JP2000036238A - スイッチ回路 - Google Patents
スイッチ回路Info
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- JP2000036238A JP2000036238A JP11107046A JP10704699A JP2000036238A JP 2000036238 A JP2000036238 A JP 2000036238A JP 11107046 A JP11107046 A JP 11107046A JP 10704699 A JP10704699 A JP 10704699A JP 2000036238 A JP2000036238 A JP 2000036238A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】スイッチ開閉時に接点のチャタリングと火花放
電が無く、高性能で高効率・低コストな電力用負荷開閉
スイッチに関する。 【解決手段】半導体交流スイッチＳ２と電磁スイッチＲ
ｙの接点を並列接続し、ＲｙとＳ２の並列接続回路と負
荷Ｌの直列回路の両端に負荷電源Ｅを接続し、スイッチ
駆動用制御電源Ｖｃを電磁コイルＲｙとオフディレイの
遅延回路１の入力側に接続し、遅延回路１の出力を半導
体交流スイッチＳ２のゲートに接続して成る。又、双方
向サイリスタＳ２の両端に有接点スイッチＲｙの一つの
接点Ｒｙ−１の両端を並列に接続し、Ｒｙ−１とＳ２の
並列接続回路と負荷Ｌとの直列回路の両端に負荷電源Ｅ
を接続し、制御スイッチＳ１の閉動作完了後に有接点ス
イッチＲｙが閉動作する回路構成とし、制御スイッチＳ
１を双方向サイリスタＳ２のゲートに接続し、制御スイ
ツチＳ１の両端に接点Ｒｙ−２を並列に接続して成る。
電が無く、高性能で高効率・低コストな電力用負荷開閉
スイッチに関する。 【解決手段】半導体交流スイッチＳ２と電磁スイッチＲ
ｙの接点を並列接続し、ＲｙとＳ２の並列接続回路と負
荷Ｌの直列回路の両端に負荷電源Ｅを接続し、スイッチ
駆動用制御電源Ｖｃを電磁コイルＲｙとオフディレイの
遅延回路１の入力側に接続し、遅延回路１の出力を半導
体交流スイッチＳ２のゲートに接続して成る。又、双方
向サイリスタＳ２の両端に有接点スイッチＲｙの一つの
接点Ｒｙ−１の両端を並列に接続し、Ｒｙ−１とＳ２の
並列接続回路と負荷Ｌとの直列回路の両端に負荷電源Ｅ
を接続し、制御スイッチＳ１の閉動作完了後に有接点ス
イッチＲｙが閉動作する回路構成とし、制御スイッチＳ
１を双方向サイリスタＳ２のゲートに接続し、制御スイ
ツチＳ１の両端に接点Ｒｙ−２を並列に接続して成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高効率低コストの電気
的にクリーンな電力用開閉スイッチに関する。
的にクリーンな電力用開閉スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体式の無接点スイッチ（以下半導体
スイッチと略称する）は、スイッチングスピードが速
く、スイッチの開閉時のチャタリングが無く、長寿命で
あるのが主な長所であるが、閉状態のスイッチ本体の発
熱が大きな問題となり、その放熱対策が大変である。一
方、例えば電磁開閉器のような機械式有接点スイッチ
（以下電磁スイッチと略称する）は、接点の接触抵抗が
小さいので閉状態の発熱が少なく熱にも強いのが主な長
所であるが、スイッチングスピードが遅く、スイッチの
開閉時に接点のチャタリングがあり、開閉時の接点間の
火花放電などのため短寿命であり、その開閉動作によっ
て電気系統にサージ電圧やパルス電流が発生し各種電子
・電気機器の誤動作や破損の原因になったりしている。
スイッチと略称する）は、スイッチングスピードが速
く、スイッチの開閉時のチャタリングが無く、長寿命で
あるのが主な長所であるが、閉状態のスイッチ本体の発
熱が大きな問題となり、その放熱対策が大変である。一
方、例えば電磁開閉器のような機械式有接点スイッチ
（以下電磁スイッチと略称する）は、接点の接触抵抗が
小さいので閉状態の発熱が少なく熱にも強いのが主な長
