JP2017096903A - パワー半導体検査用コンタクトプローブ - Google Patents
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Abstract
Description
なお、前記プローブ体2は通常のIC、LSIの集積回路、発光ダイオートなどに使用され、シリコン、ガリウムヒ素、セレンなどの素材よりなる半導体とすることが最適である。
なお、前記電源発生装置4と前記プローブ体2との間は外付け電気ケーブルにより接続してもよいが、この外付け電気ケーブルにはスイッチング機能のあるリレー部材などは介在しないようにする。
前記電子回路基板9が前記プローブ体2に対して、垂直方向に上下動し、前記パワー半導体10に前記プローブ体2が垂直方向より接触することになり、ワイピング状態が生じることはなく、前記電子回路基板9の前記パワー半導体10に接触の線状傷は付かなくなる。
また、耐熱性として100℃以上、好ましくは300℃以上の耐熱性を具備するのがよく、シリコン樹脂およびテフロンは、240℃以上の耐熱性があるので特に好ましい。
2 プローブ体
2a 一側面
2b 他側面
3 プローブホルダ
4 電源発生装置
5 電源
6 外部リード線
7 突起
8 被覆層
9 電子回路基板
10 パワー半導体
Claims (3)
- 電子回路基板のパワー半導体の電気特性を検査するためのコンタクトプローブであって、このコンタクトプローブは電気的作用により導電状態と絶縁状態とに交互に変化するプローブ体よりなり、前記プローブ体は、前記パワー半導体に対向される一側面と、電源発生装置に直結される他側面とを有することを特徴とするパワー半導体検査用コンタクトプローブ。
- 前記パワー半導体に対向する前記プローブ体の前記一側面には、複数の突起を形成したことを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体検査用コンタクトプローブ。
- 前記パワー半導体に対向する前記プローブ体の前記一側面には、耐熱性を有する被覆層を施したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワー半導体検査用コンタクトプローブ。
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