JP2017114725A - タンタル酸リチウム単結晶の育成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
坩堝と該坩堝の上端に設置されたドーナツ板形状の貴金属製リフレクターを備え、高周波誘導加熱により融解された坩堝内の原料融液に種結晶を接触させ、かつ、上記種結晶を回転させつつ上方に引き上げることで結晶直径が4インチ以上のタンタル酸リチウム単結晶を育成する方法において、
上記貴金属製リフレクターにおける外周部分の坩堝外周縁からのはみ出し量を、0mm以上2.5mm以下に設定することを特徴とするものであり、
ドーナツ板形状の貴金属製リフレクターの外径と坩堝の外径との関係に言い換えると、
上記リフレクターの外径をa(mm)、坩堝の外径をb(mm)としたとき、
0(mm)≦a−b≦5(mm)の条件を満たすように設定することを特徴とするものである。
リフレクターの外径をa(mm)、坩堝の外径をb(mm)としたとき、
0(mm)≦a−b≦5(mm)の条件を満たすように設定され、
貴金属製リフレクターにおける外周部分の坩堝外周縁からのはみ出し量を無くすか少なくすることで、高周波誘導加熱の特徴の一つであるエッジ効果による「鋭角部」での加熱集中が減少し、貴金属製リフレクターの温度上昇を抑えることが可能となる。
外寸直径(すなわち、外径)175mmφ、内寸高さ170mm、肉厚2.5mmのイリジウム製坩堝3の開放縁上に、内径140mmφ、外径175mmφ、厚さ1.5mmのドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9を取り付け、更に、上記リフレクター9上に、直径147mmφ、高さ150mm(肉厚1mm)の円筒状のイリジウム製アフターヒーター13を取り付けた。
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9の外径を177mmφとした以外は実施例1と同等の条件で単結晶の引き上げを行った。
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9の外径を179mmφとした以外は実施例1と同等の条件で単結晶の引き上げを行った。
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9の外径を180mmφとした以外は実施例1と同等の条件で単結晶の引き上げを行った。
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9の外径を181mmφとした以外は実施例1と同等の条件で単結晶の引き上げを行った。
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9の外径を174mmφとした以外は実施例1と同等の条件で単結晶の引き上げを行った。
(a−b)=174mm−175mm=−1(mm)となる。
上記結果から、実施例1〜4によればクラックのないタンタル酸リチウム単結晶を高い収率で製造することができることが確認される。
2 セラミックス製の坩堝台
3 坩堝
4 アルミナ台
5 断熱材
6 引き上げ軸
7 蓋
8 種結晶
9 リフレクター
10 融液
11 単結晶
12 種結晶保持治具
13 アフターヒーター
Claims (1)
- 坩堝と該坩堝の上端に設置されたドーナツ板形状の貴金属製リフレクターを備え、高周波誘導加熱により融解された坩堝内の原料融液に種結晶を接触させ、かつ、上記種結晶を回転させつつ上方に引き上げることで結晶直径が4インチ以上のタンタル酸リチウム単結晶を育成する方法において、
上記リフレクターの外径をa(mm)、坩堝の外径をb(mm)としたとき、
0(mm)≦a−b≦5(mm)の条件を満たすように設定することを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の製造方法。
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- 2015-12-24 JP JP2015251992A patent/JP6593157B2/ja active Active
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