JP2017092228A - Substrate transport device and exfoliation system - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To hold a substrate exfoliated from a superposed substrate appropriately, and transport the substrate appropriately.SOLUTION: A Bernoulli chuck 100 includes a body 110 having a circular shape in the plan view, and a plurality of holding parts 111 provided on the body 110, and holding a processed wafer in non-contact by jetting gas toward the surface of the processed wafer. The plurality of holding parts 111 have one center holding part 111a placed in the center of the body 110, a plurality of inner peripheral holding parts 111b placed concentrically with the body 110, between the center of the body 110 and the outer periphery, and a plurality of outer peripheral holding parts 111c placed concentrically with the body 110, on the outer periphery thereof.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、基板同士が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された基板を搬送する基板搬送装置、及び当該基板搬送装置を備えた剥離システムに関する。   The present invention relates to a substrate transport device that transports a peeled substrate after peeling a polymerized substrate in which the substrates are bonded with an adhesive, and a peeling system including the substrate transport device.

近年、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄化が求められている。ここで、例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じるおそれがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。   In recent years, the diameter of semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”) has been increasing in semiconductor device manufacturing processes. Further, in a specific process such as mounting, wafer thinning is required. Here, for example, when a thin wafer having a large diameter is transported as it is or polished, the wafer may be warped or cracked. For this reason, in order to reinforce the wafer, for example, the wafer is attached to a support substrate. Then, after a predetermined process such as a wafer polishing process is performed in a state where the wafer and the support substrate are bonded in this way, the wafer and the support substrate are peeled off.

このようにウェハと支持基板が剥離されると、剥離されたウェハは所定の処理装置に搬送され、当該処理装置においてウェハに所定の処理が行われる。このウェハの搬送においては、ウェハ上に形成されたデバイスの損傷を回避するため、非接触状態でウェハを保持するのが好ましい。   When the wafer and the support substrate are peeled in this way, the peeled wafer is transferred to a predetermined processing apparatus, and the wafer is subjected to predetermined processing in the processing apparatus. In the transfer of the wafer, it is preferable to hold the wafer in a non-contact state in order to avoid damage to devices formed on the wafer.

そこで、剥離されたウェハを保持して搬送するため、例えばベルヌーイの定理を利用した搬送装置が用いられる。例えば特許文献１には、円板状の本体部と、本体部上に設けられた複数のノズルと、を備える搬送装置が開示されている。複数のノズルは、本体部の主面に対して円周状に、且つ、内周側と外周側の二重に並べて配置される。そして搬送装置では、各ノズルからウェハの表面に向けて気体を噴出することにより、ベルヌーイ効果を生じさせてウェハを非接触で保持する。   Therefore, in order to hold and transfer the peeled wafer, for example, a transfer device using Bernoulli's theorem is used. For example, Patent Document 1 discloses a transport device that includes a disk-shaped main body and a plurality of nozzles provided on the main body. The plurality of nozzles are arranged circumferentially with respect to the main surface of the main body, and are arranged side by side on the inner peripheral side and the outer peripheral side. In the transfer device, gas is ejected from each nozzle toward the surface of the wafer, thereby generating a Bernoulli effect and holding the wafer in a non-contact manner.

特開２０１４−１６５２１７号公報JP 2014-165217 A

しかしながら、発明者らが鋭意検討した結果、特許文献１に記載された搬送装置を用いてウェハを保持する場合、ウェハの中心部が本体部と反対側に突起して反る場合があることが分かった。発明者らはこの原因について、次のように推察した。すなわち、各ノズルは中央部に気体の噴出口を有し、噴出口の内部において気体は旋回流を形成して当該噴出口から噴出する。そうすると、各ノズルからの気体は水平方向に四方に流れる。本体部の外周部に向かって流れる気体はそのまま外周部から流出するが、中心部に向かって流れる気体は、本体部とウェハの間に溜まってしまう。この溜まった気体がウェハの中心部を押し上げ、当該中心部の反りが発生する。このようにウェハが反ると、搬送装置でウェハを適切に保持できず、適切に搬送することができない。   However, as a result of intensive studies by the inventors, when the wafer is held using the transfer device described in Patent Document 1, the center of the wafer may protrude and warp on the opposite side of the main body. I understood. The inventors speculated about the cause as follows. That is, each nozzle has a gas outlet at the center, and the gas forms a swirling flow inside the outlet and is ejected from the outlet. Then, the gas from each nozzle flows in four directions in the horizontal direction. The gas flowing toward the outer peripheral portion of the main body portion flows out from the outer peripheral portion as it is, but the gas flowing toward the central portion is accumulated between the main body portion and the wafer. This accumulated gas pushes up the central portion of the wafer, and warpage of the central portion occurs. When the wafer is warped in this way, the wafer cannot be properly held by the transfer device and cannot be transferred appropriately.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、重合基板から剥離された基板を適切に保持し、当該基板の搬送を適切に行うことを目的とする。   This invention is made | formed in view of this point, and it aims at hold | maintaining the board | substrate peeled from the superposition | polymerization board | substrate appropriately, and conveying the said board | substrate appropriately.

前記の目的を達成するため、本発明は、基板同士が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された基板を搬送する基板搬送装置であって、平面視において円形状を有する本体部と、前記本体部上に設けられ、基板の表面に向けて気体を噴出することによって当該基板を非接触で保持する複数の保持部と、を有し、前記複数の保持部は、前記本体部の中心に配置された１個の中心保持部と、前記本体部の中心と外周の間において、当該本体部と同心円状に並べて配置された複数の内周保持部と、前記本体部の外周において、当該本体部と同心円状に並べて配置された複数の外周保持部と、を有することを特徴としている。   In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a substrate transport apparatus for transporting a peeled substrate after peeling a polymerized substrate in which the substrates are bonded with an adhesive, and having a circular shape in plan view And a plurality of holding parts that are provided on the main body part and hold the substrate in a non-contact manner by ejecting gas toward the surface of the substrate, wherein the plurality of holding parts are the main body One central holding portion disposed at the center of the main portion, a plurality of inner peripheral holding portions arranged concentrically with the main body portion between the center and the outer periphery of the main body portion, and the outer periphery of the main body portion And a plurality of outer peripheral holding portions arranged concentrically with the main body portion.

本発明によれば、本体部上には中心保持部、内周保持部及び外周保持部が三重に設けられている。このため、剥離された基板の外周（内周）を適切に保持しつつ、その中心も適切に保持することができ、すなわち基板を水平に保持することができる。したがって、基板の搬送を適切に行うことができる。   According to the present invention, the center holding part, the inner periphery holding part, and the outer periphery holding part are provided in triplicate on the main body part. For this reason, while the outer periphery (inner periphery) of the peeled substrate is appropriately held, the center can also be appropriately held, that is, the substrate can be held horizontally. Therefore, the substrate can be appropriately transferred.

前記本体部において前記中心保持部と前記内周保持部の間には、気体を排出するための内周排気孔が前記本体部と同心円状に並べて複数形成されていてもよい。また、前記本体部において前記内周保持部と前記外周保持部の間には、気体を排出するための外周排気孔が前記本体部と同心円状に並べて複数形成されていてもよい。   In the main body portion, a plurality of inner peripheral exhaust holes for discharging gas may be formed concentrically with the main body portion between the center holding portion and the inner peripheral holding portion. Further, a plurality of outer peripheral exhaust holes for discharging gas may be formed concentrically with the main body portion between the inner peripheral holding portion and the outer peripheral holding portion in the main body portion.

前記外周保持部の数は前記内周保持部の数の整数倍であって、前記中心保持部の中心と前記内周保持部の中心を通る直線上には、前記外周保持部が配置されていてもよい。   The number of the outer periphery holding portions is an integral multiple of the number of the inner periphery holding portions, and the outer periphery holding portions are arranged on a straight line passing through the center of the center holding portion and the center of the inner periphery holding portion. May be.

