JP2017092228A - Substrate transport device and exfoliation system - Google Patents
Substrate transport device and exfoliation system Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017092228A JP2017092228A JP2015220173A JP2015220173A JP2017092228A JP 2017092228 A JP2017092228 A JP 2017092228A JP 2015220173 A JP2015220173 A JP 2015220173A JP 2015220173 A JP2015220173 A JP 2015220173A JP 2017092228 A JP2017092228 A JP 2017092228A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- main body
- substrate
- center
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 title 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 56
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 230
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 59
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 49
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板同士が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された基板を搬送する基板搬送装置、及び当該基板搬送装置を備えた剥離システムに関する。 The present invention relates to a substrate transport device that transports a peeled substrate after peeling a polymerized substrate in which the substrates are bonded with an adhesive, and a peeling system including the substrate transport device.
近年、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄化が求められている。ここで、例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じるおそれがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。 In recent years, the diameter of semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”) has been increasing in semiconductor device manufacturing processes. Further, in a specific process such as mounting, wafer thinning is required. Here, for example, when a thin wafer having a large diameter is transported as it is or polished, the wafer may be warped or cracked. For this reason, in order to reinforce the wafer, for example, the wafer is attached to a support substrate. Then, after a predetermined process such as a wafer polishing process is performed in a state where the wafer and the support substrate are bonded in this way, the wafer and the support substrate are peeled off.
このようにウェハと支持基板が剥離されると、剥離されたウェハは所定の処理装置に搬送され、当該処理装置においてウェハに所定の処理が行われる。このウェハの搬送においては、ウェハ上に形成されたデバイスの損傷を回避するため、非接触状態でウェハを保持するのが好ましい。 When the wafer and the support substrate are peeled in this way, the peeled wafer is transferred to a predetermined processing apparatus, and the wafer is subjected to predetermined processing in the processing apparatus. In the transfer of the wafer, it is preferable to hold the wafer in a non-contact state in order to avoid damage to devices formed on the wafer.
そこで、剥離されたウェハを保持して搬送するため、例えばベルヌーイの定理を利用した搬送装置が用いられる。例えば特許文献1には、円板状の本体部と、本体部上に設けられた複数のノズルと、を備える搬送装置が開示されている。複数のノズルは、本体部の主面に対して円周状に、且つ、内周側と外周側の二重に並べて配置される。そして搬送装置では、各ノズルからウェハの表面に向けて気体を噴出することにより、ベルヌーイ効果を生じさせてウェハを非接触で保持する。 Therefore, in order to hold and transfer the peeled wafer, for example, a transfer device using Bernoulli's theorem is used. For example, Patent Document 1 discloses a transport device that includes a disk-shaped main body and a plurality of nozzles provided on the main body. The plurality of nozzles are arranged circumferentially with respect to the main surface of the main body, and are arranged side by side on the inner peripheral side and the outer peripheral side. In the transfer device, gas is ejected from each nozzle toward the surface of the wafer, thereby generating a Bernoulli effect and holding the wafer in a non-contact manner.
しかしながら、発明者らが鋭意検討した結果、特許文献1に記載された搬送装置を用いてウェハを保持する場合、ウェハの中心部が本体部と反対側に突起して反る場合があることが分かった。発明者らはこの原因について、次のように推察した。すなわち、各ノズルは中央部に気体の噴出口を有し、噴出口の内部において気体は旋回流を形成して当該噴出口から噴出する。そうすると、各ノズルからの気体は水平方向に四方に流れる。本体部の外周部に向かって流れる気体はそのまま外周部から流出するが、中心部に向かって流れる気体は、本体部とウェハの間に溜まってしまう。この溜まった気体がウェハの中心部を押し上げ、当該中心部の反りが発生する。このようにウェハが反ると、搬送装置でウェハを適切に保持できず、適切に搬送することができない。 However, as a result of intensive studies by the inventors, when the wafer is held using the transfer device described in Patent Document 1, the center of the wafer may protrude and warp on the opposite side of the main body. I understood. The inventors speculated about the cause as follows. That is, each nozzle has a gas outlet at the center, and the gas forms a swirling flow inside the outlet and is ejected from the outlet. Then, the gas from each nozzle flows in four directions in the horizontal direction. The gas flowing toward the outer peripheral portion of the main body portion flows out from the outer peripheral portion as it is, but the gas flowing toward the central portion is accumulated between the main body portion and the wafer. This accumulated gas pushes up the central portion of the wafer, and warpage of the central portion occurs. When the wafer is warped in this way, the wafer cannot be properly held by the transfer device and cannot be transferred appropriately.
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、重合基板から剥離された基板を適切に保持し、当該基板の搬送を適切に行うことを目的とする。 This invention is made | formed in view of this point, and it aims at hold | maintaining the board | substrate peeled from the superposition | polymerization board | substrate appropriately, and conveying the said board | substrate appropriately.
