JP2017092179A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017092179A JP2017092179A JP2015218552A JP2015218552A JP2017092179A JP 2017092179 A JP2017092179 A JP 2017092179A JP 2015218552 A JP2015218552 A JP 2015218552A JP 2015218552 A JP2015218552 A JP 2015218552A JP 2017092179 A JP2017092179 A JP 2017092179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- photoelectric conversion
- semiconductor layer
- support substrate
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 abstract description 4
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
固体撮像素子上の光電変換素子はpn接合によるシリコンフォトダイオードで形成されることが一般的である。逆方向電圧を加えたpn接合に光が照射されると、空乏層内で発生した電子は、空乏層中でドリフトし、n型領域に達する。固体撮像素子では各画素のフォトダイオードのn型領域で蓄積された電子を、信号電荷として読み出すことで撮像データを得ることができる。
特許文献1で開示されている従来技術は、光電変換素子を透過した赤外線を再利用するため、光電変換素子の裏面に金属反射鏡兼裏面電極が形成されている固体撮像素子である。しかしながら、形成された金属反射鏡は平面であるため、反射する光の角度を制御できず、効率よく光電変換素子に再入射できない問題があった。
特に、溝に形成した反射金属の表面を、お椀状などの、滑らかな断面円弧状などの凹曲面とした場合には、光反射構造の反射金属で反射した光は、その光が入射した画素の光電変換素子に向かって効率よく反射されるために、隣接する画素の光電変換素子に入射することによる混色を引き起こす恐れも無い。
また、本発明の態様によれば、支持基板の裏面に特に素子を形成する必要がないため、製造工程中にステージ上に基板を直接置くことが可能となり、基板ハンドリングも容易である。
図1に示すように、本実施形態の固体撮像素子は、支持基板10上に形成された半導体層20と、上記半導体層20上に配置された複数の光電変換素子21とを有する。支持基板10の表面には、光電変換素子21に対応させて、すなわち光電変換素子21と厚さ方向(上下)で対向可能な位置に溝10aが形成され、その溝10a内に、反射金属11、光透過層12からなる光反射構造14が形成されている。
上記反射金属11の表面形状は、断面円弧状など、曲率が急峻する部分(曲率急峻部)がない凹の曲率の曲線からなることが好ましい。例えば、反射金属11の表面形状は、半球状などのお椀状の形状となっている。又、平面視で、光反射構造14の面積が光電変換素子21の面積よりも大きく、平面視で、光電変換素子21の形成領域が光反射構造14の形成領域内に完全に収まることが好ましい。尚、円弧は、真円の一部に限定されず、楕円や放物線の一部などからなる凹の曲率形状であっても良い。
また、光電変換素子21上には層間絶縁層22と、層間絶縁層22内に配置された配線23を有し、また、層間絶縁層22上には、カラーフィルター24及びマイクロレンズ25がこの順に形成されている。
まず、図2に示すように支持基板10上に、光反射構造14用の溝10aを形成するためのフォトレジスト13による加工用パターンを形成する。支持基板10は、後の工程における半導体加工プロセスへの適応性、底面が凹形状の溝10aの加工容易性から、石英を材料とする基板を用いることが望ましいが、本実施形態はそれに限るものではない。
光反射構造14にて反射した入射光を光電変換素子21の中心部に集光させるためには、後の工程で形成する光透過層12の材料の屈折率も考慮して、溝10a表面の凹形状を設計することが望ましいが、赤色光の感度を改善するには、必ずしも反射光は光電変換素子21の中心部に集光する必要は無く、画素内の空乏層中に再入射されればよいので、本実施例においては、溝10aで形成される凹形状を厳密に設計する必要はない。
溝10aを形成後、図4に示すように支持基板10および、フォトレジスト13表面に反射金属11を形成する。反射金属11はアルミニウム、銀、クロム、タンタル、タングステン、チタンおよびそれら合金等、高い反射率を有する金属薄膜を用いる。また、後の製造工程で高温にさらされるため、少なくとも500〜600℃の熱処理によって溶融しない材料であることが望ましい。反射金属11の成膜は蒸着、スパッタ等の手段を用いる。
光透過層12を成膜後、光透過層12表面をCMP等の研磨手段により、図7に示すように、溝10a以外の支持基板10の表面が露出するまで研磨する。以上の工程により、支持基板10の表面に反射金属11と光透過層12からなる光反射構造14を形成することができる。
支持基板10上に半導体層20を形成する方法として、スマートカット法が存在する。この方法は、半導体基板に水素イオンを注入し、半導体基板の水素イオンを注入した面もしくは、支持基板10の表面をプラズマ処理もしくは、オゾン処理で表面活性化した後、半導体基板と支持基板10を貼り付けて500℃で熱処理することで、水素イオン注入界面から半導体基板が熱剥離して、支持基板10上に半導体薄膜が残る形成方法である。
光電変換素子21としてフォトゲート、もしくはフォトダイオードなどが用いられるが、電荷転送率の高さから埋め込み型のフォトダイオードを用いることが望ましい。また図示しないが、光電変換素子21を形成すると同時に固体撮像素子の駆動に必要な素子を画素内に形成する。例えばCCDイメージセンサーの場合は、垂直転送CCDを光電変換素子21と共に形成する。一方、CMOSイメージセンサーの場合は、浮遊拡散層アンプ、電荷転送用トランジスタ等の素子を光電変換素子21と共に形成する。
層間絶縁層22の材料は非ドープ型酸化シリコン等の透明性を有する、低誘電率材料を用いる。また、層間絶縁層22は常圧CVD、PE−CVD等の方法によって成膜する。配線23の材料はアルミニウム、銅、クロム、およびそれら合金等を用い、それらの材料に適した製造プロセスを用いて配線23による配線パターンを形成することで、図10に示す層間絶縁層22並びに配線23を形成することができる。
特に、溝10aの表面即ち、反射金属11の表面を、お椀状などの滑らかな凹曲率の曲面とした場合には、光反射構造14の反射金属で反射した光は、その光が入射した画素の光電変換素子21に向かって効率よく反射されるために、隣接する画素の光電変換素子21に入射することによる混色を引き起こす恐れも無い。
また、支持基板10の裏面に特に素子を形成する必要がないため、製造工程中にステージ上に基板を直接置くことが可能となり、基板ハンドリングも容易である。
(光反射構造14の形成)
支持基板10である厚さ0.5mmの石英基板に、フォトレジスト13をスピンコーターで塗布し、露光、現像を行うことで、光反射構造14を形成するためのパターンを形成した。次に支持基板10に対してフッ化水素酸を用いて、ウェットエッチング処理を行い、お椀状の溝10aを形成した。
その後、スパッタリングによって支持基板10の表面にアルミニウム薄膜を成膜することで、反射金属11を形成した。反射金属11は支持基板10に形成した溝10aおよび、フォトレジスト13を覆うように一面に成膜された。