前記中心保持部からの気体の供給量、前記内周保持部からの気体の供給量及び前記外周保持部からの気体の供給量は、それぞれ個別に制御されてもよい。   The gas supply amount from the center holding portion, the gas supply amount from the inner peripheral holding portion, and the gas supply amount from the outer peripheral holding portion may be individually controlled.

別な観点による本発明は、前記基板搬送装置を備えた剥離システムであって、重合基板を剥離する剥離装置をさらに備え、前記基板搬送装置は、前記剥離装置で剥離された基板を搬送することを特徴としている。   The present invention according to another aspect is a peeling system including the substrate transfer device, further including a peeling device for peeling the superposed substrate, and the substrate transfer device transfers the substrate peeled by the peeling device. It is characterized by.

本発明によれば、重合基板から剥離された基板を適切に保持し、当該基板の搬送を適切に行うことができる。   According to this invention, the board | substrate peeled from the superposition | polymerization board | substrate can be hold | maintained appropriately, and the said board | substrate can be conveyed appropriately.

本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the peeling system concerning this Embodiment. 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。It is a side view of a to-be-processed wafer and a support wafer. 剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main processes of peeling processing. 第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a 2nd conveying apparatus. 第２の搬送装置の構成の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of a structure of a 2nd conveying apparatus. ベルヌーイチャックの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of Bernoulli chuck. ベルヌーイチャックの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of Bernoulli chuck. 内周保持部と外周保持部の配置関係を示す説明図であり、（ａ）は従来の内周保持部と外周保持部の配置関係を示し、（ｂ）本実施の形態の内周保持部と外周保持部の配置関係を示す。It is explanatory drawing which shows the arrangement | positioning relationship between an inner periphery holding | maintenance part and an outer periphery holding part, (a) shows the arrangement | positioning relationship between the conventional inner periphery holding | maintenance part and an outer periphery holding part, (b) The inner periphery holding | maintenance part of this Embodiment And the arrangement relationship of the outer periphery holding part. 保持部と係止部の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a holding | maintenance part and a latching | locking part. 他の実施の形態にかかるベルヌーイチャックの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the Bernoulli chuck concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかるベルヌーイチャックの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the Bernoulli chuck concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかるベルヌーイチャックの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the Bernoulli chuck concerning other embodiment.

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.

＜１．剥離システム＞
先ず、本実施の形態に係る剥離システムの構成について、図１及ぶ図２を参照して説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。 <1. Peeling system>
First, the configuration of the peeling system according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 1 and FIG. FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a peeling system 1 according to the present embodiment.

剥離システム１では、図２に示すように被処理ウェハＷと支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。 In the peeling system 1, as shown in FIG. 2, the superposed wafer T as a superposed substrate in which the wafer W to be processed and the support wafer S are bonded with an adhesive G is peeled to the wafer W to be processed and the support wafer S. Hereinafter, in the processing target wafer W, a surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as “bonding surface W J ”, and a surface opposite to the bonding surface W J is referred to as “non-bonding surface W N ”. That's it. Similarly, in the support wafer S, a surface bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as “bonding surface S J ”, and a surface opposite to the bonding surface S J is referred to as “non-bonding surface S N”. "

被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路やバンプ等を備えた複数のデバイスが形成されている。また、例えば非接合面ＷＮにも、バンプ等が形成されている場合がある。さらに被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄化されている。具体的には、被処理ウェハＷの厚さは、約２０μｍ〜１００μｍである。 Wafer W is a wafer as a product, for example, a plurality of devices having a plurality of electronic circuits or bumps on the bonding surface W J is formed. Further, for example, to non-bonding surface W N, there is a case where bumps are formed. Further wafer W, for example a non-bonding surface W N is polished, is thinned. Specifically, the thickness of the processing target wafer W is about 20 μm to 100 μm.

支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と略同径の円板形状を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。   The support wafer S is a wafer that has a disk shape that is substantially the same diameter as the wafer W to be processed and supports the wafer W to be processed. In this embodiment, the case where a wafer is used as the support substrate will be described, but another substrate such as a glass substrate may be used.

剥離システム１は、図１に示すように搬入出ステーション２、ウェハ搬送領域３、剥離処理ステーション４、インターフェイスステーション５、検査装置６、及び洗浄ステーション７を有している。   As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes a carry-in / out station 2, a wafer transfer area 3, a peeling processing station 4, an interface station 5, an inspection device 6, and a cleaning station 7.

搬入出ステーション２は、例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される。ウェハ搬送領域３は、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション４との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する。剥離処理ステーション４は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えている。搬入出ステーション２、ウェハ搬送領域３、剥離処理ステーション４は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。 In the carry-in / out station 2, for example, cassettes C W , C S , and C T that can accommodate a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T are carried in and out. The wafer transfer area 3 transfers the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T between the carry-in / out station 2 and the separation processing station 4. The peeling processing station 4 includes various processing apparatuses that perform predetermined processing on the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T. The carry-in / out station 2, the wafer transfer region 3, and the peeling processing station 4 are arranged side by side in the X direction (the vertical direction in FIG. 1).

インターフェイスステーション５は、剥離処理ステーション４と後処理ステーションＭとの間で被処理ウェハＷの受け渡しを行う。検査装置６は、後処理ステーションＭに受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する。洗浄ステーション７は、検査後の被処理ウェハＷの接合面ＷＪ及び非接合面ＷＮの洗浄を行う。インターフェイスステーション５は、剥離処理ステーション４のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置され、インターフェイスステーション５のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）には検査装置６が配置され、インターフェイスステーション５を挟んで検査装置６の反対側、すなわちインターフェイスステーション５のＸ方向負方向側（図１中の下方向側）には洗浄ステーション７が配置されている。 The interface station 5 delivers the processing target wafer W between the peeling processing station 4 and the post-processing station M. The inspection apparatus 6 inspects the wafer W to be processed before being transferred to the post-processing station M. Cleaning station 7, to clean the bonding surface W J and a non-bonding surface W N of the wafer W after inspection. The interface station 5 is disposed on the Y direction negative direction side (left direction side in FIG. 1) of the peeling processing station 4, and on the X direction positive direction side (upward direction side in FIG. 1) of the interface station 5 is an inspection device. 6 is disposed, and a cleaning station 7 is disposed on the opposite side of the inspection apparatus 6 across the interface station 5, that is, on the negative side in the X direction of the interface station 5 (downward in FIG. 1).

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。 The loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. A plurality of, for example, three cassette mounting plates 11 are provided on the cassette mounting table 10. The cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the Y direction (left and right direction in FIG. 1). These cassette mounting plates 11, cassettes C W to the outside of the peeling system 1, C S, when loading and unloading the C T, a cassette C W, C S, can be placed on C T . Thus, the carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T.

なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。例えばカセットＣＴを複数載置できるようにしてもよく、これら複数のカセットＣＴのうち、１つのカセットＣＴを不具合ウェハの回収用として用い、他方のカセットＣＴを正常な重合ウェハＴの収容用として用いてもよい。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと、欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。 The number of cassette mounting plates 11 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily determined. For example may also be a cassette C T can more placed, among the plurality of cassettes C T, using a one cassette C T for the recovery of the failure the wafer, the other cassette C T normal bonded wafer T You may use for accommodation. Further, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 are inspected in advance, and a superposed wafer T including a normal target wafer W and a superposed wafer T including a defective target wafer W are obtained. And have been determined.

