JP2017088462A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
このようなマルチプリング法では、シリコン単結晶の生産性が向上するなどの利点があるが、操業時間(多結晶原料の溶融完了直後からの経過時間)が異なる複数本のシリコン単結晶の同一成長位置を比較したときに、操業時間の経過に伴って酸素濃度が低下してしまうという問題があった。そこで、このような問題を解決するための検討がなされている(例えば、特許文献1参照)。
本発明のシリコン単結晶の製造方法は、支持坩堝に収容した石英坩堝内にシリコン原料を供給する工程と、前記シリコン原料を溶融させこの原料融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する工程とを繰り返し、1の石英坩堝を用いて複数本のシリコン単結晶を製造するマルチプリング法を用いたシリコン単結晶の製造方法であって、同じ石英坩堝および支持坩堝を用いて同一条件で製造された2本のシリコン単結晶の同じ成長位置における酸素濃度の差と、前記支持坩堝の合計使用時間との関係を表す濃度推定用情報を用い、前記濃度推定用情報の生成に用いた石英坩堝および支持坩堝と同じ構成を有する石英坩堝および支持坩堝を用いて、第1のシリコン単結晶を製造する第1の単結晶製造工程と、前記第1のシリコン単結晶の前記成長位置における酸素濃度と、前記濃度推定用情報と、前記支持坩堝の合計使用時間とに基づいて、前記第1の単結晶製造工程と同一条件で第2のシリコン単結晶を製造した場合の前記成長位置における酸素濃度を推定する濃度推定工程と、前記濃度推定工程での推定結果に基づいて、所定の酸素濃度範囲の前記第2のシリコン単結晶を製造する第2の単結晶製造工程とを備えていることを特徴とする。
シリコン単結晶は、スライス、研磨などの工程を経てシリコンウェーハとして、デバイスメーカに供される。シリコン単結晶の酸素濃度は、シリコンウェーハの酸素濃度に対応し、このシリコンウェーハを用いて製造されるデバイスの品質特性に影響を与えるものであるため、極めて重要な品質要素である。そのため、デバイスメーカ各社は、デバイスに適した酸素濃度範囲のシリコンウェーハをウェーハメーカに要求する。この酸素濃度範囲は、デバイスメーカによって、あるいは、デバイスメーカが同じであってもデバイスの種類によって、異なる場合がある。ウェーハメーカは、デバイスメーカが要求する仕様に合うように、シリコン単結晶の酸素濃度範囲を設定し、この設定に基づき酸素濃度を制御する。このとき設定される酸素濃度範囲が、「所定の酸素濃度範囲」に対応する。
同じ石英坩堝とは、サイズ、形状、材質が同じ石英坩堝を意味する。同じサイズ、形状とは、サイズ、形状が全く同じ場合に加えて、所定範囲内の差がある場合も含む概念である。所定範囲内の差としては、例えば、一般的に石英坩堝に求められる、内外径の寸法公差、底部の曲率公差、側壁部と底部の間に位置するR部の曲率公差が挙げられる。また、同じ材質とは、ボロンなどの不可避不純物の濃度および意図的に添加される不純物の濃度が所定範囲内であり、石英坩堝を製造する際のプロセス条件が同じであるものを意味する。例えば、同じメーカで製造された同一型式の石英坩堝は材質が同じであり、この場合、サイズ、形状についても同じである。
一方、同じ支持坩堝とは、サイズ、形状、材質が同じ支持坩堝を意味し、同じサイズ、形状とは、上述の石英坩堝と同じ意味である。また、同じ材質とは、灰分などの不可避不純物の濃度やかさ密度が所定範囲内であり、支持坩堝を製造する際のプロセス条件が同じであるものを意味する。例えば、同じメーカで製造された同一型式の支持坩堝は材質が同じであり、この場合、サイズ、形状についても同じである。
なお、濃度推定工程で用いられる第1のシリコン単結晶の酸素濃度は、実際の測定値であってもよいし、過去の製造条件と、当該過去の条件で製造されたシリコン単結晶の酸素濃度と、第1の単結晶製造工程の条件とに基づく推定値であってもよい。
