JP2011066049A - 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エッジ露光部EEWは、投光部510、投光部保持ユニット520、基板回転ユニット540、外周端部検出ユニット550および表面検査処理ユニット580を備える。投光部保持ユニット520の各部の動作により投光部510がX方向およびY方向に移動する。投光部510はライトガイドを介して露光用光源より送られる光を基板Wの周縁部に照射する。外周端部検出ユニット550のCCDラインセンサ553の受光量分布に基づいて、エッジサンプリング処理が行われる。表面検査処理ユニット580のCCDラインセンサ583の受光量分布に基づいて、後述の表面検査処理が行われる。
【選択図】図8
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。
図2は、図1の塗布処理部121、塗布現像処理部131および洗浄乾燥処理部161を+Y方向側から見た図である。
図3は、図1の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162を−Y方向側から見た図である。
(4−1)概略構成
図4は、図1の塗布処理部121、搬送部122および熱処理部123を−X方向側から見た図である。図5は、搬送部122,132,163を−Y方向側から見た図である。
次に、搬送機構127について説明する。図6は、搬送機構127を示す斜視図である。
図7は、洗浄乾燥処理ブロック14Aの内部構成を示す図である。なお、図7は、洗浄乾燥処理ブロック14Aを+X方向側から見た図である。
搬送機構142の−Y側には洗浄乾燥処理ユニットSD2が階層的に設けられる。搬送機構141,142の間において、−X側には、載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2が上下に設けられる。
以下、本実施の形態に係る基板処理装置100の各構成要素の動作について説明する。
以下、図1および図5を主に用いてインデクサブロック11の動作を説明する。
以下、図1〜図3および図5を主に用いて第1の処理ブロック12の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構127,128のX方向およびZ方向の移動の説明は省略する。
以下、図1〜図3および図5を主に用いて第2の処理ブロック13の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構137,138のX方向およびZ方向の移動の説明は省略する。
以下、図5および図7を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック14Aおよび搬入搬出ブロック14Bの動作について説明する。
次に、エッジ露光部EEWの詳細について説明する。図8はエッジ露光部EEWの一側面を模式的に示す図であり、図9はエッジ露光部EEWの他の側面を模式的に示す図である。また、図10はエッジ露光部EEWの模式的平面図である。
エッジ露光部EEWにおいて表面状態が正常であると判定された基板Wは、上記のように、エッジ露光部EEWにおけるエッジ露光処理、露光装置15における露光処理、上段熱処理部303および下段熱処理部304におけるPEB処理、ならびに現像処理室31,33における現像処理が順に行われた後、キャリア113に搬送される。
(9−1)
本実施の形態では、エッジ露光部EEWにおいて基板Wの表面状態の検査が行われ、その検査で表面状態が正常でないと判定された基板Wには、その後の処理が施されない。これにより、露光装置15においては、表面状態が正常な基板Wに対してのみ液浸法による露光処理が行われる。
また、本実施の形態では、第1および第2の処理ブロック12,13において、上段の処理部(塗布処理室21,22,32および現像処理室31(図2)、上段搬送室125,135(図5)および上段熱処理部301,303(図3))および下段の処理部(塗布処理室23,24,34および現像処理室33(図2)、下段搬送室126,136(図5)、および下段熱処理部302,304(図3))において複数の基板Wの処理を並行して進めることができる。
また、本実施の形態では、第1および第2の処理ブロック12,13の上段の処理部および下段の処理部が等しい構成を有する。それにより、上段の処理部および下段の処理部の一方において故障等が発生した場合でも、他方の処理部を用いて基板Wの処理を続行することができる。その結果、基板処理装置100の汎用性が向上する。
また、本実施の形態では、洗浄乾燥処理ブロック14Aにおいて、搬送機構141が載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2、洗浄処理部161および載置兼冷却部P−CPの間で基板Wを搬送することができ、搬送機構142が載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2、洗浄処理部162、熱処理部133および載置兼冷却部P−CPの間で基板Wを搬送することができる。
また、本実施の形態では、洗浄乾燥処理ブロック14Aにおいて、露光処理前の基板Wが搬送機構141により搬送され、露光処理後の基板Wが搬送機構142により搬送される。また、搬入搬出ブロック14Bにおいて、露光処理前の基板Wが搬送機構146のハンドH7により搬送され、露光処理後の基板Wが搬送機構146のハンドH8により搬送される。
また、洗浄乾燥処理ブロック14Aにおいて、露光処理前の基板Wは、搬送機構141により載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2から洗浄処理部161を経由して載置兼冷却部P−CP搬送され、露光処理後の基板Wは、搬送機構142により基板載置部PASS9から洗浄乾燥処理部162を経由して上段熱処理部303または下段熱処理部304に搬送される。また、搬入搬出ブロック14Bにおいて、露光処理前の基板Wは、搬送機構146のハンドH7により載置兼冷却部P−CPから露光装置15に搬送され、露光処理後の基板Wは搬送機構146のハンドH8により露光装置15から基板載置部PASS9に搬送される。
また、露光処理前の基板Wの搬送経路と露光処理後の基板Wの搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板Wを円滑に第2の処理ブロック13の熱処理ユニットPHPに搬送することができる。
また、搬送機構137,141,142が載置兼バッファ部P−BF1に対して基板Wの搬入および搬出を行うことが可能であり、搬送機構138,141,142が載置兼バッファ部P−BF2に対して基板Wの搬入および搬出を行うことが可能である。これにより、露光処理前後における種々のタイミングで基板Wを載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2に収容することができる。その結果、搬送機構137,138,141,142による基板Wの搬送タイミングを容易に調整することができる。
また、洗浄乾燥処理ユニットSD1において、露光処理前の基板Wの洗浄処理が行われることにより、基板W上のレジストカバー膜の成分の一部が溶出し、洗い流される。そのため、露光装置15において基板Wが液体と接触しても、基板W上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Wに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置15内の汚染が防止される。
また、洗浄/乾燥処理ユニットSD1において、洗浄処理後の基板Wに乾燥処理が行われることにより、洗浄処理時に基板Wに付着した液体が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置15内の汚染を確実に防止することができる。
また、洗浄/乾燥処理ユニットSD2において、露光処理後の基板Wの乾燥処理が行われることにより、露光処理時に基板Wに付着した液体が、基板処理装置500内に落下することが防止される。また、露光処理後の基板Wの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Wの汚染を防止することができる。