またカセット載置台１０には、処理待ちの複数の重合ウェハＴを一時的に収容して待機させておく待機装置１２が設けられている。待機装置１２には、ダイシングフレームのＩＤ（Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）の読み取りを行うＩＤ読取機構が設けられ、かかるＩＤ読取機構によって重合ウェハＴを識別することができる。さらに待機装置１２では、位置調節機構によって重合ウェハＴの水平方向の向きを調節することもできる。   In addition, the cassette mounting table 10 is provided with a standby device 12 that temporarily stores and waits for a plurality of superposed wafers T waiting to be processed. The standby device 12 is provided with an ID reading mechanism for reading a dicing frame ID (Identification), and the overlapped wafer T can be identified by the ID reading mechanism. Furthermore, in the standby device 12, the horizontal direction of the superposed wafer T can be adjusted by the position adjusting mechanism.

ウェハ搬送領域３には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域３内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション４との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。   A first transfer device 20 is disposed in the wafer transfer region 3. The first transfer device 20 includes a transfer arm that can move around, for example, a vertical direction, a horizontal direction (Y direction, X direction), and a vertical axis. The first transfer device 20 moves in the wafer transfer region 3 and can transfer the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T between the carry-in / out station 2 and the peeling process station 4.

剥離処理ステーション４は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション４には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。   The peeling processing station 4 has a peeling device 30 that peels the superposed wafer T into a processing wafer W and a supporting wafer S. A first cleaning device 31 that cleans the wafer to be processed W that has been peeled off is disposed on the negative side in the Y direction of the peeling device 30 (left side in FIG. 1). A second transfer device 32 is provided between the peeling device 30 and the first cleaning device 31. Further, a second cleaning device 33 for cleaning the peeled support wafer S is arranged on the positive side in the Y direction of the peeling device 30 (right side in FIG. 1). As described above, the first cleaning device 31, the second transfer device 32, the peeling device 30, and the second cleaning device 33 are arranged in this order from the interface station 5 side in the peeling processing station 4.

剥離装置３０、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３３としては、それぞれ例えば特開２０１４−３２３７号公報に記載の剥離装置、第１の洗浄装置、第２の洗浄装置を用いることができる。   As the peeling device 30, the first cleaning device 31, and the second cleaning device 33, for example, the peeling device, the first cleaning device, and the second cleaning device described in JP2014-3237A can be used, respectively. it can.

第２の搬送装置３２では、剥離後の被処理ウェハＷを非接触で搬送するベルヌーイチャックを用いる。上述したように被処理ウェハＷは薄く、搬送の際に損傷を受け易いためである。なお、この第２の搬送装置３２の構成については後述する。   The second transfer device 32 uses a Bernoulli chuck that transfers the wafer W to be processed after peeling without contact. This is because the wafer W to be processed is thin as described above and is easily damaged during transportation. The configuration of the second transport device 32 will be described later.

検査装置６では、剥離装置３０により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。検査装置６としては、例えば特開２０１４−３２３７号公報に記載の検査装置を用いることができる。すなわち、検査装置６における検査は、例えばチャックに保持された被処理ウェハＷを撮像することによって行われる。   In the inspection device 6, the presence or absence of the residue of the adhesive G on the processing target wafer W peeled by the peeling device 30 is inspected. As the inspection device 6, for example, an inspection device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-3237 can be used. That is, the inspection in the inspection apparatus 6 is performed by, for example, imaging the processing target wafer W held on the chuck.

洗浄ステーション７では、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この洗浄ステーション７は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄装置４０、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄装置４１を有している。これら接合面洗浄装置４０と非接合面洗浄装置４１は、後処理ステーションＭ側からＹ方向に並べて配置されている。なお、接合面洗浄装置４０と非接合面洗浄装置４１の構成は、それぞれ上記第１の洗浄装置３１の構成と同様である。 In the cleaning station 7, the wafer W to be processed in which the residue of the adhesive G is confirmed by the inspection apparatus 6 is cleaned. The cleaning station 7 has a bonding surface W bonding surface cleaning apparatus 40 J washing the non-bonding surface cleaning apparatus 41 for cleaning the non-bonding surface W N of the wafer W in the wafer W. The bonding surface cleaning device 40 and the non-bonding surface cleaning device 41 are arranged side by side in the Y direction from the post-processing station M side. The configuration of the bonding surface cleaning device 40 and the non-bonding surface cleaning device 41 is the same as the configuration of the first cleaning device 31.

インターフェイスステーション５には、Ｙ方向に延伸する搬送路５０上を移動自在な第３の搬送装置５１が設けられている。第３の搬送装置５１は、鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在であり、剥離処理ステーション４、検査装置６、洗浄ステーション７、及び後処理ステーションＭとの間で被処理ウェハＷを搬送できる。なお、第３の搬送装置５１の構成は、上記第２の搬送装置３２の構成と同様である。   The interface station 5 is provided with a third transport device 51 that is movable on a transport path 50 extending in the Y direction. The third transfer device 51 is movable in the vertical direction, the horizontal direction (Y direction, X direction), and the vertical axis, and is connected to the separation processing station 4, the inspection device 6, the cleaning station 7, and the post-processing station M. The wafer W to be processed can be transferred between the two. The configuration of the third transfer device 51 is the same as the configuration of the second transfer device 32.

なお、後処理ステーションＭでは、剥離処理ステーション４で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。   In the post-processing station M, predetermined post-processing is performed on the wafer W to be processed peeled off at the peeling processing station 4. As predetermined post-processing, for example, processing for mounting the processing target wafer W, processing for inspecting electrical characteristics of devices on the processing target wafer W, processing for dicing the processing target wafer W for each chip, and the like are performed.

以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部６０が設けられている。制御部６０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部６０にインストールされたものであってもよい。   The peeling system 1 is provided with a control unit 60 as shown in FIG. The control unit 60 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling processing of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T in the peeling system 1. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transport apparatuses to realize a peeling process described later in the peeling system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 60 from the storage medium H.

次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図３は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。   Next, the peeling process method of the to-be-processed wafer W and the support wafer S performed using the peeling system 1 comprised as mentioned above is demonstrated. FIG. 3 is a flowchart showing an example of main steps of the peeling process.

先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、待機装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。 First, a cassette C T accommodating a plurality of bonded wafer T, an empty cassette C W, and an empty cassette C S is placed on the predetermined cassette mounting plate 11 of the carry-out station 2. Bonded wafer T in the cassette C T is taken out by the first transfer device 20 is conveyed to the standby unit 12. At this time, the superposed wafer T is transported in a state where the processing target wafer W is disposed on the upper side and the support wafer S is disposed on the lower side.

待機装置１２では、ＩＤ読取機構によって重合ウェハＴのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う。ＩＤ読取機構によって読み取られたＩＤは、制御部６０へ送信される。また待機装置１２では、位置調節機構によって重合ウェハＴのノッチ部の位置を検出しながら当該重合ウェハＴの向きが調節される。さらに例えば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合ウェハＴが生じる場合には、待機装置１２に重合ウェハＴを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。   The standby device 12 performs an ID reading process for reading the ID of the overlapped wafer T by the ID reading mechanism. The ID read by the ID reading mechanism is transmitted to the control unit 60. In the standby device 12, the orientation of the overlapped wafer T is adjusted while detecting the position of the notch portion of the overlapped wafer T by the position adjusting mechanism. Further, for example, when a superposed wafer T waiting for processing is generated due to a difference in processing time between devices, the standby device 12 can temporarily wait for the superposed wafer T, thereby reducing a loss time between a series of processes. can do.

