JP2017066003A - Method and apparatus for producing glass substrate for display - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薄板ガラスの主表面の一方を粗面化処理する表面処理工程を含むディスプレイ用ガラス基板の製造方法、およびその製造装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a glass substrate for a display including a surface treatment process for roughening one of the main surfaces of a thin glass plate, and a manufacturing apparatus therefor.
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル、あるいは有機ＥＬディスプレイパネル等を用いたフラットパネルディスプレイの製造では、より高精細な薄膜パターンが薄板ガラス基板上に形成される。 In the manufacture of a flat panel display using a liquid crystal display panel, a plasma display panel, an organic EL display panel or the like used as a display panel, a finer thin film pattern is formed on a thin glass substrate.
これらのフラットパネルディスプレイに使用されるディスプレイパネルの製造は、製造ラインにガラス基板を投入後、搬送、成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、ドーピング、あるいは配線等の各処理工程を経て製造される。各処理工程では、様々な要因によって、ガラス基板を含んだパネルは帯電し易い環境に置かれる。例えば、ガラス基板を製造ラインに投入するとき、合紙を挟んで積層された複数のガラス基板の中から、合紙を剥離除去してガラス基板を１枚ずつ取り出す。このときガラス基板は合紙の除去に際して帯電し易い。また、成膜等のために半導体製造装置を用いる場合、ガラス基板を載置テーブルに載せて成膜を行う。このとき、ガラス基板には流体による帯電や接触帯電や剥離帯電が生じやすい。 The display panel used in these flat panel displays is manufactured through a processing process such as conveyance, film formation, photolithography, etching, doping, or wiring after putting a glass substrate into the production line. In each processing step, the panel including the glass substrate is placed in an environment in which it is easily charged due to various factors. For example, when putting a glass substrate into a production line, the interleaving paper is peeled and removed from a plurality of glass substrates stacked with the interleaving paper interposed therebetween, and the glass substrates are taken out one by one. At this time, the glass substrate is easily charged when the interleaf is removed. In addition, when a semiconductor manufacturing apparatus is used for film formation or the like, film formation is performed by placing a glass substrate on a mounting table. At this time, the glass substrate is likely to be charged by a fluid, contacted or peeled.
このような帯電は種々の問題を引き起こす。例えば、ガラス基板上にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及び配線パターンを形成するとき、帯電によって塵や埃などの異物がガラス基板や配線パターンに付着し、配線パターンの欠損や剥離が生じる、あるいは蓄積された電荷の放電によってＴＦＴの破壊等が生じる、等がある。また、帯電によりガラス基板が載置テーブルに張り付き、載置テーブルからははがす時にガラス基板が割れる場合もある。よって、可能な限りガラス基板は帯電しないのが好ましい。 Such charging causes various problems. For example, when a TFT (Thin Film Transistor) and a wiring pattern are formed on a glass substrate, foreign matters such as dust and dust adhere to the glass substrate and the wiring pattern due to charging, and the wiring pattern is lost or peeled off or accumulated. In other words, the TFT is destroyed by the discharge of the charges. In addition, the glass substrate may stick to the mounting table due to electrification, and the glass substrate may break when it is peeled off from the mounting table. Therefore, it is preferable that the glass substrate is not charged as much as possible.
特に、フュージョン法やダウンドロー法でつくられる薄板ガラスの表面は、フロート法でつくられる薄板ガラスと比べ、表面が非常に滑らかであるため、帯電の問題が生じ易い。このため、フュージョン法やダウンドロー法で得られる薄板ガラス基板の主表面には帯電を防止する何らかの処理を施すことが好ましい。その一般的な方法として、薄板ガラス基板の主表面の一方を化学的な方法で粗面化することが挙げられ、適度な粗面化により薄板ガラス基板の帯電を防ぐことができる。そのほか、イオナイザを用いて、帯電したガラス基板の除電を行う方法が知られている（特許文献１）。感光層等が形成された処理基板をステージ上へ載置、密着、除去する工程で発生する処理基板への静電気の帯電量を減少させる露光装置も知られている（特許文献２）。 In particular, the surface of the thin glass produced by the fusion method or the downdraw method is much smoother than the thin glass produced by the float method, and therefore, charging problems are likely to occur. For this reason, it is preferable to perform some treatment for preventing charging on the main surface of the thin glass substrate obtained by the fusion method or the downdraw method. As a general method, one of the main surfaces of the thin glass substrate is roughened by a chemical method, and charging of the thin glass substrate can be prevented by appropriate roughening. In addition, a method is known in which a charged glass substrate is neutralized using an ionizer (Patent Document 1). There is also known an exposure apparatus that reduces the amount of electrostatic charge on a processing substrate generated in a process of placing, attaching, and removing a processing substrate on which a photosensitive layer or the like is formed on a stage (Patent Document 2).
フラットパネルディスプレイ用の薄板ガラス基板においては、主表面のうち、ＴＦＴ及び配線パターンが形成されない側の主表面（以下、第１面という）を、帯電防止のために化学的処理などで粗面化する。ＴＦＴ及び配線パターンが形成される主表面（以下、第２面という）は処理されず、汚れや異物は除去されなければならない。 In a thin glass substrate for flat panel displays, the main surface of the main surface on which TFTs and wiring patterns are not formed (hereinafter referred to as the first surface) is roughened by chemical treatment or the like to prevent charging. To do. The main surface (hereinafter referred to as the second surface) on which the TFT and the wiring pattern are formed is not treated, and dirt and foreign matter must be removed.
スポンジなど連続気孔構造の多孔質材を用い、エッチング液を吸収させた多孔質材を外周部に有する粗面化ローラーで、薄板ガラスの第１面のみにエッチング液を付着させる表面処理法によれば、連続処理でガラス基板を粗面化することができる。 The surface treatment method uses a porous material with a continuous pore structure such as a sponge, and a roughening roller having a porous material that has absorbed the etching solution at the outer periphery, and the etching solution is attached only to the first surface of the thin glass. For example, the glass substrate can be roughened by continuous treatment.
このような表面処理工程では、エッチング液を吸収した粗面化ローラーにより、ガラス基板の第１面にエッチング液を付着させながらガラス基板を搬送する。従来、汚れや異物が制約されるガラス基板の第２面に、エッチング液が回り込まない様、スポンジの吸液量を調整しながら、表面処理が行われている。 In such a surface treatment step, the glass substrate is conveyed while the etching solution is adhered to the first surface of the glass substrate by the roughening roller that has absorbed the etching solution. Conventionally, surface treatment is performed while adjusting the amount of sponge absorbed so that the etching solution does not enter the second surface of the glass substrate where dirt and foreign matter are restricted.
スポンジの吸液量が多すぎると、粗面化ローラーによるガラス基板の搬送の過程で、ガラス基板が粗面化ローラーから離れるとき、ガラス基板の端面側において、汚れや異物が制約されるガラス基板の第２面上へとエッチング液が回り込む場合がある。 If the amount of liquid absorbed by the sponge is too great, dirt and foreign matter are restricted on the end face side of the glass substrate when the glass substrate moves away from the roughening roller in the process of conveying the glass substrate by the roughening roller. In some cases, the etching solution may wrap around the second surface.
しかし、連続処理を行いながら、多孔質材の吸液量を適切に調整するのは容易でない。多孔質材の種類や気孔構造によって、スポンジのエッチング液の吸液性は異なり、また、連続処理が進むにつれスポンジ状態は変化し吸液能力も落ちるためである。 However, it is not easy to appropriately adjust the liquid absorption amount of the porous material while performing the continuous treatment. This is because the absorbability of the sponge etchant varies depending on the type of porous material and the pore structure, and the sponge state changes as the continuous process proceeds, and the liquid absorption capacity also decreases.
そこで、本発明は、連続気孔構造の多孔質材を外周部に有する粗面化ローラーを用いて、ガラス基板を搬送しながらガラス基板の第１面のみにエッチング液を塗布することにおいて、ガラス基板の第２面上にエッチング液が回り込むのを防ぎつつ、品質の高い薄板ガラスを連続処理で粗面化し量産することができる、表面処理方法とその処理装置を含む、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法およびディスプレイ用ガラス基板製造装置を提供する。 Therefore, the present invention uses a roughening roller having a porous material having a continuous pore structure at the outer peripheral portion to apply an etching solution only to the first surface of the glass substrate while conveying the glass substrate. A method for producing a glass substrate for a display, including a surface treatment method and a treatment apparatus thereof, capable of roughening and mass-producing a high-quality thin glass sheet by continuous treatment while preventing the etching solution from flowing around the second surface And a glass substrate manufacturing apparatus for a display.
本発明の一態様は、ガラス基板の主表面のうち第１面を粗面化処理する表面処理工程を含む、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法であって、
前記表面処理工程において、エッチング液を保持した多孔質材を外周部に有する粗面化ローラーにより、エッチング液を前記ガラス基板の第１面に付着させながらガラス基板を搬送し、前記ガラス基板の搬送の間、エッチング液が付着するガラス基板の第１面と反対側の第２面上に、前記ガラス基板の搬送方向とほぼ反対向きの流体を供給する。
One aspect of the present invention is a method for manufacturing a glass substrate for a display, including a surface treatment step of roughening a first surface of the main surface of the glass substrate,
In the surface treatment step, the glass substrate is conveyed while the etching solution is adhered to the first surface of the glass substrate by a roughening roller having a porous material holding an etching solution on the outer peripheral portion, and the glass substrate is conveyed. In the meantime, a fluid having a direction substantially opposite to the conveying direction of the glass substrate is supplied onto the second surface opposite to the first surface of the glass substrate to which the etching solution adheres.