所であるが、スイッチングスピードが遅く、スイッチの
開閉時に接点のチャタリングがあり、開閉時の接点間の
火花放電などのため短寿命であり、その開閉動作によっ
て電気系統にサージ電圧やパルス電流が発生し各種電子
・電気機器の誤動作や破損の原因になったりしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は半導
体スイッチの短所と電磁スイッチの短所を無くし、スイ
ッチの開閉時にチャタリングと火花放電が無く、発熱の
少ない高性能低コストの電力用スイッチを提供しより多
方面に経済的効果をもたらすことを目的とする。
体スイッチの短所と電磁スイッチの短所を無くし、スイ
ッチの開閉時にチャタリングと火花放電が無く、発熱の
少ない高性能低コストの電力用スイッチを提供しより多
方面に経済的効果をもたらすことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１に記載
の第１発明）のスイッチ回路は、半導体スイッチと電磁
スイッチを並列接続し、スイッチの閉動作のときは半導
体スイッチと電磁スイッチを同時に駆動し、スイッチの
開動作のときは電磁スイッチが先に開動作し遅れて半導
体スイッチが開動作するように駆動する。スイッチの閉
動作のとき半導体スイッチの動作が速いので電磁スイッ
チよりも速く閉状態になり、常に半導体スイッチが閉の
間に電磁スイッチが開閉動作する。従って、開閉時の電
磁スイッチにチャタリングと火花放電が無く、定常運転
状態（スイッチが閉の状態）では、電磁スイッチの接触
抵抗が小さいため発熱が少ない。
の第１発明）のスイッチ回路は、半導体スイッチと電磁
スイッチを並列接続し、スイッチの閉動作のときは半導
体スイッチと電磁スイッチを同時に駆動し、スイッチの
開動作のときは電磁スイッチが先に開動作し遅れて半導
体スイッチが開動作するように駆動する。スイッチの閉
動作のとき半導体スイッチの動作が速いので電磁スイッ
チよりも速く閉状態になり、常に半導体スイッチが閉の
間に電磁スイッチが開閉動作する。従って、開閉時の電
磁スイッチにチャタリングと火花放電が無く、定常運転
状態（スイッチが閉の状態）では、電磁スイッチの接触
抵抗が小さいため発熱が少ない。
【０００５】本発明（請求項２に記載の第２発明）のス
イッチ回路は、双方向サイリスタと電磁スイッチの一方
の接点を並列接続し、スイッチの閉動作のときは制御ス
イッチによって双方向サイリスタが先に閉動作し制御ス
イッチの動作した後に電磁スイッチを駆動し、スイッチ
の開動作のときは電磁スイッチが開動作した後に、電磁
スイッチの他の接点を使って双方向サイリスタが開動作
するように駆動する。従って、第１発明と同様の効果が
得られる。
イッチ回路は、双方向サイリスタと電磁スイッチの一方
の接点を並列接続し、スイッチの閉動作のときは制御ス
イッチによって双方向サイリスタが先に閉動作し制御ス
イッチの動作した後に電磁スイッチを駆動し、スイッチ
の開動作のときは電磁スイッチが開動作した後に、電磁
スイッチの他の接点を使って双方向サイリスタが開動作
するように駆動する。従って、第１発明と同様の効果が
得られる。
【０００６】
【作用】上記構成より成る第１発明のスイッチ回路は、
図１−（ａ）のタイムチャートに示すようにスイッチ駆
動用制御電圧ＶｃがハイレベルＨｉになったときに半導
体スイッチが閉になり電磁スイッチの閉動作時間ｔ１だ
け遅れて電磁スイッチが閉状態になる。また、制御電圧
ＶｃがローレベルＬｏになったときに電磁スイッチが開
になり電磁スイッチの開動作時間以上（ｔ２）の遅れで
半導体スイッチが開状態になる。
図１−（ａ）のタイムチャートに示すようにスイッチ駆
動用制御電圧ＶｃがハイレベルＨｉになったときに半導
体スイッチが閉になり電磁スイッチの閉動作時間ｔ１だ
け遅れて電磁スイッチが閉状態になる。また、制御電圧
ＶｃがローレベルＬｏになったときに電磁スイッチが開
になり電磁スイッチの開動作時間以上（ｔ２）の遅れで
半導体スイッチが開状態になる。
【０００７】上記構成より成る第２発明のスイッチ回路
は、図１−（ａ）のタイムチャートに示すようにスイッ
チ駆動用制御電圧ＶｃがハイレベルＨｉになったとき又