その後、重合ウェハＴは、第１の搬送装置２０によって剥離装置３０に搬送される。剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、上部チャックと下部チャックに挟み込んで保持され、すなわち上部チャックの下面で被処理ウェハＷが吸着保持され、下部チャックの上面で支持ウェハＳが吸着保持される。そして、重合ウェハＴを加熱しながら下部チャックを斜め下方に移動させ、被処理ウェハＷと支持ウェハＳが剥離される（図３の工程Ａ１）。   Thereafter, the superposed wafer T is transported to the peeling device 30 by the first transport device 20. The superposed wafer T carried into the peeling device 30 is sandwiched and held between the upper chuck and the lower chuck, that is, the processing target wafer W is sucked and held on the lower surface of the upper chuck, and the support wafer S is sucked and held on the upper surface of the lower chuck. The Then, the lower chuck is moved obliquely downward while heating the overlapped wafer T, and the wafer W to be processed and the support wafer S are separated (step A1 in FIG. 3).

その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。第１の洗浄装置３１では、ポーラスチャックで保持された被処理ウェハＷを回転させながら、被処理ウェハＷに対して洗浄液を供給し、当該被処理ウェハＷが洗浄される（図３の工程Ａ２）。   Thereafter, the wafer W to be processed peeled off by the peeling device 30 is transferred to the first cleaning device 31 by the second transfer device 32. In the first cleaning device 31, while rotating the wafer W to be processed held by the porous chuck, a cleaning liquid is supplied to the wafer W to be processed, and the wafer W to be processed is cleaned (step A <b> 2 in FIG. 3). ).

ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。   Here, as described above, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 are inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the defective normal target wafer to be processed are detected. It is distinguished from the superposed wafer T containing W.

正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、非接合面ＷＮが下方を向いた状態で第３の搬送装置５１によって検査装置６に搬送される。検査装置６では、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを撮像して、当該接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される（図３の工程Ａ３）。 The normal processing wafer W peeled from the normal superposed wafer T is inspected by the third transfer device 51 with the non-bonding surface W N facing downward after the bonding surface W J is cleaned in step A2. It is conveyed to the device 6. In the inspection device 6, by imaging a bonding surface W J of the processing the wafer W, the presence or absence of adhesive residue G at the joint surface W J is examined (step A3 in FIG. 3).

検査装置６において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１により洗浄ステーション７の接合面洗浄装置４０に搬送され、接合面洗浄装置４０において接合面ＷＪが洗浄される（図３の工程Ａ４）。接合面ＷＪが洗浄されると、第３の搬送装置５１によって被処理ウェハＷの表裏面が反転される（図３の工程Ａ５）。なお、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄装置４０に搬送されることなく第３の搬送装置５１によって反転される。 When the residue of the adhesive G is confirmed in the inspection device 6, the wafer W to be processed is transferred to the bonding surface cleaning device 40 of the cleaning station 7 by the third transfer device 51, and the bonding surface W J in the bonding surface cleaning device 40. Is washed (step A4 in FIG. 3). When bonding surface W J is cleaned, front and back surfaces of the wafer W is reversed by the third transport device 51 (step A5 in FIG. 3). If no residue of the adhesive G is confirmed by the inspection device 6, the wafer W to be processed is reversed by the third transfer device 51 without being transferred to the bonding surface cleaning device 40.

その後、反転された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置５１により再び検査装置６に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる（図３の工程Ａ６）。そして、非接合面ＷＮにおいて接着剤Ｇの残渣やパーティクルなどが確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって非接合面洗浄装置４１に搬送され、非接合面洗浄装置４１において非接合面ＷＮが洗浄される（図３の工程Ａ７）。次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置５１によって後処理ステーションＭに搬送される。なお、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄装置４１に搬送されることなくそのまま後処理ステーションＭに搬送される。 Then, wafer W being inverted is conveyed to the inspection device 6 again by the third transporting device 51, the inspection of the non-bonding surface W N is performed (step A6 in FIG. 3). When the residue or particles of the adhesive G are confirmed on the non-bonding surface W N , the wafer W to be processed is transferred to the non-bonding surface cleaning device 41 by the third transfer device 51, and the non-bonding surface cleaning device 41. In FIG. 3, the non-joint surface W N is cleaned (step A7 in FIG. 3). Next, the cleaned wafer W to be processed is transferred to the post-processing station M by the third transfer device 51. If no residue of the adhesive G is confirmed by the inspection apparatus 6, the wafer W to be processed is transferred to the post-processing station M without being transferred to the non-bonding surface cleaning apparatus 41.

その後、後処理ステーションＭにおいて被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図３の工程Ａ８）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。   Thereafter, predetermined post-processing is performed on the wafer W to be processed in the post-processing station M (step A8 in FIG. 3). Thus, the processing target wafer W is commercialized.

一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図３の工程Ａ９）。 On the other hand, wafer W with a peel defects from bonded wafer T including a defect, after bonding surface W J is washed in step A2, is conveyed to the station 2 loading and unloading by the first transfer device 20. Thereafter, the wafer to be processed W having a defect is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A9 in FIG. 3).

被処理ウェハＷに上述した工程Ａ２〜Ａ９が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される（図３の工程Ａ１０）。かかる洗浄処理によって、支持ウェハＳの接合面ＳＪに残存する接着剤Ｇが除去される。 While the above-described steps A2 to A9 are performed on the processing target wafer W, the support wafer S peeled by the peeling device 30 is transferred to the second cleaning device 33 by the first transfer device 20. Then, in the second cleaning device 33, bonding surface S J of the support wafer S is cleaned (step A10 in FIG. 3). By such cleaning treatment, the adhesive G remaining on the bonding surface S J of the support wafer S is removed.

その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図３の工程Ａ１１）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。 Thereafter, the support wafer S which joint surface S J is cleaned is conveyed to station 2 loading and unloading by the first transfer device 20. Thereafter, the support wafer S is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A11 in FIG. 3). In this way, a series of separation processing of the processing target wafer W and the supporting wafer S is completed.

以上の実施の形態の剥離システム１によれば、剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２と第３の搬送装置５１においてベルヌーイチャックで非接触で搬送される。このため、被処理ウェハＷが搬送中に損傷を受けるのを抑制することができる。   According to the peeling system 1 of the above embodiment, the peeled wafer W to be processed is transferred in a non-contact manner by the Bernoulli chuck in the second transfer device 32 and the third transfer device 51. For this reason, it can suppress that the to-be-processed wafer W receives damage during conveyance.

また、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３３において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。   In addition, after the superposed wafer T is peeled off from the wafer W to be processed and the support wafer S in the peeling device 30, the peeled wafer W to be peeled is cleaned in the first cleaning device 31, and in the second cleaning device 33. Then, the peeled support wafer S can be cleaned. As described above, according to the present embodiment, a series of stripping processes from the stripping of the processing target wafer W and the supporting wafer S to the cleaning of the processing target wafer W and the cleaning of the supporting wafer S can be efficiently performed in one stripping system 1. Can be done well. Further, in the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33, the cleaning of the processing target wafer W and the cleaning of the support wafer S can be performed in parallel. Furthermore, while the wafer to be processed W and the support wafer S are peeled by the peeling apparatus 30, the other wafer to be processed W and the support wafer S can be processed by the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33. . Therefore, the wafer W to be processed and the support wafer S can be efficiently peeled, and the throughput of the peeling process can be improved.

＜２．第２の搬送装置と第３の搬送装置＞
次に、第２の搬送装置３２と第３の搬送装置５１の構成について説明する。これら第２の搬送装置３２と第３の搬送装置５１が、本発明の基板搬送装置を構成する。なお、第２の搬送装置３２と第３の搬送装置５１の構成は同様であり、以下では第２の搬送装置３２について説明する。 <2. Second transport device and third transport device>
Next, the structure of the 2nd conveying apparatus 32 and the 3rd conveying apparatus 51 is demonstrated. The second transfer device 32 and the third transfer device 51 constitute the substrate transfer device of the present invention. The configurations of the second transfer device 32 and the third transfer device 51 are the same, and the second transfer device 32 will be described below.