また、露光処理時に基板Wに付着した液体が搬送機構115,127,128,137,138,141,142に付着することが防止される。そのため、露光処理前の基板Wに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Wの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置15内の汚染を防止することができる。
(10−1)
上記実施の形態では、不良基板Wが載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2に載置された後、不良基板Wがエッジ露光部EEWから取り出されてから基板載置部PASS6,PASS8に搬送されるまでの時間と、正常基板Wがエッジ露光部EEWから取り出されてから基板載置部PASS6,PASS8にされるまでの時間とが等しくなるタイミングで、不良基板Wが載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2から取り出され、キャリア113に戻される。
上記実施の形態では、エッジ露光部EEWにおいて不良基板Wが発生した場合でも、各処理部における基板Wの処理が継続して行われるが、これに限らない。
上記実施の形態では、塗布処理室32,34において、塗布処理ユニット129により基板W上にレジストカバー膜が形成されるが、塗布処理室21,23において、耐水性を有するレジスト膜が形成される場合には、塗布処理室32,34において、レジストカバー膜が形成されなくてもよい。
上記実施の形態では、エッジ露光部EEWにおいて、表面状態が正常でないと判定され、さらにユーザによりその後の処理を継続すべきでないと判定された基板Wには、エッジ露光処理が施されないが、これに限らない。このような基板Wに対してもエッジ露光処理が施されてもよい。その場合、エッジ露光処理後、その基板Wに対して上記のリジェクト処理が行われる。
(11−1)
上記実施の形態では、エッジ露光部EEWが第2の処理ブロック13に設けられるが、エッジ露光部EEWがインターフェイスブロック14に設けられてもよい。
上記実施の形態では、液浸法により基板Wの露光処理を行う露光装置15が基板処理装置100の外部装置として用いられるが、これに限らず、液体を用いずに基板Wの露光処置を行う露光装置が基板処理装置100の外部装置として用いられてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
13 第2の処理ブロック
14 インターフェイスブロック
14A 洗浄乾燥処理ブロック
14B 搬入搬出ブロック
15 露光装置
100 基板処理装置
114 制御部
127,128,137,138,141,142,146 搬送機構
129 塗布処理ユニット
139 現像処理ユニット
161,162 洗浄乾燥処理部
540 基板回転ユニット
550 外周端部検出ユニット
580 表面検査処理ユニット
510 投光部
1000 基板処理システム
EEW エッジ露光部
P−BF1,P−BF2 載置兼バッファ部
SD1,SD2 洗浄乾燥処理ユニット
W 基板
Claims (12)
- 基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
前記露光装置による露光処理前に、基板上に感光性膜を形成する膜形成ユニットと、
前記露光装置による露光処理後に、基板上の感光性膜に現像処理を行う現像ユニットと、
前記膜形成ユニットによる感光性膜の形成後で前記露光装置による露光処理前に、基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理を行う検査周辺露光ユニットと、
前記膜形成ユニット、前記現像ユニット、前記検査周辺露光ユニットおよび前記露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記検査周辺露光ユニットにおける基板の表面状態の検査結果に基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定し、正常であると判定された基板を前記露光装置に搬送し、正常でないと判定された基板を前記露光装置に搬送しないように前記搬送装置を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記制御部により正常でないと判定された基板を収容する収容部をさらに備えることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 収容容器が載置される容器載置部をさらに備え、
前記制御部は、前記収容容器から基板を順に取り出すように前記搬送装置を制御するとともに、前記露光装置による露光処理および前記現像ユニットによる現像処理が行われた基板および前記収容部に収容された基板を取り出しの順序と同じ順序で前記収容容器に収容するように前記搬送装置を制御することを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。 - 処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間に配置され、前記露光装置に対して基板を搬入および搬出する受け渡し部とをさらに備え、
前記膜形成ユニットおよび前記現像ユニットは前記処理部に設けられ、
前記検査周辺露光ユニットは前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方に設けられ、
前記搬送装置は、
前記処理部において基板を搬送する処理部用搬送機構と、
前記受け渡し部において基板を搬送する受け渡し部用搬送機構とを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記処理部は、第1の階層および第2の階層を含み、
前記膜形成ユニットは、前記第1の階層に設けられる第1の膜形成ユニットと、前記第2の階層に設けられる第2の膜形成ユニットとを含み、
前記現像ユニットは、前記第1の階層に設けられる第1の現像ユニットと、前記第2の階層に設けられる第2の現像ユニットとを含み、
前記検査周辺露光ユニットは、前記第1の階層に設けられる第1の検査周辺露光ユニットと、前記第2の階層に設けられる第2の検査周辺露光ユニットとを含み、
前記処理部用搬送機構は、
前記第1の階層に設けられ、前記第1の階層において基板を搬送する第1の搬送機構と、
前記第2の階層に設けられ、前記第2の階層において基板を搬送する第2の搬送機構とを含むことを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記第1の検査周辺露光ユニットにおける基板の表面状態の検査結果に基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定し、正常であると判定された基板を前記受け渡し部に搬送するように前記第1の搬送機構を制御し、正常でないと判定された基板を前記受け渡し部に搬送しないように前記第1の搬送機構を制御し、
前記第2の検査周辺露光ユニットにおける基板の表面状態の検査結果に基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定し、正常であると判定された基板を前記受け渡し部に搬送するように前記第2の搬送機構を制御し、正常でないと判定された基板を前記受け渡し部に搬送しないように前記第2の搬送機構を制御することを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。 - 前記検査周辺露光ユニットは、
基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、
前記基板保持回転機構により回転される基板の外周端部の位置を検出する外周端部検出部と、
前記基板保持回転機構により回転される基板の表面状態を検出する表面状態検出部と、