フォトレジスト13を剥離後、支持基板10表面に常圧CVDによって非ドープ型酸化シリコンを成膜した。成膜後、表面をCMPによって研磨し、表面を平滑化させることで、溝10a内に光透過層12を形成した。以上の工程により支持基板10に対して、反射金属11と光透過層12からなる、光反射構造14を形成した。
光反射構造14を形成した支持基板10へ、貼り合わせを行うための高エネルギーイオン注入装置を用いてp型のシリコン基板の表面に、ドーズ量7.0x1016ions/cm2、注入エネルギー500keVの条件で水素イオンを注入した。水素イオン注入後、シリコン基板の表面にオゾン処理を施して表面を活性化させ、支持基板10の光反射構造14を形成した側の面に貼り付けた。
シリコン基板を支持基板10に貼り合わせた後、500℃で熱処理を行うことによって、水素イオン注入界面から半導体基板が熱剥離して、支持基板10上に半導体薄膜が残った。次にCMPによって半導体薄膜表面を研磨し、表面を平滑化することで半導体層20を形成した。固体撮像素子形成後、走査電子顕微鏡S4800(日立ハイテクノロジーズ社製)により素子の断面を観察したところ、半導体層20の膜厚は4μmであった。
次に、CMOS製造プロセスにより、半導体層20上に光電変換素子21となる埋め込み型フォトダイオードを形成した。また、CMOSイメージセンサーを駆動するための機能性素子である、浮遊拡散層アンプ、電荷転送用トランジスタ選択用トランジスタ、リセットトランジスタ、ソースフォロワアンプを光電変換素子21と同時に画素内に形成した。
光電変換素子21および、その他の素子を形成後、配線23を形成した。また、各配線層間に層間絶縁層22を形成した。層間絶縁層22は非ドープ型酸化シリコンを常圧CVDで成膜して形成した。また、配線23はアルミニウム薄膜をスパッタで成膜した後、フォトリソグラフィーにより配線パターン加工を行うことで形成した。
カラーフィルター24形成後、カラーフィルター24上に非感光性樹脂を塗布し、ベークを行うことで平坦化膜を形成した。次に平坦化膜上にポジ型の感光性樹脂をスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィーを行って各画素のレンズ間ギャップを形成した後に熱処理をすることで、感光性樹脂がリフローしてレンズ形状になり、マイクロレンズ25が形成された。また、可視光領域の光を入射した時に光電変換素子21の中心付近に集光するようにマイクロレンズ25のレンズ形状を設計した。
マイクロレンズ25を形成した後に保護膜の成膜、支持基板のダイシング、配線ボンディング等の後処理を行うことで、固体撮像素子とした。
固体撮像素子に向かって垂直に入射した光はマイクロレンズ25内で屈折し、光電変換素子21の中心に向かって集光する。波長が短い光は光電変換素子21の表面、もしくは内部において光電変換し、電子-正孔対を形成するが、大半の赤色光は光電変換せずに半導体層20を通過し、光反射構造14中の反射金属11にて反射する。また、レンズ25の頂点から垂直に入射した光だけでなく、光電変換素子21に集光後、光反射構造14に斜めに入射した光も、反射金属11の面が半球状などの凹形状(お椀形状)で形成されているため、光電変換素子21の中心に向けて効率よく反射し、再入射する。このため、本実施例の構造の固体撮像素子は、赤色光に対する感度が改善する。
10a 溝
11 反射金属
12 光透過層
13 フォトレジスト
14 光反射構造
20 半導体層
21 光電変換素子
22 層間絶縁層
23 配線
24 カラーフィルター
25 マイクロレンズ
Claims (6)
- 支持基板上に形成された半導体層と、上記半導体層上に配置された複数の光電変換素子とを有する固体撮像素子であって、
上記支持基板の上記半導体層が形成される側の表面に、上記光電変換素子に対応させて溝が形成されていると共に、上記溝に光反射構造が配置され、
上記光反射構造は、上記溝の表面に沿って形成された反射金属と、上記反射金属と上記半導体層との間に配置される光透過層と、からなることを特徴とする固体撮像素子。 - 上記反射金属の表面は、曲率急峻部がない凹の曲率の曲線からなることを特徴とする請求項1に記載した固体撮像素子。
- 上記反射金属の表面形状は、断面円弧形状であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載した固体撮像素子。
- 上記支持基板の材質が石英であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載した固体撮像素子。
- 上記光透過層の材質が非ドープ型酸化シリコンであることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載した固体撮像素子。
- 支持基板上に半導体層が形成され、その上記半導体層上に複数の光電変換素子が配置された固体撮像素子の製造方法であって、
上記支持基板の表面に複数の溝を形成し、上記溝の表面に沿って反射金属を形成すると共に上記溝内に光透過層を充填することで光反射構造を形成し、
上記光反射構造が形成された上記支持基板の表面に対し半導体基板を貼りあわせ、更に、半導体薄膜を残した状態で、上記半導体基板を剥離した後に、上記半導体薄膜表面を研磨することで、上記半導体層を形成し、
上記半導体層上に光電変換素子を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015218552A JP6720503B2 (ja) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015218552A JP6720503B2 (ja) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017092179A true JP2017092179A (ja) | 2017-05-25 |
JP6720503B2 JP6720503B2 (ja) | 2020-07-08 |
Family
ID=58769246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015218552A Active JP6720503B2 (ja) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6720503B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020027937A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | ブリルニクス インク | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
JP6856295B1 (ja) * | 2020-10-16 | 2021-04-07 | 株式会社京都セミコンダクター | 半導体受光素子 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09252103A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Sony Corp | 受光素子 |
JP2010056167A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2010118412A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2011091128A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Canon Inc | 固体撮像素子 |
JP2011114150A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および固体撮像装置の製造方法 |
JP2011119558A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP2014203961A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
JP2015026708A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-11-06 JP JP2015218552A patent/JP6720503B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09252103A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Sony Corp | 受光素子 |
JP2010056167A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2010118412A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2011091128A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Canon Inc | 固体撮像素子 |
JP2011114150A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および固体撮像装置の製造方法 |
JP2011119558A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP2014203961A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
JP2015026708A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020027937A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | ブリルニクス インク | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
JP6856295B1 (ja) * | 2020-10-16 | 2021-04-07 | 株式会社京都セミコンダクター | 半導体受光素子 |
WO2022079912A1 (ja) * | 2020-10-16 | 2022-04-21 | 株式会社京都セミコンダクター | 半導体受光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6720503B2 (ja) | 2020-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6060851B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
TWI591810B (zh) | 互補式金氧半影像感測器及其形成方法 | |
JP5595298B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
TWI525804B (zh) | 影像感測器裝置及其製造方法 | |
KR102489325B1 (ko) | 고체 촬상 소자 | |
US7358110B2 (en) | Image sensor having inner lens | |
JP2009194402A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
US10192916B2 (en) | Methods of fabricating solid-state imaging devices having flat microlenses | |
WO2008130846A9 (en) | Methods to make sidewall light shields for color filter array | |
JP2015029011A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2011146714A (ja) | 光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素、該単位画素を備えるバックサイドイルミネーションcmosイメージセンサ及び該単位画素の形成方法 | |
US20220262845A1 (en) | Lens structure configured to increase quantum efficiency of image sensor | |
JP2011151421A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法及び画像撮影装置 | |
JP2007088057A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP6720503B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP6921486B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2005033074A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US9721983B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP6300564B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2011151420A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法及び画像撮影装置 | |
KR102420729B1 (ko) | 이미지 센서의 양자 효율을 증가시키도록 구성되는 렌즈 구조물 | |
JP3664997B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004356269A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
JP2016048726A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2007180208A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200519 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200601 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6720503 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |