器の第3実施形態を示す回路図である。MOSFET、特にSiCのMOSFETはの電流遮断のスピードが必要以上に速いため、再起電圧の高速な上昇を抑制する為に、絶縁ゲートを持つ半導体スイッチの特性を使って、ミラー積分回路を付加して、3V/μS程度に制限して低ノイズ化を図っている。
特許文献2の特許願2015−199768「再起電圧制御装置」によれば、再起電圧Vrは、ドレイン‐ゲート間のコンデンサをC、ゲート‐ソース間の抵抗をRとすれば、ミラー積分理論から、Cに流れる電流で閾値電圧Vthが維持されると考えられるので、
Vr=Vth*Time/RC
である。Vth=3V, R=100Ω、C=0.01μFであれば、再起電圧は1マイクロ秒で3Vの上昇、3V/μSである。
図9は直流電流開閉の過渡状態をシミュレーションするためのシミュレーション回路図を示す。図10はシミュレーションの結果の電流、電圧波形を示す。(a)は接点とMOSFETの電流波形、バリスタの電流波形である。(b)は接点極間電圧で電源電圧100Vが遮断後インダクタンスのために300Vまで上昇、最後はバリスタによってカットされている。(c)はゲート電圧、(d)はMOSFETの電圧と電流を掛けたパワーを積分した損失をジュールで表している。逆電流阻止ダイオードを入れたことでゲート電圧が1.2V、上がった結果、損失が3分の1になっている。
図11は、図10の時間軸を拡大した図である。接点間電圧では、300Vまで300μSで上昇するのが見える。
図12は、本発明に係る直流電源の開閉スイッチの第4実施形態を示す回路図である。
ゲートに抵抗Rを介してドレイン電圧を印加してMOSFETをオン状態にする構成では、オン電圧は閾値電圧であるVthまでしか下がらない。オン電圧をさらに下げるには、ゲートにより高い電圧を与える必要がある。そこで、金属接点のa接点とMOSFETのドレインの間に、ダイオードを順方向に入れ、ダイオード順方向電圧を加えて抵抗Rを介してゲートに電圧を与えると、ダイオードの電圧が加わった分、MOSFETのオン電圧が下がる。実験によると、MOSFETに5Aの電流が流して、ダイオードを含めた極間電圧は4.2Vに上がったがオン電圧を測ると閾値3Vより低い1Vにさがる。ドレインにダイオードの順方向電圧1.2Vも加えて、極間電圧は1.2V上がるが、無アークの条件である10V以下であるならば良いので、MOSFETのオン電圧が3Vから1Vに下がったことで、半導体の損失が3分の1になる。また、ダイオードを入れることによって、逆電流阻止にすることができる。これは負荷側に電圧が残っている負荷の場合、遮断後に電流が逆流する可能性を除くために、必要がある。一般にMOSFETのゲート電極はソースに対して+/−15V程度以上の電圧が発生しないようにダイオードでクランプしてあるので逆電圧は問題ない。また、ダイオードの順方向電圧の代わりに1Ω以下の低い抵抗を挿入して電流による抵抗ドロップ電圧でも、半導体のオン電圧を下げる効果がある。
交流用の開閉器も多頻度開閉を行うと、アークによる電極消耗が開閉器の寿命となる。アークを最小限にするか、無アークで遮断するのが望ましい。3相交流の電流瞬断は3相同時に遮断するように、連動する1つのb接点のオン信号で三相の3つの半導体スイッチを同時にオフする。
図14は金属接点を連続通電する主接点S1とするとその両極にダイオードブリッジを接続し、ダイオードブリッジの直流出力プラスにMOSFETのドレインを、出力マイナスをMOSFETのソースを接続する。MOSFETのゲートは、1つ目は例えば22Ωの低抵抗Rで補助接点または連動する接点のb接点に接続する。MOSFETのゲートは、2つ目は例えば100kΩの高抵抗R1を介してMOSFETのドレインに、同じく、R1には並列にコンデンサ、例えばここでは0.1μFであるが、を並列に接続してある。MOSFETのゲートの3つ目は、例えば500kΩの高抵抗R2を介してドレインに接続してある。抵抗RとコンデンサCが連動接点Sbのb接点のオンで、半導体はオフされるがその再起電圧を緩やかに上昇させる。ダイオードブリッジを介して主接点に並列接続されているので、交流電流、方向の変化する直流にも対応できる。
三相交流用半導体スイッチとして、従来はトライアック3つで構成される簡単な半導体スイッチでは、トライアックの性質上、電流ゼロ点で遮断する。その場合、最初の1相の電流ゼロ点で遮断された後、残り2相は単相状態になって、電流ゼロになった時点で同時に遮断される。すなわち、2相を遮断しているにすぎないので負荷の中性点電位の急峻な過電圧など過渡現象が生じる。ここで目指すのは半導体スイッチによる3相同時遮断である。