前記の目的を達成するため、本発明は、基板同士が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された基板を搬送する基板搬送装置であって、平面視において円形状を有する本体部と、前記本体部上に設けられ、基板の表面に向けて気体を噴出することによって当該基板を非接触で保持する複数の保持部と、を有し、前記複数の保持部は、前記本体部の中心に配置された1個の中心保持部と、前記本体部の中心と外周の間において、当該本体部と同心円状に並べて配置された複数の内周保持部と、前記本体部の外周において、当該本体部と同心円状に並べて配置された複数の外周保持部と、を有することを特徴としている。 In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a substrate transport apparatus for transporting a peeled substrate after peeling a polymerized substrate in which the substrates are bonded with an adhesive, and having a circular shape in plan view And a plurality of holding parts that are provided on the main body part and hold the substrate in a non-contact manner by ejecting gas toward the surface of the substrate, wherein the plurality of holding parts are the main body One central holding portion disposed at the center of the main portion, a plurality of inner peripheral holding portions arranged concentrically with the main body portion between the center and the outer periphery of the main body portion, and the outer periphery of the main body portion And a plurality of outer peripheral holding portions arranged concentrically with the main body portion.
本発明によれば、本体部上には中心保持部、内周保持部及び外周保持部が三重に設けられている。このため、剥離された基板の外周(内周)を適切に保持しつつ、その中心も適切に保持することができ、すなわち基板を水平に保持することができる。したがって、基板の搬送を適切に行うことができる。 According to the present invention, the center holding part, the inner periphery holding part, and the outer periphery holding part are provided in triplicate on the main body part. For this reason, while the outer periphery (inner periphery) of the peeled substrate is appropriately held, the center can also be appropriately held, that is, the substrate can be held horizontally. Therefore, the substrate can be appropriately transferred.
前記本体部において前記中心保持部と前記内周保持部の間には、気体を排出するための内周排気孔が前記本体部と同心円状に並べて複数形成されていてもよい。また、前記本体部において前記内周保持部と前記外周保持部の間には、気体を排出するための外周排気孔が前記本体部と同心円状に並べて複数形成されていてもよい。 In the main body portion, a plurality of inner peripheral exhaust holes for discharging gas may be formed concentrically with the main body portion between the center holding portion and the inner peripheral holding portion. Further, a plurality of outer peripheral exhaust holes for discharging gas may be formed concentrically with the main body portion between the inner peripheral holding portion and the outer peripheral holding portion in the main body portion.
前記外周保持部の数は前記内周保持部の数の整数倍であって、前記中心保持部の中心と前記内周保持部の中心を通る直線上には、前記外周保持部が配置されていてもよい。 The number of the outer periphery holding portions is an integral multiple of the number of the inner periphery holding portions, and the outer periphery holding portions are arranged on a straight line passing through the center of the center holding portion and the center of the inner periphery holding portion. May be.
前記中心保持部からの気体の供給量、前記内周保持部からの気体の供給量及び前記外周保持部からの気体の供給量は、それぞれ個別に制御されてもよい。 The gas supply amount from the center holding portion, the gas supply amount from the inner peripheral holding portion, and the gas supply amount from the outer peripheral holding portion may be individually controlled.
別な観点による本発明は、前記基板搬送装置を備えた剥離システムであって、重合基板を剥離する剥離装置をさらに備え、前記基板搬送装置は、前記剥離装置で剥離された基板を搬送することを特徴としている。 The present invention according to another aspect is a peeling system including the substrate transfer device, further including a peeling device for peeling the superposed substrate, and the substrate transfer device transfers the substrate peeled by the peeling device. It is characterized by.
本発明によれば、重合基板から剥離された基板を適切に保持し、当該基板の搬送を適切に行うことができる。 According to this invention, the board | substrate peeled from the superposition | polymerization board | substrate can be hold | maintained appropriately, and the said board | substrate can be conveyed appropriately.
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.
<1.剥離システム>
先ず、本実施の形態に係る剥離システムの構成について、図1及ぶ図2を参照して説明する。図1は、本実施の形態にかかる剥離システム1の構成の概略を示す平面図である。
<1. Peeling system>
First, the configuration of the peeling system according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 1 and FIG. FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a peeling system 1 according to the present embodiment.
剥離システム1では、図2に示すように被処理ウェハWと支持ウェハSとが接着剤Gで接合された重合基板としての重合ウェハTを、被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する。以下、被処理ウェハWにおいて、接着剤Gを介して支持ウェハSと接合される面を「接合面WJ」といい、当該接合面WJと反対側の面を「非接合面WN」という。同様に、支持ウェハSにおいて、接着剤Gを介して被処理ウェハWと接合される面を「接合面SJ」といい、当該接合面SJと反対側の面を「非接合面SN」という。 In the peeling system 1, as shown in FIG. 2, the superposed wafer T as a superposed substrate in which the wafer W to be processed and the support wafer S are bonded with an adhesive G is peeled to the wafer W to be processed and the support wafer S. Hereinafter, in the processing target wafer W, a surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as “bonding surface W J ”, and a surface opposite to the bonding surface W J is referred to as “non-bonding surface W N ”. That's it. Similarly, in the support wafer S, a surface bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as “bonding surface S J ”, and a surface opposite to the bonding surface S J is referred to as “non-bonding surface S N”. "
被処理ウェハWは、製品となるウェハであって、例えば接合面WJに複数の電子回路やバンプ等を備えた複数のデバイスが形成されている。また、例えば非接合面WNにも、バンプ等が形成されている場合がある。さらに被処理ウェハWは、例えば非接合面WNが研磨処理され、薄化されている。具体的には、被処理ウェハWの厚さは、約20μm〜100μmである。 Wafer W is a wafer as a product, for example, a plurality of devices having a plurality of electronic circuits or bumps on the bonding surface W J is formed. Further, for example, to non-bonding surface W N, there is a case where bumps are formed. Further wafer W, for example a non-bonding surface W N is polished, is thinned. Specifically, the thickness of the processing target wafer W is about 20 μm to 100 μm.
