JP2017034256A - レジスト基板前処理組成物及びレジスト基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レジストインク塗工前の基板に本発明のレジスト基板前処理液を用いて前処理を行うことで、インクジェット方式でレジストインクを塗工した後の濡れ広がりを抑制することができ、したがって微細なレジストパターンを高精度に形成することができるレジスト基板前処理液、ならびに該レジスト基板前処理液を用いたレジスト基板の製造方法を提供する。【解決手段】下記式（１）で表される化合物（Ａ１）、下記式（２）で表される化合物（Ａ２）、下記式（３）で表される化合物及びその塩（Ａ３）、下記式（４）で表される化合物（Ａ４）、下記式（５）で表される化合物（Ａ５）及び下記式（６）で表される化合物（Ａ６）からなる群から選ばれる１種以上の化合物からなる表面処理剤（Ａ）と、水とを含んでなるレジスト基板前処理組成物であって、前記表面処理剤（Ａ）の溶解度パラメーターが８〜１２（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２であって、前記表面処理剤（Ａ）の含有量が０．０１〜１０重量％であるレジスト基板前処理組成物。［Ｒ１Ｏ−（Ａ１Ｏ）ｎ−］ＣＨ２ＣＯＯ−Ｍ＋（１）［式中Ｒ１は炭素数１〜２５の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基、Ａ１は炭素数２〜４のアルキレン基、ｎは０〜２０の整数、ｎが２以上の場合のＡ１は同一でも異なっていてもよく、Ｍ＋は対イオンを表す。］【選択図】なし

Description

本発明は、レジスト基板前処理組成物及びレジスト基板の製造方法に関する。

近年配線板に形成された導体回路を保護するソルダーレジストにおいて、インクジェット法を用いたパターン形成が提案されている（特許文献１、特許文献２参照）。従来法であるスクリーン印刷法ではパターンを形成するために絶縁膜を塗工した後、予備乾燥、塗膜の現像、ポストキュア、未硬化レジスト除去の工程の作業が必要になる。一方、インクジェット法を用いると絶縁膜インクを吐出、パターニング後に感光、硬化させることでパターン形成できるので、従来のスクリーン印刷法と比べて作業が簡易になり、製造コストを大幅に削減できる。

しかしながらインクジェット法を用いるには従来のスクリーン印刷法に使用する光硬化性樹脂組成物と比べて粘度の低い樹脂組成物を使用する必要があり、また硬化工程時にはにじみが発生するという課題があった。

これらの課題に対してインクジェット法に用いられるレジストインクの反応性向上や密着性向上などの対応がとられているがいずれも基板上でのぬれ広がりが大きく、細かいパターニングを行うには不十分であった（特許文献３、特許文献４参照）。

特開平７−２６３８４５号公報 特開平９−１８１１５号公報 特開２００７−２２７７１５号公報 特開２０１２−６４６４０号公報

基板上にインクジェット方式でレジストインクを塗工すると、インクが硬化するまでの間にレジストインクが濡れひろがり、微細なレジストパターンを高精細に形成することが困難であるという問題がある。

レジストインク塗工前の基板に本発明のレジスト基板前処理組成物を用いて前処理を行うことで、インクジェット方式でレジストインクを塗工した後の濡れ広がりを抑制することができ、したがって微細なレジストパターンを高精度に形成することができるレジスト基板前処理組成物、ならびに該レジスト基板前処理組成物を用いたレジスト基板の製造方法を提供することである。

本発明者等は上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、 下記式（１）で表される化合物（Ａ１）、下記式（２）で表される化合物（Ａ２）、下記式（３）で表される化合物及びその塩（Ａ３）、下記式（４）で表される化合物（Ａ４）、下記式（５）で表される化合物（Ａ５）及び下記式（６）で表される化合物（Ａ６）からなる群から選ばれる１種以上の化合物からなる表面処理剤（Ａ）と、水とを含んでなるレジスト基板前処理組成物であって、前記表面処理剤（Ａ）の溶解度パラメーターが８〜１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２であって、前記表面処理剤（Ａ）の含有量が０．０１〜１０重量％であるレジスト基板前処理組成物である。
［Ｒ^１Ｏ−（Ａ^１Ｏ）_ｎ−］ＣＨ_２ＣＯＯ⁻ Ｍ^＋ （１）
［式中Ｒ^１は炭素数１〜２５の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基、Ａ^１は炭素数２〜４のアルキレン基、ｎは０〜２０の整数、ｎが２以上の場合のＡ^１は同一でも異なっていてもよく、Ｍ^＋は対イオンを表す。］
［Ｒ²Ｏ−（Ａ²Ｏ）_ｍ−］_rＰＯ（Ｏ⁻ Ｍ^＋）_３−ｒ （２）
［式中Ｒ²は炭素数１〜２５の飽和炭化水素基、炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基又は（メタ）アクリロイル基、Ａ²は炭素数２〜１２のアルキレン基、ｍは０〜２０の整数、ｍが２以上の場合のＡ^２は同一でも異なっていてもよく、ｒは１又は２でありＭ^＋は対イオンを表す。］
Ｒ³−Ｎ［−（Ａ³Ｏ）_ｐ−Ｈ］_２ （３）
［式中Ｒ³は炭素数１〜２５の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基、Ａ³は炭素数２〜４のアルキレン基、ｐは０〜２０の整数、ｐが２以上の場合のＡ³は同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^４ [−ＣＯＯ⁻ Ｍ^＋]_ｑ （４）
［式中Ｒ^４は炭素数２〜２５の飽和又は不飽和炭化水素からｑ個の水素原子を除いた残基、Ａ^４は炭素数２〜４のアルキレン基、ｑは１又は２、Ｍ^＋は対イオンを表す。］
Ｒ⁵−ＮＨ［−（Ｒ⁶−ＮＨ）x―Ｒ⁷―］ＣＯＯ⁻ Ｍ^＋ （５）
［式中Ｒ⁵は炭素数１〜２５の１価の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の１価の不飽和炭化水素基、Ｒ⁶、Ｒ⁷は炭素数１〜２５の２価の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の２価の不飽和炭化水素基、xは０〜２０の整数、xが２以上の場合のＲ⁶は同一でも異なっていてもよい。］
［Ｒ⁸Ｏ−（Ａ⁴Ｏ）_y−］ＳＯ₃ ⁻ Ｍ^＋） （６）
［式中Ｒ^８は炭素数１〜２５の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基、Ａ^４は炭素数２〜１２のアルキレン基、yは０〜２０の整数、yが２以上の場合のＡ^４は同一でも異なっていてもよく、Ｍ^＋は対イオンを表す。］