前記表面処理工程において、前記流体の供給は、前記ガラス基板が粗面化ローラーから離れるタイミングに行われる、ことが好ましい。 In the surface treatment step, the fluid is preferably supplied at a timing when the glass substrate is separated from the roughening roller.
前記表面処理工程後のガラス基板の第１面の算術平均粗さＲａが０．４０ｎｍ以上である、ことが好ましい。 The arithmetic average roughness Ra of the first surface of the glass substrate after the surface treatment step is preferably 0.40 nm or more.
本発明の一態様は、ガラス基板の主表面のうち第１面を粗面化処理する表面処理装置を含む、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法であって、
前記表面処理装置は、エッチング液を保持した多孔質材を外周部に有し、前記ガラス基板の第１面にエッチング液を付着させながら、ガラス基板を搬送する粗面化ローラと、
前記ガラス基板の搬送の間、前記エッチング液が付着するガラス基板の第１面と反対側の第２面上に、前記ガラス基板の搬送方向とほぼ反対向きの流体を供給する流体吐出手段と、を備える、ディスプレイ用ガラス基板製造装置。
One aspect of the present invention is a method for manufacturing a glass substrate for a display, including a surface treatment apparatus for roughening the first surface of the main surface of the glass substrate,
The surface treatment apparatus has a porous material holding an etchant at an outer peripheral portion, and a roughening roller that conveys the glass substrate while adhering the etchant to the first surface of the glass substrate;
A fluid ejecting means for supplying a fluid in a direction substantially opposite to the transport direction of the glass substrate on the second surface opposite to the first surface of the glass substrate to which the etching solution adheres during transport of the glass substrate; An apparatus for manufacturing a glass substrate for display.
前記粗面化ローラと前記ガラス基板との接触を検知する検知手段と、前記検知手段から得られた情報に基づいて、ガラス基板が粗面化ローラーから離れるタイミングに前記流体が供給されるように制御する流体制御手段と、をさらに備えることが好ましい。 Based on detection means for detecting contact between the roughening roller and the glass substrate, and information obtained from the detection means, the fluid is supplied at a timing when the glass substrate is separated from the roughening roller. It is preferable to further comprise fluid control means for controlling.
本発明によれば、ガラス基板の主表面の第１面を粗面化し表面処理することにおいて、汚れや異物が制約されるガラス基板の第２面にエッチング液が回り込むことを防ぎつつ、品質の高いディスプレイ用ガラス基板を、連続して粗面化処理し量産することができる。 According to the present invention, in roughening and surface-treating the first surface of the main surface of the glass substrate, the etching solution is prevented from flowing around the second surface of the glass substrate where dirt and foreign matter are restricted, and the quality is improved. A high glass substrate for display can be continuously roughened and mass-produced.
以下、本実施形態のガラス基板の製造方法及びガラス基板表面処理装置について説明する。図１は、ガラス基板１００の製造過程の概要を示すフローチャートである。図１では、ガラス基板が、原料を熔融する状態から客先等に出荷される状態になるまでの工程の概略を示している。
Hereinafter, the manufacturing method and glass substrate surface treatment apparatus of the glass substrate of this embodiment are demonstrated. FIG. 1 is a flowchart showing an outline of the manufacturing process of the
（１）ガラス基板の製造方法
以下、本発明のガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法について説明する。
本実施形態において製造されるガラス基板は、特に制限されないが、例えば縦寸法及び横寸法のそれぞれが、５００ｍｍ〜３５００ｍｍ、１５００ｍｍ〜３５００ｍｍ、１８００〜３５００ｍｍ、２０００ｍｍ〜３５００ｍｍなどが挙げられ、２０００ｍｍ〜３５００ｍｍであることが好ましい。
ガラス基板の厚さは、例えば、０．１〜１．１（ｍｍ）が挙げられ、より好ましくは０．７５ｍｍ以下の極めて薄い矩形形状の板で、例えば、０．５５ｍｍ以下、さらには０．４５ｍｍ以下の厚さがより好ましい。ガラス基板の厚さの下限値としては、０．１５ｍｍ以上が好ましく、０．２５ｍｍ以上がより好ましい。
(1) Manufacturing method of glass substrate Hereinafter, the manufacturing apparatus of the glass substrate of this invention and the manufacturing method of a glass substrate are demonstrated.
Although the glass substrate manufactured in this embodiment is not particularly limited, for example, the vertical dimension and the horizontal dimension are 500 mm to 3500 mm, 1500 mm to 3500 mm, 1800 to 3500 mm, 2000 mm to 3500 mm, etc., and 2000 mm to 3500 mm. Preferably there is.
As for the thickness of a glass substrate, 0.1-1.1 (mm) is mentioned, for example, More preferably, it is a very thin rectangular-shaped board of 0.75 mm or less, for example, 0.55 mm or less, Furthermore, 0.00. A thickness of 45 mm or less is more preferable. As a lower limit of the thickness of a glass substrate, 0.15 mm or more is preferable and 0.25 mm or more is more preferable.
まず、熔融されたガラスが、例えばフュージョン法あるいはフロート法等の公知の方法により、所定の厚さの帯状ガラスであるシートガラスが成形される（ステップＳ１）。
次に、成形されたシートガラスが所定の長さの素板であるガラス基板に採板される（ステップＳ２）。採板により得られたガラス基板は、搬送機構により、ピンチング保持されつつ、熱処理工程に誘導され搬送され、次に、この搬送されたガラス基板に対し熱処理を行なってもよい。
First, the melted glass is formed into a sheet glass, which is a strip glass having a predetermined thickness, by a known method such as a fusion method or a float method (step S1).
Next, the formed sheet glass is sampled on a glass substrate which is a base plate having a predetermined length (step S2). The glass substrate obtained by sampling may be guided and transported to a heat treatment step while being pinched and held by a transport mechanism, and then the transported glass substrate may be heat treated.
ステップＳ２あるいは熱処理後のガラス基板は切断工程に搬送され、製品のサイズに切断され、ガラス基板が得られる（ステップＳ３）。得られたガラス基板には、端面の研削、研磨およびコーナカットを含む端面加工が行われる（ステップＳ４）。端面加工後のガラス基板のガラス表面の微細な異物や汚れを取り除くために、ガラス基板を洗浄する（ステップＳ５）。 The glass substrate after step S2 or heat treatment is conveyed to a cutting process, and is cut into a product size to obtain a glass substrate (step S3). The obtained glass substrate is subjected to end face processing including end face grinding, polishing, and corner cutting (step S4). In order to remove fine foreign matters and dirt on the glass surface of the glass substrate after the end face processing, the glass substrate is washed (step S5).
本実施形態の表面化処理Ｓ６粗面化工程Ｐｒ１及びすすぎ工程Ｐｒ２）は、端面加工直後の洗浄工程Ｓ５の後に行う。本実施形態の表面処理工程の詳細は後述する。 The surface treatment S6 roughening step Pr1 and the rinsing step Pr2) of this embodiment are performed after the cleaning step S5 immediately after the end face processing. Details of the surface treatment process of this embodiment will be described later.
表面処理工程Ｓ６の後に、第２洗浄後Ｓ７を行い、この後、洗浄されたガラス基板はキズ、塵、汚れあるいは光学欠陥を含む傷が無いか、光学的検査が行われる（ステップＳ８）。検査により品質の適合したガラス基板は、ガラス基板を保護する紙と交互に積層された積層体としてパレットに積載されて梱包される（ステップＳ９）。梱包されたガラス基板は納入先業者に出荷される。 After the surface treatment step S6, the second post-cleaning S7 is performed, and thereafter the cleaned glass substrate is optically inspected for scratches, dust, dirt, or scratches including optical defects (step S8). The glass substrate having the quality matched by the inspection is loaded on the pallet and packed as a laminated body alternately laminated with paper protecting the glass substrate (step S9). The packed glass substrate is shipped to a supplier.
このようなガラス基板として、以下のガラス組成のガラス基板が例示される。つまり、以下のガラス組成のガラス基板が製造されるように、熔融ガラスの原料が調合される。
ＳｉＯ2 ５５〜８０モル％、
Ａｌ2Ｏ3 ８〜２０モル％、
Ｂ2Ｏ3 ０〜１２モル％、
ＲＯ ０〜１７モル％（ＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量)。
As such a glass substrate, the glass substrate of the following glass compositions is illustrated. That is, the raw material of molten glass is prepared so that the glass substrate of the following glass compositions is manufactured.
SiO 2 55~80 mol%,
Al 2 O 3 8-20 mol%,
B 2 O 3 0 to 12 mol%,
RO 0 to 17 mol% (RO is the total amount of MgO, CaO, SrO and BaO).
ＳｉＯ2は６０〜７５モル％、さらには、６３〜７２モル％であることが、熱収縮率を小さくするという観点から好ましい。
ＲＯのうち、ＭｇＯが０〜１０モル％、ＣａＯが０〜１５モル％、ＳｒＯが０〜１０％、ＢａＯが０〜１０％であることが好ましい。
SiO 2 is preferably 60 to 75 mol%, and more preferably 63 to 72 mol%, from the viewpoint of reducing the heat shrinkage rate.
Among RO, it is preferable that MgO is 0-10 mol%, CaO is 0-15 mol%, SrO is 0-10%, and BaO is 0-10%.
また、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、及びＲＯを少なくとも含み、モル比（（２×ＳｉＯ2）＋Ａｌ2Ｏ3）／（（２×Ｂ2Ｏ3）＋ＲＯ）は４．５以上であるガラスであってもよい。また、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、及びＢａＯの少なくともいずれか含み、モル比（ＢａＯ＋ＳｒＯ）／ＲＯは０．１以上であることが好ましい。 Further, at least SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , and RO are included, and the molar ratio ((2 × SiO 2 ) + Al 2 O 3 ) / ((2 × B 2 O 3 ) + RO) is 4. The glass which is 5 or more may be sufficient. In addition, it is preferable that at least one of MgO, CaO, SrO, and BaO is included, and the molar ratio (BaO + SrO) / RO is 0.1 or more.
