JP2017045902A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光装置100は、光出射面14を有する半導体発光素子10と、少なくとも光出射面14の一部を被覆する樹脂組成物と、を備える。樹脂組成物は、飽和結合のみを有する非晶質全フッ素化樹脂と、密着性基を有するフッ素樹脂とを含む。樹脂組成物は、密着性基の含有率が4×10−6重量%以上、1×10−3重量%以下であってもよい。樹脂組成物は、密着性基を有するフッ素樹脂の含有モル分率が0.1モル%以上、20モル%以下であってもよい。
【選択図】図1
Description
図1は、第1の実施の形態に係る発光装置100を概略的に示す断面図である。発光装置100は、半導体発光素子10と、パッケージ20とを備える。パッケージ20は、半導体発光素子10が実装されるパッケージ基材30と、半導体発光素子10を被覆する保護層40とを含む。半導体発光素子10は、パッケージ基材30の上に実装されている。
発光装置の光出力特性を評価するために、作製した発光装置100を20mWの光出力で500時間点灯させた場合の光出力の変化を計測した。光出力の変化が20%未満であったものを良好(○)、光出力の変化が20%以上であったものを不良(×)とした。なお、発光装置100の点灯試験後に電極付近を観察することにより、樹脂組成物の耐光性を評価した。
波長300nmの紫外光を発する半導体発光素子をパッケージ基板に搭載し、そこに第1樹脂としてサイトップSを99.9モル%、第2樹脂としてサイトップAを0.1モル%含有する樹脂組成物を溶媒に希釈したものを塗布し、200℃で1時間乾燥して樹脂封止することで発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
第1樹脂としてサイトップSを99.5モル%、第2樹脂としてサイトップAを0.5モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
第1樹脂としてサイトップSを99モル%、第2樹脂としてサイトップAを1モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
第1樹脂としてサイトップSを95モル%、第2樹脂としてサイトップAを5モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
第1樹脂としてサイトップSを90モル%、第2樹脂としてサイトップAを10モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
第1樹脂としてサイトップSを80モル%、第2樹脂としてサイトップAを20モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。なお、評価後の電極を観察したところ、電極に軽微な変色箇所が見られた。これは、第2樹脂に含まれる密着性基であるカルボキシル基の一部が光分解して腐食性の物質を発生させたためであると考えられる。
第1樹脂としてサイトップSを99.5モル%、第2樹脂としてアルゴフロンADを0.5モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。つまり本実施例では、第2樹脂としてサイトップAの代わりアルゴフロンADを用いて実施例2と同様の条件で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。また、同じ樹脂組成物を用いてサファイアチップとサファイア基板を接着させた試験片に対してクロスカット試験を実施したところ、剥離面積は0%であり、良好な結果が得られた。
第1樹脂としてサイトップSを99モル%、第2樹脂としてアルゴフロンADを1モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。つまり本実施例では、第2樹脂としてサイトップAの代わりアルゴフロンADを用いて実施例3と同様の条件で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。また、同じ樹脂組成物を用いてサファイアチップとサファイア基板を接着させた試験片に対してクロスカット試験を実施したところ、剥離面積は0%であり、良好な結果が得られた。
第1樹脂としてサイトップSを95モル%、第2樹脂としてアルゴフロンADを5モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。つまり本実施例では、第2樹脂としてサイトップAの代わりアルゴフロンADを用いて実施例4と同様の条件で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。また、同じ樹脂組成物を用いてサファイアチップとサファイア基板を接着させた試験片に対してクロスカット試験を実施したところ、剥離面積は0%であり、良好な結果が得られた。
第1樹脂としてサイトップSを90モル%、第2樹脂としてアルゴフロンADを10モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。つまり本実施例では、第2樹脂としてサイトップAの代わりアルゴフロンADを用いて実施例5と同様の条件で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。また、同じ樹脂組成物を用いてサファイアチップとサファイア基板を接着させた試験片に対してクロスカット試験を実施したところ、剥離面積は0%であり、良好な結果が得られた。
第1樹脂としてサイトップSを99.95モル%、第2樹脂としてサイトップAを0.05モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であったが、密着性の評価は不良(×)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
第1樹脂としてサイトップSを50モル%、第2樹脂としてサイトップAを50モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。光出力特性を評価したところ、通電中に第1素子電極と第2素子電極の間でリークが発生し、光出力が20%以上低下したことから、光出力特定は不良(×)であった。密着性の評価は良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、実施例6と比較してより大きな面積で電極の変色が見られた。これは、第2樹脂に含まれる密着性基であるカルボキシル基の一部が光分解して腐食性の物質を発生させたためであると考えられる。
第1樹脂としてサイトップSを99.95モル%、第2樹脂としてアルゴフロンADを0.05モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。つまり本比較例では、第2樹脂としてサイトップAの代わりアルゴフロンADを用いて比較例1と同様の条件で発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であったが、密着性の評価は不良(×)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。また、同じ樹脂組成物を用いてサファイアチップとサファイア基板を接着させた試験片に対してクロスカット試験を実施したところ、剥離面積は70%であり、密着性が低いことが分かった。
第1樹脂としてサイトップSを50モル%、第2樹脂としてアルゴフロンADを50モル%含有する樹脂組成物を用いて実施例1と同様の方法で発光装置を作製した。つまり本比較例では、第2樹脂としてサイトップAの代わりアルゴフロンADを用いて比較例2と同様の条件で発光装置を作成した。光出力特性を評価したところ、通電中に第1素子電極と第2素子電極の間でリークが発生し、光出力が20%以上低下したことから、光出力特定は不良(×)であった。密着性の評価は良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、実施例6と比較してより大きな面積で電極の変色が見られた。これは、第2樹脂に含まれる密着性基であるカルボキシル基の一部が光分解して腐食性の物質を発生させたためであると考えられる。また、同じ樹脂組成物を用いてサファイアチップとサファイア基板を接着させた試験片に対してクロスカット試験を実施したところ剥離面積は0%であり、良好な結果が得られた。
図3は、第2の実施の形態に係る発光装置200を概略的に示す断面図である。発光装置200は、半導体発光素子10が載置されるパッケージ120に反射板122が設けられる点で上述の実施の形態と相違する。以下、発光装置200について相違点を中心に説明する。
第2の実施の形態に係る実施例では、上述の実施例2と同様に、第1樹脂としてサイトップSを99.5モル%、第2樹脂としてサイトップAを0.5モル%含有する樹脂組成物を保護層140に用いて発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
図4は、第3の実施の形態に係る発光装置300を概略的に示す断面図である。発光装置300は、パッケージ120の凹部160を充填するようにして保護層240が設けられる点で上述の第2の実施の形態と相違する。以下、発光装置300について相違点を中心に説明する。
第3の実施の形態に係る実施例では、上述の実施例3と同様に、第1樹脂としてサイトップSを99モル%、第2樹脂としてサイトップAを1モル%含有する樹脂組成物を第1保護層241および第2保護層242の形成に用いて発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
図5は、第4の実施の形態に係る発光装置400を概略的に示す断面図である。発光装置400は、半導体発光素子10を取り囲む反射板122の開口を覆うようにして、凹部160の上に窓材344が設けられる点で上述の第2の実施の形態と相違する。以下、発光装置400について相違点を中心に説明する。
第4の実施の形態に係る実施例では、上述の実施例4と同様に、第1樹脂としてサイトップSを95モル%、第2樹脂としてサイトップAを5モル%含有する樹脂組成物を保護層140に用いて発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
図6は、第5の実施の形態に係る発光装置500を概略的に示す断面図である。発光装置500は、半導体発光素子10を封止する保護層440が第1保護層441と第2保護層442とで構成される点で上述の第1の実施の形態と相違する。以下、発光装置500について相違点を中心に説明する。
第5の実施の形態に係る実施例では、上述の実施例2と同様に、第1樹脂としてサイトップSを99.5モル%、第2樹脂としてサイトップAを0.5モル%含有する樹脂組成物を第1保護層441および第2保護層442に用いて発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
図7は、第6の実施の形態に係る発光装置600を概略的に示す断面図である。発光装置600は、上述の第4の実施の形態と同様の構成を有するが、一つのパッケージ520の内部に複数の半導体発光素子10a,10bが設けられる点で相違する。以下、発光装置600について相違点を中心に説明する。
第5の実施の形態に係る実施例では、上述の実施例3と同様に、第1樹脂としてサイトップSを99モル%、第2樹脂としてサイトップAを1モル%含有する樹脂組成物を保護層540の形成に用いて発光装置を作製した。光出力特性の評価は良好(○)であり、密着性の評価も良好(○)であった。評価後の電極を観察したところ、変色は見られず、電極への悪影響なども観察されなかった。
図8は、第7の実施の形態に係る発光装置700を概略的に示す図である。発光装置700は、半導体発光素子10を被覆する保護層40の上にフレネルレンズ646が設けられる点で上述の第1の実施の形態と相違する。発光装置700は、半導体発光素子10と、パッケージ620とを備え、パッケージ620は、パッケージ基材30と、保護層40と、フレネルレンズ646とを含む。フレネルレンズ646は、樹脂材料などで形成され、例えば、保護層40と同様の樹脂組成物で形成されることができる。発光装置700によれば、半導体発光素子10から出力させる光をフレネルレンズ646で集光させて照射対象に照射することができる。
図9は、第8の実施の形態に係る発光装置800を概略的に示す図である。発光装置800は、半導体発光素子710がフリップチップ実装ではなく、ボンディングワイヤ756を用いて実装される点で上述の実施の形態と相違する。以下、発光装置800について相違点を中心に説明する。
図11は、第9の実施の形態に係る発光装置900を概略的に示す図である。発光装置900は、上述の実施の形態および変形例にて示した表面実装型のデバイスではなく、スルーホール型のデバイスであり、特に砲弾型のパッケージ820を有するデバイスである。以下、発光装置900について、上述の実施の形態との相違点を中心に説明する。
図12は、第10の実施の形態に係る発光装置1000を概略的に示す図である。発光装置1000は、上述の第9の実施の形態と同様のスルーホール型のデバイスであるが、キャンパッケージ920を用いる点で相違する。以下、発光装置1000について、上述の実施の形態との相違点を中心に説明する。
Claims (7)
- 光出射面を有する半導体発光素子と、
少なくとも前記光出射面の一部を被覆する樹脂組成物と、を備え、
前記樹脂組成物は、飽和結合のみを有する非晶質全フッ素化樹脂と、密着性基を有するフッ素樹脂とを含むことを特徴とする発光装置。 - 前記樹脂組成物は、前記密着性基の含有率が4×10−6重量%以上、1×10−3重量%以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記樹脂組成物は、前記密着性基の含有率が2×10−5重量%以上、5×10−4重量%以下であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
- 前記樹脂組成物は、前記密着性基を有するフッ素樹脂の含有モル分率が0.1モル%以上、20モル%以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の発光装置。
- 前記樹脂組成物は、前記密着性基を有するフッ素樹脂の含有モル分率が0.5モル%以上、10モル%以下であることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
- 前記密着性基を有するフッ素樹脂は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シラノール基、エポキシ基およびアクリル基の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記半導体発光素子は、波長360nm以下の深紫外光を出力することを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018207048A (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-27 | 大日本印刷株式会社 | Led素子用のフレキシブル基板 |
WO2019043840A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 創光科学株式会社 | 発光装置 |
JP2019179913A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 大日本印刷株式会社 | 自発光型表示体用の封止材シート及びそれを用いた自発光型表示体 |
CN110350070A (zh) * | 2018-04-06 | 2019-10-18 | 旭化成株式会社 | 紫外线发光元件、紫外线发光装置、半导体芯片和透镜的接合方法 |
JP2020025089A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-02-13 | 住友化学株式会社 | Ledデバイス、ledデバイスの製造方法および積層体 |