前記外周端部検出部により検出された外周端部の位置に基づいて前記基板保持回転機構により回転される基板の周縁部に露光用の光を照射する露光用光照射部とを備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記表面状態検出部は、前記外周端部検出部により外周端部の位置が検出されているときに基板の表面状態を検出するように構成されたことを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の1または複数の基板処理装置と、
前記1または複数の基板処理装置に接続されるホストコンピュータとを備え、
前記1または複数の基板処理装置の各々における前記検査周辺露光ユニットの検査結果を前記ホストコンピュータに送信するように構成されたことを特徴とする基板処理システム。 - 基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、
前記基板保持回転機構により回転される基板の外周端部の位置を検出する外周端部検出部と、
前記基板保持回転機構により回転される基板の表面状態を検出する表面状態検出部と、
前記外周端部検出部により検出された外周端部の位置に基づいて前記基板保持回転機構により回転される基板の周縁部に露光用の光を照射する露光用光照射部とを備えることを特徴とする検査周辺露光装置。 - 前記表面状態検出部は、前記外周端部検出部により外周端部の位置が検出されているときに基板の表面状態を検出するように構成されたことを特徴とする請求項11記載の検査周辺露光装置。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120114146A (ko) * | 2011-04-06 | 2012-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
JP2013077639A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20140012589A (ko) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2014222761A (ja) * | 2014-07-01 | 2014-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
KR20160126905A (ko) | 2015-04-23 | 2016-11-02 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 검사 장치 및 기판 처리 장치 |
JP2016206452A (ja) * | 2015-04-23 | 2016-12-08 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および基板処理装置 |
US9566598B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-02-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2017092306A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20190039269A (ko) | 2016-09-02 | 2019-04-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 검사 장치, 기판 처리 장치, 기판 검사 방법 및 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5160204B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-03-13 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5318403B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-10-16 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5128918B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5001828B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5179170B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5060517B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム |
US20130005056A1 (en) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Semes Co., Ltd. | Method and apparatus for processing wafer edge portion |
US20130335743A1 (en) * | 2012-06-19 | 2013-12-19 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Inspection Device for Glass Substrate Cassette |
JP6001961B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2016-10-05 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6184102B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2017-08-23 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 位置合わせ装置および基板処理装置 |
JP6243784B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-12-06 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置 |
JP6612632B2 (ja) * | 2016-01-26 | 2019-11-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN108803245B (zh) * | 2017-04-28 | 2020-04-10 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 硅片处理装置及方法 |
US11378888B1 (en) * | 2021-01-07 | 2022-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lens adjustment for an edge exposure tool |
Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02237678A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | 塗布装置 |
JPH11145052A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2000005687A (ja) * | 1998-04-20 | 2000-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法並びにパタ―ン形成方法 |
JP2002064049A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法 |
JP2002064048A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法 |
JP2002110520A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成方法及びその装置 |
JP2002141273A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法 |