支持ウェハSは、被処理ウェハWの径と略同径の円板形状を有し、当該被処理ウェハWを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。 The support wafer S is a wafer that has a disk shape that is substantially the same diameter as the wafer W to be processed and supports the wafer W to be processed. In this embodiment, the case where a wafer is used as the support substrate will be described, but another substrate such as a glass substrate may be used.
剥離システム1は、図1に示すように搬入出ステーション2、ウェハ搬送領域3、剥離処理ステーション4、インターフェイスステーション5、検査装置6、及び洗浄ステーション7を有している。
As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes a carry-in /
搬入出ステーション2は、例えば外部との間で複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットCW、CS、CTが搬入出される。ウェハ搬送領域3は、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション4との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送する。剥離処理ステーション4は、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えている。搬入出ステーション2、ウェハ搬送領域3、剥離処理ステーション4は、X方向(図1中の上下方向)に並べて配置されている。
In the carry-in /
インターフェイスステーション5は、剥離処理ステーション4と後処理ステーションMとの間で被処理ウェハWの受け渡しを行う。検査装置6は、後処理ステーションMに受け渡す前の被処理ウェハWを検査する。洗浄ステーション7は、検査後の被処理ウェハWの接合面WJ及び非接合面WNの洗浄を行う。インターフェイスステーション5は、剥離処理ステーション4のY方向負方向側(図1中の左方向側)に配置され、インターフェイスステーション5のX方向正方向側(図1中の上方向側)には検査装置6が配置され、インターフェイスステーション5を挟んで検査装置6の反対側、すなわちインターフェイスステーション5のX方向負方向側(図1中の下方向側)には洗浄ステーション7が配置されている。
The interface station 5 delivers the processing target wafer W between the peeling
搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば3つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、Y方向(図1中の左右方向)に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、剥離システム1の外部に対してカセットCW、CS、CTを搬入出する際に、カセットCW、CS、CTを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTを保有可能に構成されている。
The loading /
なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。例えばカセットCTを複数載置できるようにしてもよく、これら複数のカセットCTのうち、1つのカセットCTを不具合ウェハの回収用として用い、他方のカセットCTを正常な重合ウェハTの収容用として用いてもよい。また、搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと、欠陥のある被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。
The number of
またカセット載置台10には、処理待ちの複数の重合ウェハTを一時的に収容して待機させておく待機装置12が設けられている。待機装置12には、ダイシングフレームのID(Identification)の読み取りを行うID読取機構が設けられ、かかるID読取機構によって重合ウェハTを識別することができる。さらに待機装置12では、位置調節機構によって重合ウェハTの水平方向の向きを調節することもできる。
In addition, the cassette mounting table 10 is provided with a
ウェハ搬送領域3には、第1の搬送装置20が配置されている。第1の搬送装置20は、例えば鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第1の搬送装置20は、ウェハ搬送領域3内を移動し、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション4との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。
A
剥離処理ステーション4は、重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離装置30を有している。剥離装置30のY方向負方向側(図1中の左方向側)には、剥離された被処理ウェハWを洗浄する第1の洗浄装置31が配置されている。剥離装置30と第1の洗浄装置31との間には、第2の搬送装置32が設けられている。また、剥離装置30のY方向正方向側(図1中の右方向側)には、剥離された支持ウェハSを洗浄する第2の洗浄装置33が配置されている。このように剥離処理ステーション4には、第1の洗浄装置31、第2の搬送装置32、剥離装置30、第2の洗浄装置33が、インターフェイスステーション5側からこの順で並べて配置されている。
The peeling
剥離装置30、第1の洗浄装置31、第2の洗浄装置33としては、それぞれ例えば特開2014−3237号公報に記載の剥離装置、第1の洗浄装置、第2の洗浄装置を用いることができる。
As the
第2の搬送装置32では、剥離後の被処理ウェハWを非接触で搬送するベルヌーイチャックを用いる。上述したように被処理ウェハWは薄く、搬送の際に損傷を受け易いためである。なお、この第2の搬送装置32の構成については後述する。
The
検査装置6では、剥離装置30により剥離された被処理ウェハW上の接着剤Gの残渣の有無が検査される。検査装置6としては、例えば特開2014−3237号公報に記載の検査装置を用いることができる。すなわち、検査装置6における検査は、例えばチャックに保持された被処理ウェハWを撮像することによって行われる。
In the
洗浄ステーション7では、検査装置6で接着剤Gの残渣が確認された被処理ウェハWの洗浄が行われる。この洗浄ステーション7は、被処理ウェハWの接合面WJを洗浄する接合面洗浄装置40、被処理ウェハWの非接合面WNを洗浄する非接合面洗浄装置41を有している。これら接合面洗浄装置40と非接合面洗浄装置41は、後処理ステーションM側からY方向に並べて配置されている。なお、接合面洗浄装置40と非接合面洗浄装置41の構成は、それぞれ上記第1の洗浄装置31の構成と同様である。
In the cleaning
インターフェイスステーション5には、Y方向に延伸する搬送路50上を移動自在な第3の搬送装置51が設けられている。第3の搬送装置51は、鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及び鉛直軸周りに移動自在であり、剥離処理ステーション4、検査装置6、洗浄ステーション7、及び後処理ステーションMとの間で被処理ウェハWを搬送できる。なお、第3の搬送装置51の構成は、上記第2の搬送装置32の構成と同様である。
The interface station 5 is provided with a
なお、後処理ステーションMでは、剥離処理ステーション4で剥離された被処理ウェハWに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハWをマウントする処理や、被処理ウェハW上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハWをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
In the post-processing station M, predetermined post-processing is performed on the wafer W to be processed peeled off at the peeling
以上の剥離システム1には、図1に示すように制御部60が設けられている。制御部60は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、剥離システム1における被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム1における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部60にインストールされたものであってもよい。
The peeling system 1 is provided with a
次に、以上のように構成された剥離システム1を用いて行われる被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理方法について説明する。図3は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。 Next, the peeling process method of the to-be-processed wafer W and the support wafer S performed using the peeling system 1 comprised as mentioned above is demonstrated. FIG. 3 is a flowchart showing an example of main steps of the peeling process.