本発明のレジスト基板前処理組成物はレジスト基板の製造工程において、インクジェット用レジストの濡れ広がりを抑制することができるといった特徴を有する。そのため、微細なレジストパターンを高精度に作成することができ、配線を高密度化することが可能になる。

本発明においてレジスト基板とは特に基板材料を限定するものではなく、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリテトラフルオロエチレン、セラミックなどの単体基材や、それらにガラスや紙などを組み合わせた複合基材を絶縁基材の上に、銅やアルミニウムなどの金属で配線が接着されたものが挙げられる。

本発明のレジスト基板前処理組成物は、下記式（１）で表される化合物（Ａ１）、下記式（２）で表される化合物（Ａ２）、下記式（３）で表される化合物及びその塩（Ａ３）並びに下記式（４）で表される化合物（Ａ４）、下記式（５）で表される化合物（Ａ５）、下記式（６）で表される化合物（Ａ６）からなる群から選ばれる１種以上の化合物からなる表面処理剤（Ａ）と、水とを含んでなるレジスト基板前処理組成物であって、前記表面処理剤（Ａ）の溶解度パラメーターが８〜１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２であって、前記表面処理剤（Ａ）の含有量が０．０１〜１０重量％であるレジスト基板前処理組成物である。
［Ｒ^１Ｏ−（Ａ^１Ｏ）_ｎ−］ＣＨ_２ＣＯＯ⁻ Ｍ^＋ （１）
［式中Ｒ^１は炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基、Ａ^１は炭素数２〜４のアルキレン基、ｎは０〜２０の整数、ｎが２以上の場合のＡ^１は同一でも異なっていてもよく、Ｍ^＋は対イオンを表す。］
［Ｒ²Ｏ−（Ａ²Ｏ）_ｍ−］_rＰＯ（Ｏ⁻ Ｍ^＋）_３−ｒ （２）
［式中Ｒ²は炭素数１〜２５の飽和若しくは炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基又は（メタ）アクリロイル基、Ａ²は炭素数２〜１２のアルキレン基、ｍは０〜２０の整数、ｍが２以上の場合のＡ^２は同一でも異なっていてもよく、ｒは１又は２でありＭ^＋は対イオンを表す。］
Ｒ³−Ｎ［−（Ａ³Ｏ）_ｐ−Ｈ］_２ （３）
［式中Ｒ³は炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基、Ａ³は炭素数２〜４のアルキレン基、ｐは０〜２０の整数、ｐが２以上の場合のＡ³は同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^４ [−ＣＯＯ⁻ Ｍ^＋]_ｑ （４）
［式中Ｒ^４は炭素数２〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素からｑ個の水素原子を除いた残基、Ａ^４は炭素数２〜４のアルキレン基、ｑは１又は２、Ｍ^＋は対イオンを表す。］
なお、（メタ）アクリロイル基とは、メタクリロイル基又はアクリロイル基を意味する。
Ｒ⁵−ＮＨ［−（Ｒ⁶−ＮＨ）x―Ｒ⁷―］ＣＯＯ⁻ Ｍ^＋ （５）
［式中Ｒ⁵は炭素数１〜２５の１価の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の１価の不飽和炭化水素基、Ｒ⁶、Ｒ⁷は炭素数１〜２５の２価の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の２価の不飽和炭化水素基、xは０〜２０の整数、xが２以上の場合のＲ⁶は同一でも異なっていてもよい。］
［Ｒ⁸Ｏ−（Ａ⁴Ｏ）_y−］ＳＯ₃ ⁻ Ｍ^＋） （６）
［式中Ｒ^８は炭素数１〜２５の飽和若しくは炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基、Ａ^４は炭素数２〜１２のアルキレン基、yは０〜２０の整数、yが２以上の場合のＡ^４は同一でも異なっていてもよく、Ｍ^＋は対イオンを表す。］

本発明において溶解度パラメーター（ＳＰ）とは凝集エネルギー密度［ＣｏｈｅｓｉｖｅＥｎｅｎｇｙ Ｄｅｎｓｉｔｙ（以下ＣＥＤと略記）］の平方根を示す。またこのＣＥＤは下記の通り物理化学的に１ｃｍ^３の物質を蒸発せしめるのに必要なエネルギー量を示す（単位は（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２）。
（ＳＰ）^２＝ＣＥＤ＝ΔＥ／Ｖ＝（ΔＨ−ＲＴ）／Ｖ
ΔＥ ： 蒸発エネルギー（Ｃａｌ／モル）
Ｖ ： モル容量（Ｃｍ^３／ モル）
ΔＨ ： 蒸発潜熱（Ｃａｌ／モル）
Ｒ ： ガス恒数（１．９８７／モル・°Ｋ）
Ｔ ： 絶対温度（°Ｋ）