JP2002141274A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 膜厚測定装置及びその方法 |
JP2002190446A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-07-05 | Tokyo Electron Ltd | レジストパターン形成装置及びその方法 |
JP2003007605A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Tokyo Electron Ltd | 管理システム,ホストコンピュータ,情報収集送信装置及び管理方法 |
JP2003151893A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理ユニット、基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2003344037A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜厚測定装置および方法並びに基板処理ユニットおよび方法 |
JP2003347191A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および膜厚測定方法 |
JP2004153163A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Renesas Technology Corp | 露光装置の制御方法および装置 |
JP2004253552A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2004253551A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
JP2004304209A (ja) * | 1999-10-25 | 2004-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理システム |
JP2005238188A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Seiko Epson Corp | 塗布装置、電気光学装置の製造装置および電気光学装置の製造方法 |
JP2007057521A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-03-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ムラ検査装置およびムラ検査方法 |
JP2008070279A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ムラ検査装置、膜形成システムおよびムラ検査方法 |
JP2009135293A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61201107A (ja) | 1985-03-05 | 1986-09-05 | Toshiba Corp | 透明な膜の表面検査方法 |
JPH01214743A (ja) | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 光学検査装置 |
JPH0712747A (ja) | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Toshiba Corp | 薄膜付きディスク表面検査方法及びその装置 |
JPH09171149A (ja) | 1995-10-18 | 1997-06-30 | Metsukusu:Kk | ウェハ文字読み取り装置 |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
US6221787B1 (en) * | 1998-04-20 | 2001-04-24 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of forming resist film |
US6402401B1 (en) * | 1999-10-19 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
SG93901A1 (en) * | 1999-10-25 | 2003-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing system and substrate processing method |
US6766209B2 (en) * | 2001-06-25 | 2004-07-20 | Tokyo Electron Limited | Managing system, managing method, host computer, and information collecting/transmitting unit |
WO2003028089A1 (fr) * | 2001-09-19 | 2003-04-03 | Olympus Optical Co., Ltd. | Systeme de controle de tranches en semiconducteur |
JP3916468B2 (ja) * | 2002-01-11 | 2007-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4342147B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2009-10-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4069081B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2008-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 位置調整方法及び基板処理システム |
WO2006118152A1 (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Olympus Corporation | 外観検査装置及び外観検査方法並びに外観検査装置に装着可能な周縁部検査ユニット |
EP1898448A4 (en) * | 2005-06-29 | 2011-06-29 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE |
JP4816217B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
JP2008198820A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
DE102007049100B4 (de) * | 2007-10-11 | 2009-07-16 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren zur Bestimmung der Centrality von Masken |
US7773212B1 (en) * | 2008-05-21 | 2010-08-10 | Kla-Tencor Corporation | Contemporaneous surface and edge inspection |
-
2009
- 2009-09-15 JP JP2009213093A patent/JP5410212B2/ja active Active
-
2010
- 2010-08-27 US US12/870,402 patent/US8477301B2/en active Active
Patent Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02237678A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | 塗布装置 |