は制御スイッチが閉状態になったとき双方向サイリスタ
スイッチが閉になり電磁スイッチの閉動作時間ｔ１だけ
遅れて電磁スイッチが閉状態になる。また、制御電圧Ｖ
ｃがローレベルＬｏになったとき又は制御スイッチが開
状態になったとき電磁スイッチが先に開になり負荷電流
の零付近で双方向サイリスタスイッチが開状態になる。
は、図１−（ａ）のタイムチャートに示すようにスイッ
チ駆動用制御電圧ＶｃがハイレベルＨｉになったとき又
は制御スイッチが閉状態になったとき双方向サイリスタ
スイッチが閉になり電磁スイッチの閉動作時間ｔ１だけ
遅れて電磁スイッチが閉状態になる。また、制御電圧Ｖ
ｃがローレベルＬｏになったとき又は制御スイッチが開
状態になったとき電磁スイッチが先に開になり負荷電流
の零付近で双方向サイリスタスイッチが開状態になる。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例について、図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【０００９】（第１実施例）第１実施例のスイッチ回路
は、第１発明の実施例であり、図１−（ｂ）に示すよう
に、パワーＭＯＳＦＥＴから成る半導体交流スイッチＳ
２と電磁スイッチＲｙの接点を並列接続し、ＲｙとＳ２
の並列接続回路と負荷Ｌの直列回路の両端に負荷電源Ｅ
を接続し、スイッチ駆動用制御電源Ｖｃを電磁コイルＲ
ｙとオフディレイの遅延回路１の入力側に接続し、遅延
回路１の出力を半導体交流スイッチＳ２のゲートに接続
する。
は、第１発明の実施例であり、図１−（ｂ）に示すよう
に、パワーＭＯＳＦＥＴから成る半導体交流スイッチＳ
２と電磁スイッチＲｙの接点を並列接続し、ＲｙとＳ２
の並列接続回路と負荷Ｌの直列回路の両端に負荷電源Ｅ
を接続し、スイッチ駆動用制御電源Ｖｃを電磁コイルＲ
ｙとオフディレイの遅延回路１の入力側に接続し、遅延
回路１の出力を半導体交流スイッチＳ２のゲートに接続
する。
【００１０】図１−（ｂ）において、制御電圧Ｖｃがハ
イレベルになると電磁コイルＲｙと半導体スイッチＳ２
のゲートは同時に駆動されるが、半導体スイッチの動作
スピードが電磁スイッチの動作スピードより速いので半
導体スイッチが先に閉状態になり、制御電圧Ｖｃがロー
レベルになったときは電磁コイルＲｙの励磁が先に解除
され半導体スイッチは遅延回路１のオフディレイによっ
てｔ２の時間だけ遅れて駆動が解除されるので電磁スイ
ッチが先に開状態になる。従って、電磁スイッチの開閉
動作は常に、半導体スイッチが閉の状態で行われるので
電磁スイッチの開閉動作時の過渡現象が非常に小さくな
る。ここで、制御電圧Ｖｃのハイレベルとは電磁コイル
Ｒｙの励磁に必要な電圧の大きさでありローレベルとは
電磁コイルＲｙの励磁の解除に必要な電圧の大きさであ
る。ｔ２は遅延回路１のコンデンサＣの大きさに比例す
る。抵抗Ｒを取り除いても同様の効果が得られる。同図
において、電磁スイッチＲｙを２極以上の手動スイッチ
とした図３−（ｂ）の構成でも同様の効果が得られる。
同図のコンデンサＣ２と抵抗Ｒ６は接点のチャタリング
防止用であり取り除くこともできる。遅延回路１は図１
−（ｃ）又は図１−（ｄ）に示すように電磁スイッチＲ
ｙのノーマルクローズ接点を利用してより最適なオフデ
ィレイの遅延回路が構成できる。また、半導体交流スイ
ッチＳ２として図２−（ａ）〜（ｆ）に示す各種の交流
スイッチが採用でき、負荷電源Ｅが直流の場合は、半導
体スイッチＳ２は直流タイプが使用でき例えば、図２−
（ｇ）に示すようにＦＥＴ、トランジスタ、ＩＧＢＴ、
ＧＴＯ、サイリスタ等を採用することができる。制御電
圧Ｖｃが交流の場合は、遅延回路１として図１−（ｅ）
の回路を採用することができる。他の例として半導体ス
イッチＳ２が双方向サイリスタ（トライアック）の場合
の実施例を図３−（ａ）に示す。この図において接点Ｒ
ｙ−２は取り除いても同様の効果が得られる。また本発
明全体を通して回路ブロック２として図３−（ｃ）又は
図３−（ｄ）の回路を採用することができる。
イレベルになると電磁コイルＲｙと半導体スイッチＳ２
のゲートは同時に駆動されるが、半導体スイッチの動作