第２の搬送装置３２は、図４に示すように被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック１００を有している。ベルヌーイチャック１００は、支持アーム１０１に支持されている。支持アーム１０１は、第１の駆動部１０２に支持されている。この第１の駆動部１０２により、支持アーム１０１は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部１０２の下方には、第２の駆動部１０３が設けられている。この第２の駆動部１０３により、第１の駆動部１０２は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。そして第２の搬送装置３２は、剥離された被処理ウェハＷの表裏面を反転させつつ、剥離装置３０から第１の洗浄装置３１に被処理ウェハＷを搬送できる。なお、第２の搬送装置３２の第２の駆動部１０３は床面に固定され、第３の搬送装置５１の第２の駆動部１０３は搬送路５０に固定される。   The second transfer device 32 includes a Bernoulli chuck 100 that holds the wafer W to be processed as shown in FIG. Bernoulli chuck 100 is supported by support arm 101. The support arm 101 is supported by the first drive unit 102. The first drive unit 102 allows the support arm 101 to rotate about the horizontal axis and extend and contract in the horizontal direction. A second driving unit 103 is provided below the first driving unit 102. By this second drive unit 103, the first drive unit 102 can rotate about the vertical axis and can move up and down in the vertical direction. The second transfer device 32 can transfer the wafer W to be processed from the peeling device 30 to the first cleaning device 31 while inverting the front and back surfaces of the peeled wafer W to be processed. The second drive unit 103 of the second transport device 32 is fixed to the floor surface, and the second drive unit 103 of the third transport device 51 is fixed to the transport path 50.

上述したベルヌーイチャック１００は、図５及び図６に示すように平面視において円形状を有し、被処理ウェハＷと同じ径、又はそれより長い径を有する本体部１１０を備えている。本体部１１０には、例えばアルミニウムなどの金属が用いられる。   The Bernoulli chuck 100 described above includes a main body 110 having a circular shape in plan view as shown in FIGS. 5 and 6 and having the same diameter as the wafer to be processed W or a longer diameter. For the main body 110, for example, a metal such as aluminum is used.

本体部１１０上には、複数の保持部１１１が設けられている。保持部１１１は、中央部に気体の噴出口を有する略円筒形状の部材であり、被処理ウェハＷの表面に向けて気体を噴出することにより、ベルヌーイ効果を生じさせて被処理ウェハＷを非接触で保持する。なお、保持部１１１の構成については後述する。   A plurality of holding portions 111 are provided on the main body portion 110. The holding part 111 is a substantially cylindrical member having a gas outlet at the center, and ejects a gas toward the surface of the wafer W to be processed, thereby producing a Bernoulli effect and removing the wafer W to be processed. Hold in contact. The configuration of the holding unit 111 will be described later.

複数の保持部１１１は、中心保持部１１１ａ、内周保持部１１１ｂ及び外周保持部１１１ｃを有している。中心保持部１１１ａは、本体部１１０の中心部に１個配置されている。内周保持部１１１ｂは、本体部１１０の中心部と外周部の間において、当該本体部１１０と同心円状に等間隔に並べて複数、例えば６個配置されている。外周保持部１１１ｃは、本体部１１０の外周部において、当該本体部１１０と同心円状に等間隔に並べて複数、例えば１８個配置されている。このように本体部１１０上には、中心保持部１１１ａ、内周保持部１１１ｂ及び外周保持部１１１ｃが三重に設けられている。なお、複数の保持部１１１は、例えば３つ以上の異なる円周上に設けられていてもよい。   The plurality of holding portions 111 include a center holding portion 111a, an inner periphery holding portion 111b, and an outer periphery holding portion 111c. One center holding part 111 a is arranged at the center part of the main body part 110. A plurality of, for example, six inner peripheral holding portions 111b are arranged between the center portion and the outer peripheral portion of the main body portion 110 so as to be concentric with the main body portion 110 at equal intervals. A plurality of, for example, 18 outer peripheral holding portions 111 c are arranged on the outer peripheral portion of the main body portion 110 so as to be concentric with the main body portion 110 at equal intervals. As described above, the center holding part 111a, the inner periphery holding part 111b, and the outer periphery holding part 111c are provided in triplicate on the main body part 110. In addition, the some holding | maintenance part 111 may be provided on three or more different circumferences, for example.

中心保持部１１１ａの中心と内周保持部１１１ｂの中心を通る中心線Ｃ上には、外周保持部１１１ｃが配置される。中心線Ｃは内周保持部１１１ｂの数に合わせて３本存在するが、本体部１１０において中心線Ｃ、Ｃ間には２個の外周保持部１１１ｃが配置される。なお、内周保持部１１１ｂの数は本実施の形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施の形態では外周保持部１１１ｃの数は内周保持部１１１ｂの数の３倍であるが、これに限定されず、整数倍であればよい。   An outer peripheral holding part 111c is arranged on a center line C passing through the center of the center holding part 111a and the center of the inner peripheral holding part 111b. Although there are three center lines C in accordance with the number of inner periphery holding portions 111b, two outer periphery holding portions 111c are arranged between the center lines C and C in the main body 110. In addition, the number of the inner periphery holding | maintenance part 111b is not limited to this Embodiment, It can set arbitrarily. In the present embodiment, the number of outer periphery holding portions 111c is three times the number of inner periphery holding portions 111b, but is not limited to this, and may be an integer multiple.

図７に示すように各保持部１１１は、給気管１１２を介して給気装置１１３に接続され、給気装置１１３から給気管１１２を介して供給される気体を噴出する。給気管１１２には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１１４が設けられている。なお気体には、例えば窒素等の不活性ガスやドライエアなどが用いられる。   As shown in FIG. 7, each holding unit 111 is connected to an air supply device 113 via an air supply pipe 112, and ejects a gas supplied from the air supply device 113 via the air supply pipe 112. The supply pipe 112 is provided with a supply device group 114 including a valve for controlling the flow of gas, a flow rate adjusting unit, and the like. As the gas, for example, an inert gas such as nitrogen or dry air is used.

図５〜図７に示すように本体部１１０には、厚み方向に貫通する複数の排気孔１１５、１１６が形成されている。中心保持部１１１ａと内周保持部１１１ｂの間には、複数、例えば６個の内周排気孔１１５が本体部１１０と同心円状に等間隔に並べて形成されている。内周排気孔１１５は、例えば平面視において円形状を有している。内周排気孔１１５は、主として中心保持部１１１ａからの気体と内周保持部１１１ｂの気体を排出する。また、内周排気孔１１５は、これら中心保持部１１１ａからの気体と内周保持部１１１ｂの気体が干渉して、被処理ウェハＷに対する吸引力が低下するのを抑制する。   As shown in FIGS. 5 to 7, the main body 110 is formed with a plurality of exhaust holes 115 and 116 penetrating in the thickness direction. Between the center holding part 111a and the inner periphery holding part 111b, a plurality of, for example, six inner periphery exhaust holes 115 are formed concentrically with the main body part 110 at equal intervals. The inner peripheral exhaust hole 115 has, for example, a circular shape in plan view. The inner peripheral exhaust hole 115 mainly discharges the gas from the center holding part 111a and the gas from the inner peripheral holding part 111b. Further, the inner peripheral exhaust hole 115 suppresses a reduction in the suction force with respect to the processing target wafer W due to interference between the gas from the center holding portion 111a and the gas from the inner peripheral holding portion 111b.