JPH11145052A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2000005687A (ja) * | 1998-04-20 | 2000-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法並びにパタ―ン形成方法 |
JP2004304209A (ja) * | 1999-10-25 | 2004-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理システム |
JP2002064049A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法 |
JP2002064048A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法 |
JP2002190446A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-07-05 | Tokyo Electron Ltd | レジストパターン形成装置及びその方法 |
JP2002110520A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成方法及びその装置 |
JP2002141273A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法 |
JP2002141274A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 膜厚測定装置及びその方法 |
JP2003007605A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Tokyo Electron Ltd | 管理システム,ホストコンピュータ,情報収集送信装置及び管理方法 |
JP2003151893A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理ユニット、基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2003347191A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および膜厚測定方法 |
JP2003344037A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜厚測定装置および方法並びに基板処理ユニットおよび方法 |
JP2004153163A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Renesas Technology Corp | 露光装置の制御方法および装置 |
JP2004253552A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2004253551A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
JP2005238188A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Seiko Epson Corp | 塗布装置、電気光学装置の製造装置および電気光学装置の製造方法 |
JP2007057521A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-03-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ムラ検査装置およびムラ検査方法 |
JP2008070279A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ムラ検査装置、膜形成システムおよびムラ検査方法 |
JP2009135293A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101719383B1 (ko) * | 2011-04-06 | 2017-03-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
JP2012222086A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
KR20120114146A (ko) * | 2011-04-06 | 2012-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
JP2013077639A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US9508573B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-11-29 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20140012589A (ko) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102119281B1 (ko) * | 2012-07-19 | 2020-06-04 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US10201824B2 (en) | 2012-12-11 | 2019-02-12 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US9566598B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-02-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2014222761A (ja) * | 2014-07-01 | 2014-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
JP2016206452A (ja) * | 2015-04-23 | 2016-12-08 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および基板処理装置 |
US10043694B2 (en) | 2015-04-23 | 2018-08-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Inspection device and substrate processing apparatus |
KR20160126905A (ko) | 2015-04-23 | 2016-11-02 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 검사 장치 및 기판 처리 장치 |
US10546766B2 (en) | 2015-04-23 | 2020-01-28 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Inspection device and substrate processing apparatus |
JP2017092306A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20190039269A (ko) | 2016-09-02 | 2019-04-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 검사 장치, 기판 처리 장치, 기판 검사 방법 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110063588A1 (en) | 2011-03-17 |
JP5410212B2 (ja) | 2014-02-05 |
US8477301B2 (en) | 2013-07-02 |
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