先ず、複数枚の重合ウェハTを収容したカセットCT、空のカセットCW、及び空のカセットCSが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。第1の搬送装置20によりカセットCT内の重合ウェハTが取り出され、待機装置12に搬送される。このとき、重合ウェハTは、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で搬送される。
First, a cassette C T accommodating a plurality of bonded wafer T, an empty cassette C W, and an empty cassette C S is placed on the predetermined
待機装置12では、ID読取機構によって重合ウェハTのIDを読み取るID読取処理を行う。ID読取機構によって読み取られたIDは、制御部60へ送信される。また待機装置12では、位置調節機構によって重合ウェハTのノッチ部の位置を検出しながら当該重合ウェハTの向きが調節される。さらに例えば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合ウェハTが生じる場合には、待機装置12に重合ウェハTを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。
The
その後、重合ウェハTは、第1の搬送装置20によって剥離装置30に搬送される。剥離装置30に搬入された重合ウェハTは、上部チャックと下部チャックに挟み込んで保持され、すなわち上部チャックの下面で被処理ウェハWが吸着保持され、下部チャックの上面で支持ウェハSが吸着保持される。そして、重合ウェハTを加熱しながら下部チャックを斜め下方に移動させ、被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離される(図3の工程A1)。
Thereafter, the superposed wafer T is transported to the
その後、剥離装置30で剥離された被処理ウェハWは、第2の搬送装置32によって第1の洗浄装置31に搬送される。第1の洗浄装置31では、ポーラスチャックで保持された被処理ウェハWを回転させながら、被処理ウェハWに対して洗浄液を供給し、当該被処理ウェハWが洗浄される(図3の工程A2)。
Thereafter, the wafer W to be processed peeled off by the peeling
ここで、上述したように搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。
Here, as described above, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out
正常な重合ウェハTから剥離された正常な被処理ウェハWは、工程A2で接合面WJが洗浄された後、非接合面WNが下方を向いた状態で第3の搬送装置51によって検査装置6に搬送される。検査装置6では、被処理ウェハWの接合面WJを撮像して、当該接合面WJにおける接着剤Gの残渣の有無が検査される(図3の工程A3)。
The normal processing wafer W peeled from the normal superposed wafer T is inspected by the
検査装置6において接着剤Gの残渣が確認された場合、被処理ウェハWは第3の搬送装置51により洗浄ステーション7の接合面洗浄装置40に搬送され、接合面洗浄装置40において接合面WJが洗浄される(図3の工程A4)。接合面WJが洗浄されると、第3の搬送装置51によって被処理ウェハWの表裏面が反転される(図3の工程A5)。なお、検査装置6で接着剤Gの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハWは接合面洗浄装置40に搬送されることなく第3の搬送装置51によって反転される。
When the residue of the adhesive G is confirmed in the
その後、反転された被処理ウェハWは、第3の搬送装置51により再び検査装置6に搬送され、非接合面WNの検査が行われる(図3の工程A6)。そして、非接合面WNにおいて接着剤Gの残渣やパーティクルなどが確認された場合、被処理ウェハWは第3の搬送装置51によって非接合面洗浄装置41に搬送され、非接合面洗浄装置41において非接合面WNが洗浄される(図3の工程A7)。次いで、洗浄された被処理ウェハWは、第3の搬送装置51によって後処理ステーションMに搬送される。なお、検査装置6で接着剤Gの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハWは非接合面洗浄装置41に搬送されることなくそのまま後処理ステーションMに搬送される。
Then, wafer W being inverted is conveyed to the
その後、後処理ステーションMにおいて被処理ウェハWに所定の後処理が行われる(図3の工程A8)。こうして、被処理ウェハWが製品化される。 Thereafter, predetermined post-processing is performed on the wafer W to be processed in the post-processing station M (step A8 in FIG. 3). Thus, the processing target wafer W is commercialized.