また、内周保持部１１１ｂと外周保持部１１１ｃの間には、複数、例えば６個の外周排気孔１１６が本体部１１０と同心円状に等間隔に並べて形成されている。外周排気孔１１６は、例えば平面視において円弧状に開口した形状を有している。
外周排気孔１１６は、主として内周保持部１１１ｂの気体と外周保持部１１１ｃからの気体を排出する。また、外周排気孔１１６は、これら内周保持部１１１ｂの気体と外周保持部１１１ｃからの気体の気体が干渉して、被処理ウェハＷに対する吸引力が低下するのを抑制する。なお、これら排気孔１１５、１１６の数は本実施の形態に限定されず、任意に設定できる。 Further, a plurality of, for example, six outer exhaust holes 116 are formed concentrically with the main body 110 at regular intervals between the inner periphery holding part 111b and the outer periphery holding part 111c. The outer peripheral exhaust hole 116 has, for example, a shape opened in an arc shape in a plan view.
The outer periphery exhaust hole 116 mainly discharges the gas from the inner periphery holding part 111b and the gas from the outer periphery holding part 111c. Further, the outer peripheral exhaust hole 116 suppresses a reduction in suction force with respect to the wafer W to be processed due to interference between the gas in the inner peripheral holding portion 111b and the gas gas from the outer peripheral holding portion 111c. In addition, the number of these exhaust holes 115 and 116 is not limited to this Embodiment, It can set arbitrarily.

内周排気孔１１５の外周排気孔１１６は、それぞれの中心が上述した中心線Ｃ上にあるように配置される。すなわち、中心線Ｃ上には中心から外周に向かって、中心保持部１１１ａ、内周排気孔１１５、内周保持部１１１ｂ、外周排気孔１１６、外周保持部１１１ｃがこの順で配置されている。このように保持部１１１と排気孔１１５、１１６を交互に配置することで、上述したように各保持部１１１からの気体の干渉を抑制することができる。   The outer peripheral exhaust holes 116 of the inner peripheral exhaust holes 115 are arranged such that their centers are on the above-described center line C. That is, on the center line C, the center holding part 111a, the inner peripheral exhaust hole 115, the inner peripheral holding part 111b, the outer peripheral exhaust hole 116, and the outer peripheral holding part 111c are arranged in this order from the center toward the outer periphery. As described above, by alternately arranging the holding portions 111 and the exhaust holes 115 and 116, it is possible to suppress gas interference from the holding portions 111 as described above.

本体部１１０の外周部には、当該外周部から突出して係止部１１７が設けられている。係止部１１７は、本体部１１０の外周部に沿って等間隔に並べて複数、例えば５個配置されている。これらの係止部１１７によって、被処理ウェハＷは、本体部１１０からの脱落等が防止される。なお、係止部１１７の数は本実施の形態に限定されず、任意に設定できる。   A locking portion 117 is provided on the outer peripheral portion of the main body 110 so as to protrude from the outer peripheral portion. A plurality of, for example, five locking portions 117 are arranged at equal intervals along the outer peripheral portion of the main body portion 110. With these locking portions 117, the processing target wafer W is prevented from dropping from the main body 110. In addition, the number of the latching | locking parts 117 is not limited to this Embodiment, It can set arbitrarily.

以上のように構成されたベルヌーイチャック１００では、本体部１１０上に中心保持部１１１ａ、内周保持部１１１ｂ及び外周保持部１１１ｃが三重に設けられているので、被処理ウェハＷをウェハ面で保持することができ、被処理ウェハＷを水平且つ適切に保持することができる。   In the Bernoulli chuck 100 configured as described above, the center holding portion 111a, the inner periphery holding portion 111b, and the outer periphery holding portion 111c are provided in triplicate on the main body 110, so that the wafer W to be processed is held on the wafer surface. The wafer W to be processed can be held horizontally and appropriately.

しかも、中心保持部１１１ａによって、被処理ウェハＷの中心部にも吸引力を作用させて当該中心部が保持されるので、上述した特許文献１に記載された搬送装置で生じるおそれのある被処理ウェハＷの中心部の反りを抑制することができる。   In addition, since the center holding portion 111a applies a suction force to the central portion of the wafer W to be processed to hold the central portion, the processing target that may occur in the transfer apparatus described in Patent Document 1 described above. Warpage of the center portion of the wafer W can be suppressed.

さらに、中心保持部１１１ａの周囲には内周排気孔１１５が複数設けられているので、上述した特許文献１に記載された搬送装置のように本体部１１０と被処理ウェハＷの中心部との間に空気が溜まるのを抑制することができ、被処理ウェハＷの中心部の反りをより確実に抑制することができる。   Further, since a plurality of inner peripheral exhaust holes 115 are provided around the center holding part 111a, the main body part 110 and the center part of the wafer W to be processed are provided as in the transfer apparatus described in Patent Document 1 described above. Air can be prevented from accumulating in the meantime, and the warpage of the central portion of the wafer W to be processed can be more reliably suppressed.

ここで、被処理ウェハＷに対して保持部１１１（１１１ａ〜１１１ｃ）から気体を吹き付けると、被処理ウェハＷが振動するおそれがあるが、従来のように被処理ウェハＷの中心部が反ると、この振動が大きくなる。この点、本実施の形態では、被処理ウェハＷの中心部の反りを抑制できるので、被処理ウェハＷの振動も抑制することができ、その結果、被処理ウェハＷ上のデバイスを保護することができる。また一般的に、保持部１１１からの気体の供給量を増加させると、当該保持部１１１による被処理ウェハＷの吸引力が増加するが、一方で振動が大きくなる。本実施の形態では、保持部１１１からの気体の供給量を増加させて被処理ウェハＷに対する吸引力を大きくしつつ、被処理ウェハＷの振動を抑制することができるのである。   Here, if gas is blown from the holding unit 111 (111a to 111c) to the wafer W to be processed, the wafer W to be processed may be vibrated, but the central portion of the wafer W to be processed is warped as in the past. This vibration increases. In this respect, in the present embodiment, since the warpage of the central portion of the wafer to be processed W can be suppressed, the vibration of the wafer to be processed W can also be suppressed, and as a result, the device on the wafer to be processed W can be protected. Can do. In general, when the amount of gas supplied from the holding unit 111 is increased, the suction force of the wafer W to be processed by the holding unit 111 is increased, but the vibration is increased. In the present embodiment, it is possible to suppress vibration of the wafer W to be processed while increasing the amount of gas supplied from the holding unit 111 to increase the suction force to the wafer W to be processed.

また、外周保持部１１１ｃの数は内周保持部１１１ｂの数の整数倍であって、本体部１１０の中心線Ｃ上には中心から外周に向かって、中心保持部１１１ａ、内周保持部１１１ｂ、外周保持部１１１ｃがこの順で配置されている。この効果について説明する。   The number of outer periphery holding portions 111c is an integral multiple of the number of inner periphery holding portions 111b. On the center line C of the main body 110, the center holding portion 111a and the inner periphery holding portion 111b are arranged from the center toward the outer periphery. The outer periphery holding part 111c is arranged in this order. This effect will be described.

図８（ａ）は比較例として、外周保持部１１１ｃの数が内周保持部１１１ｂの数の整数倍でなく、中心線Ｃ上に外周保持部１１１ｃがない場合を示し、図８（ｂ）は本実施の形態として、外周保持部１１１ｃの数が内周保持部１１１ｂの数の整数倍であり、中心線Ｃ上に外周保持部１１１ｃがある場合を示す。なお、図８中の一点鎖線は、外周保持部１１１ｃが配置される円周（本体部１１０と同一円周）を示す。   FIG. 8A shows, as a comparative example, a case where the number of outer periphery holding portions 111c is not an integral multiple of the number of inner periphery holding portions 111b, and there is no outer periphery holding portion 111c on the center line C. FIG. Shows a case where the number of the outer periphery holding portions 111c is an integral multiple of the number of the inner periphery holding portions 111b and the outer periphery holding portions 111c are on the center line C as the present embodiment. In addition, the dashed-dotted line in FIG. 8 shows the circumference (same circumference as the main-body part 110) by which the outer periphery holding | maintenance part 111c is arrange | positioned.