図16は、請求項7の実施例で本発明に係る直流用、無アーク低ノイズ開閉器の手法をトライアックに代えて交流用の無アーク低ノイズ開閉器に応用したものである。交流の金属接点の開閉であっても、無アークで遮断出来れば接点の寿命が延び、アークが消滅時の裁断サージの発生を防止することができる。本実施例ではa接点とb接点がともにオフの遷移状態の場合、トライアックのゲートにはCとRを介してトリガーに必要な電流が供給されるように、本実施例では、Cは0.1μF、Rは100Ωを選択している。b接点がオンになるとゲート電流はゼロになるのでトライアックは電流ゼロになるとオフになる。電流ゼロ点でオフになると再起電圧が急峻に発生するが、その電圧上昇率をb接点がオンすることでCとRの直列回路がサージ・アブソーバとなって作用し、ノイズの発生を防ぐことができる。
単に抵抗だけでもトライアックをオンすることはできるが、しかし、オフ時のリーク電流を増やすのみで、サージ発生を抑える効果はないが、CとRのサージ・アブソーバを使ってゲートをオンすることで、無アークでノイズの発生を抑えた開閉が実現できる。
2 半導体スイッチ(MOSFET、IGBTなど絶縁ゲートのスイッチ)
3 直流電力系
4 バリスタ
5 C:コンデンサ
6 R:抵抗
7 Rg:ゲート抵抗
8 逆電流阻止ダイオード
9 ダイオードブリッジ
10 トライアック
11 安全スイッチ
Claims (8)
- 直流電流を開閉するための開閉器であって、無アークで遮断を可能にするために、該開閉器は、
単極双投の金属接点開閉器のコモン電極とノルマルオープンのa接点を連続通電用の主接点として、そのa接点とコモン電極には、それぞれMOSFETのドレインとソースを接続し、ゲートはノルマルクローズのb接点にゲート抵抗Rgを介して接続して、MOSFETのゲートには別途用意した絶縁された電源から電圧を与えられてMOSFETはオン状態になっているが、b接点がオンになるとゲート電圧が減少するのでMOSFETがオフになる。主接点極間の電圧はアーク発生に必要な電圧、約10V以下であるので、無アークで接点電流がMOSFETに転流し、バウンス時間後にb接点がオンになると、ゲート抵抗のミラー積分効果でソフトにオフ状態になることを特徴とする直流電流の無アーク開閉装置。 - 直流電流を開閉するための開閉器であって、電流を無アークで、ソフトに遮断するために、該開閉器は、MOSFETのゲートを飽和領域で導通する状態にするために絶縁した電圧源を用いるが、その絶縁電源として、太陽電池、絶縁DC電源、2次電池、長寿命の電池を用いた請求項1に記載の無アーク電流開閉器。
- 前記MOSFETが絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(以下「IGBT」という)であって、前記ベースが前記IGBTのゲートであることを特徴とする請求項1、及び2に記載の無アーク電流開閉器。
- 前記主接点のb接点または、連動する補助スイッチのb接点のオンのタイミングで半導体スイッチをオフ状態にするが、b接点を直接には使わず、光結合スイッチなどの組み合わせで直列接続された複数のMOSFETのゲート電圧を同時にオフにする無アーク電流開閉器。
- 金属接点の連続通電する主接点S1とその両極にダイオードブリッジを接続し、ダイオードブリッジの直流出力プラスにMOSFETのドレインを、出力マイナスをMOSFETのソースを接続する。MOSFETのゲートは、1つ目は低抵抗Rで、主接点S1の補助接点または連動するノルマルクローズのb接点に接続する。MOSFETのゲートは、2つ目は高抵抗R1を介してMOSFETのドレインに、同じく、R1には並列にコンデンサを並列に接続してある。MOSFETのゲートの3つ目は、高抵抗R2を介してドレインに接続してある。抵抗RとコンデンサCが連動接点Sbのb接点のオンで、半導体はオフされるがその再起電圧はCとRのミラー積分効果で緩やかに変化させ、交流電流、方向の変化する直流にも対応できる無アークで開閉し、再起電圧の上昇率が制御された交流または直流開閉器
- 開閉器の信頼性を上げるために、機械接点の安全スイッチが半導体スイッチ回路部に直列に接続されて、この安全スイッチがオフされると半導体スイッチ回路部が主回路から切り離されるが、安全スイッチは主回路の投入の前のタイミングでオンされ、主回路の遮断動作の完了後に速やかにオフされることで、半導体スイッチ回路をノイズなどで誤導通させない請求項1から6のいずれかに記載の開閉器。
- 交流電力系専用のトライアックを用いた無アークで低ノイズの開閉器は、単極双投スイッチの金属接点のa接点とコモン電極を通電接点とし、そのa接点とコモン電極にそれぞれトライアックのアノードとカソードを接続、さらにコンデンサCと抵抗Rの直列回路をa接点と他方をb接点に接続し、さらにb接点はトライアックのゲート保護抵抗を介してゲートに接続することで、無アークで遮断し、コンデンサCと抵抗Rが電流遮断時のサーブアブソーバとしても働く交流用開閉器。
- 前記、無アーク低ノイズの開閉スイッチはスイッチ固有のアドレス番号を持ち、そのアドレスに対して、外部からの通信手段によってオン/オフ制御を行い、さらにオン/オフの状態を通信手段により送出することを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の電流開閉器。
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