JP2020043325A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | ルーメンス カンパニー リミテッド | 量子ドットledパッケージ及びそれを含む量子ドットledモジュール |
CN111200049A (zh) * | 2018-05-02 | 2020-05-26 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光元件封装件 |
CN111448675A (zh) * | 2018-05-02 | 2020-07-24 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光元件封装件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006131845A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Asahi Glass Co Ltd | 新規な光学樹脂組成物 |
US20060138443A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Iii-N Technology, Inc. | Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes |
WO2007145181A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Asahi Glass Company, Limited | 硬化性組成物および含フッ素硬化物 |
WO2014178288A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 創光科学株式会社 | 紫外線発光装置 |
WO2015037608A1 (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-19 | 創光科学株式会社 | 紫外線発光装置 |
-
2015
- 2015-08-27 JP JP2015168302A patent/JP6622032B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006131845A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Asahi Glass Co Ltd | 新規な光学樹脂組成物 |
US20060138443A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Iii-N Technology, Inc. | Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes |
WO2007145181A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Asahi Glass Company, Limited | 硬化性組成物および含フッ素硬化物 |
WO2014178288A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 創光科学株式会社 | 紫外線発光装置 |
WO2015037608A1 (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-19 | 創光科学株式会社 | 紫外線発光装置 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018207048A (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-27 | 大日本印刷株式会社 | Led素子用のフレキシブル基板 |
WO2019043840A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 創光科学株式会社 | 発光装置 |
JPWO2019043840A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2020-04-16 | 創光科学株式会社 | 発光装置 |
US11165002B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-11-02 | Soko Kagau Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2019179913A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 大日本印刷株式会社 | 自発光型表示体用の封止材シート及びそれを用いた自発光型表示体 |
JP7363996B2 (ja) | 2018-03-30 | 2023-10-18 | 大日本印刷株式会社 | 自発光型表示体用の封止材シート及びそれを用いた自発光型表示体 |
JP2022173226A (ja) * | 2018-03-30 | 2022-11-18 | 大日本印刷株式会社 | 自発光型表示体用の封止材シート及びそれを用いた自発光型表示体 |
CN110350070A (zh) * | 2018-04-06 | 2019-10-18 | 旭化成株式会社 | 紫外线发光元件、紫外线发光装置、半导体芯片和透镜的接合方法 |
CN111448675A (zh) * | 2018-05-02 | 2020-07-24 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光元件封装件 |
JP2021522688A (ja) * | 2018-05-02 | 2021-08-30 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光素子パッケージ |
CN111200049A (zh) * | 2018-05-02 | 2020-05-26 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光元件封装件 |
US11955584B2 (en) | 2018-05-02 | 2024-04-09 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting element package |
CN111448675B (zh) * | 2018-05-02 | 2024-05-14 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光元件封装件 |
JP7500434B2 (ja) | 2018-05-02 | 2024-06-17 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
JP2020025089A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-02-13 | 住友化学株式会社 | Ledデバイス、ledデバイスの製造方法および積層体 |
US11011689B2 (en) | 2018-09-13 | 2021-05-18 | Lumens Co., Ltd. | Quantum dot LED package and quantum dot LED module including the same |
JP2020043325A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | ルーメンス カンパニー リミテッド | 量子ドットledパッケージ及びそれを含む量子ドットledモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP6622032B2 (ja) | 2019-12-18 |
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