スピードが電磁スイッチの動作スピードより速いので半
導体スイッチが先に閉状態になり、制御電圧Ｖｃがロー
レベルになったときは電磁コイルＲｙの励磁が先に解除
され半導体スイッチは遅延回路１のオフディレイによっ
てｔ２の時間だけ遅れて駆動が解除されるので電磁スイ
ッチが先に開状態になる。従って、電磁スイッチの開閉
動作は常に、半導体スイッチが閉の状態で行われるので
電磁スイッチの開閉動作時の過渡現象が非常に小さくな
る。ここで、制御電圧Ｖｃのハイレベルとは電磁コイル
Ｒｙの励磁に必要な電圧の大きさでありローレベルとは
電磁コイルＲｙの励磁の解除に必要な電圧の大きさであ
る。ｔ２は遅延回路１のコンデンサＣの大きさに比例す
る。抵抗Ｒを取り除いても同様の効果が得られる。同図
において、電磁スイッチＲｙを２極以上の手動スイッチ
とした図３−（ｂ）の構成でも同様の効果が得られる。
同図のコンデンサＣ２と抵抗Ｒ６は接点のチャタリング
防止用であり取り除くこともできる。遅延回路１は図１
−（ｃ）又は図１−（ｄ）に示すように電磁スイッチＲ
ｙのノーマルクローズ接点を利用してより最適なオフデ
ィレイの遅延回路が構成できる。また、半導体交流スイ
ッチＳ２として図２−（ａ）〜（ｆ）に示す各種の交流
スイッチが採用でき、負荷電源Ｅが直流の場合は、半導
体スイッチＳ２は直流タイプが使用でき例えば、図２−
（ｇ）に示すようにＦＥＴ、トランジスタ、ＩＧＢＴ、
ＧＴＯ、サイリスタ等を採用することができる。制御電
圧Ｖｃが交流の場合は、遅延回路１として図１−（ｅ）
の回路を採用することができる。他の例として半導体ス
イッチＳ２が双方向サイリスタ（トライアック）の場合
の実施例を図３−（ａ）に示す。この図において接点Ｒ
ｙ−２は取り除いても同様の効果が得られる。また本発
明全体を通して回路ブロック２として図３−（ｃ）又は
図３−（ｄ）の回路を採用することができる。
【００１１】（第２実施例）第２実施例のスイッチ回路
は、第２発明の実施例であり、図４−（ａ）に示すよう
に、双方向サイリスタＳ２の両端に二つ以上の独立した
接点を備えた機械式有接点スイッチＲｙの一つの接点Ｒ
ｙ−１の両端を並列に接続し、Ｒｙ−１とＳ２の並列接
続回路と負荷Ｌとの直列回路の両端に負荷電源Ｅを接続
し、有接点スイッチＲｙと双方向サイリスタＳ２を駆動
するための制御スイッチＳ１の閉動作完了後に有接点ス
イッチＲｙが閉動作する回路構成とし、制御スイッチＳ
１を双方向サイリスタＳ２のゲートに接続し、制御スイ
ツチＳ１の両端に有接点スイッチＲｙの他の接点Ｒｙ−
２を並列に接続する。
は、第２発明の実施例であり、図４−（ａ）に示すよう
に、双方向サイリスタＳ２の両端に二つ以上の独立した
接点を備えた機械式有接点スイッチＲｙの一つの接点Ｒ
ｙ−１の両端を並列に接続し、Ｒｙ−１とＳ２の並列接
続回路と負荷Ｌとの直列回路の両端に負荷電源Ｅを接続
し、有接点スイッチＲｙと双方向サイリスタＳ２を駆動
するための制御スイッチＳ１の閉動作完了後に有接点ス
イッチＲｙが閉動作する回路構成とし、制御スイッチＳ
１を双方向サイリスタＳ２のゲートに接続し、制御スイ
ツチＳ１の両端に有接点スイッチＲｙの他の接点Ｒｙ−
２を並列に接続する。
【００１２】図４−（ａ）において、制御スイッチＳ１
が閉状態になったとき双方向サイリスタスイッチＳ２が
先に閉になり電磁スイッチＲｙの閉動作時間ｔ１だけ遅
れて電磁スイッチが閉状態になる。また、制御スイッチ
Ｓ１が開状態になったとき電磁スイッチＲｙが先に開状
態になり続いて負荷電流の零付近で双方向サイリスタス
イッチＳ２が開状態になる。制御スイッチＳ１が電磁ス
イッチの場合は図４−（ｂ）に示すように制御電圧Ｖｃ
によって電磁スイッチＳ３を駆動する。他の実施例とし
て図４−（ｃ）に示すように、制御スイッチＳ１を取り
除きスイッチＲｙのみでも同様の効果が得られる。同図
において、コンデンサＣ２と抵抗Ｒ６はサージ吸収又は
チャタリング防止用であり、不要の場合もある。他の実
施例として図４−（ｄ）に示すように、図４−（ｃ）の
回路にコンデンサＣ１と抵抗Ｒ４から成る微分回路を増
設しても同様の効果が得られる。他の実施例として図５