また、第2のシリコン単結晶の狙いの酸素濃度は、第1のシリコン単結晶と同じであってもよいし、異なっていてもよい。第1のシリコン単結晶と第2のシリコン単結晶の酸素濃度が同じ場合とは、狙いの酸素濃度が同じシリコン単結晶を製造する場合であり、両者の酸素濃度が異なる場合とは、狙いの酸素濃度が異なるシリコン単結晶を製造する場合である。
すなわち、本発明のシリコン単結晶の製造方法において、前記濃度推定用情報は、前記石英坩堝のサイズ、形状および材質のうち少なくとも1つの特性に対応して生成された複数の石英坩堝対応情報を備え、前記濃度推定工程は、前記第1の単結晶製造工程で用いた石英坩堝の前記少なくとも1つの特性に対応する前記石英坩堝対応情報に基づいて、前記酸素濃度を推定することが好ましい。
本発明のシリコン単結晶の製造方法において、前記濃度推定用情報は、前記支持坩堝のサイズ、形状および材質のうち少なくとも1つの特性に対応して生成された複数の支持坩堝対応情報を備え、前記濃度推定工程は、前記第1の単結晶製造工程で用いた支持坩堝の前記少なくとも1つの特性に対応する前記支持坩堝対応情報に基づいて、前記酸素濃度を推定することが好ましい。
以下、本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。
〔単結晶引き上げ装置の構成〕
図1に示すように、単結晶引き上げ装置1は、CZ法に用いられる装置であって、引き上げ装置本体2と、制御部3とを備えている。
引き上げ装置本体2は、チャンバ21と、このチャンバ21内の中心部に配置された坩堝22と、この坩堝22に熱を放射して加熱するヒータ23と、断熱筒24と、引き上げケーブル25と、熱遮蔽体26とを備えている。
チャンバ21内には、制御部3の制御により、チャンバ21上部のガス導入口21Aから、不活性ガスが所定のガス流量で導入される。そして導入されたガスが、チャンバ21下部のガス排気口21Bから排出されることで、不活性ガスがチャンバ21内の上方から下方に向かって流れる構成となっている。
チャンバ21内の圧力(炉内圧)は、制御部3により制御可能となっている。
ここで、本実施形態の単結晶引き上げ装置1には、坩堝22として、第1の坩堝22Aまたは第2の坩堝22Bが設けられる。
第1の坩堝22Aは、結晶化しやすいアルミニウム添加層を有する有底円筒形状の第1の石英坩堝221Aと、この第1の石英坩堝221Aを収納するCCM(C/Cコンポジット)製の支持坩堝222とを備えている。CCMとは、炭素繊維で強化された高強度・高弾性炭素材料である。第1の石英坩堝221Aのアルミニウム添加層は、当該第1の石英坩堝221Aの最外周から0.2mm〜0.6mmの範囲に設けられ、石英粉を融解したガラスにアルミニウムを10ppm〜50ppm添加することにより構成されている。
第2の坩堝22Bは、結晶化しやすい半溶融層を有する第1の石英坩堝221Aと同じ形状の第2の石英坩堝221Bと、支持坩堝222とを備えている。第2の石英坩堝221Bの半溶融層は、第1の石英坩堝221Aのアルミニウム添加層とほぼ同じ範囲に設けられ、石英粉と石英粉を融解したガラスの混合層により構成されている。
断熱筒24は、坩堝22およびヒータ23の周囲を取り囲むように配置されている。
引き上げケーブル25は、一端が、坩堝22上方に配置された図示しない引き上げ駆動部に接続され、他端に、種結晶SCが取り付けられる。引き上げケーブル25は、制御部3による引き上げ駆動部の制御により、所定の速度で昇降するとともに、当該引き上げケーブル25の軸を中心にして回転する。
熱遮蔽体26は、ヒータ23から上方に向かって放射される輻射熱を遮断する。
濃度推定用情報は、以下の第1の関係式(1)と、第2の関係式(2)とを含んで構成することができ、明示していない関係式をさらに含むことができる。なお、第1,第2の関係式は、それぞれ本実施形態における石英坩堝対応情報の一例に過ぎず、単結晶引き上げ装置1の構造などによっては、以下の式と異なる場合がある。