また、モル％表示のＢ2Ｏ3の含有率の２倍とモル％表示のＲＯの含有率の合計は、３０モル％以下、好ましくは１０〜３０モル％であることが好ましい。
また、上記ガラス組成のガラス基板におけるアルカリ金属酸化物の含有率は、０モル％以上０．４モル％以下であってもよい。
また、ガラス中で価数変動する金属の酸化物（酸化スズ、酸化鉄）を合計で０．０５〜１．５モル％含み、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３及びＰｂＯを実質的に含まないということは必須ではなく任意である。
The total content of 2-fold and mol% of RO for the content of mol% of B 2 O 3 is 30 mol% or less, it is preferred that preferably 10 to 30 mol%.
Moreover, 0 mol% or more and 0.4 mol% or less may be sufficient as the content rate of the alkali metal oxide in the glass substrate of the said glass composition.
Further, it contains 0.05 to 1.5 mol% of metal oxides (tin oxide and iron oxide) whose valence fluctuates in the glass, and substantially contains As 2 O 3 , Sb 2 O 3 and PbO. It is not essential but optional.
本実施形態で製造されるガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、またはカーブドパネルディスプレイ用ガラス基板で、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板あるいは、有機ＥＬディスプレイ用のガラス基板として好適である。さらに、本実施形態で製造されるガラス基板は、高精細ディスプレイに用いるＬＴＰＳ（Ｌｏｗ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙ ｓｉｌｉｃｏｎ）・ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｇａｌｌｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）・ＴＦＴディスプレイ用ガラス基板として特に好適である。 The glass substrate manufactured by this embodiment is a glass substrate for flat panel displays, or a glass substrate for curved panel displays, and is suitable, for example, as a glass substrate for liquid crystal displays or a glass substrate for organic EL displays. Furthermore, the glass substrate manufactured in this embodiment is particularly suitable as a glass substrate for LTPS (Low-temperature polysilicon), IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), and TFT displays used for high-definition displays.
本実施形態における熔融ガラスからシートガラスを成形する方法として、フロート法やフュージョン法等が用いられるが、本実施形態のガラス基板のオフラインにおける熱処理を含むガラス基板の製造方法は、フュージョン法（オーバーダウンドロー法）において製造ライン上の徐冷装置を長くすることが困難である点から、フュージョン法に適している。本実施形態のガラス基板の熱収縮率は、５０ｐｐｍ以下であり、好ましくは４０ｐｐｍ以下、より好ましくは３０ｐｐｍ以下、更により好ましくは２０ｐｐｍ以下である。熱収縮率を低減する前のガラス基板の熱収縮率の範囲としては、１０ｐｐｍ〜４０ｐｐｍが好ましい。 As a method for forming sheet glass from molten glass in this embodiment, a float method, a fusion method, or the like is used. However, a method for manufacturing a glass substrate including offline heat treatment of the glass substrate in this embodiment is a fusion method (overdown). The draw method is suitable for the fusion method because it is difficult to lengthen the slow cooling device on the production line. The thermal shrinkage rate of the glass substrate of this embodiment is 50 ppm or less, preferably 40 ppm or less, more preferably 30 ppm or less, and even more preferably 20 ppm or less. The range of the heat shrinkage rate of the glass substrate before reducing the heat shrinkage rate is preferably 10 ppm to 40 ppm.
（２）表面処理工程Ｓ６
（２−１）表面処理方法および表面処理装置
本実施形態の表面処理工程について詳細に説明する。本実施形態の表面処理工程は、ガラス基板の主表面のうち一方の面（第１面）をエッチング液で表面処理する粗面化工程（Ｐｒ１）と、粗面化された第１面のエッチング液を洗浄水で洗浄した後にもう一度再洗浄するとともに、粗面化を施していない第２面を純水で洗浄する、すすぎ工程（Ｐｒ２）とを含む。表面化処理工程Ｓ６の詳細は後述する。
(2) Surface treatment step S6
(2-1) Surface treatment method and surface treatment apparatus The surface treatment process of this embodiment will be described in detail. The surface treatment process of this embodiment includes a roughening process (Pr1) in which one surface (first surface) of the main surface of the glass substrate is surface-treated with an etching solution, and etching of the roughened first surface. A rinsing step (Pr2) is also included in which the liquid is washed again with washing water and then washed again, and the second surface that has not been roughened is washed with pure water. Details of the surface treatment step S6 will be described later.
表面処理工程Ｓ６では、ガラス基板の主表面の一方の面のみが粗面化処理される。粗面化処理の対象となる主表面はＴＦＴ及び配線パターンを形成する形成面と反対側の主表面であり、もう一方の主表面に表面処理（粗面化）は行わない。 In the surface treatment step S6, only one surface of the main surface of the glass substrate is roughened. The main surface to be roughened is the main surface opposite to the surface on which the TFT and wiring pattern are formed, and no surface treatment (roughening) is performed on the other main surface.
粗面化処理をすることで、次に挙げる様な帯電による種々の問題を防ぐことができる。例えば、ガラス基板上にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及び配線パターンを形成するとき、帯電によって塵や埃などの異物がガラス基板や配線パターンに付着し、配線パターンの欠損や剥離が生じる、あるいは蓄積された電荷の放電によってＴＦＴの破壊等が生じる、等の問題がある。また、帯電によりガラス基板が載置テーブルに張り付き、載置テーブルからははがす時にガラス基板が割れる場合もある。これら帯電により引き起こされる問題を防ぐには、可能な限り、ガラス基板の主表面の一方の面について帯電を防ぐための粗面化されているのが好ましく、特に、フュージョン法やオーバーフローダウンドロー法で成形されたガラスシートについては、粗面化処理を行うのが好ましい。 By performing the roughening treatment, various problems due to charging as described below can be prevented. For example, when a TFT (Thin Film Transistor) and a wiring pattern are formed on a glass substrate, foreign matters such as dust and dust adhere to the glass substrate and the wiring pattern due to charging, and the wiring pattern is lost or peeled off or accumulated. There is a problem that the TFT is destroyed due to the discharge of the electric charge. In addition, the glass substrate may stick to the mounting table due to electrification, and the glass substrate may break when it is peeled off from the mounting table. In order to prevent these problems caused by charging, it is preferable that one side of the main surface of the glass substrate is roughened to prevent charging as much as possible, especially in the fusion method and the overflow downdraw method. The molded glass sheet is preferably subjected to a roughening treatment.
図２は、表面処理工程Ｓ６を行うガラス基板表面処理装置１の一例を説明する模式図である。図２に示される装置では、ガラス基板を水平状態でエッチングローラーの上を搬送させて粗面化する方式を採用している。ガラス基板を斜めあるいは縦にして搬送させながらガラス基板の主表面の一方の面を粗面化する方式を採用してもよい。 FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of the glass substrate surface treatment apparatus 1 that performs the surface treatment step S6. The apparatus shown in FIG. 2 employs a method in which the glass substrate is transported on the etching roller in a horizontal state to be roughened. You may employ | adopt the system of roughening one surface of the main surface of a glass substrate, conveying a glass substrate diagonally or vertically.
図３は、ガラス基板表面処理装置１で用いるエッチングローラーの概略上面図である。図４は、エッチングローラーによるガラス基板の粗面化を説明する図である。 FIG. 3 is a schematic top view of an etching roller used in the glass substrate surface treatment apparatus 1. FIG. 4 is a diagram for explaining the roughening of the glass substrate by the etching roller.
図２を参照しながら、本実施形態の表面処理工程を説明するが、ガラス基板表面処理装置１（図２〜４）は一例であって、表面処理工程Ｓ７は、ガラス基板表面処理装置１以外の構成の装置を用いて行うことができる。
ガラス基板表面処理装置１は、ガラス基板を搬送方向（具体的には、図２〜図４の矢印Ａ１に示す方向）に搬送させながら一方の主表面を粗面化する。ここでは、ガラス基板表面処理装置１は、ガラス基板１００の一方の主表面である第１面１００ａ（図２を参照）を粗面化することによって、第１面１００ａを所定の表面粗さにしている。ここで、第１面１００ａとは、表示装置の製造過程において、薄膜であるＴＦＴ素子や配線パターンが形成されない面である。
The surface treatment process of this embodiment will be described with reference to FIG. 2, but the glass substrate surface treatment apparatus 1 (FIGS. 2 to 4) is an example, and the surface treatment process S <b> 7 is other than the glass substrate surface treatment apparatus 1. It can carry out using the apparatus of the structure of this.
The glass substrate surface treatment apparatus 1 roughens one main surface while transporting the glass substrate in the transport direction (specifically, the direction shown by the arrow A1 in FIGS. 2 to 4). Here, the glass substrate surface treatment apparatus 1 makes the
＜粗面化工程Ｐｒ１の装置構成＞
ガラス基板表面処理装置１は、図２〜図４に示すように、主として、表面処理する粗面化工程（Ｐｒ１）では、多孔質材で構成される外周部を有し、第１面１１０ａにエッチング液を付着する複数の粗面化ローラ１２と、エッチング液が付着するガラス基板の第１面と反対側の第２面上に、前記ガラス基板の搬送方向とほぼ反対向きの流体を供給する流体吐出手段３１と、を備える。
さらに任意で、前記粗面化ローラと前記ガラス基板との接触を検知する検知手段３２（図５を参照）と、前記検知手段から得られる情報に基づいてガラス基板が粗面化ローラーから離れるタイミングに前記流体が供給されるように制御する流体制御手段３３（図５を参照）と、を備えてもよい。
<Apparatus configuration of roughening process Pr1>
As shown in FIGS. 2 to 4, the glass substrate surface treatment apparatus 1 mainly has an outer peripheral portion made of a porous material in the roughening step (Pr1) for performing the surface treatment. On the plurality of
Further optionally, detection means 32 (see FIG. 5) for detecting contact between the roughening roller and the glass substrate, and timing at which the glass substrate is separated from the roughening roller based on information obtained from the detection means. And a fluid control means 33 (see FIG. 5) for controlling the fluid to be supplied thereto.
また、粗面化工程（Ｐｒ１）は、ハウジング２に囲まれており、ハウジング内の空間の温度管理を行う温度制御手段をさらに備えてもよい。粗面化工程では、エッチング槽１１のエッチング液が気化し、ハウジング内の空気中に滞留するので、適宜、ハウジング内の空気は換気され、排出されたハウジング内の空気中に含まれるエッチング液由来の化学物質を回収する回収機構を備えるのが好ましい。
Further, the roughening step (Pr1) may be further provided with a temperature control means that is surrounded by the housing 2 and that manages the temperature of the space in the housing. In the roughening step, the etching solution in the
Ａ．実施形態１．エッチング液回り込みの防御機構を含む表面処理装置
本実施形態における表面処理装置は、周表面を含む外周部に多孔質材を有する複数の粗面化ローラ１２と、ガラス基板の第２面１１０ｂ上に、前記ガラス基板の搬送方向とほぼ反対向きの流体を供給する流体吐出手段３１とを、少なくとも、備える。
さらに、任意で、粗面化ローラとガラス基板との接触を検知する検知手段３２と、検知手段から得られる情報に基づいてガラス基板が粗面化ローラーから離れるタイミングに前記流体が供給される様に制御する流体制御手段３３と、を備えてもよい。
A. Embodiment 1. FIG. Surface Treatment Device Including Etch Solution Intrusion Prevention Mechanism A surface treatment device according to the present embodiment is provided on a plurality of
Furthermore, optionally, the fluid is supplied at a timing when the glass substrate is separated from the roughening roller based on information obtained from the detection means 32 and detection means 32 for detecting contact between the roughening roller and the glass substrate. And a fluid control means 33 for controlling the above.
粗面化工程（Ｐｒ１）は、エッチング液を調整し貯留するエッチング液タンク１６を、さらに設けてもよい。エッチング液タンク１６により、エッチング槽１１にエッチング液を供給し循環させる。さらに、粗面化処理におけるエッチングレートを維持する様に、エッチング液タンク１６にフッ酸を補充しながらエッチング液を調整して、調整されたエッチング液をエッチング槽１１に循環させて使用することができる。エッチング槽１１とエッチング液タンクとの間は、エッチング液ＭＳが循環できるように配管１５ａ及び１５ｂが設けられる。
In the roughening step (Pr1), an
エッチング液タンク１６には、エッチング液を調整するための（エッチング液の酸成分）を供給する複数のタンクがさらに連結されている。例えば、フッ酸を供給するフッ酸タンクと、リン酸を供給するリン酸タンクとがエッチング液タンク１６に連結され、これらのタンクからエッチング液の構成材料（酸成分）が供給されて、エッチング液タンク１６にてエッチング液が調整される。エッチング成分を供給する複数のタンクの設置は、構成材料の種類に応じ決定する。例えば、エッチング液がさらに塩酸を含む場合には、エッチング液タンク１６に塩酸タンクがさらに連結される。
The
エッチング槽１１は、ガラス基板１００の表面を処理するための処理流体としてのエッチング液ＭＳを貯留する。本実施形態では、エッチング液ＭＳとしてフッ酸とリン酸を必須に含むもの、あるいは、エッチング液ＭＳがフッ酸及びリン酸にさらに塩酸を含むもの、が使用される（この詳細について、後述する）。エッチング液ＭＳによるエッチングにより、ガラス基板１００の第１面１００ａは、所望の表面粗さ、例えば所望の算術平均粗さＲａを有する形状を得ることができる。算術平均粗さＲａは、０．３ｎｍ以上とすることが好ましく、より好ましくは、算術平均粗さＲａは、０．４０ｎｍ以上である。算術平均粗さＲａの上限値は、ガラス基板の帯電を防止する程度の粗さという点から、０．６ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、０．５ｎｍ以下である。
The
エッチング槽１１は、上部が開口された略直方体形状の容器である。エッチング槽１１には、エッチング液ＭＳが略容器いっぱいになるように貯留されている。エッチング槽１１は、ガラス基板１００の搬送方向に沿って、所定の間隔をもって配置される。図２の形態では、３つ配置されている。本実施形態の図２では、エッチング槽１１は３つ配置されているが、配置数は、１つでも２つでもよく、４つ以上であってもよい。配置数は、生産数、エッチング液及びエッチングレート、搬送速度、等を踏まえ、適宜設定される。
The
各エッチング槽１１では、１つのエッチングローラ１２がエッチング液ＭＳに浸漬して配置されている。エッチング液タンク１６は、各エッチング槽１１が、配管１５ａ及び１５ｂによりエッチング液タンク１６に連通される。エッチング液タンク１６のエッチング液は、エッチャントＭＳの必須成分であるフッ酸（ＨＦ）及びリン酸（Ｈ３ＰＯ４）、任意の塩酸（ＨＣｌ）を供給する、フッ酸タンク１１ｂ、リン酸タンク１１ｃ、及び塩酸タンク１１ｄと流量調整バルブ１１ｅ，１１ｆ，１１ｇを介して接続される。
In each
粗面化ローラ１２はエッチング液ＭＳを吸収し（保持し）、図示しない駆動モータによって駆動回転される回転体として機能する。粗面化ローラ１２が駆動モータによって回転することで、粗面化ローラ１２に接触するガラス基板１００は、複数の粗面化ローラ１２が配置されている方向（すなわち、搬送方向）に搬送される。すなわち、粗面化ローラ１２は、ガラス基板１００を搬送する機能も有する。粗面化ローラ１２は、ガラス基板１００の搬送方向に沿って、所定の間隔をもって複数配置される。複数の粗面化ローラ１２は、全て同方向に回転する。
The roughening
粗面化ローラ１２は、１つのエッチング槽１１に貯留されているエッチング液ＭＳに、一部（具体的には、下部）が浸漬した状態で固定されている。エッチングローラ１２のエッチング液ＭＳに浸漬している部分の垂直方向の長さは、適宜設定される。
The roughening
粗面化ローラ１２は、芯部材１２ａと、芯部材１２ａを覆うローラ部材１２ｂとを有する。芯部材１２ａは、ＳＵＳ等からなる軸芯と、塩化ビニル系の素材からなる円柱状の部材とからなる。芯部材１２ａは、カーボンシャフトでもよい。芯部材１２ａは、その直径は適宜設定される。芯部材１２ａは、粗面化ローラ１２の回転軸である。
The roughening
ローラ部材１２ｂは、外径が芯部材１２ａよりも大きく中心部が開口された円筒状の部材である。ローラ部材１２ｂは、液体を吸収しやすい発泡樹脂、すなわちスポンジから構成される。ローラ部材１２ｂのスポンジは、ＰＶＡおよびＰＵ等からなる。ローラ部材１２ｂは、その内面が芯部材１２ａの外面に当接する。ローラ部材１２ｂの直径は例えば適宜設定される。
The
ここでは、粗面化ローラ１２（ローラ部材１２ｂ）は、エッチング液ＭＳに浸漬することによってエッチング液ＭＳを吸収する。そして、エッチング液ＭＳを吸収して保持するエッチングローラ１２（ローラ部材１２ｂ）に接触するガラス基板１００の第１面１００ａに、ローラ部材１２ｂが吸収したエッチング液ＭＳの一部が供給され付着する。これにより、ガラス基板１００と粗面化ローラ１２との間に、エッチング液の接液膜層が形成される。
Here, the roughening roller 12 (
流体吐出手段３１の設置は、ガラス基板の第２面１１０ｂ上に搬送方向とは反対向きの流体を供給することができるよう、粗面化工程Ｐｒ１のいずれかに配置されればよく、特に制限されない。また、本実施形態におけるガラス基板１００の搬送方向とほぼ反対向きの流体とは、気体または液体であり、気体としては空気、あるいは空気のほかの気体として、ガラス基板又はエッチング液（エッチング液の気化物）と反応する物質を除き、特に制限されない。流体の供給には空気を使用するのが特に好ましい。液体としては、異物や汚れの制約のある第２面側に供給することから、純水が特に好ましい、但し、流体として液体が使用されるのは、搬送タイプが縦タイプあるいは斜めタイプに制限される。純水のほか、ＴＦＴ及び配線パターンが形成される第２面に供給する液体として適しているものであれば種類は特に制限されない。ただし、ガラス基板の搬送を水平式で実施する場合には、流体として空気を使用するのが好ましい。
The fluid discharge means 31 may be disposed in any of the roughening steps Pr1 so that the fluid in the direction opposite to the transport direction can be supplied onto the second surface 110b of the glass substrate. Not. In addition, the fluid substantially opposite to the transport direction of the
流体吐出手段３１を設置する数は、粗面化工程Ｐｒ１の期間中継続して流体吐出手段３１を駆動する場合、流体吐出手段３１を一つのみ設置して行ってもよい。あるいは、ガラス基板１００と粗面化ローラ１２との接触を検知する検知手段を設けて、検知手段の情報に基づいて、流体吐出のタイミングを制御する場合、複数の流体吐出手段３１を粗面化ローラー上に設けることができ、この場合、複数の流体吐出手段３１を制御するように、ガラス基板１００と粗面化ローラ１２との接触を検知する検知手段も複数設け、これらを制御するための制御機構を更に設けてもよい。
The number of the fluid ejecting means 31 may be set by installing only one fluid ejecting means 31 when the fluid ejecting means 31 is continuously driven during the surface roughening process Pr1. Alternatively, when a detection unit that detects contact between the
流体吐出手段３１の駆動については、粗面化工程Ｐｒ１の期間中継続して流体吐出手段３１を駆動することができる。
あるいは、ガラス基板が粗面化ローラーから離れるタイミングに特定し、流体が供給されるように、流体吐出手段３１を駆動させてもよい。この場合、ガラス基板１００と粗面化ローラ１２との接触を検知する検知手段を設け、検知手段の情報に基づいて流体吐出手段３１を駆動し、吐出のタイミングを制御するように制御手段を配置することができる。ガラス基板１００と粗面化ローラ１２との接触を検知する検知手段としては、センサ等、接触を検知するものであればよい。
About the drive of the fluid discharge means 31, the fluid discharge means 31 can be continuously driven during the period of the roughening process Pr1.
Alternatively, the fluid discharge means 31 may be driven so that the fluid is supplied by specifying the timing at which the glass substrate is separated from the roughening roller. In this case, a detection means for detecting contact between the
流体吐出装置３１の駆動により、ガラス基板１１０の第２面１１０ｂ上に搬送方向とは反対向きの流体を供給することで、ガラス基板１００の端面から第２面１００ｂへエッチング液が回り込むのを防ぐことができる。
By driving the
流体吐出手段３１から供給される流体の強さは、強すぎない程度に、薄板ガラスの搬送を妨げず、また、エッチング液が舞い上がること等が起きない範囲で、なお且つ、ガラス基板の第２面１１０ｂ上にエッチング液が上昇し回り込むのを抑制できるように、適宜、設定される。 The strength of the fluid supplied from the fluid discharge means 31 does not hinder the conveyance of the thin glass to the extent that it is not too strong, and does not cause the etching solution to rise, and the second strength of the glass substrate. It is set as appropriate so that the etching solution can be prevented from rising and turning around on the surface 110b.
絞りローラー１４は、粗面化ローラ１２に押し付けられてエッチングローラ１２が保持するエッチング液ＭＳの量を調整する機能を有する。絞りローラー１４は、ローラ部材１２ｂに比べて剛性の高い材料、例えば塩化ビニル系、カーボン等の材料から構成される。絞りローラー１４は円柱状の形状を有する丸棒である。なお、絞りローラー１４の形状は、丸棒に限られるものではない。図３に示されるように、絞りローラー１４は、粗面化ローラ１２の回転軸である芯部材１２ａよりも、ガラス基板１００の搬送方向の上流側に配置されている。
The squeezing
絞りローラー１４は、エッチングローラ１２の回転に追従して回転する。よって、粗面化ローラ１２とは逆方向に回転する。ここでは、絞りローラー１４を回転させるモータ等を別途用いなくてもすむので、コストを抑制できる。
The squeezing
絞りローラー１４は、図４に示されるように、粗面化ローラ１２に対する上下位置や左右位置が調整可能なように、支持部材１７によって支持されている。すなわち、絞りローラー１４は、粗面化ローラ１２への接触位置が調整可能である。これにより、絞りローラー１４の粗面化ローラ１２への接触圧力を調整できる。
As shown in FIG. 4, the squeezing
また、粗面化ローラ１２は、ガラス基板１００に対する相対位置を調整することができる機構を備えている。すなわち、粗面化ローラ１２の回転軸をガラス基板１００の側に近づけたり、遠ざけたりすることができる。また、エッチング槽１１には、エッチング液ＭＳの液面レベルを調整することができる機構を備えている。これにより、粗面化ローラ１２がガラス基板１００に付着させるエッチング液ＭＳの量を調整することができる。
The roughening
搬送ローラ１８は、回転軸と複数のコロとからなる。コロは、回転軸に固定され、Ｏリングが取り付けられる円筒状の部材である。図示されない駆動モータによって搬送ローラ１８が軸回転すると、搬送ローラ１８の上部に接触して支持されているガラス基板１００は、粗面化工程Ｐｒ１を行うハウジング２内に搬送される。搬送ローラ１８は、ガラス基板１００の搬送方向に沿って、所定の間隔をもって複数配置される。搬送ローラ１８は、全て同方向に回転する。
The
＜粗面化プロセス＞
本実施形態における表面処理方法では、周表面を含む外周部にエッチング液を保持した多孔質材を有する粗面化ローラにより、エッチング液を前記ガラス基板の第１面にエッチング液を付着させながらガラス基板を搬送し、ガラス基板の搬送の間、エッチング液が付着するガラス基板の第１面と反対側の第２面上に、ガラス基板の搬送方向とほぼ反対向きの流体を供給する。
さらに、ガラス基板が粗面化ローラーから離れるタイミングを特定し、前記流体を供給してもよい。
<Roughening process>
In the surface treatment method according to the present embodiment, the etching liquid is adhered to the first surface of the glass substrate while the etching liquid is attached to the first surface of the glass substrate by the roughening roller having a porous material that holds the etching liquid on the outer peripheral portion including the peripheral surface. The substrate is transported, and during the transport of the glass substrate, a fluid in a direction substantially opposite to the transport direction of the glass substrate is supplied onto the second surface opposite to the first surface of the glass substrate to which the etching solution adheres.
Furthermore, you may identify the timing which a glass substrate leaves | separates from a roughening roller, and may supply the said fluid.
Ｂ．実施形態２．エッチング液回り込みの防御方法を含む表面処理方法
水平状態で所定の方向（搬送方向）に搬送されながら端面処理後の洗浄工程Ｓ６が行われたガラス基板１００が、その状態を維持したまま、搬送ローラ１８によって搬送されながら、ガラス基板表面処理装置１のハウジング２内に入る。
B. Embodiment 2. FIG. Surface Treatment Method Including Etching Solution Intrusion Prevention Method The
ハウジング２内に入ったガラス基板１００の先端部の下面は粗面化ローラ１２に接触し、粗面化ローラ１２によって支持される。粗面化ローラ１２（ローラ部材１２ｂ）は、エッチング液ＭＳに浸漬していることによって、エッチング液ＭＳを吸収し、エッチング液ＭＳを吸収している粗面化ローラ１２（ローラ部材１２ｂ）の上部は、表面が粗面化される第１面１００ａが接触して、ガラス基板１００は、粗面化ローラ１２の回転駆動によって、搬送方向に沿って搬送される。このとき、粗面化ローラ１２（ローラ部材１２ｂ）はエッチング液ＭＳを吸収しているので、粗面化ローラ１２（ローラ部材１２ｂ）に接触するガラス基板１００の第１面１００ａには、粗面化ローラ１２（ローラ部材１２ｂ）を介してエッチング液ＭＳが付着する。こうして、ガラス基板１００が粗面化ローラ１２によって搬送されながら、第１面１００ａにエッチング液ＭＳが付着することで、ガラス基板の第１面１００ａが粗面化処理される。こうして、ガラス基板１００が粗面化ローラ１２によって搬送されながら、第１面１００ａにエッチング液ＭＳが付着し、ガラス基板１００と粗面化ローラ１２との間にエッチング液の接液膜層が形成され、この間に第１面１００ａが粗面化される。
The lower surface of the front end portion of the
ガラス基板１００が搬送されるとき、周表面を含む外周部にエッチング液ＭＳを吸収した多孔質材を有する粗面化ローラ１２によって、前記ガラス基板の第１面１００ａにエッチング液が付着する。ガラス基板１００の搬送の間、ガラス基板の第１面１００ａと反対側の第２面上１００ｂに、ガラス基板１００の搬送方向とほぼ反対向きの流体が供給される。
When the
ガラス基板１００が粗面化ローラ１２を離れるとき、ガラス基板１００の端面部から、エッチング液が、粗面化ローラ１２の回転とともに第２面１００ｂに回り込む場合があったが（図６）、ガラス基板１００の搬送の間、ガラス基板の第１面１００ａと反対側の第２面上１００ｂに、ガラス基板の搬送方向とほぼ反対向きの流体が供給されることで、この様なガラス基板１１０ｂへのエッチング液の回り込みは抑えられ、防ぐことができる（図５）。
When the
本実施形態におけるガラス基板１００の搬送方向とほぼ反対向きの流体とは、気体または液体であり、気体としては空気、あるいは空気のほかの気体として、ガラス基板又はエッチング液（エッチング液の気化物）と反応する物質を除き特に制限されない。流体の供給には空気を使用するのが特に好ましい。液体としては、異物や汚れの制約のある第２面側に供給することから、純水が特に好ましい、但し、流体として液体が使用されるのは、搬送タイプが縦タイプあるいは斜めタイプに制限される。純水のほか、ＴＦＴ及び配線パターンが形成される第２面に供給する液体として適しているものであれば種類は特に制限されない。ただし、ガラス基板の搬送を水平式で実施する場合には、流体として空気を使用するのが好ましい。
The fluid substantially opposite to the transport direction of the
粗面化ローラ１２によりガラス基板１００が搬送される間のすべて、流体を供給し続けてもよく、あるいは、例えばセンサ等の検知手段によって粗面化ローラ１２とガラス基板１００が接触していることを検知し、ガラス基板１００が粗面化ローラー１２から離れるタイミングを特定して、供給動作を制御しながら流体を供給してもよい。
While the
供給される流体の強さは、強すぎない程度に、薄板ガラスの搬送を妨げず、また、エッチング液が舞い上がること等が起きない範囲で調整され、ガラス基板の第２面１１０ｂ上にエッチング液が回り込むのを抑制できるように、適宜設定し、流体を供給する。 The strength of the supplied fluid is adjusted in a range that does not hinder the conveyance of the thin glass and does not cause the etching solution to rise up to the extent that it is not too strong, and the etching solution is formed on the second surface 110b of the glass substrate. Is set appropriately so as to suppress the sneaking around, and the fluid is supplied.
エッチング液ＭＳが第１面１００ａに付着してからすすぎ工程Ｐｒ２に至るまでの期間における、粗面化ローラー１２とガラス基板１００との接触時間がエッチング期間となるので、このエッチング期間中に、所望のエッチング量が達成されるように、ガラス基板１００を搬送しながら粗面化する粗面化ローラ１２の回転速度（搬送速度）を調整することができる。例えば、粗面化ローラーの回転速度を遅くし、粗面化ローラー１２の上を搬送するガラス基板１００の搬送時間を長くすることで、粗面化ローラー１２とガラス基板１００との接触時間を長くし、これによりガラス基板１００ａのエッチングの程度や形状を調整することができる。
Since the contact time between the roughening
＜すすぎ工程Ｐｒ２の装置構成＞
すすぎ工程（Ｐｒ２）では、複数の搬送ローラ１８と、粗面化しないガラス基板の面に蒸留水をあてる蒸留水ノズル２５と、粗面化されたガラス基板面を洗浄する洗浄ノズル２４と、残存するエッチング液を充分に洗い流すノズル２６と、ガラス基板の両面に付着する液体をハウジング内に留める様にガラス基板表面から取り除くエアーカッターと、を備える。
<Apparatus configuration of rinse process Pr2>
In the rinsing step (Pr2), a plurality of
すすぎ工程（Ｐｒ２）は、ハウジング４に囲まれた空間であり、ハウジング内の空間の温度管理は、行ってもよく、行わなくてもよい。粗面化工程（Ｐｒ１）と、すすぎ工程（Ｐｒ２）とが接するハウウジングの壁の部分には、ガラス基板１００が通過可能なスリットが設けられている。
The rinsing step (Pr2) is a space surrounded by the housing 4, and the temperature management of the space in the housing may or may not be performed. A slit through which the
洗浄ノズル２４は、ガラス基板１００の第１面１００ａに付着したエッチング液ＭＳを洗い流すように、ガラス基板１００の搬送経路に沿って設けられ、洗浄水を第１面１００ａに向けて噴出する。洗浄ノズル２４に用いる洗浄水は、かならずしも純水（蒸留水）でなくともよい。洗浄水タンク２４ａには、一度洗浄に使用した洗浄後の水を貯留し、ガラス基板１００の第１面１００ａを洗浄するために循環させて再利用することができる。
The cleaning
蒸留水ノズル２５は、ガラス基板１００の第１面１００ａと反対側の主表面を洗浄するために、第１面１００ａと反対側の主表面からガラス基板１００の搬送経路に沿って設けられ、純水を第１面１００ａと反対側の主表面に向けて噴出する。
The distilled
ノズル２６は、ガラス基板１００の第１面１００ａに残存するエッチング液を充分に洗い流すために、洗浄水を第１面１００ａに向けて噴出する。ノズル２６は、ガラス基板１００の搬送経路に沿って、ガラス基板１００の第１面１００ａ側に設けられている。なお、ノズル２６から噴出する洗浄水には、蒸留水ノズル２５が噴出するのと同じ純水を用いてもよいし、洗浄ノズル２４が噴出するのと同じ洗浄水を用いてもよい。
The
ガラス基板１００の第１面ａとその反対側の面を洗浄した後、エアーカッターでガラス基板の表面から液体が飛ばされ、次工程の第２洗浄工程を行うために、搬送ローラ１８によりハウジング４の外に搬出される。
After cleaning the first surface a of the
＜すすぎ工程のプロセス＞
粗面化処理工程（Ｐｒ１）の後、ガラス基板１００は、粗面化処理中搬送方向に移動するので、第１面１００ａの一部にエッチング液ＭＳが付着されるとき、ガラス基板１００の先端部はハウジング４内の搬送ローラ１８に接触する。この搬送ローラ１８により、ガラス基板１００は、すすぎ工程Ｐｒ２に進む。
<Rinsing process>
After the roughening treatment step (Pr1), the
すすぎ工程Ｐｒ２では、まず、第１面１００ａが洗浄ノズル２４から噴出する洗浄水で洗浄されエッチング液ＭＳがほぼ洗い流され、その後、第１面１００ａを、さらにノズル２６から噴出する水（再利用水など）で洗浄する。このとき、ガラス基板１００の第１面１００ａと反対側の主表面は、蒸留水ノズル２５から噴出する純水で洗浄される。さらにこの後、第１面１００ａ、及び第１面１００ａと反対側の主表面に向けてエアーカッターでエアーを噴きつけて液体を飛ばす。こうして、すすぎ工程Ｐｒ２が終了し、第２洗浄工程Ｓ８を行うために、搬送ローラ１８により搬出される。
In the rinsing process Pr2, the
（２−２）エッチング液
本発明におけるエッチング液ＭＳは、純水に少なくともフッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４を含む水溶液である（以降で説明する濃度も、いずれも質量％を表す。）。
エッチング液ＭＳにおけるリン酸Ｈ３ＰＯ４の濃度は、０．３％（質量％）〜１０％である。リン酸Ｈ３ＰＯ４の濃度が１０％を超えると排液回収の点から好ましくない。エッチング液ＭＳにおけるリン酸Ｈ３ＰＯ４の濃度は、エッチングレート低下抑制効果の観点から、好ましくは０．３％〜８％、より好ましくは０．５％〜８％、更により好ましくは１％〜６％である。エッチング液ＭＳがフッ酸及びリン酸Ｈ３ＰＯ４１％以上含有した場合、フッ酸を同じ濃度とした条件下、フッ酸、フッ酸と塩酸（リン酸と同じ濃度）の混酸、フッ酸と硫酸（リン酸と同じ濃度）に比べて、同じ温度条件下で、エッチングレートの低下を大きく抑制することができ、すなわち、フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４の混酸は、エッチングレート低下の抑制効果が高い。また、エッチング液ＭＳにおいて、フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４を含む混酸におけるフッ酸の濃度は、好ましくは０．３％〜１０％であり、０．３％〜８％が好ましく、０．３％〜６％がより好ましく、０．３％〜５％が更により好ましい。フッ酸の濃度が５％を超えると、排液回収の問題など、環境負荷が大きくなるため、５％以下が好ましい。本実施形態においては、エッチング液ＭＳのフッ酸濃度を低く抑えることができるので、環境負荷は小さく、また、フッ酸の廃液処理コストも抑制することができる。
(2-2) Etching Solution The etching solution MS in the present invention is an aqueous solution containing at least hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 in pure water (the concentration described below also represents mass%). .
The concentration of phosphoric acid H 3 PO 4 in the etching solution MS is 0.3% (mass%) to 10%. If the concentration of phosphoric acid H 3 PO 4 exceeds 10%, it is not preferable from the viewpoint of drainage recovery. The concentration of phosphoric acid H 3 PO 4 in the etching solution MS is preferably 0.3% to 8%, more preferably 0.5% to 8%, and even more preferably 1%, from the viewpoint of the effect of suppressing the etching rate reduction. ~ 6%. When the etchant MS contains 1% or more of hydrofluoric acid and phosphoric acid H 3 PO 4 , hydrofluoric acid, a mixed acid of hydrofluoric acid and hydrochloric acid (same concentration as phosphoric acid), hydrofluoric acid, Compared with sulfuric acid (same concentration as phosphoric acid), the decrease in etching rate can be greatly suppressed under the same temperature condition. That is, the mixed acid of hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 reduces the etching rate. High suppression effect. In the etching solution MS, the concentration of hydrofluoric acid in the mixed acid containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 is preferably 0.3% to 10%, preferably 0.3% to 8%, 0 .3% to 6% is more preferable, and 0.3% to 5% is even more preferable. If the concentration of hydrofluoric acid exceeds 5%, the environmental load increases due to the problem of drainage recovery and the like. In the present embodiment, since the hydrofluoric acid concentration of the etching liquid MS can be kept low, the environmental load is small, and the waste liquid treatment cost of hydrofluoric acid can be suppressed.
フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４を含むエッチング液ＭＳが、エッチングレート低下抑制効果に優れていることとして、例えば、５％のフッ酸ＨＦからなるエッチング液ＭＳを１４時間繰り返し使用した後のエッチングレートの低下は４５％であり、５％のフッ酸ＨＦ及び５％の塩酸ＨＣｌの混酸のエッチング液ＭＳを１４時間繰り返し使用した後のエッチングレートの低下は４４％であるのに対して、５％のフッ酸ＨＦ及び５％のリン酸Ｈ３ＰＯ４の混酸のエッチング液ＭＳを１４時間繰り返し使用後のエッチングレートの低下は１５％である。このように、フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４を含むエッチング液ＭＳにおけるガラス基板１００のエッチングレートの低下は著しく小さい。なお、これらのエッチングレートはすべて同じ温度条件下で測定している。
As the etching solution MS containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 is excellent in the etching rate lowering suppression effect, for example, the etching solution MS composed of 5% hydrofluoric acid HF is repeatedly used for 14 hours. The decrease in the etching rate is 45%, and the decrease in the etching rate after 44 hours of repeatedly using the mixed acid etching solution MS of 5% hydrofluoric acid HF and 5% hydrochloric acid HCl is 44%. The decrease in the etching rate after 15 hours of repeated use of the mixed acid etching solution MS of 5% hydrofluoric acid HF and 5% phosphoric acid H 3 PO 4 is 15%. Thus, the decrease in the etching rate of the
また、エッチング液ＭＳがフッ酸及びリン酸Ｈ３ＰＯ４１％以上を含有した場合、フッ酸を同じ濃度とした条件下、フッ酸、フッ酸と硫酸（リン酸と同じ濃度）に比べて、スラッジの発生量を低く抑えることができ、フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４の混酸は、スラッジ発生量の抑制効果をも備える。
フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４を含むエッチング液ＭＳが、スラッジ発生量の抑制効果に優れていることとして、例えば、スラッジ発生量が、５％のフッ酸ＨＦからなるエッチング液ＭＳの場合に比べて、５％のフッ酸ＨＦ及び５％のリン酸Ｈ３ＰＯ４の混酸のエッチング液ＭＳは、２０〜３０％少ない。このように、フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４の混酸は、スラッジ量の抑制効果においても優れる。
Further, when the etching solution MS contains 1% or more of hydrofluoric acid and phosphoric acid H 3 PO 4 , compared with hydrofluoric acid, hydrofluoric acid and sulfuric acid (same concentration as phosphoric acid) under the same concentration of hydrofluoric acid. The amount of sludge generated can be kept low, and the mixed acid of hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 also has an effect of suppressing the amount of sludge generated.