−（ａ）に示すように、電磁スイッチＲｙとフォトトラ
イアックＳ３の組合せによっても同様の効果が得られ
る。同図において回路ブロック２は図３−（ｃ）又は図
３−（ｄ）の回路と代替できる。他の実施例として図５
−（ｂ）に示すように、電磁スイッチＲｙと半導体スイ
ッチＳ２を別々の制御信号ｘ１、ｘ２によって駆動する
とＣＰＵやパソコンなどのコンピュータソフトによって
図１−（ａ）のタイミング調整が可能である。本発明の
全体を通して、双方向サイリスタＳ２にゼロクロスタイ
プを採用した場合は電源Ｅの電圧零でＯＮ、負荷電流零
でＯＦＦという負荷制御が可能である。また制御電圧の
印加方法は図５−（ｃ）に示すようにトランジスタやＦ
ＥＴやＩＣ回路を通して行っても同様の効果が得られ
る。本発明のスイッチ回路の機械的構造としては図６に
示すような種々の形状や他の装置への組込みが可能であ
る。
が閉状態になったとき双方向サイリスタスイッチＳ２が
先に閉になり電磁スイッチＲｙの閉動作時間ｔ１だけ遅
れて電磁スイッチが閉状態になる。また、制御スイッチ
Ｓ１が開状態になったとき電磁スイッチＲｙが先に開状
態になり続いて負荷電流の零付近で双方向サイリスタス
イッチＳ２が開状態になる。制御スイッチＳ１が電磁ス
イッチの場合は図４−（ｂ）に示すように制御電圧Ｖｃ
によって電磁スイッチＳ３を駆動する。他の実施例とし
て図４−（ｃ）に示すように、制御スイッチＳ１を取り
除きスイッチＲｙのみでも同様の効果が得られる。同図
において、コンデンサＣ２と抵抗Ｒ６はサージ吸収又は
チャタリング防止用であり、不要の場合もある。他の実
施例として図４−（ｄ）に示すように、図４−（ｃ）の
回路にコンデンサＣ１と抵抗Ｒ４から成る微分回路を増
設しても同様の効果が得られる。他の実施例として図５
−（ａ）に示すように、電磁スイッチＲｙとフォトトラ
イアックＳ３の組合せによっても同様の効果が得られ
る。同図において回路ブロック２は図３−（ｃ）又は図
３−（ｄ）の回路と代替できる。他の実施例として図５
−（ｂ）に示すように、電磁スイッチＲｙと半導体スイ
ッチＳ２を別々の制御信号ｘ１、ｘ２によって駆動する
とＣＰＵやパソコンなどのコンピュータソフトによって
図１−（ａ）のタイミング調整が可能である。本発明の
全体を通して、双方向サイリスタＳ２にゼロクロスタイ
プを採用した場合は電源Ｅの電圧零でＯＮ、負荷電流零
でＯＦＦという負荷制御が可能である。また制御電圧の
印加方法は図５−（ｃ）に示すようにトランジスタやＦ
ＥＴやＩＣ回路を通して行っても同様の効果が得られ
る。本発明のスイッチ回路の機械的構造としては図６に
示すような種々の形状や他の装置への組込みが可能であ
る。
【００１３】
【発明の効果】上記作用を奏する第１発明及び第２発明
はいずれの場合も半導体スイッチと機械式スイッチを並
列運転することによって、両者の短所を無くし、スイッ
チ開閉時に接点のチャタリングと火花放電が無く、発熱
が少なくてサージ電圧やパルス電流の発生しない高性能
で低コストの電力用負荷開閉スイッチを提供できる。
はいずれの場合も半導体スイッチと機械式スイッチを並
列運転することによって、両者の短所を無くし、スイッ
チ開閉時に接点のチャタリングと火花放電が無く、発熱
が少なくてサージ電圧やパルス電流の発生しない高性能
で低コストの電力用負荷開閉スイッチを提供できる。
【図１−（ａ）】本発明の動作タイムチャートである。
【図１−（ｂ）】第１発明の第１実施例の全体を示す電
気回路図である。
気回路図である。
【図１−（ｃ）】本発明に関わる遅延回路の他の実施例
を示す電気回路図である。
を示す電気回路図である。
【図２】本発明に関わる各種半導体スイッチの電気回路
図である。
図である。
【図３】第１発明の他の実施例を示す電気回路図であ
る。
る。
【図４】第２発明の第２実施例の全体を示す電気回路図
である。
である。
【図５】本発明の他の実施例を示す電気回路図である。
【図６】本発明の機械的構造の実施例を示す形状図であ
る。
る。
１はオフディレイの遅延回路 Ｒｙは機械式の有接点スイッチ、Ｌは電気負荷 Ｓ１は有接点又は無接点の制御スイッチ Ｓ２は半導体式スイッチ又は無接点スイッチ Ｓ３はフォトトライアック、フォトＭＯＳＦＥＴ等の各
種フォトカプラ、無接点リレーまたは有接点リレー Ｅは交流または直流電源、Ｖｃは機械式接点または無接
点レリーの駆動電源
種フォトカプラ、無接点リレーまたは有接点リレー Ｅは交流または直流電源、Ｖｃは機械式接点または無接
点レリーの駆動電源
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体式の無接点スイッチの両端に機械
式の有接点スイッチの両端を並列に接続し、前記半導体
式無接点スイッチが閉の状態で前記機械式有接点スイッ
チを開閉動作させるために、前記有接点スイッチの例え
ば電磁コイルのような駆動部に駆動電源を接続し、前記
半導体式の無接点スイッチのゲートにはオフディレイの
遅延回路を通して前記駆動電源を接続して成ることを特
徴とするスイッチ回路。 - 【請求項２】 二つ以上の独立した接点を備えた機械式
有接点スイッチの一方の接点の両端に双方向サイリスタ
の両端を並列に接続し、前記有接点スイッチと前記双方
向サイリスタを駆動するための制御スイッチの閉動作完
了後に前記有接点スイッチが閉動作する回路を構成し、
前記制御スイッチを前記双方向サイリスタのゲートに接
続し、前記制御スイツチの両端に前記有接点スイッチの
他方の接点を並列に接続して成ることを特徴とするスイ
ッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11107046A JP2000036238A (ja) | 1998-04-06 | 1999-03-10 | スイッチ回路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-132521 | 1998-04-06 | ||
| JP13252198 | 1998-04-06 | ||
| JP11107046A JP2000036238A (ja) | 1998-04-06 | 1999-03-10 | スイッチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000036238A true JP2000036238A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=26447112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11107046A Pending JP2000036238A (ja) | 1998-04-06 | 1999-03-10 | スイッチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000036238A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003338239A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-11-28 | Lg Industrial Syst Co Ltd | ハイブリッド直流電磁接触器 |
| JP2006050697A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Kyoto Denkiki Kk | 交流電力調整装置 |
| US7057279B2 (en) | 2001-11-26 | 2006-06-06 | Sony Corporation | High-frequency circuit block, its manufacturing method, high-frequency module device, and its manufacturing method |
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-
1999
- 1999-03-10 JP JP11107046A patent/JP2000036238A/ja active Pending
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