第1,第2の関係式において、シリコン単結晶SMにおける酸素濃度を比較する成長位置は、直胴部の上端を0mmとした場合、下端に向かって800mmの位置から1000mmの位置までの範囲である。
D1:酸素変化量
(2本目のシリコン単結晶(第2のシリコン単結晶)の酸素濃度
−1本目のシリコン単結晶(第1のシリコン単結晶)の酸素濃度)
T1:第1の坩堝22Aの支持坩堝222の合計使用時間(hr)
−4.41×10−8×(T2−4229.52)2 … (2)
D2:酸素変化量
(2本目のシリコン単結晶(第2のシリコン単結晶)の酸素濃度
−1本目のシリコン単結晶(第1のシリコン単結晶)の酸素濃度)
T2:第2の坩堝22Bの支持坩堝222の合計使用時間(hr)
まず、図1に示すような単結晶引き上げ装置1に、以下の構成を有する第1の坩堝22Aを取り付けた。
・第1の石英坩堝221A(A社製、型式A1)
内径:780mm
高さ:530mm
・支持坩堝222(CCM製(B社製、型式B1))
内径:812mm
高さ:500mm
・Ar流量:100L/min〜200L/min
・炉内圧:20Torr(2666Pa)〜60Torr(7999Pa)
・坩堝の回転数:0.2rpm〜3.0rpm
・シリコン単結晶の回転数:5rpm〜12rpm
なお、酸素濃度を測定する成長位置は、上述の範囲以外の範囲でもよい。
なお、この複数回の実験において、Ar流量や炉内圧などの製造条件は、上述の製造条件と異なる場合があったが、関係式を求める点では問題ない範囲であった。
・第2の石英坩堝221B(A社製、型式A2)
内径:780mm
高さ:530mm
・支持坩堝222(CCM製(B社製、型式B1))
内径:812mm
高さ:500mm
次に、シリコン単結晶SMの製造方法について説明する。
なお、本実施形態では、第1の坩堝22Aを取り付けた単結晶引き上げ装置1を用いて、マルチプリング法により、直径300mm、直胴部の全長1500mm〜2500mmのシリコン単結晶SMを製造する場合について説明する。
なお、製造条件は、第1の関係式を求めるための実験と同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、製造条件は、作業者が入力したものであってもよいし、作業者が入力した目標の酸素濃度などに基づき制御部3が演算して求めたものであってもよい。
具体的には、制御部3は、ヒータ23により第1の坩堝22Aを加熱することで、当該第1の坩堝22A内のポリシリコン素材(シリコン原料)およびドーパントを融解させ、ドーパント添加融液MDを生成する。その後、制御部3は、ガス導入口21Aからチャンバ21内にArガスを所定の流量で導入するとともに、チャンバ21内の圧力を減圧して、チャンバ21内を減圧下の不活性雰囲気に維持する。
その後、制御部3は、引き上げケーブル25を下降させることで種結晶SCをドーパント添加融液MDに浸漬する。
そして、制御部3は、第1の坩堝22Aおよび引き上げケーブル25を所定の方向に回転させながら、引き上げケーブル25を引き上げることで、N本目のシリコン単結晶SMを製造する。
そして、ステップS4で測定した酸素濃度を作業者が制御部3に対して設定すると、制御部3は、メモリ31の濃度推定用情報に基づき、N本目と同一条件で(N+1)本目のシリコン単結晶SM(第2のシリコン単結晶)を製造した場合の酸素濃度を推定する(ステップS5:濃度推定工程)。
具体的には、まず、制御部3は、メモリ31から第1の坩堝22Aに対応する第1の関係式を読み出し、この第1の関係式に第1の坩堝22Aの支持坩堝222の合計使用時間T1を代入して酸素変化量D1を求める。このとき代入される合計使用時間T1は、N本目のシリコン単結晶SMの製造開始時点での合計使用時間である。なお、合計使用時間T1は、作業者により入力されたものであってもよいし、単結晶引き上げ装置1に設けられた図示しないタイマに基づき求められたものであってもよい。そして、制御部3は、酸素変化量D1に1本目の酸素濃度を加算して得られた値を、(N+1)本目のシリコン単結晶SMの酸素濃度として推定する。
なお、製造条件は、N本目の設定時と同様に、作業者が入力したものであってもよいし、作業者が入力した目標の酸素濃度に基づき制御部3が演算して求めたものであってもよい。また、N本目の酸素濃度が目標値と異なる場合、(N+1)本目の酸素濃度が目標値になるように、製造条件を設定してもよい。さらに、N本目の酸素濃度が目標値と同じ場合であっても、N本目と仕様が異なるシリコン単結晶SMを製造する場合、(N+1)本目の酸素濃度がN本目の目標値と異なるように、製造条件を設定してもよい。
具体的には、制御部3は、ポリシリコン素材(シリコン原料)を第1の坩堝22A内に追加するとともに、各種条件をステップS6で設定された条件に調整して、(N+1)本目のシリコン単結晶SMを製造する。なお、ポリシリコン素材の追加は、N本目のシリコン単結晶SMの酸素濃度測定中に行われてもよい。
その後、制御部3がシリコン単結晶SMの製造を終了するか否かを判断し(ステップS8)、終了すると判断した場合、単結晶引き上げ装置1の立ち下げ処理を行い、終了しないと判断した場合、変数Nに1を加えて(ステップS9)、ステップS4の処理に戻る。
なお、第2の坩堝22Bを用いた場合、ステップS5において、第2の関係式に第2の坩堝22Bの支持坩堝222の合計使用時間T2を代入して酸素変化量D2を求め、この酸素変化量D2に基づき(N+1)本目のシリコン単結晶SMの酸素濃度を推定すればよい。
上記実施形態では、(N+1)本目のシリコン単結晶SMの酸素濃度の推定に、支持坩堝222の合計使用時間を考慮に入れた濃度推定用情報を用いるため、支持坩堝222の劣化に伴う酸素濃度の影響を考慮に入れて、(N+1)本目のシリコン単結晶SMの製造条件を設定することができる。したがって、シリコン単結晶SMの酸素濃度を適切に制御可能なシリコン単結晶SMの製造方法を提供することができる。
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能であり、その他、本発明の実施の際の具体的な手順、及び構造などは本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などとしてもよい。
上述の第1,第2の石英坩堝221A,221Bと異なる材質の石英坩堝、あるいは第1,第2の石英坩堝221A,221Bと同じ材質であってもサイズや形状が異なる石英坩堝を用いる場合、この用いる石英坩堝に対応する関係式(石英坩堝対応情報)を求め、この関係式に基づき酸素濃度を制御してもよい。同様に、上述の支持坩堝222とサイズ、形状および材質のうち少なくとも1つの特性が異なる支持坩堝を用いる場合、この用いる支持坩堝に対応する関係式(支持坩堝対応情報)を求め、この関係式に基づき酸素濃度を制御してもよい。例えば、支持坩堝を黒鉛材で形成し、この黒鉛材の支持坩堝に対応する関係式に基づき酸素濃度を制御してもよい。
マルチプリング法における1本目と2本目、すなわち連続して生産される2本の酸素変化量を求めるための濃度推定用情報を用いたが、連続して生産されない2本の酸素変化量を求めるための濃度推定用情報を用いてもよい。例えば1本目と3本目の酸素変化量を求めるための濃度推定用情報を用いて、1本目の酸素濃度に基づき3本目の酸素濃度を推定してもよい。
ステップS5の処理において、制御部3が酸素変化量D1を図示しない表示部に表示し、作業者が(N+1)本目の酸素濃度を推定してもよい。この場合、作業者は、N本目の酸素濃度を制御部3に入力する必要がなくなる。
第1,第2の関係式に含まれる第1,第2の坩堝22A,22Bの支持坩堝222の合計使用時間T1,T2は、N本目のシリコン単結晶SMの製造開始時点での合計使用時間でなく、1本目のシリコン単結晶SMの製造終了時点や、2本目のシリコン単結晶SMの製造開始予定時刻あるいは製造終了予定時刻であってもよい。
第1,第2の関係式を求めるための実験を、濃度推定用情報生成工程として、本発明のシリコン単結晶の製造方法に含めてもよい。
Claims (5)
- 支持坩堝に収容した石英坩堝内にシリコン原料を供給する工程と、前記シリコン原料を溶融させこの原料融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する工程とを繰り返し、1の石英坩堝を用いて複数本のシリコン単結晶を製造するマルチプリング法を用いたシリコン単結晶の製造方法であって、
第1のシリコン単結晶の酸素濃度と、前記支持坩堝の合計使用時間とに基づいて、前記第1のシリコン単結晶の後に製造される第2のシリコン単結晶の酸素濃度を推定する濃度推定工程を備えていることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 支持坩堝に収容した石英坩堝内にシリコン原料を供給する工程と、前記シリコン原料を溶融させこの原料融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する工程とを繰り返し、1の石英坩堝を用いて複数本のシリコン単結晶を製造するマルチプリング法を用いたシリコン単結晶の製造方法であって、
同じ石英坩堝および支持坩堝を用いて同一条件で製造された2本のシリコン単結晶の同じ成長位置における酸素濃度の差と、前記支持坩堝の合計使用時間との関係を表す濃度推定用情報を用い、
前記濃度推定用情報の生成に用いた石英坩堝および支持坩堝と同じ構成を有する石英坩堝および支持坩堝を用いて、第1のシリコン単結晶を製造する第1の単結晶製造工程と、
前記第1のシリコン単結晶の前記成長位置における酸素濃度と、前記濃度推定用情報と、前記支持坩堝の合計使用時間とに基づいて、前記第1の単結晶製造工程と同一条件で第2のシリコン単結晶を製造した場合の前記成長位置における酸素濃度を推定する濃度推定工程と、
前記濃度推定工程での推定結果に基づいて、所定の酸素濃度範囲の前記第2のシリコン単結晶を製造する第2の単結晶製造工程とを備えていることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 請求項2に記載のシリコン単結晶の製造方法において、
前記濃度推定用情報は、前記石英坩堝のサイズ、形状および材質のうち少なくとも1つの特性に対応して生成された複数の石英坩堝対応情報を備え、
前記濃度推定工程は、前記第1の単結晶製造工程で用いた石英坩堝の前記少なくとも1つの特性に対応する前記石英坩堝対応情報に基づいて、前記酸素濃度を推定することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 請求項2または請求項3に記載のシリコン単結晶の製造方法において、
前記濃度推定用情報は、前記支持坩堝のサイズ、形状および材質のうち少なくとも1つの特性に対応して生成された複数の支持坩堝対応情報を備え、
前記濃度推定工程は、前記第1の単結晶製造工程で用いた支持坩堝の前記少なくとも1つの特性に対応する前記支持坩堝対応情報に基づいて、前記酸素濃度を推定することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法において、
前記第1のシリコン単結晶は、前記1の石英坩堝を用いて製造される1本目のシリコン単結晶であり、
前記第2のシリコン単結晶は、2本目以降に製造されるシリコン単結晶であることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
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