一方、欠陥のある重合ウェハTから剥離された欠陥のある被処理ウェハWは、工程A2で接合面WJが洗浄された後、第1の搬送装置20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハWは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される(図3の工程A9)。
On the other hand, wafer W with a peel defects from bonded wafer T including a defect, after bonding surface W J is washed in step A2, is conveyed to the
被処理ウェハWに上述した工程A2〜A9が行われている間、剥離装置30で剥離された支持ウェハSは、第1の搬送装置20によって第2の洗浄装置33に搬送される。そして、第2の洗浄装置33において、支持ウェハSの接合面SJが洗浄される(図3の工程A10)。かかる洗浄処理によって、支持ウェハSの接合面SJに残存する接着剤Gが除去される。
While the above-described steps A2 to A9 are performed on the processing target wafer W, the support wafer S peeled by the peeling
その後、接合面SJが洗浄された支持ウェハSは、第1の搬送装置20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、支持ウェハSは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される(図3の工程A11)。こうして、一連の被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理が終了する。
Thereafter, the support wafer S which joint surface S J is cleaned is conveyed to
以上の実施の形態の剥離システム1によれば、剥離された被処理ウェハWは、第2の搬送装置32と第3の搬送装置51においてベルヌーイチャックで非接触で搬送される。このため、被処理ウェハWが搬送中に損傷を受けるのを抑制することができる。
According to the peeling system 1 of the above embodiment, the peeled wafer W to be processed is transferred in a non-contact manner by the Bernoulli chuck in the
また、剥離装置30において重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離した後、第1の洗浄装置31において、剥離された被処理ウェハWを洗浄すると共に、第2の洗浄装置33において、剥離された支持ウェハSを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム1内で、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離から被処理ウェハWの洗浄と支持ウェハSの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において、被処理ウェハWの洗浄と支持ウェハSの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置30において被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する間に、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において別の被処理ウェハWと支持ウェハSを処理することもできる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
In addition, after the superposed wafer T is peeled off from the wafer W to be processed and the support wafer S in the
<2.第2の搬送装置と第3の搬送装置>
次に、第2の搬送装置32と第3の搬送装置51の構成について説明する。これら第2の搬送装置32と第3の搬送装置51が、本発明の基板搬送装置を構成する。なお、第2の搬送装置32と第3の搬送装置51の構成は同様であり、以下では第2の搬送装置32について説明する。
<2. Second transport device and third transport device>
Next, the structure of the 2nd conveying
第2の搬送装置32は、図4に示すように被処理ウェハWを保持するベルヌーイチャック100を有している。ベルヌーイチャック100は、支持アーム101に支持されている。支持アーム101は、第1の駆動部102に支持されている。この第1の駆動部102により、支持アーム101は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第1の駆動部102の下方には、第2の駆動部103が設けられている。この第2の駆動部103により、第1の駆動部102は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。そして第2の搬送装置32は、剥離された被処理ウェハWの表裏面を反転させつつ、剥離装置30から第1の洗浄装置31に被処理ウェハWを搬送できる。なお、第2の搬送装置32の第2の駆動部103は床面に固定され、第3の搬送装置51の第2の駆動部103は搬送路50に固定される。
The
上述したベルヌーイチャック100は、図5及び図6に示すように平面視において円形状を有し、被処理ウェハWと同じ径、又はそれより長い径を有する本体部110を備えている。本体部110には、例えばアルミニウムなどの金属が用いられる。
The
本体部110上には、複数の保持部111が設けられている。保持部111は、中央部に気体の噴出口を有する略円筒形状の部材であり、被処理ウェハWの表面に向けて気体を噴出することにより、ベルヌーイ効果を生じさせて被処理ウェハWを非接触で保持する。なお、保持部111の構成については後述する。
A plurality of holding
複数の保持部111は、中心保持部111a、内周保持部111b及び外周保持部111cを有している。中心保持部111aは、本体部110の中心部に1個配置されている。内周保持部111bは、本体部110の中心部と外周部の間において、当該本体部110と同心円状に等間隔に並べて複数、例えば6個配置されている。外周保持部111cは、本体部110の外周部において、当該本体部110と同心円状に等間隔に並べて複数、例えば18個配置されている。このように本体部110上には、中心保持部111a、内周保持部111b及び外周保持部111cが三重に設けられている。なお、複数の保持部111は、例えば3つ以上の異なる円周上に設けられていてもよい。
The plurality of holding
中心保持部111aの中心と内周保持部111bの中心を通る中心線C上には、外周保持部111cが配置される。中心線Cは内周保持部111bの数に合わせて3本存在するが、本体部110において中心線C、C間には2個の外周保持部111cが配置される。なお、内周保持部111bの数は本実施の形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施の形態では外周保持部111cの数は内周保持部111bの数の3倍であるが、これに限定されず、整数倍であればよい。
An outer peripheral holding
図7に示すように各保持部111は、給気管112を介して給気装置113に接続され、給気装置113から給気管112を介して供給される気体を噴出する。給気管112には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群114が設けられている。なお気体には、例えば窒素等の不活性ガスやドライエアなどが用いられる。
As shown in FIG. 7, each holding
