JP2017072570A - 磁気センサの製造方法および電流センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)オフセットやオフセット温度特性を増加させる要因の一つとして、磁界検出ブリッジ回路が備える4つの磁気抵抗効果素子の製造段階でのばらつきが挙げられる。
(b)この4つの磁気抵抗効果素子の製造段階でのばらつきは、これらの磁気抵抗効果素子を一連の製造プロセスで同時に製造することにより低減させることができる。
(c)そのように同時に製造される場合であっても、4つの磁気抵抗効果素子を、感度(外部磁界に対する抵抗変化率)が異なる一対の磁気抵抗効果素子の2組とすることにより、印加された磁界に対して線形的に応答する出力を有する磁界検出ブリッジ回路が得られる。
(d)抵抗値は等しく感度が異なる一対の磁気抵抗効果素子を同時に製造するためには、一対の磁気抵抗効果素子を、アスペクト比(ミアンダ形状の長尺パターンの全長/長尺パターンの幅)は等しいが長尺パターンの幅は相違するようすればよい。
R = Rs×Lt/W
長尺パターンSPの全長Lt:540μm
(長尺パターンSPの長手方向の長さL1:90μm)
長尺パターンSPの幅W1:3.0μm
アスペクト比:180
長尺パターンSPの全長Lt:144μm
(長尺パターンSPの長手方向の長さL2:48μm)
長尺パターンSPの幅W2:0.8μm
アスペクト比:180
図1に示される磁界検出ブリッジ回路およびフィードバックコイルを備える磁気センサを基板上に複数個製造した。磁界検出ブリッジ回路が備える4つの磁気抵抗効果素子122a〜122dは、いずれも帯状の長尺パターンを複数備えるミアンダ形状を有し、これらのうち、2つの磁気抵抗効果素子122c,122dについては、相対的に感度が高い第1の磁気抵抗効果素子GMR1を用いた。残りの2つの磁気抵抗効果素子122a,122bについては、相対的に感度が低い第2の磁気抵抗効果素子GMR2を用いた。第1の磁気抵抗効果素子GMR1および第2の磁気抵抗効果素子GMR2は次の形状的特徴を有していた。
長尺パターンSPの全長Lt:540μm
(長尺パターンSPの長手方向の長さL1:90μm)
長尺パターンSPの幅W1:3.0μm
アスペクト比:180
長尺パターンSPの全長Lt:144μm
(長尺パターンSPの長手方向の長さL2:48μm)
長尺パターンSPの幅W2:0.8μm
アスペクト比:180
OT = (OF1−OF2)/(85℃−25℃)
図1に示される磁界検出ブリッジ回路およびフィードバックコイルを備える磁気センサを基板上に複数個製造した。磁界検出ブリッジ回路が備える4つの磁気抵抗効果素子122a〜122dは、いずれも帯状の長尺パターンを複数備えるミアンダ形状であってそのミアンダ形状が共通の形状的特徴を有する第3の磁気抵抗効果素子GMR3から構成された。第3の磁気抵抗効果素子GMR3は、図8に示されるように、ミアンダ形状における帯状の長尺パターンC−SPは、固定磁性層21が反強磁性膜21aを備えず、RKKY相互作用に基づくピン止め構造を有していた。
OT = (OF1−OF2)/(85℃−25℃)
12,12’・・・磁気センサ
121・・・フィードバックコイル
122a,122b,122c,122d・・・磁気抵抗効果素子
Vdd・・・電源端子
Out1・・・磁気抵抗効果素子122bと磁気抵抗効果素子122dと間の接続点からの出力
Out2・・・磁気抵抗効果素子122aと磁気抵抗効果素子122bと間の接続点からの出力
Gnd1・・・磁気抵抗効果素子122dの一方の端部に接続されたグランド
Gnd2・・・磁気抵抗効果素子122aの一方の端部に接続されたグランド
GMR1・・・第1の磁気抵抗効果素子
GMR2・・・第2の磁気抵抗効果素子
SP・・・長尺パターン
C−SP・・・第3の磁気抵抗効果素子GMR3の長尺パターン
EL・・・電極
W1・・・第1の磁気抵抗効果素子GMR1の長尺パターンSPの幅
W2・・・第2の磁気抵抗効果素子GMR2の長尺パターンSPの幅
L1・・・第1の磁気抵抗効果素子GMR1の長尺パターンSPの長手方向の長さ
L2・・・第2の磁気抵抗効果素子GMR2の長尺パターンSPの長手方向の長さ
20・・・シード層
21・・・強磁性固定層
21a・・・反強磁性膜
21b・・・第1の強磁性膜
21c・・・反平行結合膜
21d・・・第2の強磁性膜
22・・・非磁性中間層
23・・・軟磁性自由層(フリー磁性層)
25・・・保護層
29・・・基板
Claims (7)
- 外部磁界の変化に応じて抵抗値が変化する4つの磁気抵抗効果素子で構成され、直列に接続された2つの磁気抵抗効果素子からなる部分回路を2つ備える磁界検出ブリッジ回路を有する磁気センサの製造方法であって、
前記4つの磁気抵抗効果素子は、いずれも、
帯状の長尺パターンが折り返されたミアンダ形状であって、