図８（ａ）に示した比較例によれば、内周保持部１１１ｂと各外周保持部１１１ｃとの間の距離が異なる。このため、これら内周保持部１１１ｂと外周保持部１１１ｃからの気体が干渉し、被処理ウェハＷに対する吸引力が小さくなる。これに対して、図８（ｂ）に示した本実施の形態の場合、内周保持部１１１ｂと各外周保持部１１１ｃとの間の距離が同じになるため、これら内周保持部１１１ｂと外周保持部１１１ｃからの気体の干渉を抑制でき、被処理ウェハＷに対する吸引力の低下を抑制することができる。したがって、被処理ウェハＷを適切に保持することができる。   According to the comparative example shown in FIG. 8A, the distance between the inner periphery holding part 111b and each outer periphery holding part 111c is different. For this reason, the gas from these inner periphery holding part 111b and the outer periphery holding part 111c interferes, and the attraction | suction force with respect to the to-be-processed wafer W becomes small. On the other hand, in the case of the present embodiment shown in FIG. 8B, the distance between the inner periphery holding portion 111b and each outer periphery holding portion 111c is the same. The interference of gas from the holding part 111c can be suppressed, and the reduction of the suction force with respect to the processing target wafer W can be suppressed. Therefore, the processing target wafer W can be appropriately held.

次に、保持部１１１ａ〜１１１ｃの構成について説明する。保持部１１１ａ〜１１１ｃの構成は同様であり、以下の説明においては保持部１１１として説明すう。   Next, the configuration of the holding units 111a to 111c will be described. The configuration of the holding units 111a to 111c is the same, and will be described as the holding unit 111 in the following description.

図９に示すように保持部１１１は、中央部に気体の噴出口１２０を有している。噴出口１２０の内周面には連通孔１２１が形成されており、かかる連通孔１２１には給気管１１２が接続される。給気装置１１３から送り出された気体は、給気管１１２及び連通孔１２１を介して噴出口１２０の内部へ供給され、噴出口１２０の内部において旋回流となって噴出口１２０から噴出する。   As shown in FIG. 9, the holding part 111 has a gas outlet 120 at the center. A communication hole 121 is formed on the inner peripheral surface of the jet outlet 120, and the air supply pipe 112 is connected to the communication hole 121. The gas sent out from the air supply device 113 is supplied to the inside of the jet outlet 120 through the air supply pipe 112 and the communication hole 121, and is jetted from the jet outlet 120 as a swirling flow inside the jet outlet 120.

保持部１１１には、例えばＰＢＩ（ポリベンゾイミダゾール）樹脂やＰＯＭ（ポリアセタール）樹脂などの樹脂が用いられる。ここで、ベルヌーイチャック１００は、本来、被処理ウェハＷと接触しないことを前提としているが、被処理ウェハＷは非常に薄く、接合面ＷＪに形成されるデバイスによっては、被処理ウェハＷが大きく反る場合がある。かかる場合、被処理ウェハＷと保持部１１１が接触するおそれがある。この点、本実施の形態では、保持部１１１を樹脂で構成しているので、仮に被処理ウェハＷと保持部１１１が接触した場合でも、被処理ウェハＷの損傷を抑制することができる。 For the holding part 111, for example, a resin such as PBI (polybenzimidazole) resin or POM (polyacetal) resin is used. Here, Bernoulli chuck 100, inherently, it is assumed that no contact with the wafer W, the wafer W is very thin, some devices formed on the bonding surface W J, wafer W is It may be greatly warped. In such a case, there is a possibility that the processing target wafer W and the holding unit 111 may come into contact with each other. In this regard, in the present embodiment, since the holding unit 111 is made of resin, even if the processing target wafer W and the holding unit 111 come into contact with each other, damage to the processing target wafer W can be suppressed.

なお、保持部１１１の表面の角部は面取りされていてもよい。これは、被処理ウェハＷが本体部１１０に対して反っている場合に、被処理ウェハＷが保持部１１１の先端面の周縁部に最も接触しやすいためである。このように、保持部１１１の形状を先端面が面取りされた形状とすることで、被処理ウェハＷが保持部１１１に接触し難くすることができる。また、仮に、被処理ウェハＷが保持部１１１に接触したとしても、保持部１１１の先端面が面取りされているため、被処理ウェハＷは損傷し難い。   In addition, the corner | angular part of the surface of the holding | maintenance part 111 may be chamfered. This is because when the wafer W to be processed is warped with respect to the main body 110, the wafer W to be processed is most likely to come into contact with the peripheral edge of the front end surface of the holding portion 111. Thus, by making the shape of the holding part 111 a shape with the chamfered tip surface, the wafer W to be processed can be made difficult to contact the holding part 111. Even if the wafer to be processed W comes into contact with the holding part 111, the tip of the holding part 111 is chamfered, so that the wafer to be processed W is hardly damaged.

＜３．他の実施の形態＞
次に、第２の搬送装置３２と第３の搬送装置５１の他の実施の形態について説明する。 <3. Other embodiments>
Next, another embodiment of the second transfer device 32 and the third transfer device 51 will be described.

第２の搬送装置３２と第３の搬送装置５１では、中心保持部１１１ａからの気体の供給量、内周保持部１１１ｂからの気体の供給量及び外周保持部１１１ｃからの気体の供給量は、それぞれ個別に制御されてもよい。図１０に示すように中心保持部１１１ａは、給気管１３０を介して給気装置１３１に接続され、給気管１３０には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１３２が設けられている。内周保持部１１１ｂは、給気管１３３を介して給気装置１３４に接続され、給気管１３３には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１３５が設けられている。外周保持部１１１ｃは、給気管１３６を介して給気装置１３７に接続され、給気管１３６には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１３８が設けられている。   In the second transport device 32 and the third transport device 51, the gas supply amount from the center holding portion 111a, the gas supply amount from the inner peripheral holding portion 111b, and the gas supply amount from the outer peripheral holding portion 111c are: Each may be controlled individually. As shown in FIG. 10, the center holding part 111a is connected to an air supply device 131 via an air supply pipe 130. The air supply pipe 130 includes a supply device group 132 including a valve for controlling the flow of gas, a flow rate adjusting part, and the like. Is provided. The inner periphery holding part 111b is connected to an air supply device 134 through an air supply pipe 133, and the air supply pipe 133 is provided with a supply device group 135 including a valve for controlling the flow of gas and a flow rate adjusting part. . The outer periphery holding part 111c is connected to an air supply device 137 through an air supply pipe 136, and the air supply pipe 136 is provided with a supply device group 138 including a valve for controlling the flow of gas, a flow rate adjusting part and the like.

かかる場合、例えば被処理ウェハＷの反り状態に応じて、保持部１１１ａ〜１１１ｃからの気体の供給量を個別に制御できる。このため、ベルヌーイチャック１００において被処理ウェハＷをより水平且つ適切に保持することができる。   In such a case, for example, the amount of gas supplied from the holding units 111a to 111c can be individually controlled according to the warpage state of the wafer W to be processed. For this reason, the processing target wafer W can be more horizontally and appropriately held in the Bernoulli chuck 100.

また、例えば剥離装置３０において、剥離後の被処理ウェハＷの反り状態を確認すれば、当該反り状態に応じて、保持部１１１ａ〜１１１ｃからの気体の供給量をリアルタイムに制御でき、被処理ウェハＷをさらに水平且つ適切に保持することができる。   Further, for example, in the peeling apparatus 30, if the warpage state of the wafer W to be processed after peeling is confirmed, the gas supply amount from the holding portions 111a to 111c can be controlled in real time according to the warpage state, and the wafer to be processed W can be held further horizontally and appropriately.