図5〜図7に示すように本体部110には、厚み方向に貫通する複数の排気孔115、116が形成されている。中心保持部111aと内周保持部111bの間には、複数、例えば6個の内周排気孔115が本体部110と同心円状に等間隔に並べて形成されている。内周排気孔115は、例えば平面視において円形状を有している。内周排気孔115は、主として中心保持部111aからの気体と内周保持部111bの気体を排出する。また、内周排気孔115は、これら中心保持部111aからの気体と内周保持部111bの気体が干渉して、被処理ウェハWに対する吸引力が低下するのを抑制する。
As shown in FIGS. 5 to 7, the
また、内周保持部111bと外周保持部111cの間には、複数、例えば6個の外周排気孔116が本体部110と同心円状に等間隔に並べて形成されている。外周排気孔116は、例えば平面視において円弧状に開口した形状を有している。
外周排気孔116は、主として内周保持部111bの気体と外周保持部111cからの気体を排出する。また、外周排気孔116は、これら内周保持部111bの気体と外周保持部111cからの気体の気体が干渉して、被処理ウェハWに対する吸引力が低下するのを抑制する。なお、これら排気孔115、116の数は本実施の形態に限定されず、任意に設定できる。
Further, a plurality of, for example, six
The outer
内周排気孔115の外周排気孔116は、それぞれの中心が上述した中心線C上にあるように配置される。すなわち、中心線C上には中心から外周に向かって、中心保持部111a、内周排気孔115、内周保持部111b、外周排気孔116、外周保持部111cがこの順で配置されている。このように保持部111と排気孔115、116を交互に配置することで、上述したように各保持部111からの気体の干渉を抑制することができる。
The outer peripheral exhaust holes 116 of the inner peripheral exhaust holes 115 are arranged such that their centers are on the above-described center line C. That is, on the center line C, the
本体部110の外周部には、当該外周部から突出して係止部117が設けられている。係止部117は、本体部110の外周部に沿って等間隔に並べて複数、例えば5個配置されている。これらの係止部117によって、被処理ウェハWは、本体部110からの脱落等が防止される。なお、係止部117の数は本実施の形態に限定されず、任意に設定できる。
A locking
以上のように構成されたベルヌーイチャック100では、本体部110上に中心保持部111a、内周保持部111b及び外周保持部111cが三重に設けられているので、被処理ウェハWをウェハ面で保持することができ、被処理ウェハWを水平且つ適切に保持することができる。
In the
しかも、中心保持部111aによって、被処理ウェハWの中心部にも吸引力を作用させて当該中心部が保持されるので、上述した特許文献1に記載された搬送装置で生じるおそれのある被処理ウェハWの中心部の反りを抑制することができる。
In addition, since the
さらに、中心保持部111aの周囲には内周排気孔115が複数設けられているので、上述した特許文献1に記載された搬送装置のように本体部110と被処理ウェハWの中心部との間に空気が溜まるのを抑制することができ、被処理ウェハWの中心部の反りをより確実に抑制することができる。
Further, since a plurality of inner peripheral exhaust holes 115 are provided around the
ここで、被処理ウェハWに対して保持部111(111a〜111c)から気体を吹き付けると、被処理ウェハWが振動するおそれがあるが、従来のように被処理ウェハWの中心部が反ると、この振動が大きくなる。この点、本実施の形態では、被処理ウェハWの中心部の反りを抑制できるので、被処理ウェハWの振動も抑制することができ、その結果、被処理ウェハW上のデバイスを保護することができる。また一般的に、保持部111からの気体の供給量を増加させると、当該保持部111による被処理ウェハWの吸引力が増加するが、一方で振動が大きくなる。本実施の形態では、保持部111からの気体の供給量を増加させて被処理ウェハWに対する吸引力を大きくしつつ、被処理ウェハWの振動を抑制することができるのである。
Here, if gas is blown from the holding unit 111 (111a to 111c) to the wafer W to be processed, the wafer W to be processed may be vibrated, but the central portion of the wafer W to be processed is warped as in the past. This vibration increases. In this respect, in the present embodiment, since the warpage of the central portion of the wafer to be processed W can be suppressed, the vibration of the wafer to be processed W can also be suppressed, and as a result, the device on the wafer to be processed W can be protected. Can do. In general, when the amount of gas supplied from the holding
また、外周保持部111cの数は内周保持部111bの数の整数倍であって、本体部110の中心線C上には中心から外周に向かって、中心保持部111a、内周保持部111b、外周保持部111cがこの順で配置されている。この効果について説明する。
The number of outer
図8(a)は比較例として、外周保持部111cの数が内周保持部111bの数の整数倍でなく、中心線C上に外周保持部111cがない場合を示し、図8(b)は本実施の形態として、外周保持部111cの数が内周保持部111bの数の整数倍であり、中心線C上に外周保持部111cがある場合を示す。なお、図8中の一点鎖線は、外周保持部111cが配置される円周(本体部110と同一円周)を示す。
FIG. 8A shows, as a comparative example, a case where the number of outer
図8(a)に示した比較例によれば、内周保持部111bと各外周保持部111cとの間の距離が異なる。このため、これら内周保持部111bと外周保持部111cからの気体が干渉し、被処理ウェハWに対する吸引力が小さくなる。これに対して、図8(b)に示した本実施の形態の場合、内周保持部111bと各外周保持部111cとの間の距離が同じになるため、これら内周保持部111bと外周保持部111cからの気体の干渉を抑制でき、被処理ウェハWに対する吸引力の低下を抑制することができる。したがって、被処理ウェハWを適切に保持することができる。
According to the comparative example shown in FIG. 8A, the distance between the inner
次に、保持部111a〜111cの構成について説明する。保持部111a〜111cの構成は同様であり、以下の説明においては保持部111として説明すう。
Next, the configuration of the holding
図9に示すように保持部111は、中央部に気体の噴出口120を有している。噴出口120の内周面には連通孔121が形成されており、かかる連通孔121には給気管112が接続される。給気装置113から送り出された気体は、給気管112及び連通孔121を介して噴出口120の内部へ供給され、噴出口120の内部において旋回流となって噴出口120から噴出する。
As shown in FIG. 9, the holding