ＳＰは分子の極性の程度を示し、すなわちＳＰの値が溶液の熱力学的性性質を支配し、この値から溶解度等を定常的に予測したり、説明したりすることができる。ＳＰの計算方法はロバート・エフ・フェーダース等「 ポリマーエンジニアリングアンドサイエンス」 １９７４年２月発行、第１４巻、Ｎｏ２あるいは「 溶液と溶解度」 篠田耕三郎著、丸善（株）、発行Ｐ９２〜１０６に記載されている。

表面処理剤（Ａ）の含有量は、レジスト基板前処理組成物全体に対して０．０１〜１０重量％である場合、レジストインクの濡れ広がりを抑制し、レジストインクと基板との密着性が高い。なお、同様の効果の観点から前記表面処理剤（Ａ）の含有量は好ましくは０．１〜１０％、特に好ましくは０．１〜５％、最も好ましくは０．１〜１．０％である。

（Ａ）の溶解度パラメーターはレジストの濡れ広がりを抑制する観点から８〜１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２、好ましくは９〜１１（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２である。溶解度パラメーターが１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２以上であるとレジストが濡れ広がるためにパターニングの精細性が得られず、溶解度パラメーターが８（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２未満であると水への溶解性に劣る。

（Ａ１）としては、炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和アルキル基とポリオキシアルキレン基を持つポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸（塩）（Ａ１−１）等が挙げられる。

炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和アルキル基と炭素数２〜４のポリオキシアルキレン基を持つポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸（塩）（Ａ１−１）としては第１級および第２級アルコールのアルキレンオキサイド付加物の末端カルボン酸化物及びその塩が挙げられる。

（Ａ１−１）の原料となる第１級アルコールとしては直鎖、分岐鎖又は環状でもよく、飽和又は不飽和結合を持っていてもよい。第１級アルコールの具体例としてはヘキサン−１−オール、ヘプタン−１−オール、オクタン−１−オール、ノナン−１−オール、デカン−１−オール、ドデカン−１−オール、テトラデカン−１−オール、ヘキサデカン−１−オール、オクタデカン−１−オール、イコサン−１−オール直鎖アミン、イソデシルアルコールなどの分岐アルコール、シクロヘキサノールなどの環状アルコール、これらの混合物である牛脂アルコール、硬化牛脂アルコールおよびヤシ油アルコール等動植物油由来の第１級アルコールを挙げることができる。

（Ａ１−１）の第２級アルコールとしては直鎖、分岐鎖又は環状でもよく、飽和又は不飽和結合を持っていてもよい。第２級アルコールとしてはプロパン−２−オール、ブタン−２−オール、シクロヘキサノール、デカン−２−オールなどが挙げられる。第２級アルコールは１種又は２種以上の混合物を用いてもよい。

本発明の（Ａ１−１）におけるアルキレンオキサイドとしては炭素数２〜１２のアルキレンオキサイド、例えばエチレンオキサイド、１，２−プロピレンオキサイド、１，２−ブチレンオキサイド、テトラヒドロフラン並びに３-メチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。付加するアルキレンオキサイドの数が２以上の場合、オキシアルキル基は同一でも異なっていてもよく、ランダム結合でもブロック結合でも良い。

（Ａ１）の対イオンＭ^＋としてはアニオンを電気的に中和し、アニオンと共に水溶性の塩を形成し得るものであればよく、たとえばアルカリ金属又はアルカリ土類金属から形成されるカチオン、プロトン、プロトン化されたアミン、アンモニウムイオンなどが挙げられる。

（Ａ２）の［Ｒ²Ｏ−（Ａ²Ｏ）_ｍ−］部分の溶解度パラメーターはレジストの濡れ広がりを抑制する観点から８〜１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２、好ましくは９〜１１（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２である。溶解度パラメーターが１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２以上であるとレジストが濡れ広がるためにパターニングの精細性が得られない場合もあり、溶解度パラメーターが８（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２未満であると水への溶解性に劣る場合もある。

（Ａ２）としては、炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基を持つアルキルリン酸エステル（塩）（Ａ２−１）、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル（塩）（Ａ２−２）、（メタ）アクリロイルリン酸エステル（塩）（Ａ２−３）及び（メタ）アクリロイル（ポリ）オキシアルキレンリン酸エステル（塩）（Ａ２−４）が挙げられる。

炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基を持つアルキルリン酸エステル（塩）（Ａ２−１）はプロパノール、カプリルアルコール、ラウリルアルコールやオレイルアルコール等のモノ及びジエステルおよびその塩等が挙げられる。

ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル（塩）（Ａ２−２）としては、第１級および第２級アルコールのアルキレンオキサイド付加物のモノおよびジリン酸エステル化物及びその塩等が挙げられる。

（Ａ２−２）の原料となる第１級アルコールとしては直鎖、分岐鎖又は環状でもよく、飽和又は不飽和結合を持っていてもよい。第１級アルコールの具体例としてはヘキサン−１−オール、ヘプタン−１−オール、オクタン−１−オール、ノナン−１−オール、デカン−１−オール、ドデカン−１−オール、テトラデカン−１−オール、ヘキサデカン−１−オール、オクタデカン−１−オール、イコサン−１−オール直鎖アミン、イソデシルアルコールなどの分岐アルコール、シクロヘキサノールなどの環状アルコール、これらの混合物である牛脂アルコール、硬化牛脂アルコールおよびヤシ油アルコール等動植物油由来の第１級アルコール等を挙げることができる。