以上の実施の形態では、内周排気孔１１５の形状は平面視円形状であったが、任意に設定できる。例えば図１１に示すように内周排気孔１１５は、平面視において長穴形状を有していてもよい。内周保持部１１１ｂはその長軸が中心線Ｃの方向に延伸するように配置される。また、例えば図１２に示すように内周排気孔１１５は、平面視において円弧状に開口した形状を有していてもよい。いずれの場合でも、被処理ウェハＷの中心部の反りを抑制することができる。   In the above embodiment, the shape of the inner peripheral exhaust hole 115 is a circular shape in plan view, but can be arbitrarily set. For example, as shown in FIG. 11, the inner peripheral exhaust hole 115 may have a long hole shape in plan view. The inner circumference holding part 111b is arranged such that its long axis extends in the direction of the center line C. For example, as shown in FIG. 12, the inner peripheral exhaust hole 115 may have a shape opened in an arc shape in a plan view. In either case, warpage of the center portion of the wafer W to be processed can be suppressed.

以上の実施の形態の剥離システム１において、洗浄ステーション７は、被処理ウェハＷの表裏面の反転を行う反転装置（図示せず）を別途有していてもよい。この反転装置としては、特開２０１４−３２３７号公報に記載の反転装置を用いることができる。かかる場合、第３の搬送装置５１で行っていた被処理ウェハＷの表裏面の反転が、反転装置で行われる。   In the peeling system 1 of the above embodiment, the cleaning station 7 may additionally include a reversing device (not shown) for reversing the front and back surfaces of the wafer W to be processed. As the reversing device, a reversing device described in JP 2014-3237 A can be used. In such a case, the reversing of the front and back surfaces of the wafer W to be processed, which has been performed by the third transfer device 51, is performed by the reversing device.

以上の実施の形態の重合ウェハＴには、当該重合ウェハＴの損傷を抑制するための保護部材、例えばダイシングフレーム（図示せず）が設けられていてもよい。ダイシングフレームは、被処理ウェハＷ側に設けられている。そして、被処理ウェハＷが支持ウェハＳから剥離された後も、薄化された被処理ウェハＷはダイシングフレームに保護された状態で、所定の処理や搬送が行われる。したがって、剥離後の被処理ウェハＷの損傷を抑制することができる。   The superposed wafer T of the above embodiment may be provided with a protective member for suppressing damage to the superposed wafer T, for example, a dicing frame (not shown). The dicing frame is provided on the processing target wafer W side. Even after the wafer W to be processed is peeled off from the support wafer S, the thinned wafer W to be processed is subjected to predetermined processing and conveyance while being protected by the dicing frame. Therefore, damage to the processing target wafer W after peeling can be suppressed.

以上の実施の形態では、後処理ステーションＭにおいて被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。   In the above embodiments, the case where the post-processing wafer M is post-processed and commercialized in the post-processing station M has been described. However, the present invention peels off the target wafer used in, for example, three-dimensional integration technology from the support wafer. It can also be applied to. The three-dimensional integration technology is a technology that meets the recent demand for higher integration of semiconductor devices. Instead of arranging a plurality of highly integrated semiconductor devices in a horizontal plane, This is a technique of three-dimensional lamination. Also in this three-dimensional integration technique, it is required to thin the wafers to be processed, and the wafers to be processed are bonded to the supporting wafers and predetermined processing is performed.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

１ 剥離システム
３０ 剥離装置
３２ 第２の搬送装置
５１ 第３の搬送装置
１００ ベルヌーイチャック
１１０ 本体部
１１１ 保持部
１１１ａ 中心保持部
１１１ｂ 内周保持部
１１１ｃ 外周保持部
１１２ 給気管
１１３ 給気装置
１１４ 供給機器群
１１５ 内周排気孔
１１６ 外周排気孔
１１７ 係止部
１３０、１３３、１３６ 給気管
１３１、１３４、１３７ 給気装置
１３２、１３５、１３８ 供給機器群
Ｇ 接着剤
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Peeling system 30 Peeling device 32 2nd conveying apparatus 51 3rd conveying apparatus 100 Bernoulli chuck 110 Main body part 111 Holding part 111a Center holding part 111b Inner periphery holding part 111c Outer periphery holding part 112 Supply pipe 113 Supply apparatus 114 Supply apparatus Group 115 Inner peripheral exhaust hole 116 Outer peripheral exhaust hole 117 Locking portion 130, 133, 136 Air supply pipe 131, 134, 137 Air supply device 132, 135, 138 Supply device group G Adhesive S Support wafer T Superposition wafer W Processed wafer

Claims (6)

基板同士が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された基板を搬送する基板搬送装置であって、
平面視において円形状を有する本体部と、
前記本体部上に設けられ、基板の表面に向けて気体を噴出することによって当該基板を非接触で保持する複数の保持部と、を有し、
前記複数の保持部は、
前記本体部の中心に配置された１個の中心保持部と、
前記本体部の中心と外周の間において、当該本体部と同心円状に並べて配置された複数の内周保持部と、
前記本体部の外周において、当該本体部と同心円状に並べて配置された複数の外周保持部と、を有することを特徴とする、基板搬送装置。 A substrate transporting device that transports the peeled substrate after peeling the superposed substrates bonded together with an adhesive,
A main body having a circular shape in plan view;
A plurality of holding portions that are provided on the main body portion and hold the substrate in a non-contact manner by ejecting gas toward the surface of the substrate;
The plurality of holding portions are
One center holding part disposed at the center of the main body part;
Between the center and the outer periphery of the main body portion, a plurality of inner peripheral holding portions arranged concentrically with the main body portion, and
A substrate transport apparatus comprising: a plurality of outer periphery holding portions arranged concentrically with the main body portion on the outer periphery of the main body portion. 前記本体部において前記中心保持部と前記内周保持部の間には、気体を排出するための内周排気孔が前記本体部と同心円状に並べて複数形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板搬送装置。 In the main body portion, a plurality of inner peripheral exhaust holes for discharging gas are formed concentrically with the main body portion between the center holding portion and the inner peripheral holding portion. Item 2. The substrate transfer apparatus according to Item 1. 前記本体部において前記内周保持部と前記外周保持部の間には、気体を排出するための外周排気孔が前記本体部と同心円状に並べて複数形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板搬送装置。 A plurality of outer peripheral exhaust holes for discharging gas are formed concentrically with the main body portion between the inner peripheral holding portion and the outer peripheral holding portion in the main body portion. The substrate transfer apparatus according to 1 or 2. 前記外周保持部の数は前記内周保持部の数の整数倍であって、
前記中心保持部の中心と前記内周保持部の中心を通る直線上には、前記外周保持部が配置されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板搬送装置。 The number of the outer periphery holding portions is an integral multiple of the number of the inner periphery holding portions,
The substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the outer peripheral holding portion is arranged on a straight line passing through the center of the central holding portion and the center of the inner peripheral holding portion. Conveying device. 前記中心保持部からの気体の供給量、前記内周保持部からの気体の供給量及び前記外周保持部からの気体の供給量は、それぞれ個別に制御されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板搬送装置。 The gas supply amount from the center holding portion, the gas supply amount from the inner peripheral holding portion, and the gas supply amount from the outer peripheral holding portion are individually controlled, respectively. The board | substrate conveyance apparatus as described in any one of -4. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板搬送装置を備えた剥離システムであって、
重合基板を剥離する剥離装置をさらに備え、
前記基板搬送装置は、前記剥離装置で剥離された基板を搬送することを特徴とする、剥離システム。 A peeling system comprising the substrate transfer device according to any one of claims 1 to 5,
It further comprises a peeling device for peeling the polymerization substrate,
The said board | substrate conveyance apparatus conveys the board | substrate peeled by the said peeling apparatus, The peeling system characterized by the above-mentioned.
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