The etching liquid MS containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 is excellent in the effect of suppressing the amount of sludge generation. For example, in the case of an etching liquid MS made of hydrofluoric acid HF with a sludge generation amount of 5% In contrast, the etching solution MS of a mixed acid of 5% hydrofluoric acid HF and 5% phosphoric acid H 3 PO 4 is 20 to 30% less. Thus, the mixed acid of hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 is excellent in the effect of suppressing the amount of sludge.
フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４を含むエッチング液ＭＳについて、フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４の濃度比率（フッ酸：リン酸）としては、およそ１：１〜３０：１であり、好ましくは１：１〜１０：１である。本実施形態のエッチング液ＭＳは、フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４を必須成分として含む混酸であり、フッ酸及びリン酸を必須成分とすることでエッチングレートの低下抑制の効果とともに、粗面化のエッチング処理で発生するスラッジ量の抑制効果という二つ同時の効果を兼ね備える。 For etchant MS containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4, hydrofluoric acid HF and the concentration ratio of the phosphoric acid H 3 PO 4: The (hydrofluoric acid), about 1: 1 to 30: is 1 , Preferably 1: 1 to 10: 1. The etching liquid MS of the present embodiment is a mixed acid containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 as essential components. By using hydrofluoric acid and phosphoric acid as essential components, the etching rate is reduced and the effect is reduced. It has two simultaneous effects of suppressing the amount of sludge generated in the surface etching process.
従来よりエッチング液として知られているフッ化ナトリウムとリン酸を含んだ溶液の場合、エッチングレートそのものが低いため、連続的な粗面化処理におけるエッチング液としては適さない。 Conventionally known solutions containing sodium fluoride and phosphoric acid are not suitable as etching solutions for continuous roughening treatment because the etching rate itself is low.
エッチング液ＭＳは、上記の組合せ（フッ酸及びリン酸による２種混酸、あるいはフッ酸及、リン酸及び塩酸による３種の混酸）に、必要に応じ、硫酸Ｈ２ＳＯ４、硝酸ＨＮＯ３などを組み合わせてもよい。 The etching solution MS is mixed with the above combination (two kinds of mixed acids with hydrofluoric acid and phosphoric acid, or three kinds of mixed acids with hydrofluoric acid and phosphoric acid and hydrochloric acid), if necessary, sulfuric acid H 2 SO 4 , nitric acid HNO 3, etc. May be combined.
本実施形態では、エッチング液ＭＳに、フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４に加え、塩酸ＨＣｌをさらに含んでよい。フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４に塩酸ＨＣｌを組み合わせた３種の混酸の場合、スラッジの発生をさらに抑えることができる。したがって、本実施形態のエッチング液ＭＳでは、フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４とともに、塩酸ＨＣｌをさらに含むことが好ましく、この場合、スラッジ量の抑制効果をさらに高めることができる。
エッチング液ＭＳにおいて、フッ酸ＨＦ及びリン酸Ｈ３ＰＯ４に塩酸ＨＣｌを組み合わせる場合、塩酸ＨＣｌの濃度は０．３質量％〜１５質量％、好ましくは塩酸ＨＣｌ０．３質量％〜１０質量％である。この場合、エッチング液ＭＳにおいて、フッ酸ＨＦは０．３質量％〜１０質量％、リン酸Ｈ３ＰＯ４は０．３％〜１０質量％、塩酸ＨＣｌは０．３質量％〜１５質量％である。エッチング液ＭＳに塩酸を使用する場合のフッ酸ＨＦと塩酸ＨＣｌの濃度比率（フッ酸：塩酸）としては、およそ１：１０〜５：１である。
In the present embodiment, the etching solution MS may further contain hydrochloric acid HCl in addition to hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 . In the case of three types of mixed acid in which hydrochloric acid HCl is combined with hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 , generation of sludge can be further suppressed. Therefore, it is preferable that the etching liquid MS of this embodiment further includes hydrochloric acid HCl together with hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4. In this case, the effect of suppressing the amount of sludge can be further enhanced.
In the etching solution MS, when hydrochloric acid HCl is combined with hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 , the concentration of hydrochloric acid HCl is 0.3 mass% to 15 mass%, preferably hydrochloric acid HCl 0.3 mass% to 10 mass%. is there. In this case, the etchant MS, hydrofluoric acid HF is 0.3 wt% to 10 wt%, 0.3% to 10 wt% phosphoric acid H 3 PO 4, the hydrochloride HCl 0.3% to 15% by weight It is. The concentration ratio of hydrofluoric acid HF and hydrochloric acid HCl (hydrofluoric acid: hydrochloric acid) when hydrochloric acid is used as the etching solution MS is approximately 1:10 to 5: 1.
（粗面化処理の温度）
エッチングレートはエッチング液ＭＳの温度により異なる。エッチング液ＭＳの温度は、所定のエッチングレートを得る様に適宜決定される。粗面化処理を行っている間は、エッチングレートが一定になる様にエッチング液ＭＳの温度を一定に保つのが好ましい。本実施形態では、エッチングＭＳの温度は２０℃〜３０℃の間でコントロールされる。エッチング液が気化すると処理環境が悪化するため、エッチング液ＭＳの温度は４０℃を超えないのが好ましい。また、エッチングＭＳの温度が２０℃を下回ると所定のエッチングレートが得られ難くなる。
(Roughening temperature)
The etching rate varies depending on the temperature of the etching solution MS. The temperature of the etching liquid MS is appropriately determined so as to obtain a predetermined etching rate. During the roughening treatment, it is preferable to keep the temperature of the etching solution MS constant so that the etching rate becomes constant. In this embodiment, the temperature of the etching MS is controlled between 20 ° C. and 30 ° C. Since the processing environment is deteriorated when the etching solution is vaporized, the temperature of the etching solution MS preferably does not exceed 40 ° C. Further, when the temperature of the etching MS is lower than 20 ° C., it becomes difficult to obtain a predetermined etching rate.
（粗面化の処理時間）
粗面化の処理時間は、粗面化で得る表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を決定し、前工程のタクトタイムを踏まえて、粗面化処理の搬送速度、粗面化処理で使用するエッチングローラー本数、粗面化処理に使用するエッチング液ＭＳの組成、エッチングレートととともに、設定される。
粗面化で得る表面粗さは、０．３０ｎｍ以上とすることが好ましく、より好ましくは、算術平均粗さＲａは、０．４０ｎｍ以上である。算術平均粗さＲａの上限値は、０．６０ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、０．５０ｎｍ以下である。
(Roughening time)
Roughening treatment time determines the surface roughness (arithmetic mean roughness Ra) obtained by roughening, and is used for the roughing treatment speed and roughening treatment based on the tact time of the previous process. It is set together with the number of etching rollers to be performed, the composition of the etching liquid MS used for the roughening treatment, and the etching rate.
The surface roughness obtained by roughening is preferably 0.30 nm or more, and more preferably, the arithmetic average roughness Ra is 0.40 nm or more. The upper limit value of the arithmetic average roughness Ra is preferably 0.60 nm or less, and more preferably 0.50 nm or less.
（２−３）ガラス基板の特徴
＜ガラス組成＞
本実施形態が適用するガラス組成として、例えば、次が挙げられる（質量％表示）。
ＳｉＯ２：５０〜７０％（好ましくは、５７〜６４％）、Ａｌ２Ｏ３：５〜２５％（好ましくは、１２〜１８％）、Ｂ２Ｏ３：０〜１５％（好ましくは、６〜１３％）を含み、さらに、次に示す組成を任意に含んでもよい。任意で含む成分として、ＭｇＯ：０〜１０％（好ましくは、０．５〜４％）、ＣａＯ：０〜２０％（好ましくは、３〜７％）、ＳｒＯ：０〜２０％（好ましくは、０．５〜８％、より好ましくは３〜７％）、ＢａＯ：０〜１０％（好ましくは、０〜３％、より好ましくは０〜１％）、ＺｒＯ２：０〜１０％（好ましくは、０〜４％，より好ましくは０〜１％）が挙げられる。さらに、Ｒ’２Ｏ:０．１０％を超え２．０％以下（ただし、Ｒ’はＬｉ、ＮａおよびＫから選ばれる少なくとも１種である）を含むことがより好ましい。
或いは、ＳｉＯ２：５０〜７０％（好ましくは、５５〜６５％）、Ｂ２Ｏ３：０〜１０％（好ましくは、０〜５％、１．３〜５％）、Ａｌ２Ｏ３：１０〜２５％（好ましくは、１６〜２２％）、ＭｇＯ：０〜１０％（好ましくは、０．５〜４％）、ＣａＯ：０〜２０％（好ましくは、２〜１０％、２〜６％）、ＳｒＯ：０〜２０％（好ましくは、０〜４％、０．４〜３％）、ＢａＯ：０〜１５％（好ましくは、４〜１１％）、ＲＯ:５〜２０％（好ましくは、８〜２０％、１４〜１９％）,を含有することが好ましい（ただし、ＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種である）。さらに、Ｒ’２Ｏが０．１０％を超え２．０％以下（ただし、Ｒ’はＬｉ、ＮａおよびＫから選ばれる少なくとも１種である）を含むことがより好ましい。
＜ヤング率＞
本実施形態が適用されるガラス板のヤング率として、例えば、７２（Ｇｐａ）以上が好ましく、７５（Ｇｐａ）以上がより好ましく、７７（Ｇｐａ）以上がより更に好ましい。
＜歪点＞
本実施形態が適用されるガラス基板の歪率として、例えば、６５０℃以上が好ましく、６８０℃以上がより好ましく、７００℃以上、７２０℃以上が更により好ましい。
(2-3) Characteristics of glass substrate <Glass composition>
Examples of the glass composition to which the present embodiment is applied include the following (mass% display).
SiO 2: 50~70% (preferably, 57~64%), Al 2 O 3: 5~25% ( preferably, 12~18%), B 2 O 3: 0~15% ( preferably, 6 ~ 13%), and may optionally contain the following composition. As optional components, MgO: 0 to 10% (preferably 0.5 to 4%), CaO: 0 to 20% (preferably 3 to 7%), SrO: 0 to 20% (preferably, from 0.5 to 8%, more preferably 3~7%), BaO: 0~10% ( preferably 0-3%, more preferably 0~1%), ZrO 2: 0~10 % ( preferably 0 to 4%, more preferably 0 to 1%). Furthermore, it is more preferable that R ′ 2 O: more than 0.10% and 2.0% or less (provided that R ′ is at least one selected from Li, Na, and K).
Alternatively, SiO 2: 50~70% (preferably, 55~65%), B 2 O 3: 0~10% ( preferably, 0~5%, 1.3~5%), Al 2 O 3: 10-25% (preferably 16-22%), MgO: 0-10% (preferably 0.5-4%), CaO: 0-20% (preferably 2-10%, 2-6 %), SrO: 0 to 20% (preferably 0 to 4%, 0.4 to 3%), BaO: 0 to 15% (preferably 4 to 11%), RO: 5 to 20% (preferably Is preferably 8 to 20%, 14 to 19%) (wherein R is at least one selected from Mg, Ca, Sr and Ba). Furthermore, it is more preferable that R ′ 2 O contains more than 0.10% and 2.0% or less (provided that R ′ is at least one selected from Li, Na and K).
<Young's modulus>
As a Young's modulus of the glass plate to which this embodiment is applied, for example, 72 (Gpa) or more is preferable, 75 (Gpa) or more is more preferable, and 77 (Gpa) or more is even more preferable.
<Strain point>
As a distortion rate of the glass substrate to which this embodiment is applied, 650 degreeC or more is preferable, for example, 680 degreeC or more is more preferable, 700 degreeC or more and 720 degreeC or more are still more preferable.
（実施例）
上述の基板表面処理装置１（図２）を用いて０．５ｍｍ厚さの薄板ガラスの粗面化処理を行った。エッチング液ＭＳについては、３％のフッ酸ＨＦ、９％の塩酸ＨＣｌ、及び１％リン酸Ｈ３ＰＯ４を含むエッチング液（エッチング液ＭＳ１）と、を用いて、２５℃の条件下で、粗面化処理を、連続処理で２４時間、続けて実施した。
粗面化処理を行ったガラス基板の第１面１００ａは、ガラス基板の表面の帯電を抑制できる表面粗さで、算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１０．４２〜０．４８ｎｍであった。
粗面化処理のプロセスにおいて、ガラス基板の第２面上に、ガラス基板の搬送方向とほぼ反対向きの流体を供給し続けながら、ガラス基板を搬送し、第１面１１０ａの粗面化処理を行ったことで、ガラス基板の第２面上にエッチング液が回り込むことなく、表面処理を行うことができた。
(Example)
Using the substrate surface treatment apparatus 1 (FIG. 2) described above, a roughening treatment was performed on a thin glass sheet having a thickness of 0.5 mm. Etching liquid MS is roughened at 25 ° C. using an etching liquid (etching liquid MS1) containing 3% hydrofluoric acid HF, 9% hydrochloric acid HCl, and 1% phosphoric acid H3PO4. The treatment was carried out continuously for 24 hours in a continuous process.
The
In the roughening process, the glass substrate is transported on the second surface of the glass substrate while supplying a fluid substantially opposite to the transport direction of the glass substrate, and the first surface 110a is roughened. As a result, the surface treatment could be performed without the etching solution flowing around the second surface of the glass substrate.
（比較例）
比較例として、ガラス基板の第２面上に、搬送方向とほぼ反対向きの流体を供給せずに、この点以外はすべて、実施例と同様の操作および条件下でガラス基板の第１面１１０ａの粗面化処理を行った。結果、すすぎ工程で第２面側の洗浄が行われたにも関わらず、ガラス基板の端面側から第２面上にエッチング液が回り込んでしまい、目的の品質を満たさなかったガラス基板が、発生した。
(Comparative example)
As a comparative example, the first surface 110a of the glass substrate is not operated on the second surface of the glass substrate under the same operation and conditions as in the example, except that a fluid substantially opposite to the transport direction is not supplied. The surface roughening treatment was performed. As a result, in spite of the cleaning of the second surface side in the rinsing step, the etching solution circulates on the second surface from the end surface side of the glass substrate, and the glass substrate that did not satisfy the target quality is Occurred.
以上のように、本発明の表面処理方法および表面処理装置によれば、１７００〜１９００枚（２４時間連続処理）レベルのガラス基板を連続して表面処理を実施した場合においても、ガラス基板の第２面側にエッチング液が回り込むことなく、品質の優れたガラス基板を、高効率レベルで生産することが達成できる。これにより、高精細ディスプレイに有用なガラス基板を、経済的に優れた方法で提供することができる。 As described above, according to the surface treatment method and the surface treatment apparatus of the present invention, even when the surface treatment is continuously performed on 1700 to 1900 (24 hours continuous treatment) level glass substrates, It is possible to produce a glass substrate with excellent quality at a high efficiency level without the etching solution flowing around the two surfaces. Thereby, a glass substrate useful for a high-definition display can be provided by an economically excellent method.
以上、本発明のガラス基板製造装置、およびガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよい。 As mentioned above, although the glass substrate manufacturing apparatus of this invention and the manufacturing method of the glass substrate were demonstrated in detail, this invention is not limited to the said embodiment, In the range which does not deviate from the main point of this invention, various improvement and a change are carried out. May be.
１ ガラス基板表面処理装置
２，４ ハウジング
１１ エッチング槽
１６ エッチング液タンク
１１ｂ フッ酸タンク
１１ｃ リン酸タンク
１１ｄ 塩酸タンク
１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ 流量調整バルブ
１２ａ 芯部材
１２ｂ ローラ部材
１４ 接触部材
１５ 配管
１８ 搬送ローラ
３１ 流体吐出装置
３２ 検知手段
３３ 流体制御手段
２４,２５ リンスノズル
２４ａ，２５ａ リンス液タンク
２６ 洗浄ノズル
２６ａ 洗浄タンク
１００ ガラス基板
１００ａ 第１面
１００ｂ 第２面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate surface treatment apparatus 2, 4
Claims (5)
前記表面処理工程において、エッチング液を保持した多孔質材を外周部に有する粗面化ローラーにより、エッチング液を前記ガラス基板の第１面に付着させながらガラス基板を搬送し、
前記ガラス基板の搬送の間、エッチング液が付着するガラス基板の第１面と反対側の第２面上に、前記ガラス基板の搬送方向とほぼ反対向きの流体を供給する、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法。 A method for producing a glass substrate for display, comprising a surface treatment step of roughening the first surface of the main surface of the glass substrate,
In the surface treatment step, a roughening roller having a porous material holding an etchant on the outer peripheral portion conveys the glass substrate while adhering the etchant to the first surface of the glass substrate,
A glass substrate for display, which supplies a fluid in a direction substantially opposite to the transport direction of the glass substrate onto a second surface opposite to the first surface of the glass substrate to which an etching solution adheres during the transport of the glass substrate. Production method.
前記表面処理装置は、エッチング液を保持した多孔質材を外周部に有し、前記ガラス基板の第１面にエッチング液を付着させながら、ガラス基板を搬送する粗面化ローラと、
前記ガラス基板の搬送の間、前記エッチング液が付着するガラス基板の第１面と反対側の第２面上に、前記ガラス基板の搬送方向とほぼ反対向きの流体を供給する流体吐出手段と、を備える、ディスプレイ用ガラス基板製造装置。 A method for producing a glass substrate for a display, comprising a surface treatment device for roughening the first surface of the main surface of the glass substrate,
The surface treatment apparatus has a porous material holding an etchant at an outer peripheral portion, and a roughening roller that conveys the glass substrate while adhering the etchant to the first surface of the glass substrate;
A fluid ejecting means for supplying a fluid in a direction substantially opposite to the transport direction of the glass substrate on the second surface opposite to the first surface of the glass substrate to which the etching solution adheres during transport of the glass substrate; An apparatus for manufacturing a glass substrate for display.
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