（Ａ２−２）の原料となる第２級アルコールとしては直鎖、分岐鎖又は環状でもよく、飽和又は不飽和結合を持っていてもよい。第２級アルコールとしてはプロパン−２−オール、ブタン−２−オール、シクロヘキサノール、デカン−２−オールなどが挙げられる。第２級アルコールは１種又は２種以上の混合物を用いてもよい。

本発明の（Ａ２−２）におけるアルキレンオキサイドとしては炭素数２〜１２のアルキレンオキサイド、例えばエチレンオキサイド、１，２−プロピレンオキサイド、１，２−ブチレンオキサイド、１，２−へキシレンオキサイド、テトラヒドロフラン並びに３-メチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。付加するアルキレンオキサイドの数が２以上の場合、オキシアルキル基は同一でも異なっていてもよく、ランダム結合でもブロック結合でも良い。

（メタ）アクリロイルリン酸エステル（塩）（Ａ２−３）としては、（Ａ２−１）のアルキル基を（メタ）アクリロイル基に置き換えたもの等が挙げられる。

（メタ）アクリロイル（ポリ）オキシアルキレンリン酸エステル（塩）（Ａ２−４）としては、（Ａ２−２）のアルキル基を（メタ）アクリロイル基に置き換えたもの等が挙げられる。

（Ａ２）の対イオンＭ^＋としてはアニオンを電気的に中和し、アニオンと共に水溶性の塩を形成し得るものであればよく、たとえばアルカリ金属又はアルカリ土類金属から形成されるカチオン、プロトン、プロトン化されたアミン及びアンモニウムイオンなどが挙げられる。

（Ａ２）の溶解度パラメーターはレジストの濡れ広がりを抑制する観点から８〜１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２、好ましくは９〜１１（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２である。溶解度パラメーターが１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２以上であるとレジストが濡れ広がるためにパターニングの精細性が得られない場合もあり、溶解度パラメーターが８（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２未満であると水への溶解性に劣る場合もある。

（Ａ３）としては、第１級アルキルアミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ３−１）および第２級アルキルアミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ３−２）及びそれらの塩が挙げられる。

第１級アルキルアミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ３−１）の第１級アルキルアミンとしては直鎖、分岐鎖又は環状でもよく、飽和又は不飽和結合を持っていてもよい。第１級アルキルアミンの具体例としてはラウリルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミンなどの直鎖アミン、イソデシルアミンなどの分岐アミン、シクロヘキシルアミンなどの環状アミン、これらの混合物である牛脂アミン、硬化牛脂アミン、ヤシ油アミン、パーム油アミン及び大豆油アミン等動植物油由来の第１級アミンを挙げることができる。

第２級アルキルアミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ３−２）の第２級アルキルアミンとしては直鎖、分岐鎖又は環状でもよく、飽和又は不飽和結合を持っていてもよい。第２級アルキルアミンの具体例としてはジオクチルアミン、ジブチルアミン、ジヘキシルアミン、ジテトラデシルアミン、ジペンタデシルアミンなどを挙げることができる。第２級アルキルアミンは１種又は２種以上の混合物を用いてもよい。

（Ａ３−１）および（Ａ３−２）におけるアルキレンオキサイドとしては炭素数２〜１２のアルキレンオキサイド、例えばエチレンオキサイド、１，２−プロピレンオキサイド、１，２−ブチレンオキサイド、テトラヒドロフラン並びに３-メチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。付加するアルキレンオキサイドの数が２以上の場合、オキシアルキル基は同一でも異なっていてもよく、ランダム結合でもブロック結合でも良い。

（Ａ３）の溶解度パラメーターはレジストの濡れ広がりを抑制する観点から８〜１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２、好ましくは９〜１１（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２である。溶解度パラメーターが１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２以上であるとレジストが濡れ広がるためにパターニングの精細性が得られない場合もあり、溶解度パラメーターが８（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２未満であると水への溶解性に劣る場合もある。

（Ａ３−１）および（Ａ３−２）の塩としては、（Ａ３−１）および（Ａ３−２）と有機酸又は無機酸との塩等が挙げられる。有機酸及び無機酸としては、後述する有機酸（Ｃ１）と無機酸（Ｃ２）が挙げられる。

（Ａ４）としては、炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和脂肪酸（塩）（Ａ４−１）、炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和アルキル基を持つアルケニルコハク酸（塩）（Ａ４−２）等が挙げられる。

炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和脂肪酸（塩）（Ａ４−１）は、炭素数２〜２５、好ましくは炭素数８〜２２の脂肪酸（塩）である。本発明で使用できる脂肪酸としては、飽和脂肪酸であっても不飽和脂肪酸であっても、またイソステアリン酸などの分岐脂肪酸、ダイマー酸などの環状脂肪酸でもよく、好ましくは飽和脂肪酸であり、例えばカプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸及びアラキジン酸から選択される飽和脂肪酸等を挙げることができる。

炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和アルキル基を持つアルケニルコハク酸（塩）（Ａ４−２）としてはヘキサデセニルコハク酸、ドデセニルコハク酸及びその塩などが挙げられる。