保持部111には、例えばPBI(ポリベンゾイミダゾール)樹脂やPOM(ポリアセタール)樹脂などの樹脂が用いられる。ここで、ベルヌーイチャック100は、本来、被処理ウェハWと接触しないことを前提としているが、被処理ウェハWは非常に薄く、接合面WJに形成されるデバイスによっては、被処理ウェハWが大きく反る場合がある。かかる場合、被処理ウェハWと保持部111が接触するおそれがある。この点、本実施の形態では、保持部111を樹脂で構成しているので、仮に被処理ウェハWと保持部111が接触した場合でも、被処理ウェハWの損傷を抑制することができる。
For the holding
なお、保持部111の表面の角部は面取りされていてもよい。これは、被処理ウェハWが本体部110に対して反っている場合に、被処理ウェハWが保持部111の先端面の周縁部に最も接触しやすいためである。このように、保持部111の形状を先端面が面取りされた形状とすることで、被処理ウェハWが保持部111に接触し難くすることができる。また、仮に、被処理ウェハWが保持部111に接触したとしても、保持部111の先端面が面取りされているため、被処理ウェハWは損傷し難い。
In addition, the corner | angular part of the surface of the holding |
<3.他の実施の形態>
次に、第2の搬送装置32と第3の搬送装置51の他の実施の形態について説明する。
<3. Other embodiments>
Next, another embodiment of the
第2の搬送装置32と第3の搬送装置51では、中心保持部111aからの気体の供給量、内周保持部111bからの気体の供給量及び外周保持部111cからの気体の供給量は、それぞれ個別に制御されてもよい。図10に示すように中心保持部111aは、給気管130を介して給気装置131に接続され、給気管130には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群132が設けられている。内周保持部111bは、給気管133を介して給気装置134に接続され、給気管133には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群135が設けられている。外周保持部111cは、給気管136を介して給気装置137に接続され、給気管136には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群138が設けられている。
In the
かかる場合、例えば被処理ウェハWの反り状態に応じて、保持部111a〜111cからの気体の供給量を個別に制御できる。このため、ベルヌーイチャック100において被処理ウェハWをより水平且つ適切に保持することができる。
In such a case, for example, the amount of gas supplied from the holding
また、例えば剥離装置30において、剥離後の被処理ウェハWの反り状態を確認すれば、当該反り状態に応じて、保持部111a〜111cからの気体の供給量をリアルタイムに制御でき、被処理ウェハWをさらに水平且つ適切に保持することができる。
Further, for example, in the
以上の実施の形態では、内周排気孔115の形状は平面視円形状であったが、任意に設定できる。例えば図11に示すように内周排気孔115は、平面視において長穴形状を有していてもよい。内周保持部111bはその長軸が中心線Cの方向に延伸するように配置される。また、例えば図12に示すように内周排気孔115は、平面視において円弧状に開口した形状を有していてもよい。いずれの場合でも、被処理ウェハWの中心部の反りを抑制することができる。
In the above embodiment, the shape of the inner
以上の実施の形態の剥離システム1において、洗浄ステーション7は、被処理ウェハWの表裏面の反転を行う反転装置(図示せず)を別途有していてもよい。この反転装置としては、特開2014−3237号公報に記載の反転装置を用いることができる。かかる場合、第3の搬送装置51で行っていた被処理ウェハWの表裏面の反転が、反転装置で行われる。
In the peeling system 1 of the above embodiment, the cleaning
以上の実施の形態の重合ウェハTには、当該重合ウェハTの損傷を抑制するための保護部材、例えばダイシングフレーム(図示せず)が設けられていてもよい。ダイシングフレームは、被処理ウェハW側に設けられている。そして、被処理ウェハWが支持ウェハSから剥離された後も、薄化された被処理ウェハWはダイシングフレームに保護された状態で、所定の処理や搬送が行われる。したがって、剥離後の被処理ウェハWの損傷を抑制することができる。 The superposed wafer T of the above embodiment may be provided with a protective member for suppressing damage to the superposed wafer T, for example, a dicing frame (not shown). The dicing frame is provided on the processing target wafer W side. Even after the wafer W to be processed is peeled off from the support wafer S, the thinned wafer W to be processed is subjected to predetermined processing and conveyance while being protected by the dicing frame. Therefore, damage to the processing target wafer W after peeling can be suppressed.
以上の実施の形態では、後処理ステーションMにおいて被処理ウェハWに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば3次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、3次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを3次元に積層する技術である。この3次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。 In the above embodiments, the case where the post-processing wafer M is post-processed and commercialized in the post-processing station M has been described. However, the present invention peels off the target wafer used in, for example, three-dimensional integration technology from the support wafer. It can also be applied to. The three-dimensional integration technology is a technology that meets the recent demand for higher integration of semiconductor devices. Instead of arranging a plurality of highly integrated semiconductor devices in a horizontal plane, This is a technique of three-dimensional lamination. Also in this three-dimensional integration technique, it is required to thin the wafers to be processed, and the wafers to be processed are bonded to the supporting wafers and predetermined processing is performed.
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。 The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.