前記長尺パターンは、強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有する積層構造を備え、
前記4つの磁気抵抗効果素子は、前記長尺パターンの全長を前記長尺パターンの幅で除したアスペクト比は共通するが、前記長尺パターンの幅が相違する2種類の磁気抵抗効果素子である第1の磁気抵抗効果素子および第2の磁気抵抗効果素子から構成され、
前記磁界検出ブリッジ回路の前記部分回路の一方では、第1の磁気抵抗効果素子および第2の磁気抵抗効果素子が、この順番で電源給電点に近位な側から直列に接続され、前記磁界検出ブリッジ回路の前記部分回路の他方では、第2の磁気抵抗効果素子および第1の磁気抵抗効果素子が、この順番で電源給電点に近位な側から直列に接続され、
前記4つの磁気抵抗効果素子を一連の製膜プロセスで同時に形成することを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 前記強磁性固定層は、反強磁性膜と交換結合している第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反平行結合膜を介して反強磁性的に結合させてなる積層フェリ型である、請求項1に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記強磁性固定層は、第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反平行結合膜を介して反強磁性的に結合させてなるセルフピン型である、請求項1に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記4つの磁気抵抗効果素子の近傍に配置され、被測定磁界を相殺するキャンセル磁界を発生するフィードバックコイルをさらに具備し、前記磁気検出ブリッジ回路が備える前記2つの部分回路のそれぞれが有する2つの前記磁気抵抗効果素子の間に設けられた出力の電圧差により前記フィードバックコイルに通電して、前記被測定磁界と前記キャンセル磁界とが相殺される平衡状態となったときの前記フィードバックコイルに流れる電流に基づいて、前記被測定磁界を測定可能とされる、請求項1から3のいずれか一項に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記被測定磁界および前記キャンセル磁界が前記長尺パターンの延びる方向に直交する方向に沿うように印加可能に、前記フィードバックコイルは配置される、請求項4に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記4つの磁気抵抗効果素子は、前記長尺パターンの延びる方向に沿って並置される、請求項1から5のいずれか一項に記載の磁気センサの製造方法。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載される製造方法により製造された磁気センサを用いて、前記磁気抵抗効果素子の前記長尺パターンの長手方向に沿った方向に流れる被測定電流により生じた誘導磁界を測定して、前記被測定電流を定量的に測定することを特徴とする電流センサの製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03282277A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-12-12 | Hamamatsu Koden Kk | 磁気検出素子 |
JPH05249210A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Ckd Corp | 磁気センサ |
JPH0888423A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 磁気センサ |
JPH08242027A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気抵抗素子回路 |
US20060061350A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nve Corporation | Inverted magnetic isolator |
-
2015
- 2015-10-09 JP JP2015201574A patent/JP6506671B2/ja active Active
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US20060061350A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nve Corporation | Inverted magnetic isolator |
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