（Ａ４）の対イオンＭ^＋としてはアニオンを電気的に中和し、アニオンと共に水溶性の塩を形成し得るものであればよく、たとえばアルカリ金属又はアルカリ土類金属から形成されるカチオン、プロトン、プロトン化されたアミン及びアンモニウムイオンなどが挙げられる。

（Ａ５）としては、炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和アルキル基を持つアルキルカルボン酸（塩）（Ａ５）等が挙げられる。

炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和アルキル基を持つアルキルカルボン酸（塩）（Ａ５）としては第１級および第２級アミンのアルキレンイミン付加物の末端カルボン酸化物及びその塩が挙げられる。

（Ａ５）の原料となる第１級アミンとしては直鎖、分岐鎖又は環状でもよく、飽和又は不飽和結合を持っていてもよい。第１級アルコールの具体例としてはヘキサン−１−アミン、ヘプタン−１−アミン、オクタン−１−アミン、ノナン−１−アミン、デカン−１−アミン、ドデカン−１−アミン、テトラデカン−１−アミン、ヘキサデカン−１−アミン、オクタデカン−１−アミン、イソデシルアミンなどの分岐アルコール等を挙げることができる。

（Ａ５）の第２級アルコールとしては直鎖、分岐鎖又は環状でもよく、飽和又は不飽和結合を持っていてもよい。第２級アルコールとしてはプロパン−２−アミン、ブタン−２−アミン、シクロヘキシルアミン、デカン−２−アミンなどが挙げられる。第２級アルコールは１種又は２種以上の混合物を用いてもよい。

（Ａ５）の対イオンＭ^＋としてはアニオンを電気的に中和し、アニオンと共に水溶性の塩を形成し得るものであればよく、たとえばアルカリ金属又はアルカリ土類金属から形成されるカチオン、プロトン、プロトン化されたアミン、アンモニウムイオンなどが挙げられる。

（Ａ５）のＲ⁵−ＮＨ［−（Ｒ⁶−ＮＨ）x―Ｒ⁷―］部分の溶解度パラメーターはレジストの濡れ広がりを抑制する観点から８〜１２、好ましくは９〜１１である。溶解度パラメーターが１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２以上であるとレジストが濡れ広がるためにパターニングの精細性が得らない場合もあり、溶解度パラメーターが８（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２未満であると水への溶解性に劣る場合もある。

（Ａ６）としては、炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基を持つアルキル硫酸エステル（塩）（Ａ６−１）、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル（塩）（Ａ６−２）等が挙げられる。

炭素数１〜２５の飽和又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基を持つアルキル硫酸エステル（塩）（Ａ６−１）はプロパノール、カプリルアルコール、ラウリルアルコールやオレイルアルコール等のモノ及びジエステル及びその塩等が挙げられる。

ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル（塩）（Ａ６−２）としては、第１級および第２級アルコールのアルキレンオキサイド付加物のモノおよびジリン酸エステル化物及びその塩等が挙げられる。

（Ａ６−２）の原料となる第１級アルコールとしては直鎖、分岐鎖又は環状でもよく、飽和又は不飽和結合を持っていてもよい。第１級アルコールの具体例としてはヘキサン−１−オール、ヘプタン−１−オール、オクタン−１−オール、ノナン−１−オール、デカン−１−オール、ドデカン−１−オール、テトラデカン−１−オール、ヘキサデカン−１−オール、オクタデカン−１−オール、イコサン−１−オール直鎖アミン、イソデシルアルコールなどの分岐アルコール、シクロヘキサノールなどの環状アルコール、これらの混合物である牛脂アルコール、硬化牛脂アルコールおよびヤシ油アルコール等動植物油由来の第１級アルコールを挙げることができる。

（Ａ６−２）の原料となる第２級アルコールとしては直鎖、分岐鎖又は環状でもよく、飽和又は不飽和結合を持っていてもよい。第２級アルコールとしてはプロパン−２−オール、ブタン−２−オール、シクロヘキサノール、デカン−２−オールなどが挙げられる。第２級アルコールは１種又は２種以上の混合物を用いてもよい。

本発明の（Ａ６−２）におけるアルキレンオキサイドとしては炭素数２〜１２のアルキレンオキサイド、例えばエチレンオキサイド、１，２−プロピレンオキサイド、１，２−ブチレンオキサイド、１，２−へキシレンオキサイド、テトラヒドロフラン並びに３-メチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。付加するアルキレンオキサイドの数が２以上の場合、オキシアルキル基は同一でも異なっていてもよく、ランダム結合でもブロック結合でも良い。

（Ａ６）の対イオンＭ^＋としてはアニオンを電気的に中和し、アニオンと共に水溶性の塩を形成し得るものであればよく、たとえばアルカリ金属又はアルカリ土類金属から形成されるカチオン、プロトン、プロトン化されたアミン及びアンモニウムイオンなどが挙げられる。

（Ａ６）の溶解度パラメーターはレジストの濡れ広がりを抑制する観点から８〜１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２、好ましくは９〜１１（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２である。溶解度パラメーターが１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２以上であるとレジストが濡れ広がるためにパターニングの精細性が得られない場合もあり、溶解度パラメーターが８（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２未満であると水への溶解性に劣る場合もある。

本発明の必須成分である水は、超純水、イオン交換水、逆浸透（ＲＯ）水、及び蒸留水が挙げられ、清浄度の観点から超純水が好ましい。

本発明のレジスト基板前処理組成物は、（Ａ）と水以外に、下記式（７）で表されるノニオン界面活性剤（Ｂ）を含んでいてもよい。
Ｒ^９［−Ｏ（Ａ^５Ｏ）_ｓ−Ｒ^１０］_ｄ （７）
［式中Ｒ^９は炭素数２〜２５の炭化水素からｄ個の水素原子を除いた残基、Ｒ^１０は水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基、Ａ^５は炭素数２〜４のアルキレン基、ｓは１〜２０の整数、ｓが２以上の場合のＡ⁴は同一でも異なっていてもよく、ｄは１〜６の整数である。］

ノニオン性界面活性剤（Ｂ）としては、アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｂ１）及び多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｂ２）等が挙げられる。２種以上用いる場合のアルキレンオキサイドの付加方法は、ランダム付加、ブロック付加、いずれであっても良く、特に限定されるものではない。

（Ｂ１）としては、高級アルコール（炭素数８〜１８）アルキレン（炭素数２〜４）オキサイド付加物、アルキル（炭素数１〜１２）フェノールエチレンオキサイド付加物、脂肪酸（炭素数８〜１８）エチレンオキサイド付加物、脂肪族アミン（炭素数６〜２４）のアルキレンオキサイド付加物、ポリプロピレングリコール（分子量２００〜４０００）エチレンオキサイド付加物、及びポリオキシエチレンアルキル（炭素数１〜２０）アリルエーテル、ソルビタンモノラウレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物、ソルビタンモノオレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルエチレンオキサイド付加物等が挙げられる。

（Ｂ２）としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル、ラウリン酸モノエタノールアミド、ラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。

（Ｂ）のうち、（Ａ）の溶解性の観点から、好ましいのは（Ｂ１）であり、更に好ましいのは高級アルコール（炭素数１０〜１６）アルキレン（炭素数２〜３）オキサイド付加物、またはアルキル（炭素数１〜１２）フェノールエチレンオキサイド付加物である。

本発明のレジスト基板前処理組成物は、（Ａ）、（Ｂ）と水以外に、酸成分（Ｃ）、分散剤（Ｄ）、防錆剤（Ｆ）、防腐剤（Ｇ）を含有もしてもよい。

本発明のレジスト基板表面処理組成物に含まれる酸成分（Ｃ）としては有機酸（Ｃ１）と無機酸（Ｃ２）が挙げられる。

有機酸（Ｃ１）としてはカルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有する（Ａ）以外の有機酸（Ｃ１−１）、ホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有する（Ａ）以外の有機酸（Ｃ１−２）、スルホ（塩）基を分子内に含有する有機酸（Ｃ１−３）及び（Ａ）以外のその他の有機酸（Ｃ１−４）が挙げられる。

カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有する（Ａ）以外の有機酸（Ｃ１−１）としては、水酸基を有するヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩（Ｃ１−１−１）と水酸基を有しないカルボン酸及び／又はその塩（Ｃ１−１−２）がある。ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩（Ｃ１−１−１）としては、クエン酸（塩）、乳酸（塩）、没食子酸（塩）等が挙げられる。水酸基を有しないカルボン酸及び／又はその塩（Ｃ１−１−２）としては、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、ヒドロキシエチル−イミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）（塩）、１，２−ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）、シクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、マレイン酸誘導体、シュウ酸（塩）、マロン酸（塩）、コハク酸（塩）、グルタル酸（塩）、アジピン酸（塩）等が挙げられる。

ホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有する（Ａ）以外の有機酸（Ｃ１−２）としては、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（塩）（ＮＴＭＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）、ピロリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）等が挙げられる。

スルホ（塩）基を分子内に含有する有機酸（Ｃ１−３）としてはメタンスルホン酸（塩）、エタンスルホン酸（塩）、タウリン（塩）、ヒドロキシエタンスルホン酸（塩）、プロパンスルホン酸（塩）、プロパン２−スルホン酸（塩）、アミノプロパンスルホン酸（塩）、ヒドロキシ１−プロパンスルホン酸（塩）等が挙げられる。

（Ａ）以外のその他の有機酸（Ｃ１−４）としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン及びＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミン等が挙げられる。

無機酸（Ｃ２）としてはケイ酸、ホウ酸、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸、リン酸等が挙げられる。

酸成分（Ｃ）における塩の対イオンとしては特に限定無いが、アルカリ金属（ナトリウム及びカリウム）塩、アンモニウム塩、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）塩、２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）塩、３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（ＤＢＮ）又は１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、１Ｈイミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈイミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈイミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝塩及び第４級アンモニウム塩（テトラアルキルアンモニウム等）塩である。これらの中で、基板への洗浄性の観点から、好ましいのはアルカリ金属塩、１級アミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩である。

酸成分（Ｃ）としては、有機酸（Ｃ１）、及び／又は無機酸（Ｃ２）を単独または２種以上併用することができる。

酸成分（Ｃ）の含有量は、レジスト基板表面処理組成物の重量に基づいて０．０１〜２０．０重量％、好ましくは１．０〜１０．０重量％である。

分散剤（Ｄ）としては、ポリアクリル酸、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリリン酸等が挙げられる

本発明のレジスト基板前処理組成物は、ｐＨ調整剤（Ｅ）を含有もしてもよい。レジスト基板表面処理組成物の使用時のｐＨは、耐腐食抑制の観点から好ましくは１．０〜１２．０である。

ｐＨ調整剤（Ｅ）としては、酸（無機酸および有機酸）もしくはアルカリ（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリおよびジエタノールアミン、イソプロパノールアミン等のアミン）が挙げられる。

防錆剤（Ｆ）として、市販の防錆剤を使用することができる。

防腐剤（Ｇ）として、市販の防腐剤を使用することができる。

本発明におけるレジスト基板の製造方法は、本明細書に記載のレジスト基板前処理組成物を用いて、レジスト塗布前に基板前処理を行う工程を含むレジスト基板の製造方法である。

本明細書に記載のレジスト基板前処理組成物を用いて、レジスト塗布前に基板前処理を行う工程を含むレジスト基板は、プリント配線板基板として使用することができる。

以下、実施例および比較例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を、％は重量％を示す。尚、実施例及び比較例用いる水は比抵抗値が１８ＭΩ以上のものを使用した。

実施例１〜１３、及び比較例１〜５
表１に記載の組成となるように、各成分を配合し、２５℃、マグネチックスターラーで４０ｒｐｍ、２０分間攪拌して、表面処理剤（Ａ）剤を含むレジスト基板前処理組成物（Ｓ１）〜（Ｓ１３）及び比較のレジスト基板前処理組成物（Ｈ１）〜（Ｈ５）を得た。

＜ｐＨの測定＞
レジスト基板前処理組成物のｐＨは、２５℃下でｐＨメーター（堀場製作所製）を用いて測定した。その結果を表１に示す。

＜レジストと表面処理後基板の接触角の測定−１（銅基板の表面処理）＞
モデル基板として銅テストピース（Ｃ１０２０無酸素銅、２０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍ）を用いた。
（１）基板１枚を１％クエン酸水溶液１００ｍｌに１分間浸漬し表面の酸化銅を除去した後、電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上の純水を１０秒間すすぎ流し、純水３００ｍｌに３０秒浸漬して洗浄を行い、窒素で乾燥させた。
（２）次に基板を２５℃のレジスト基板前処理組成物に１分間浸漬した後、電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上の純水を１０秒間すすぎ流し、純水３００ｍｌに３０秒浸漬して洗浄を行った後、窒素で乾燥させて、表面処理後基板とした。
（３）モデルレジストとしてトリエチレングリコールジアクリレート（新中村化学工業株式会社製）及びグリシジルメタクリレート（ダウケミカル社製）を用い、モデルレジストと表面処理後基板との接触角を全自動接触角計（協和界面科学製、「全自動接触角計ＤＭ７００」）で測定した。結果を表１に示す。

＜洗浄後基板の清浄度測定−１＞
（１）洗浄剤としてイソプロパノールアミン０．０７部、クエン酸０．０３部、水酸化カリウム０．８０部、高級アルコールエチレンオキサイド付加物（サンノニックＤＥ−７０ 三洋化成工業株式会社製）０．２部、高級アルコールエチレンオキサイドプロピレンオキサイド付加物（エマルミン ＦＬ−１００ 三洋化成株式会社製）０．１部、純水９８．８部を混合し洗浄液とした。
（２）表面処理後基板の接触角の測定−１の（１）と同じ方法で作成した基板を前記洗浄剤５００ｍＬに浸漬し、１０分間静置した。
（３）次に、基板を引き上げ、純水の流水で１０秒間軽く濯ぎ流し、窒素で乾燥することで清浄度評価用の基板を作成した。
（４）清浄度評価用の基板表面を、フーリエ変換赤外分光光度計（サーモエレクトロン株式会社製、Ｎｉｃｏｌｅｔ ６７００）を用いて分析し、２８００〜３２００ｃｍ^−１の範囲に現れるＣ−Ｈ伸縮振動に由来するピークを測定した。
○：ピークは観察されず。
×：ピークが観察された。

＜レジストと表面処理後基板の接触角の測定−２（酸化銅で被膜した銅基板の表面処理）＞
モデル基板として銅テストピース（Ｃ１０２０無酸素銅、２０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍ）を用いた。
（１）基板１枚を１％クエン酸水溶液１００ｍｌに１分間浸漬し表面の酸化銅を除去した後、電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上の純水を１０秒間すすぎ流し、純水３００ｍｌに３０秒浸漬して洗浄を行い、窒素で乾燥させた。
（２）次に基板を５％過酸化水素水に１分間浸漬した後、電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上の純水を１０秒間すすぎ流し、純水３００ｍｌに３０秒浸漬して洗浄を行った後、窒素で乾燥させた。
（３）酸化銅で被膜した銅基板を２５℃のレジスト基板前処理組成物に１分間浸漬した後、電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上の純水を１０秒間すすぎ流し、純水３００ｍｌに３０秒浸漬して洗浄を行った後、窒素で乾燥させて、表面処理後基板とした。
（４）モデルレジストとしてトリエチレングリコールジアクリレート（新中村化学工業株式会社製）及びグリシジルメタクリレート（ダウケミカル社製）を用い、モデルレジストと表面処理後基板との接触角を全自動接触角計（協和界面科学製、「全自動接触角計ＤＭ７００」）で測定した。結果を表１に示す。

＜洗浄後基板の清浄度測定−２＞
（１）洗浄後テストピースの清浄度測定−１の銅基板と同様にして、酸化銅で被膜した銅基板について清浄度評価用の基板表面を分析し、２８００〜３２００ｃｍ^−１の範囲に現れるＣ−Ｈ伸縮振動に由来するピークを測定した。結果を表１に示す。

表１に示す結果から明らかなように、実施例１〜１３のレジスト基板前処理組成物で表面処理を行った銅基板は、表面の酸化状態によらず接触角が大きく、かつ洗浄後基板の清浄度が高いことが確認された。一方で表面処理剤（Ａ）の含有量が０．０１重量％以下である比較例１、２では表面の酸化状態によらず接触角が小さいことが確認され、ＳＰ値が１２以上の表面処理剤を使用した比較例３では表面の酸化状態によらず接触角が小さいことが確認され、ＳＰ値８（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２以下の表面処理剤を使用した比較例４では洗浄後基板の清浄度が低いことが確認され、表面処理剤（Ａ）の含有量が１０重量％以上である比較例５では洗浄後基板の清浄度が低いことが確認され、いずれも表面の酸化状態によらず接触角かつ洗浄後基板の清浄度すべての要求を満たすものが得られなかった。

本発明のレジスト基板前処理組成物を用いてなるレジスト基板は、レジストのぬれ広がりを抑制し細かいパターニングを基板に行うことができる。また、表面処理後に酸又はアルカリ性洗浄剤で洗浄することで、容易に除去できるのでレジストでパターニング後の基板のはんだ密着性に影響を及ぼさない。したがって、本発明のレジスト基板前処理組成物は、レジスト基板、特にプリント配線板基板等の用途に有用である。

Claims (5)

1. 下記一般式（１）で表される化合物（Ａ１）、下記一般式（２）で表される化合物（Ａ２）、下記一般式（３）で表される化合物及びその塩（Ａ３）、下記一般式（４）で表される化合物（Ａ４）、下記一般式（５）で表される化合物（Ａ５）並びに下記一般式（６）で表される化合物（Ａ６）からなる群から選ばれる１種以上の化合物からなる表面処理剤（Ａ）と、水とを含んでなるレジスト基板前処理組成物であって、前記表面処理剤（Ａ）の溶解度パラメーターが８〜１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２であって、前記表面処理剤（Ａ）の含有量が０．０１〜１０重量％であるレジスト基板前処理組成物。
   ［Ｒ^１Ｏ−（Ａ^１Ｏ）_ｎ−］ＣＨ_２ＣＯＯ⁻ Ｍ^＋ （１）
   ［式中Ｒ^１は炭素数１〜２５の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基、Ａ^１は炭素数２〜４のアルキレン基、ｎは０〜２０の整数、ｎが２以上の場合のＡ^１は同一でも異なっていてもよく、Ｍ^＋は対イオンを表す。］
   ［Ｒ²Ｏ−（Ａ²Ｏ）_ｍ−］_rＰＯ（Ｏ⁻ Ｍ^＋）_３−ｒ （２）
   ［式中Ｒ²は炭素数１〜２５の飽和炭化水素基、炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基又は（メタ）アクリロイル基、Ａ²は炭素数２〜１２のアルキレン基、ｍは０〜２０の整数、ｍが２以上の場合のＡ^２は同一でも異なっていてもよく、ｒは１又は２でありＭ^＋は対イオンを表す。］
   Ｒ³−Ｎ［−（Ａ³Ｏ）_ｐ−Ｈ］_２ （３）
   ［式中Ｒ³は炭素数１〜２５の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基、Ａ³は炭素数２〜４のアルキレン基、ｐは０〜２０の整数、ｐが２以上の場合のＡ³は同一でも異なっていてもよい。］
   Ｒ^４ [−ＣＯＯ⁻ Ｍ^＋]_ｑ （４）
   ［式中Ｒ^４は炭素数２〜２５の飽和又は不飽和炭化水素からｑ個の水素原子を除いた残基、Ａ^４は炭素数２〜４のアルキレン基、ｑは１又は２、Ｍ^＋は対イオンを表す。］
   Ｒ⁵−ＮＨ［−（Ｒ⁶−ＮＨ）x―Ｒ⁷―］ＣＯＯ⁻ Ｍ^＋ （５）
   ［式中Ｒ⁵は炭素数１〜２５の１価の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の１価の不飽和炭化水素基、Ｒ⁶、Ｒ⁷は炭素数１〜２５の２価の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の２価の不飽和炭化水素基、xは０〜２０の整数、xが２以上の場合のＲ⁶は同一でも異なっていてもよい。］
   ［Ｒ⁸Ｏ−（Ａ⁴Ｏ）_y−］ＳＯ₃ ⁻ Ｍ^＋） （６）
   ［式中Ｒ^８は炭素数１〜２５の飽和炭化水素基又は炭素数２〜２５の不飽和炭化水素基、Ａ^４は炭素数２〜１２のアルキレン基、yは０〜２０の整数、yが２以上の場合のＡ^４は同一でも異なっていてもよく、Ｍ^＋は対イオンを表す。］
2. 更に下記一般式（７）で表されるノニオン界面活性剤（Ｂ）を含んでなる請求項１記載のレジスト基板前処理組成物。
   Ｒ^９［−Ｏ（Ａ^５Ｏ）_ｓ−Ｒ^１０］_ｄ （７）
   ［式中Ｒ^９は炭素数２〜２５の炭化水素からｄ個の水素原子を除いた残基、Ｒ^１０は水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基、Ａ^５は炭素数２〜４のアルキレン基、ｓは１〜２０の整数、ｓが２以上の場合のＡ⁵同一でも異なっていてもよく、ｄは１〜６の整数である。］
3. レジスト基板前処理組成物のｐＨが１．０〜１２．０である請求項１又は２記載のレジスト基板前処理組成物。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載のレジスト基板前処理組成物を用いて、レジスト塗布前に基板前処理を行う工程を含むレジスト基板の製造方法。
5. 請求項４に記載のレジスト基板が、プリント配線板基板であるレジスト基板の製造方法。