1 剥離システム
30 剥離装置
32 第2の搬送装置
51 第3の搬送装置
100 ベルヌーイチャック
110 本体部
111 保持部
111a 中心保持部
111b 内周保持部
111c 外周保持部
112 給気管
113 給気装置
114 供給機器群
115 内周排気孔
116 外周排気孔
117 係止部
130、133、136 給気管
131、134、137 給気装置
132、135、138 供給機器群
G 接着剤
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 被処理ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (6)
平面視において円形状を有する本体部と、
前記本体部上に設けられ、基板の表面に向けて気体を噴出することによって当該基板を非接触で保持する複数の保持部と、を有し、
前記複数の保持部は、
前記本体部の中心に配置された1個の中心保持部と、
前記本体部の中心と外周の間において、当該本体部と同心円状に並べて配置された複数の内周保持部と、
前記本体部の外周において、当該本体部と同心円状に並べて配置された複数の外周保持部と、を有することを特徴とする、基板搬送装置。 A substrate transporting device that transports the peeled substrate after peeling the superposed substrates bonded together with an adhesive,
A main body having a circular shape in plan view;
A plurality of holding portions that are provided on the main body portion and hold the substrate in a non-contact manner by ejecting gas toward the surface of the substrate;
The plurality of holding portions are
One center holding part disposed at the center of the main body part;
Between the center and the outer periphery of the main body portion, a plurality of inner peripheral holding portions arranged concentrically with the main body portion, and
A substrate transport apparatus comprising: a plurality of outer periphery holding portions arranged concentrically with the main body portion on the outer periphery of the main body portion.
前記中心保持部の中心と前記内周保持部の中心を通る直線上には、前記外周保持部が配置されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板搬送装置。 The number of the outer periphery holding portions is an integral multiple of the number of the inner periphery holding portions,
The substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the outer peripheral holding portion is arranged on a straight line passing through the center of the central holding portion and the center of the inner peripheral holding portion. Conveying device.
重合基板を剥離する剥離装置をさらに備え、
前記基板搬送装置は、前記剥離装置で剥離された基板を搬送することを特徴とする、剥離システム。 A peeling system comprising the substrate transfer device according to any one of claims 1 to 5,
It further comprises a peeling device for peeling the polymerization substrate,
The said board | substrate conveyance apparatus conveys the board | substrate peeled by the said peeling apparatus, The peeling system characterized by the above-mentioned.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015220173A JP6568773B2 (en) | 2015-11-10 | 2015-11-10 | Substrate transfer device and peeling system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015220173A JP6568773B2 (en) | 2015-11-10 | 2015-11-10 | Substrate transfer device and peeling system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017092228A true JP2017092228A (en) | 2017-05-25 |
JP6568773B2 JP6568773B2 (en) | 2019-08-28 |
Family
ID=58771802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015220173A Active JP6568773B2 (en) | 2015-11-10 | 2015-11-10 | Substrate transfer device and peeling system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6568773B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021131243A1 (en) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | 株式会社Sumco | Method for delivering semiconductor wafer to polishing device, and method for manufacturing semiconductor wafer |
WO2021192662A1 (en) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device and substrate inverting method |
JPWO2021240598A1 (en) * | 2020-05-25 | 2021-12-02 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026260A (en) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Tokyo Electron Ltd | Bonding system, substrate processing system, bonding method, program and computer storage medium |
WO2014084228A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 株式会社ニコン | Suction apparatus, carry-in method, conveyance system, light exposure device, and device production method |
JP2014130904A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shibaura Mechatronics Corp | Laminating device and lamination processing method |
JP2014165217A (en) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | Substrate transfer device and peeling system |
JP2015126174A (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate holding device and substrate holding method |
-
2015
- 2015-11-10 JP JP2015220173A patent/JP6568773B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026260A (en) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Tokyo Electron Ltd | Bonding system, substrate processing system, bonding method, program and computer storage medium |
WO2014084228A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 株式会社ニコン | Suction apparatus, carry-in method, conveyance system, light exposure device, and device production method |
JP2014130904A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shibaura Mechatronics Corp | Laminating device and lamination processing method |
JP2014165217A (en) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | Substrate transfer device and peeling system |
JP2015126174A (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate holding device and substrate holding method |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021131243A1 (en) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | 株式会社Sumco | Method for delivering semiconductor wafer to polishing device, and method for manufacturing semiconductor wafer |
WO2021192662A1 (en) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device and substrate inverting method |
TWI801804B (en) * | 2020-03-26 | 2023-05-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | Substrate processing apparatus and substrate inversion method |
US11967518B2 (en) | 2020-03-26 | 2024-04-23 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate reversing method |
JP7522572B2 (en) | 2020-03-26 | 2024-07-25 | 株式会社Screenホールディングス | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE INVERTING METHOD |
JPWO2021240598A1 (en) * | 2020-05-25 | 2021-12-02 | ||
JP7383147B2 (en) | 2020-05-25 | 2023-11-17 | 株式会社日立ハイテク | Substrate holding device and substrate processing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6568773B2 (en) | 2019-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5323867B2 (en) | Substrate inversion apparatus, substrate inversion method, peeling system, program, and computer storage medium | |
JP5455987B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP5552462B2 (en) | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP5580806B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP5740550B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
KR101805964B1 (en) | Peeling system, peeling method, and computer storage medium | |
JP5374462B2 (en) | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP5830440B2 (en) | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP6568773B2 (en) | Substrate transfer device and peeling system | |
TW201320225A (en) | Detachment system and detachment method and computer storage medium | |
WO2013058129A1 (en) | Separation device, separation system and separation method | |
JP5777549B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP5717803B2 (en) | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP2015088620A (en) | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP6025759B2 (en) | Peeling system | |
JP6466217B2 (en) | Peeling device and peeling system | |
JP2014003237A (en) | Detachment system, detachment method, program and computer storage medium | |
JP5552559B2 (en) | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180810 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190613 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6568773 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |