JP2017022315A - 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 143
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 270
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 145
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 100
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 98
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 98
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 92
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 42
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 166
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 162
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 160
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 101
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 description 86
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 73
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 66
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 58
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 36
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 32
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 28
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 24
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 23
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 23
- 239000002585 base Substances 0.000 description 22
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 13
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 13
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 12
- KMZHTRWVLZTASP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexanoic acid oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4].C(C)C(C(=O)O)CCCC KMZHTRWVLZTASP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 150000002363 hafnium compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 description 10
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229940091250 magnesium supplement Drugs 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 description 8
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid group Chemical group C(CC(O)(C(=O)O)CC(=O)O)(=O)O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N ethyl hexanoate Chemical compound CCCCCC(=O)OCC SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 6
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OXXYGNFXACOVNH-UHFFFAOYSA-K 2-ethylhexanoate;europium(3+) Chemical compound [Eu+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O OXXYGNFXACOVNH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- AGOMHFKGCMKLDA-UHFFFAOYSA-K 2-ethylhexanoate;yttrium(3+) Chemical compound [Y+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O AGOMHFKGCMKLDA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CFPVQGQJRGIWSP-UHFFFAOYSA-N scandium(3+) Chemical compound [Sc+3] CFPVQGQJRGIWSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 4
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 4
- BAGVMXCAZJONCK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexanoic acid lanthanum toluene Chemical compound [La].Cc1ccccc1.CCCCC(CC)C(O)=O BAGVMXCAZJONCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QZOZOKMLHOXBPW-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C.[Ba].C(C)C(C(=O)O)CCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C.[Ba].C(C)C(C(=O)O)CCCC QZOZOKMLHOXBPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 4
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N Pentylbenzene Chemical compound CCCCCC1=CC=CC=C1 PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001616 alkaline earth metal bromide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001617 alkaline earth metal chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001964 alkaline earth metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 4
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N barium nitrate Chemical compound [Ba+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate Chemical compound [Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trinitrate Chemical compound [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N pentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 4
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N strontium nitrate Chemical compound [Sr+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L strontium sulfate Chemical compound [Sr+2].[O-]S([O-])(=O)=O UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XCTNDJAFNBCVOM-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazo[4,5-b]pyridin-2-ylmethanamine Chemical compound C1=CC=C2NC(CN)=NC2=N1 XCTNDJAFNBCVOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JSEJVYAWRQXNOV-UHFFFAOYSA-J 2-ethylhexanoate hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O JSEJVYAWRQXNOV-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- LTPCXXMGKDQPAO-UHFFFAOYSA-L calcium;2-ethylhexanoate Chemical compound [Ca+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O LTPCXXMGKDQPAO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- CGWDABYOHPEOAD-VIFPVBQESA-N (2r)-2-[(4-fluorophenoxy)methyl]oxirane Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1OC[C@@H]1OC1 CGWDABYOHPEOAD-VIFPVBQESA-N 0.000 description 2
- PLYYQWWELYJSEB-DEOSSOPVSA-N (2s)-2-(2,3-dihydro-1h-inden-2-yl)-2-(9h-fluoren-9-ylmethoxycarbonylamino)acetic acid Chemical compound C1C2=CC=CC=C2CC1[C@@H](C(=O)O)NC(=O)OCC1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 PLYYQWWELYJSEB-DEOSSOPVSA-N 0.000 description 2
- RLWTZURPSVMYGG-UHFFFAOYSA-N (6-methoxy-4-methylpyridin-3-yl)boronic acid Chemical compound COC1=CC(C)=C(B(O)O)C=N1 RLWTZURPSVMYGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQXKGOOORHDGFP-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrafluoro-3,6-dimethoxybenzene Chemical compound COC1=C(F)C(F)=C(OC)C(F)=C1F WQXKGOOORHDGFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPJDJVGBDHCAD-UHFFFAOYSA-N 1,3-diazinan-2-one Chemical compound OC1=NCCCN1 NQPJDJVGBDHCAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MAYVZUQEFSJDHA-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(methylsulfanyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(SC)=CC=CC2=C1SC MAYVZUQEFSJDHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOULXZJCOXBGLP-UHFFFAOYSA-K 2-ethylhexanoate;gadolinium(3+) Chemical compound [Gd+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O DOULXZJCOXBGLP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- PPNFILUQDVDXDA-UHFFFAOYSA-K 2-ethylhexanoate;lanthanum(3+) Chemical compound [La+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O PPNFILUQDVDXDA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- QBKTXRLYEHZACW-UHFFFAOYSA-K 2-ethylhexanoate;neodymium(3+) Chemical compound [Nd+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O QBKTXRLYEHZACW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OFYFURKXMHQOGG-UHFFFAOYSA-J 2-ethylhexanoate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O OFYFURKXMHQOGG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-dimethylpyridine-2,5-diamine Chemical compound CN(C)C1=CC=C(N)C=N1 OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APFWLFUGBMRXCS-UHFFFAOYSA-N 4,7-dihydroxy-3-phenylchromen-2-one Chemical compound O=C1OC2=CC(O)=CC=C2C(O)=C1C1=CC=CC=C1 APFWLFUGBMRXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-phenyl-1,3-thiazole-5-sulfonyl chloride Chemical compound S1C(S(Cl)(=O)=O)=C(C)N=C1C1=CC=CC=C1 NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QXPQVUQBEBHHQP-UHFFFAOYSA-N 5,6,7,8-tetrahydro-[1]benzothiolo[2,3-d]pyrimidin-4-amine Chemical compound C1CCCC2=C1SC1=C2C(N)=NC=N1 QXPQVUQBEBHHQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKFIBMOQAPEKNZ-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1h-indole-2-carboxylic acid Chemical compound NC1=CC=C2NC(C(O)=O)=CC2=C1 NKFIBMOQAPEKNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVDLHGSZWAELAU-UHFFFAOYSA-N 5-tert-butylthiophene-2-carbonyl chloride Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(Cl)=O)S1 RVDLHGSZWAELAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KEDNSMBVYXSBFC-UHFFFAOYSA-N 6-bromo-2-chloroquinoline-4-carbonyl chloride Chemical compound C1=C(Br)C=C2C(C(=O)Cl)=CC(Cl)=NC2=C1 KEDNSMBVYXSBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQKYKPLGNBXERW-UHFFFAOYSA-N 6-fluoro-1h-indazol-5-amine Chemical compound C1=C(F)C(N)=CC2=C1NN=C2 GQKYKPLGNBXERW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IJNLSUSYGVUGEG-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)C1(C=CC=C1)[Nd](C1(C=CC=C1)C(C)C)C1(C=CC=C1)C(C)C Chemical compound C(C)(C)C1(C=CC=C1)[Nd](C1(C=CC=C1)C(C)C)C1(C=CC=C1)C(C)C IJNLSUSYGVUGEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWELELOFFSZKDK-UHFFFAOYSA-N C(C)C1(C=CC=C1)[Dy](C1(C=CC=C1)CC)C1(C=CC=C1)CC Chemical compound C(C)C1(C=CC=C1)[Dy](C1(C=CC=C1)CC)C1(C=CC=C1)CC LWELELOFFSZKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOYTYSOXJTTXGO-UHFFFAOYSA-N C(C)C1(C=CC=C1)[Eu](C1(C=CC=C1)CC)C1(C=CC=C1)CC Chemical compound C(C)C1(C=CC=C1)[Eu](C1(C=CC=C1)CC)C1(C=CC=C1)CC BOYTYSOXJTTXGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNHXHDIRQBBCDN-UHFFFAOYSA-N C(C)C1(C=CC=C1)[Lu](C1(C=CC=C1)CC)C1(C=CC=C1)CC Chemical compound C(C)C1(C=CC=C1)[Lu](C1(C=CC=C1)CC)C1(C=CC=C1)CC PNHXHDIRQBBCDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UTRKSLUYPLRNSA-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Ho](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 Chemical compound C1(C=CC=C1)[Ho](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 UTRKSLUYPLRNSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLLVKWMULLMCMH-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Sm](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 Chemical compound C1(C=CC=C1)[Sm](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 HLLVKWMULLMCMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FMNCAPFXHVPBJH-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Tb](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 Chemical compound C1(C=CC=C1)[Tb](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 FMNCAPFXHVPBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVMAYNWFQZIHCF-UHFFFAOYSA-N C1=CC(C=C1)[Yb](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 Chemical compound C1=CC(C=C1)[Yb](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 PVMAYNWFQZIHCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SEMRPGCCNSCKHE-UHFFFAOYSA-N CC([O-])C.[Yb+3].C1(C=CC=C1)[Tm](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1.CC([O-])C.CC([O-])C Chemical compound CC([O-])C.[Yb+3].C1(C=CC=C1)[Tm](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1.CC([O-])C.CC([O-])C SEMRPGCCNSCKHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBEKWOCPHIOZKE-UHFFFAOYSA-L CCCCCCC(C)(C)C(=O)O[Ca]OC(=O)C(C)(C)CCCCCC Chemical compound CCCCCCC(C)(C)C(=O)O[Ca]OC(=O)C(C)(C)CCCCCC FBEKWOCPHIOZKE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CBOCVOKPQGJKKJ-UHFFFAOYSA-L Calcium formate Chemical compound [Ca+2].[O-]C=O.[O-]C=O CBOCVOKPQGJKKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UNMYWSMUMWPJLR-UHFFFAOYSA-L Calcium iodide Chemical compound [Ca+2].[I-].[I-] UNMYWSMUMWPJLR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016859 Lanthanum iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- MQHWFIOJQSCFNM-UHFFFAOYSA-L Magnesium salicylate Chemical compound [Mg+2].OC1=CC=CC=C1C([O-])=O.OC1=CC=CC=C1C([O-])=O MQHWFIOJQSCFNM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- LRAMLJMXTWTRIX-UHFFFAOYSA-N [Hf++].CCCC[O-].CCCC[O-] Chemical compound [Hf++].CCCC[O-].CCCC[O-] LRAMLJMXTWTRIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTBKKUCINOXEHQ-UHFFFAOYSA-N [N+](=O)([O-])[O-].[Yb+3].[N+](=O)([O-])[O-].[Tm+3] Chemical compound [N+](=O)([O-])[O-].[Yb+3].[N+](=O)([O-])[O-].[Tm+3] FTBKKUCINOXEHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001619 alkaline earth metal iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L barium acetate Chemical compound [Ba+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NKQIMNKPSDEDMO-UHFFFAOYSA-L barium bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Ba+2] NKQIMNKPSDEDMO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001620 barium bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940075444 barium iodide Drugs 0.000 description 2
- GXUARMXARIJAFV-UHFFFAOYSA-L barium oxalate Chemical compound [Ba+2].[O-]C(=O)C([O-])=O GXUARMXARIJAFV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229940094800 barium oxalate Drugs 0.000 description 2
- HYRVTHFPMWHAEG-SUKNRPLKSA-L barium(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate;hydrate Chemical compound O.[Ba+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O HYRVTHFPMWHAEG-SUKNRPLKSA-L 0.000 description 2
- VJFFDDQGMMQGTQ-UHFFFAOYSA-L barium(2+);2-ethylhexanoate Chemical compound [Ba+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O VJFFDDQGMMQGTQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- HLKMEIITONDPGG-UHFFFAOYSA-L barium(2+);2-hydroxypropanoate Chemical compound [Ba+2].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O HLKMEIITONDPGG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MJIAXOYYJWECDI-UHFFFAOYSA-L barium(2+);dibenzoate Chemical compound [Ba+2].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 MJIAXOYYJWECDI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UXFOSWFWQAUFFZ-UHFFFAOYSA-L barium(2+);diformate Chemical compound [Ba+2].[O-]C=O.[O-]C=O UXFOSWFWQAUFFZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GYIWFHXWLCXGQO-UHFFFAOYSA-N barium(2+);ethanolate Chemical compound [Ba+2].CC[O-].CC[O-] GYIWFHXWLCXGQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DXJURUJRANOYMX-UHFFFAOYSA-L barium(2+);trifluoromethanesulfonate Chemical compound [Ba+2].[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F DXJURUJRANOYMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 2
- OKOSPWNNXVDXKZ-UHFFFAOYSA-N but-3-enoyl chloride Chemical compound ClC(=O)CC=C OKOSPWNNXVDXKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CKEGKURXFKLBDX-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;hafnium Chemical compound [Hf].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO CKEGKURXFKLBDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIOLTQNBOYMEQK-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(2+) Chemical compound [Zr+2].CCCC[O-].CCCC[O-] NIOLTQNBOYMEQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSGNNIFQASZAOI-UHFFFAOYSA-L calcium acetate Chemical compound [Ca+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O VSGNNIFQASZAOI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001639 calcium acetate Substances 0.000 description 2
- 235000011092 calcium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 229960005147 calcium acetate Drugs 0.000 description 2
- 239000004301 calcium benzoate Substances 0.000 description 2
- 235000010237 calcium benzoate Nutrition 0.000 description 2
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 2
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- FNAQSUUGMSOBHW-UHFFFAOYSA-H calcium citrate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O FNAQSUUGMSOBHW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 239000001354 calcium citrate Substances 0.000 description 2
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004281 calcium formate Substances 0.000 description 2
- 235000019255 calcium formate Nutrition 0.000 description 2
- 229940044172 calcium formate Drugs 0.000 description 2
- 229910001640 calcium iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940046413 calcium iodide Drugs 0.000 description 2
- QXDMQSPYEZFLGF-UHFFFAOYSA-L calcium oxalate Chemical compound [Ca+2].[O-]C(=O)C([O-])=O QXDMQSPYEZFLGF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- AVVIDTZRJBSXML-UHFFFAOYSA-L calcium;2-carboxyphenolate;dihydrate Chemical compound O.O.[Ca+2].OC1=CC=CC=C1C([O-])=O.OC1=CC=CC=C1C([O-])=O AVVIDTZRJBSXML-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- SMHNUIFHMAGAFL-UHFFFAOYSA-N calcium;2-hydroxypropanoic acid Chemical compound [Ca].CC(O)C(O)=O SMHNUIFHMAGAFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZQXCUSDXIKLGS-UHFFFAOYSA-L calcium;dibenzoate;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Ca+2].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 HZQXCUSDXIKLGS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JHLCADGWXYCDQA-UHFFFAOYSA-N calcium;ethanolate Chemical compound [Ca+2].CC[O-].CC[O-] JHLCADGWXYCDQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMJQWGIYCROUQF-UHFFFAOYSA-N calcium;methanolate Chemical compound [Ca+2].[O-]C.[O-]C AMJQWGIYCROUQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DFADSEMLTJRBFX-UHFFFAOYSA-N calcium;pentane-2,4-dione Chemical compound [Ca].CC(=O)CC(C)=O DFADSEMLTJRBFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- GGVUYAXGAOIFIC-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);2-ethylhexanoate Chemical compound [Ce+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O GGVUYAXGAOIFIC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- KDGBXTFCUISDFL-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Ce+3].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KDGBXTFCUISDFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZEDZJUDTPVFRNB-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);triiodide Chemical compound I[Ce](I)I ZEDZJUDTPVFRNB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 2
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZUDUXQEGDBTNS-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;erbium(3+) Chemical compound [Er+3].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 FZUDUXQEGDBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YAYGFOZNMGYPRE-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;gadolinium(3+) Chemical compound [Gd+3].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 YAYGFOZNMGYPRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DYPIGRVRIMDVFA-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;lanthanum(3+) Chemical compound [La+3].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 DYPIGRVRIMDVFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLIOSYYYCBMDCP-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;scandium(3+) Chemical compound [Sc+3].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 DLIOSYYYCBMDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930007927 cymene Natural products 0.000 description 2
- KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPEKDHWAGKXPST-UHFFFAOYSA-N dysprosium(3+);propan-2-olate Chemical compound [Dy+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] XPEKDHWAGKXPST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GBLDKMKYYYAAKD-UHFFFAOYSA-K dysprosium(3+);tribromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Dy+3] GBLDKMKYYYAAKD-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- FLWXWKDFOLALOB-UHFFFAOYSA-H dysprosium(3+);trisulfate Chemical compound [Dy+3].[Dy+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O FLWXWKDFOLALOB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- VOCNVTAXVORJBI-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);propan-2-olate Chemical compound [Er+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] VOCNVTAXVORJBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBUHPIKTDUMWTR-UHFFFAOYSA-K erbium(3+);triacetate Chemical compound [Er+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O DBUHPIKTDUMWTR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- GZTUDAKVGXUNIM-UHFFFAOYSA-K erbium(3+);tribromide Chemical compound Br[Er](Br)Br GZTUDAKVGXUNIM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OKVQKDALNLHZLB-UHFFFAOYSA-K erbium(3+);triiodide Chemical compound I[Er](I)I OKVQKDALNLHZLB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- YBYGDBANBWOYIF-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);trinitrate Chemical compound [Er+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YBYGDBANBWOYIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYDXSHCNMKOQFW-UHFFFAOYSA-H erbium(3+);trisulfate Chemical compound [Er+3].[Er+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O SYDXSHCNMKOQFW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- HDGGAKOVUDZYES-UHFFFAOYSA-K erbium(iii) chloride Chemical compound Cl[Er](Cl)Cl HDGGAKOVUDZYES-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- DPYXWFUVSMSNNV-UHFFFAOYSA-L europium(2+);diiodide Chemical compound [I-].[I-].[Eu+2] DPYXWFUVSMSNNV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QEDFUJZRPHEBFG-UHFFFAOYSA-K europium(3+);tribromide Chemical compound Br[Eu](Br)Br QEDFUJZRPHEBFG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- GAGGCOKRLXYWIV-UHFFFAOYSA-N europium(3+);trinitrate Chemical compound [Eu+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GAGGCOKRLXYWIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K europium(iii) chloride Chemical compound Cl[Eu](Cl)Cl NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WLYAEQLCCOGBPV-UHFFFAOYSA-N europium;sulfuric acid Chemical compound [Eu].OS(O)(=O)=O WLYAEQLCCOGBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- MEANOSLIBWSCIT-UHFFFAOYSA-K gadolinium trichloride Chemical compound Cl[Gd](Cl)Cl MEANOSLIBWSCIT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- VJLSFXQJAXVOEQ-UHFFFAOYSA-N gadolinium(3+);propan-2-olate Chemical compound [Gd+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] VJLSFXQJAXVOEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGOKDPWKDBWITQ-UHFFFAOYSA-K gadolinium(3+);tribromide Chemical compound Br[Gd](Br)Br KGOKDPWKDBWITQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- IZZTUGMCLUGNPM-UHFFFAOYSA-K gadolinium(3+);triiodide Chemical compound I[Gd](I)I IZZTUGMCLUGNPM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- QLAFITOLRQQGTE-UHFFFAOYSA-H gadolinium(3+);trisulfate Chemical compound [Gd+3].[Gd+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O QLAFITOLRQQGTE-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- MWFSXYMZCVAQCC-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) nitrate Chemical compound [Gd+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MWFSXYMZCVAQCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- SGPNITZHSOZEGX-UHFFFAOYSA-J hafnium(4+);dicarbonate Chemical compound [Hf+4].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O SGPNITZHSOZEGX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- NXKAMHRHVYEHER-UHFFFAOYSA-J hafnium(4+);disulfate Chemical compound [Hf+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O NXKAMHRHVYEHER-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- FEEFWFYISQGDKK-UHFFFAOYSA-J hafnium(4+);tetrabromide Chemical compound Br[Hf](Br)(Br)Br FEEFWFYISQGDKK-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- QHEDSQMUHIMDOL-UHFFFAOYSA-J hafnium(4+);tetrafluoride Chemical compound F[Hf](F)(F)F QHEDSQMUHIMDOL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- YCJQNNVSZNFWAH-UHFFFAOYSA-J hafnium(4+);tetraiodide Chemical compound I[Hf](I)(I)I YCJQNNVSZNFWAH-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- HMKGKDSPHSNMTM-UHFFFAOYSA-N hafnium;propan-2-ol Chemical compound [Hf].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O HMKGKDSPHSNMTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NYLSGCTWRDYISF-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);propan-2-olate Chemical compound [Ho+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] NYLSGCTWRDYISF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZNSYJWLQLXLHE-UHFFFAOYSA-K holmium(3+);tribromide Chemical compound Br[Ho](Br)Br MZNSYJWLQLXLHE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- KXCRAPCRWWGWIW-UHFFFAOYSA-K holmium(3+);triiodide Chemical compound I[Ho](I)I KXCRAPCRWWGWIW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WDVGLADRSBQDDY-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);trinitrate Chemical compound [Ho+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O WDVGLADRSBQDDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MKPJADFELTTXAV-UHFFFAOYSA-H holmium(3+);trisulfate Chemical compound [Ho+3].[Ho+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O MKPJADFELTTXAV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 2
- SORGMJIXNUWMMR-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);propan-2-olate Chemical compound [La+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SORGMJIXNUWMMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYKBXWMMXCGRBA-UHFFFAOYSA-K lanthanum(3+);triiodide Chemical compound I[La](I)I KYKBXWMMXCGRBA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical compound [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQEHIYWBGOJJDM-UHFFFAOYSA-H lanthanum(3+);trisulfate Chemical compound [La+3].[La+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O VQEHIYWBGOJJDM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- XKUYOJZZLGFZTC-UHFFFAOYSA-K lanthanum(iii) bromide Chemical compound Br[La](Br)Br XKUYOJZZLGFZTC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K lanthanum(iii) chloride Chemical compound Cl[La](Cl)Cl ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- YSSMJCLPAITEFI-UHFFFAOYSA-N lanthanum;pentane-2,4-dione Chemical compound [La].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O YSSMJCLPAITEFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229950010610 lutetium chloride Drugs 0.000 description 2
- WBXXVIQNIMIONY-UHFFFAOYSA-H lutetium(3+);oxalate Chemical compound [Lu+3].[Lu+3].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O WBXXVIQNIMIONY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- DWHGOINJUKABSY-UHFFFAOYSA-K lutetium(3+);tribromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Lu+3] DWHGOINJUKABSY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- NZOCXFRGADJTKP-UHFFFAOYSA-K lutetium(3+);triiodide Chemical compound I[Lu](I)I NZOCXFRGADJTKP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- APRNQTOXCXOSHO-UHFFFAOYSA-N lutetium(3+);trinitrate Chemical compound [Lu+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O APRNQTOXCXOSHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJENVQFRSQOLAE-UHFFFAOYSA-H lutetium(3+);trisulfate Chemical compound [Lu+3].[Lu+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O GJENVQFRSQOLAE-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- AEDROEGYZIARPU-UHFFFAOYSA-K lutetium(iii) chloride Chemical compound Cl[Lu](Cl)Cl AEDROEGYZIARPU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 2
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 2
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 2
- PJJZFXPJNUVBMR-UHFFFAOYSA-L magnesium benzoate Chemical compound [Mg+2].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 PJJZFXPJNUVBMR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004337 magnesium citrate Substances 0.000 description 2
- 229960005336 magnesium citrate Drugs 0.000 description 2
- 235000002538 magnesium citrate Nutrition 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- OVGXLJDWSLQDRT-UHFFFAOYSA-L magnesium lactate Chemical compound [Mg+2].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O OVGXLJDWSLQDRT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000626 magnesium lactate Substances 0.000 description 2
- 235000015229 magnesium lactate Nutrition 0.000 description 2
- 229960004658 magnesium lactate Drugs 0.000 description 2
- UHNWOJJPXCYKCG-UHFFFAOYSA-L magnesium oxalate Chemical compound [Mg+2].[O-]C(=O)C([O-])=O UHNWOJJPXCYKCG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229940072082 magnesium salicylate Drugs 0.000 description 2
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- GMDNUWQNDQDBNQ-UHFFFAOYSA-L magnesium;diformate Chemical compound [Mg+2].[O-]C=O.[O-]C=O GMDNUWQNDQDBNQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DLPASUVGCQPFFO-UHFFFAOYSA-N magnesium;ethane Chemical compound [Mg+2].[CH2-]C.[CH2-]C DLPASUVGCQPFFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRGZYKWWYNQGEC-UHFFFAOYSA-N magnesium;methanolate Chemical compound [Mg+2].[O-]C.[O-]C CRGZYKWWYNQGEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFUAIAKLWWIPTC-UHFFFAOYSA-L magnesium;naphthalene-2-carboxylate Chemical compound [Mg+2].C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21 OFUAIAKLWWIPTC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QIJRBQDGQLSRLG-UHFFFAOYSA-N magnesium;pentane-2,4-dione Chemical compound [Mg].CC(=O)CC(C)=O QIJRBQDGQLSRLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZQRBEVTLZHKEA-UHFFFAOYSA-L magnesium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [Mg+2].[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F BZQRBEVTLZHKEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BONORRGKLJBGRV-UHFFFAOYSA-N methapyrilene hydrochloride Chemical compound Cl.C=1C=CC=NC=1N(CCN(C)C)CC1=CC=CS1 BONORRGKLJBGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- HZHUIQPXRWTHNF-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);propan-2-olate Chemical compound [Nd+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] HZHUIQPXRWTHNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBWLQVSRPJHLEY-UHFFFAOYSA-K neodymium(3+);tribromide Chemical compound Br[Nd](Br)Br LBWLQVSRPJHLEY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- DKSXWSAKLYQPQE-UHFFFAOYSA-K neodymium(3+);triiodide Chemical compound I[Nd](I)I DKSXWSAKLYQPQE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- CFYGEIAZMVFFDE-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);trinitrate Chemical compound [Nd+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CFYGEIAZMVFFDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RHVPCSSKNPYQDU-UHFFFAOYSA-H neodymium(3+);trisulfate;hydrate Chemical compound O.[Nd+3].[Nd+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RHVPCSSKNPYQDU-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- ATINCSYRHURBSP-UHFFFAOYSA-K neodymium(iii) chloride Chemical compound Cl[Nd](Cl)Cl ATINCSYRHURBSP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- UHTYDNCIXKPJDA-UHFFFAOYSA-H oxalate;praseodymium(3+) Chemical compound [Pr+3].[Pr+3].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O UHTYDNCIXKPJDA-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QBWLICQEHVCVAY-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione;strontium Chemical compound [Sr].CC(=O)CC(C)=O QBWLICQEHVCVAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001637 plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- UMIVUKFKISBKQB-UHFFFAOYSA-N praseodymium(3+);propan-2-olate Chemical compound [Pr+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] UMIVUKFKISBKQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLKCYEBERAEWDR-UHFFFAOYSA-K praseodymium(3+);tribromide Chemical compound Br[Pr](Br)Br PLKCYEBERAEWDR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- BOTHRHRVFIZTGG-UHFFFAOYSA-K praseodymium(3+);trifluoride Chemical compound F[Pr](F)F BOTHRHRVFIZTGG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- PVEVRIVGNKNWML-UHFFFAOYSA-K praseodymium(3+);triiodide Chemical compound I[Pr](I)I PVEVRIVGNKNWML-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- YWECOPREQNXXBZ-UHFFFAOYSA-N praseodymium(3+);trinitrate Chemical compound [Pr+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YWECOPREQNXXBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LHBNLZDGIPPZLL-UHFFFAOYSA-K praseodymium(iii) chloride Chemical compound Cl[Pr](Cl)Cl LHBNLZDGIPPZLL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- HWZAHTVZMSRSJE-UHFFFAOYSA-H praseodymium(iii) sulfate Chemical compound [Pr+3].[Pr+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O HWZAHTVZMSRSJE-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate Chemical compound CCC[O-] IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZGHTLPTQXPXDG-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol scandium Chemical compound [Sc].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O QZGHTLPTQXPXDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NREVZTYRXVBFAQ-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;yttrium Chemical compound [Y].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O NREVZTYRXVBFAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJCRVWSKQNDSPZ-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;samarium(3+) Chemical compound [Sm+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] HJCRVWSKQNDSPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ICKYUJFKBKOPJT-UHFFFAOYSA-K samarium(3+);tribromide Chemical compound Br[Sm](Br)Br ICKYUJFKBKOPJT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- YZDZYSPAJSPJQJ-UHFFFAOYSA-N samarium(3+);trinitrate Chemical compound [Sm+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YZDZYSPAJSPJQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVSITDBROURTQX-UHFFFAOYSA-H samarium(3+);trisulfate Chemical compound [Sm+3].[Sm+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O LVSITDBROURTQX-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- BHXBZLPMVFUQBQ-UHFFFAOYSA-K samarium(iii) chloride Chemical compound Cl[Sm](Cl)Cl BHXBZLPMVFUQBQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OJIKOZJGHCVMDC-UHFFFAOYSA-K samarium(iii) fluoride Chemical compound F[Sm](F)F OJIKOZJGHCVMDC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- APPHYFNIXVIIJR-UHFFFAOYSA-K scandium bromide Chemical compound Br[Sc](Br)Br APPHYFNIXVIIJR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- DVMZCYSFPFUKKE-UHFFFAOYSA-K scandium chloride Chemical compound Cl[Sc](Cl)Cl DVMZCYSFPFUKKE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OEKDNFRQVZLFBZ-UHFFFAOYSA-K scandium fluoride Chemical compound F[Sc](F)F OEKDNFRQVZLFBZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910000346 scandium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- DBTMQFKUVICLQN-UHFFFAOYSA-K scandium(3+);triacetate Chemical compound [Sc+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O DBTMQFKUVICLQN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- HUIHCQPFSRNMNM-UHFFFAOYSA-K scandium(3+);triiodide Chemical compound [Sc+3].[I-].[I-].[I-] HUIHCQPFSRNMNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- DFCYEXJMCFQPPA-UHFFFAOYSA-N scandium(3+);trinitrate Chemical compound [Sc+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O DFCYEXJMCFQPPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QHYMYKHVGWATOS-UHFFFAOYSA-H scandium(3+);trisulfate Chemical compound [Sc+3].[Sc+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O QHYMYKHVGWATOS-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 description 2
- YJPVTCSBVRMESK-UHFFFAOYSA-L strontium bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Sr+2] YJPVTCSBVRMESK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001625 strontium bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940074155 strontium bromide Drugs 0.000 description 2
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- KRIJWFBRWPCESA-UHFFFAOYSA-L strontium iodide Chemical compound [Sr+2].[I-].[I-] KRIJWFBRWPCESA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001643 strontium iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- KQAGKTURZUKUCH-UHFFFAOYSA-L strontium oxalate Chemical compound [Sr+2].[O-]C(=O)C([O-])=O KQAGKTURZUKUCH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DLWBHRIWCMOQKI-UHFFFAOYSA-L strontium;2-ethylhexanoate Chemical compound [Sr+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O DLWBHRIWCMOQKI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CCUZKVDGQHXAFK-UHFFFAOYSA-L strontium;2-hydroxypropanoate Chemical compound [Sr+2].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O CCUZKVDGQHXAFK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RXSHXLOMRZJCLB-UHFFFAOYSA-L strontium;diacetate Chemical compound [Sr+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O RXSHXLOMRZJCLB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- FXWRHZACHXRMCI-UHFFFAOYSA-L strontium;diformate Chemical compound [Sr+2].[O-]C=O.[O-]C=O FXWRHZACHXRMCI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OHULXNKDWPTSBI-UHFFFAOYSA-N strontium;propan-2-olate Chemical compound [Sr+2].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OHULXNKDWPTSBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- JQBILSNVGUAPMM-UHFFFAOYSA-K terbium(3+);triacetate Chemical compound [Tb+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JQBILSNVGUAPMM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- YJVUGDIORBKPLC-UHFFFAOYSA-N terbium(3+);trinitrate Chemical compound [Tb+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YJVUGDIORBKPLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFPWIQQSPQSOKM-UHFFFAOYSA-H terbium(3+);trisulfate Chemical compound [Tb+3].[Tb+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O UFPWIQQSPQSOKM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- AZNZWHYYEIQIOC-UHFFFAOYSA-K terbium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Tb+3] AZNZWHYYEIQIOC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- GFISHBQNVWAVFU-UHFFFAOYSA-K terbium(iii) chloride Chemical compound Cl[Tb](Cl)Cl GFISHBQNVWAVFU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OJXRJPFRTRETRN-UHFFFAOYSA-K terbium(iii) iodide Chemical compound I[Tb](I)I OJXRJPFRTRETRN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- SNMVVAHJCCXTQR-UHFFFAOYSA-K thulium(3+);triacetate Chemical compound [Tm+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O SNMVVAHJCCXTQR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- HQSWGSFQSCMHFQ-UHFFFAOYSA-K thulium(3+);tribromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Tm+3] HQSWGSFQSCMHFQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- LZOMHYVAEHYDST-UHFFFAOYSA-K thulium(3+);triiodide Chemical compound I[Tm](I)I LZOMHYVAEHYDST-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000013337 tricalcium citrate Nutrition 0.000 description 2
- PYOOBRULIYNHJR-UHFFFAOYSA-K trichloroholmium Chemical compound Cl[Ho](Cl)Cl PYOOBRULIYNHJR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- FWQVINSGEXZQHB-UHFFFAOYSA-K trifluorodysprosium Chemical compound F[Dy](F)F FWQVINSGEXZQHB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K trifluoroerbium Chemical compound F[Er](F)F QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- HPNURIVGONRLQI-UHFFFAOYSA-K trifluoroeuropium Chemical compound F[Eu](F)F HPNURIVGONRLQI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- TYIZUJNEZNBXRS-UHFFFAOYSA-K trifluorogadolinium Chemical compound F[Gd](F)F TYIZUJNEZNBXRS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XRADHEAKQRNYQQ-UHFFFAOYSA-K trifluoroneodymium Chemical compound F[Nd](F)F XRADHEAKQRNYQQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K trifluoroterbium Chemical compound F[Tb](F)F LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- AATUHDXSJTXIHB-UHFFFAOYSA-K trifluorothulium Chemical compound F[Tm](F)F AATUHDXSJTXIHB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XQKBFQXWZCFNFF-UHFFFAOYSA-K triiodosamarium Chemical compound I[Sm](I)I XQKBFQXWZCFNFF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- PLSARIKBYIPYPF-UHFFFAOYSA-H trimagnesium dicitrate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O PLSARIKBYIPYPF-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- OSCVBYCJUSOYPN-UHFFFAOYSA-K ytterbium(3+);triacetate Chemical compound [Yb+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O OSCVBYCJUSOYPN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- LSSJSIMBIIVSTN-UHFFFAOYSA-K ytterbium(3+);triiodide Chemical compound I[Yb](I)I LSSJSIMBIIVSTN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- KVCOOBXEBNBTGL-UHFFFAOYSA-H ytterbium(3+);trisulfate Chemical compound [Yb+3].[Yb+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O KVCOOBXEBNBTGL-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- CKLHRQNQYIJFFX-UHFFFAOYSA-K ytterbium(III) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Yb+3] CKLHRQNQYIJFFX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- QNLXXQBCQYDKHD-UHFFFAOYSA-K ytterbium(iii) bromide Chemical compound Br[Yb](Br)Br QNLXXQBCQYDKHD-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K ytterbium(iii) fluoride Chemical compound F[Yb](F)F XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229940105965 yttrium bromide Drugs 0.000 description 2
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 2
- 229940105970 yttrium iodide Drugs 0.000 description 2
- 229910000347 yttrium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- LFWQXIMAKJCMJL-UHFFFAOYSA-K yttrium(3+);triiodide Chemical compound I[Y](I)I LFWQXIMAKJCMJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- RTAYJOCWVUTQHB-UHFFFAOYSA-H yttrium(3+);trisulfate Chemical compound [Y+3].[Y+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RTAYJOCWVUTQHB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrafluoride Chemical compound F[Zr](F)(F)F OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- XJUNLJFOHNHSAR-UHFFFAOYSA-J zirconium(4+);dicarbonate Chemical compound [Zr+4].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O XJUNLJFOHNHSAR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- ZXAUZSQITFJWPS-UHFFFAOYSA-J zirconium(4+);disulfate Chemical compound [Zr+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O ZXAUZSQITFJWPS-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- LSWWNKUULMMMIL-UHFFFAOYSA-J zirconium(iv) bromide Chemical compound Br[Zr](Br)(Br)Br LSWWNKUULMMMIL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- CSCHBWDTSOXZRP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexanoic acid;europium Chemical compound [Eu].CCCCC(CC)C(O)=O CSCHBWDTSOXZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NOLKCKAMICMHCI-UHFFFAOYSA-N C(C)OC(CCCCC)=O.C1(=CC=CC=C1)C Chemical compound C(C)OC(CCCCC)=O.C1(=CC=CC=C1)C NOLKCKAMICMHCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAYJVAWWYLMMHH-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C.[Mg].C(C)C(C(=O)O)CCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C.[Mg].C(C)C(C(=O)O)CCCC DAYJVAWWYLMMHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017976 MgO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQBSYZARAWZXBQ-UHFFFAOYSA-N [Ca].CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O Chemical compound [Ca].CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O XQBSYZARAWZXBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- PWSHIIVWNSXVBC-UHFFFAOYSA-N ethyl hexanoate;2-ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCCC(=O)OCC.CCCCC(CC)C(O)=O PWSHIIVWNSXVBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N nitric acid phosphoric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/772—Field effect transistors
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract
【解決手段】
基材と、保護層と、前記基材、及び前記保護層の間に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層と接するように形成されたソース電極、及びドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成され、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する半導体層と、前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向するゲート電極とを有し、前記保護層が、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第一の複合金属酸化物を含有し、前記ゲート絶縁層が、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第二の複合金属酸化物を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタである。
【選択図】図3A
Description
このような要因に伴う前記TFTの閾値電圧の変動を抑制するためのアプローチとして、保護層に関する取り組みと、ゲート絶縁層に関する取り組みが挙げられる。
前記TFTの閾値電圧の変動を抑制するための保護層に関する取り組みとして、SiO2、Si3N4、SiON、Al2O3、Ta2O5、TiO2、HfO2、ZrO2、若しくはY2O3の単層膜、またはそれらの積層膜を保護層とした電界効果型トランジスタが開示されている(例えば、特許文献1参照)。また、SiO2を保護層とする電界効果型トランジスタが開示されている(例えば、非特許文献2参照)。
前記TFTの閾値電圧の変動を抑制するためのゲート絶縁層の取り組みとして、含有水素量が3.0×1021(atoms/cm3)未満であるゲート絶縁層を有する電界効果型トランジスタが開示されている(例えば、特許文献2参照)
しかしながら、前記TFTは、前記保護層を形成する工程において、熱やプラズマにより、半導体層から酸素が脱離し、TFT特性の変化や劣化が引き起こされる。このような保護層形成工程でのTFT特性の変化に対する取り組みとして、酸素透過膜と酸素障害膜を含む保護層を有する電界効果型トランジスタが開示されている(例えば、特許文献3参照)。この特許文献3には、半導体層に接して酸素透過膜を形成することで、保護層形成工程におけるTFT特性の変化後に熱処理により半導体層に酸素を拡散し、TFT特性を回復させることや、酸素透過膜形成後に酸素障害膜を形成することで、大気中の酸素が半導体層に拡散することを防ぐことが記載されている。
また、優れたTFT特性を実現する試みとして、ゲート絶縁層の材料を選定することも行われている。ゲート絶縁層が、シリコン酸化物の層と、ランタン(La)とジルコニウム(Zr)とからなる多元系酸化物の層の積層構造を有する電界効果型トランジスタが開示されている(例えば、特許文献4参照)。
また、上記非特許文献2に記載の保護層を有する電界効果型トランジスタは、BTS試験による信頼性評価は行われているが、試験時間経過に伴う閾値電圧の変動(ΔVth)が大きく、本願発明でいう十分な信頼性が確保できているとはいえない。
上記特許文献2に記載のゲート絶縁層を有する電界効果型トランジスタは、ゲート絶縁層に含有する水素量が少ないため、長時間安定して駆動することができると報告されているが、BTS試験に関するデータは開示されておらず、本願発明でいう十分な信頼性が確保できているとはいえない。
従って、BTS試験に対する閾値電圧の変動量が小さく、高信頼性を示す電界効果型トランジスタの提供が求められている。
上記特許文献4に記載の電界効果型トランジスタは、半導体層とゲート絶縁層の材料の組み合わせにより優れたトランジスタ特性が確保できると報告されているが、BTS試験に関するデータは一切開示されておらず、本願発明でいう十分な信頼性が確保できているとはいえない。
従って、優れたTFT特性を示し、かつ、その状態が保護層形成工程を経ても維持され、BTS試験に対する閾値電圧の変動が小さく、高信頼性を示す電界効果型トランジスタの提供が求められているのが現状である。
本発明の電界効果型トランジスタは、
基材と、
保護層と、
前記基材、及び前記保護層の間に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層と接するように形成されたソース電極、及びドレイン電極と、
少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成され、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する半導体層と、
前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向するゲート電極とを有し、
前記保護層が、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第一の複合金属酸化物を含有し、
前記ゲート絶縁層が、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第二の複合金属酸化物を含有することを特徴とする。
また、ゲート絶縁層が、アルカリ土類金属と、希土類元素を含有する第二の複合金属酸化物を含有することで、ゲート電圧印加に対してドレイン電流が0V付近で急峻に立ち上がり、高いドレイン電流を得ることができるため、優れたTFT特性を示す電界効果型トランジスタを得ることができる。
さらに、前記保護層と前記ゲート絶縁層を組み合わせた構成とすることで、優れたTFT特性を示し、かつ、その状態が保護層形成工程を経ても維持される電界効果型トランジスタを提供することができる。また、前記保護層と前記ゲート絶縁層を組み合わせた構成とすることで、前記保護層のみを有する電界効果型トランジスタよりも、BTS試験に対する閾値電圧の変動量がより小さく、高信頼性を示す電界効果型トランジスタを提供することができる。
本発明の電界効果型トランジスタは、基材と、保護層と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他部材を有する。
前記基材の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記基材の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス基材、プラスチック基材などが挙げられる。
前記ガラス基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無アルカリガラス、シリカガラスなどが挙げられる。
前記プラスチック基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などが挙げられる。
なお、前記基材は、表面の清浄化及び密着性向上の点で、酸素プラズマ、UVオゾン、UV照射洗浄等の前処理が行われることが好ましい。
前記保護層は、通常、前記基材よりも上方に形成される。
前記保護層は、第一の複合金属酸化物を含有する。
前記保護層は、前記第一の複合金属酸化物それ自体で形成されることが好ましい。
前記第一の複合金属酸化物は、アルカリ土類金属と、希土類元素とを少なくとも含有し、好ましくは、Zr(ジルコニウム)及びHf(ハフニウム)の少なくともいずれかを含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。
一般的に、アルカリ土類金属の単純酸化物は、大気中の水分や二酸化炭素と反応しやすく、容易に水酸化物や炭酸塩を形成してしまい、単独では電子デバイスへの応用は適さない。また、希土類元素の単純酸化物は、結晶化しやすく、電子デバイスへの応用を考えたときにリーク電流が問題となる。しかしながら、本発明者らは、アルカリ土類金属と希土類元素とを含有した前記第一の複合金属酸化物が、広範な組成範囲で安定的にアモルファス膜を形成することを見出した。前記第一の複合金属酸化物は、広範な組成範囲で安定的に存在するため、その組成比によって、形成される第一の複合金属酸化物の比誘電率、及び線膨張係数を広範に制御することができる。
本発明において本発明者らは、前記第一の複合金属酸化物を含有する前記保護層が、大気中の水分、酸素、水素に対する優れたバリア性を示すことを見出した。
したがって、前記保護層を用いることにより、高信頼性を示す電界効果型トランジスタを提供することができる。
前記第一の複合金属酸化物において、前記アルカリ土類金属と、前記希土類元素との組成比(前記アルカリ土類金属:前記希土類元素)としては、酸化物(BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ce2O3、Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3)換算で、10.0mol%〜67.0mol%:33.0mol%〜90.0mol%が好ましい。
前記第一の複合金属酸化物において、前記アルカリ土類金属と、前記希土類元素と、前記Zr及び前記Hfの少なくともいずれかとの組成比(前記アルカリ土類金属:前記希土類元素:前記Zr及び前記Hfの少なくともいずれか)としては、酸化物(BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ce2O3、Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3、ZrO2、HfO2)換算で、5.0mol%〜22.0mol%:33.0mol%〜90.0mol:5.0mol%〜45.0mol%が好ましい。
前記比誘電率は、例えば、下部電極、誘電層(前記保護層)、及び上部電極を積層したキャパシタを作製して、LCRメータ等を用いて測定することができる。
前記線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置を用いて測定することができる。この測定においては、前記電界効果型トランジスタを作製せずとも、前記保護層と同じ組成の測定用サンプルを別途作製して測定することで、前記線膨張係数を測定することができる。
前記保護層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション(PLD)法、化学気相蒸着(CVD)法、原子層蒸着(ALD)法等の真空プロセスによる成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法などが挙げられる。
また、前記保護層は、前記第一の複合金属酸化物の前駆体を含有する塗布液(保護層形成用塗布液)を調合し、それを被塗物上に塗布又は印刷し、これを適切な条件で焼成することによっても成膜することができる。
前記保護層形成用塗布液は、アルカリ土類金属含有化合物と、希土類元素含有化合物と、溶媒とを少なくとも含有し、好ましくは、ジルコニウム含有化合物、及びハフニウム含有化合物の少なくともいずれかを含有し、更に必要に応じて、その他成分を含有する。
前記アルカリ土類金属含有化合物としては、例えば、無機アルカリ土類金属化合物、有機アルカリ土類金属化合物などが挙げられる。前記アルカリ土類金属含有化合物におけるアルカリ土類金属としては、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)が挙げられる。
前記アルカリ土類金属硝酸塩としては、例えば、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウム、硝酸ストロンチウム、硝酸バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属硫酸塩としては、例えば、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫酸ストロンチウム、硫酸バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属塩化物としては、例えば、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、塩化ストロンチウム、塩化バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属フッ化物としては、例えば、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属臭化物としては、例えば、臭化マグネシウム、臭化カルシウム、臭化ストロンチウム、臭化バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属よう化物としては、例えば、よう化マグネシウム、よう化カルシウム、よう化ストロンチウム、よう化バリウムなどが挙げられる。
前記希土類元素含有化合物における希土類元素としては、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、Ce(セリウム)、Pr(プラセオジム)、Nd(ネオジム)、Pm(プロメチウム)、Sm(サマリウム)、Eu(ユウロピウム)、Gd(ガドリニウム)、Tb(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、Ho(ホルミウム)、Er(エルビウム)、Tm(ツリウム)、Yb(イッテルビウム)、Lu(ルテチウム)が挙げられる。
前記希土類元素硝酸塩としては、例えば、硝酸スカンジウム、硝酸イットリウム、硝酸ランタン、硝酸セリウム、硝酸プラセオジム、硝酸ネオジム、硝酸サマリウム、硝酸ユウロピウム、硝酸ガドリニウム、硝酸テルビウム、硝酸ジスプロシウム、硝酸ホルミウム、硝酸エルビウム、硝酸ツリウム、硝酸イッテルビウム、硝酸ルテチウムなどが挙げられる。
前記希土類元素硫酸塩としては、例えば、硫酸スカンジウム、硫酸イットリウム、硫酸ランタン、硫酸セリウム、硫酸プラセオジム、硫酸ネオジム、硫酸サマリウム、硫酸ユウロピウム、硫酸ガドリニウム、硫酸テルビウム、硫酸ジスプロシウム、硫酸ホルミウム、硫酸エルビウム、硫酸ツリウム、硫酸イッテルビウム、硫酸ルテチウムなどが挙げられる。
前記希土類元素フッ化物としては、例えば、フッ化スカンジウム、フッ化イットリウム、フッ化ランタン、フッ化セリウム、フッ化プラセオジム、フッ化ネオジム、フッ化サマリウム、フッ化ユウロピウム、フッ化ガドリニウム、フッ化テルビウム、フッ化ジスプロシウム、フッ化ホルミウム、フッ化エルビウム、フッ化ツリウム、フッ化イッテルビウム、フッ化ルテチウムなどが挙げられる。
前記希土類元素塩化物としては、例えば、塩化スカンジウム、塩化イットリウム、塩化ランタン、塩化セリウム、塩化プラセオジム、塩化ネオジム、塩化サマリウム、塩化ユウロピウム、塩化ガドリニウム、塩化テルビウム、塩化ジスプロシウム、塩化ホルミウム、塩化エルビウム、塩化ツリウム、塩化イッテルビウム、塩化ルテチウムなどが挙げられる。
前記希土類元素臭化物としては、例えば、臭化スカンジウム、臭化イットリウム、臭化ランタン、臭化プラセオジム、臭化ネオジム、臭化サマリウム、臭化ユウロピウム、臭化ガドリニウム、臭化テルビウム、臭化ジスプロシウム、臭化ホルミウム、臭化エルビウム、臭化ツリウム、臭化イッテルビウム、臭化ルテチウムなどが挙げられる。
前記希土類元素ヨウ化物としては、例えば、ヨウ化スカンジウム、ヨウ化イットリウム、ヨウ化ランタン、ヨウ化セリウム、ヨウ化プラセオジム、ヨウ化ネオジム、ヨウ化サマリウム、ヨウ化ユウロピウム、ヨウ化ガドリニウム、ヨウ化テルビウム、ヨウ化ジスプロシウム、ヨウ化ホルミウム、ヨウ化エルビウム、ヨウ化ツリウム、ヨウ化イッテルビウム、ヨウ化ルテチウムなどが挙げられる。
前記ジルコニウム含有化合物としては、例えば、無機ジルコニウム化合物、有機ジルコニウム化合物などが挙げられる。
前記ハフニウム含有化合物としては、例えば、無機ハフニウム化合物、有機ハフニウム化合物などが挙げられる。
前記溶媒としては、前記各種化合物を安定に溶解又は分散する溶媒であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、シメン、ペンチルベンゼン、ドデシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキシルベンゼン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、テトラリン、デカリン、イソプロパノール、安息香酸エチル、N,N−ジメチルホルムアミド、炭酸プロピレン、2−エチルヘキサン酸、ミネラルスピリッツ、ジメチルプロピレンウレア、4−ブチロラクトン、2−メトキシエタノール、水などが挙げられる。
前記保護層形成用塗布液において、前記アルカリ土類金属と、前記希土類元素との組成比(前記アルカリ土類金属:前記希土類元素)としては、酸化物(BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ce2O3、Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3)換算で、10.0mol%〜67.0mol%:33.0mol%〜90.0mol%が好ましい。
前記保護層形成用塗布液において、前記アルカリ土類金属と、前記希土類元素と、前記Zr及び前記Hfの少なくともいずれかとの組成比(前記アルカリ土類金属:前記希土類元素:前記Zr及び前記Hfの少なくともいずれか)としては、酸化物(BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ce2O3、Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3、ZrO2、HfO2)換算で、5.0mol%〜22.0mol%:33.0mol%〜90.0mol:5.0mol%〜45.0mol%が好ましい。
前記保護層形成用塗布液を用いた前記保護層の形成方法の一例について説明する。前記保護層の形成方法は、塗布工程と、熱処理工程とを含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
前記ゲート絶縁層は、第二の複合金属酸化物を含有する。
前記ゲート絶縁層は、前記第二の複合金属酸化物それ自体で形成されることが好ましい。
前記第二の複合金属酸化物は、アルカリ土類金属と、希土類元素とを少なくとも含有し、好ましくは、Zr(ジルコニウム)及びHf(ハフニウム)の少なくともいずれかを含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。
一般的に、アルカリ土類金属の単純酸化物は、大気中の水分や二酸化炭素と反応しやすく、容易に水酸化物や炭酸塩を形成してしまい、単独では電子デバイスへの応用は適さない。また、希土類元素の単純酸化物は、結晶化しやすく、電子デバイスへの応用を考えたときにリーク電流が問題となる。しかしながら、本発明者らは、アルカリ土類金属と希土類元素とを含有した前記第二の複合金属酸化物が、広範な組成範囲で安定的にアモルファス膜を形成することを見出した。前記第二の複合金属酸化物は、広範な組成範囲で安定的に存在するため、その組成比によって、形成される第二の複合金属酸化物の比誘電率、及び線膨張係数を広範に制御することができる。
前記電界効果型トランジスタが、前記第二の複合金属酸化物を含有する前記ゲート絶縁層を含有することで、ゲート電圧印加に対してドレイン電流が0Vで急峻に立ち上がり、かつ、高いドレイン電流を得られる。したがって、前記ゲート絶縁層を含有する電界効果型トランジスタは、優れたトランジスタ特性(高い移動度、高いオン/オフ比、低いS値、Vthが0V近傍)を得ることができる。
したがって、前記保護層と前記ゲート絶縁層を組み合わせた構成とすることで、優れたTFT特性(高い移動度、高いオン/オフ比、低いS値、Vthが0V近傍)を示し、かつ、その状態が保護層形成工程を経ても維持され、さらに、BTS試験に対する閾値電圧の変動量がより小さく、高信頼性を示す電界効果型トランジスタを提供することができる。
前記第二の複合金属酸化物において、前記アルカリ土類金属と、前記希土類元素との組成比(前記アルカリ土類金属:前記希土類元素)としては、酸化物(BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ce2O3、Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3)換算で、10.0mol%〜67.0mol%:33.0mol%〜90.0mol%が好ましい。
前記第二の複合金属酸化物において、前記アルカリ土類金属と、前記希土類元素と、前記Zr及び前記Hfの少なくともいずれかとの組成比(前記アルカリ土類金属:前記希土類元素:前記Zr及び前記Hfの少なくともいずれか)としては、酸化物(BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ce2O3、Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3、ZrO2、HfO2)換算で、5.0mol%〜22.0mol%:33.0mol%〜90.0mol:5.0mol%〜45.0mol%が好ましい。
前記ゲート絶縁層の比誘電率は、たとえば、前記保護層の比誘電率と同様の手法で測定することができる。
前記ゲート絶縁層の線膨張係数は、例えば、前記保護層の線膨張係数と同様の手法で測定することができる。
前記ゲート絶縁層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション(PLD)法、化学気相蒸着(CVD)法、原子層蒸着(ALD)法等の真空プロセスによる成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法などが挙げられる。
また、前記ゲート絶縁層は、前記第二の複合金属酸化物の前駆体を含有する塗布液(ゲート絶縁層形成用塗布液)を調合し、それを被塗物上に塗布又は印刷し、これを適切な条件で焼成することによっても成膜することができる。
前記ゲート絶縁層形成用塗布液は、アルカリ土類金属含有化合物と、希土類元素含有化合物と、溶媒とを少なくとも含有し、好ましくは、ジルコニウム含有化合物、及びハフニウム含有化合物の少なくともいずれかを含有し、更に必要に応じて、その他成分を含有する。
前記アルカリ土類金属含有化合物としては、例えば、無機アルカリ土類金属化合物、有機アルカリ土類金属化合物などが挙げられる。前記アルカリ土類金属含有化合物におけるアルカリ土類金属としては、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)が挙げられる。
前記アルカリ土類金属硝酸塩としては、例えば、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウム、硝酸ストロンチウム、硝酸バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属硫酸塩としては、例えば、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫酸ストロンチウム、硫酸バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属塩化物としては、例えば、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、塩化ストロンチウム、塩化バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属フッ化物としては、例えば、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属臭化物としては、例えば、臭化マグネシウム、臭化カルシウム、臭化ストロンチウム、臭化バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属よう化物としては、例えば、よう化マグネシウム、よう化カルシウム、よう化ストロンチウム、よう化バリウムなどが挙げられる。
前記希土類元素含有化合物における希土類元素としては、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、Ce(セリウム)、Pr(プラセオジム)、Nd(ネオジム)、Pm(プロメチウム)、Sm(サマリウム)、Eu(ユウロピウム)、Gd(ガドリニウム)、Tb(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、Ho(ホルミウム)、Er(エルビウム)、Tm(ツリウム)、Yb(イッテルビウム)、Lu(ルテチウム)が挙げられる。
前記希土類元素硝酸塩としては、例えば、硝酸スカンジウム、硝酸イットリウム、硝酸ランタン、硝酸セリウム、硝酸プラセオジム、硝酸ネオジム、硝酸サマリウム、硝酸ユウロピウム、硝酸ガドリニウム、硝酸テルビウム、硝酸ジスプロシウム、硝酸ホルミウム、硝酸エルビウム、硝酸ツリウム、硝酸イッテルビウム、硝酸ルテチウムなどが挙げられる。
前記希土類元素硫酸塩としては、例えば、硫酸スカンジウム、硫酸イットリウム、硫酸ランタン、硫酸セリウム、硫酸プラセオジム、硫酸ネオジム、硫酸サマリウム、硫酸ユウロピウム、硫酸ガドリニウム、硫酸テルビウム、硫酸ジスプロシウム、硫酸ホルミウム、硫酸エルビウム、硫酸ツリウム、硫酸イッテルビウム、硫酸ルテチウムなどが挙げられる。
前記希土類元素フッ化物としては、例えば、フッ化スカンジウム、フッ化イットリウム、フッ化ランタン、フッ化セリウム、フッ化プラセオジム、フッ化ネオジム、フッ化サマリウム、フッ化ユウロピウム、フッ化ガドリニウム、フッ化テルビウム、フッ化ジスプロシウム、フッ化ホルミウム、フッ化エルビウム、フッ化ツリウム、フッ化イッテルビウム、フッ化ルテチウムなどが挙げられる。
前記希土類元素塩化物としては、例えば、塩化スカンジウム、塩化イットリウム、塩化ランタン、塩化セリウム、塩化プラセオジム、塩化ネオジム、塩化サマリウム、塩化ユウロピウム、塩化ガドリニウム、塩化テルビウム、塩化ジスプロシウム、塩化ホルミウム、塩化エルビウム、塩化ツリウム、塩化イッテルビウム、塩化ルテチウムなどが挙げられる。
前記希土類元素臭化物としては、例えば、臭化スカンジウム、臭化イットリウム、臭化ランタン、臭化プラセオジム、臭化ネオジム、臭化サマリウム、臭化ユウロピウム、臭化ガドリニウム、臭化テルビウム、臭化ジスプロシウム、臭化ホルミウム、臭化エルビウム、臭化ツリウム、臭化イッテルビウム、臭化ルテチウムなどが挙げられる。
前記希土類元素ヨウ化物としては、例えば、ヨウ化スカンジウム、ヨウ化イットリウム、ヨウ化ランタン、ヨウ化セリウム、ヨウ化プラセオジム、ヨウ化ネオジム、ヨウ化サマリウム、ヨウ化ユウロピウム、ヨウ化ガドリニウム、ヨウ化テルビウム、ヨウ化ジスプロシウム、ヨウ化ホルミウム、ヨウ化エルビウム、ヨウ化ツリウム、ヨウ化イッテルビウム、ヨウ化ルテチウムなどが挙げられる。
前記ジルコニウム含有化合物としては、例えば、無機ジルコニウム化合物、有機ジルコニウム化合物などが挙げられる。
前記ハフニウム含有化合物としては、例えば、無機ハフニウム化合物、有機ハフニウム化合物などが挙げられる。
前記溶媒としては、前記各種化合物を安定に溶解又は分散する溶媒であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、シメン、ペンチルベンゼン、ドデシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキシルベンゼン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、テトラリン、デカリン、イソプロパノール、安息香酸エチル、N,N−ジメチルホルムアミド、炭酸プロピレン、2−エチルヘキサン酸、ミネラルスピリッツ、ジメチルプロピレンウレア、4−ブチロラクトン、2−メトキシエタノール、水などが挙げられる。
前記ゲート絶縁層形成用塗布液において、前記アルカリ土類金属と、前記希土類元素との組成比(前記アルカリ土類金属:前記希土類元素)としては、酸化物(BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ce2O3、Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3)換算で、10.0mol%〜67.0mol%:33.0mol%〜90.0mol%が好ましい。
前記ゲート絶縁層形成用塗布液において、前記アルカリ土類金属と、前記希土類元素と、前記Zr及び前記Hfの少なくともいずれかとの組成比(前記アルカリ土類金属:前記希土類元素:前記Zr及び前記Hfの少なくともいずれか)としては、酸化物(BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ce2O3、Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3、ZrO2、HfO2)換算で、5.0mol%〜22.0mol%:33.0mol%〜90.0mol:5.0mol%〜45.0mol%が好ましい。
前記ゲート絶縁層形成用塗布液を用いた前記ゲート絶縁層の形成方法の一例について説明する。前記ゲート絶縁層の形成方法は、塗布工程と、熱処理工程とを含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極としては、前記電界効果型トランジスタから電流を取り出すための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、前記ゲート絶縁層と接するように形成される。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Mo、Al、Au、Ag、Cu等の金属及びこれらの合金、酸化インジウムスズ(ITO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)、ポリアニリン(PANI)等の有機導電体などが挙げられる。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(i)スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、(ii)インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
前記半導体層は、少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成される。
ここで、「間」とは、前記半導体層が前記ソース電極及び前記ドレイン電極と共に、前記電界効果型トランジスタを機能させるような位置であり、そのような位置であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記半導体層は、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する。
前記半導体層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シリコン半導体、酸化物半導体などが挙げられる。
前記シリコン半導体としては、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコンなどが挙げられる。
前記酸化物半導体としては、例えば、InGa−Zn−O、In−Zn−O、In−Mg−Oなどが挙げられる。
これらのなかでも、酸化物半導体が好ましい。
前記半導体層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション(PLD)法、化学気相蒸着(CVD)法、原子層蒸着(ALD)法等の真空プロセスや、ディップコーティング、スピンコート、ダイコート等の溶液プロセスによる成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷法によって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
前記ゲート電極としては、前記電界効果型トランジスタにゲート電圧を印加するための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向する。
前記ゲート電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Mo、Al、Au、Ag、Cu等の金属及びこれらの合金、酸化インジウムスズ(ITO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)、ポリアニリン(PANI)等の有機導電体などが挙げられる。
前記ゲート電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(i)スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、(ii)インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
(1)前記基材と、前記基材上に形成された前記ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された前記ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された前記半導体層と、前記半導体層上に形成された前記保護層とを有する電界効果型トランジスタ。
(2)前記基材と、前記基材上に形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された前記半導体層と、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層上に形成された前記ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された前記ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された前記保護層とを有する電界効果型トランジスタ。
前記(2)の構造の電界効果型トランジスタとしては、例えば、ボトムコンタクト・トップゲート型(図3C)、トップコンタクト・トップゲート型(図3D)などが挙げられる。
ここで、図3A〜図3Dにおいて、符号21は基材、22はゲート電極、23はゲート絶縁層、24はソース電極、25はドレイン電極、26は酸化物半導体層、27は保護層をそれぞれ表す。
本発明の表示素子は、光制御素子と、前記光制御素子を駆動する駆動回路とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記光制御素子としては、駆動信号に応じて光出力が制御される素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エレクトロルミネッセンス(EL)素子、エレクトロクロミック(EC)素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。
前記駆動回路としては、本発明の前記電界効果型トランジスタを有し、かつ前記光制御素子を駆動する回路である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明の画像表示装置は、複数の表示素子と、複数の配線と、表示制御装置とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記画像表示装置は、画像データに応じた画像を表示する装置である。
前記表示素子としては、マトリックス状に配置された本発明の前記表示素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線は、前記表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための配線である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記表示制御装置としては、前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する装置である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記画像表示装置は、携帯電話、携帯型音楽再生装置、携帯型動画再生装置、電子BOOK、PDA(Personal Digital Assistant)等の携帯情報機器、スチルカメラやビデオカメラ等の撮像機器における表示手段に用いることができる。また、車、航空機、電車、船舶等の移動体システムにおける各種情報の表示手段にも用いることができる。更に、計測装置、分析装置、医療機器、広告媒体における各種情報の表示手段にも用いることができる。
本発明のシステムは、本発明の前記画像表示装置と、画像データ作成装置とを少なくとも有する。
前記画像データ作成装置は、表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する装置である。
まず、本発明のシステムの一例としてのテレビジョン装置について、説明する。
本発明のシステムの一例としてのテレビジョン装置は、例えば、特開2010−074148号公報の段落〔0038〕〜〔0058〕及び図1に記載の構成などを採ることができる。
本発明の画像表示装置としては、例えば、特開2010−074148号公報の段落〔0059〕〜〔0060〕、図2、及び図3に記載の構成などを採ることができる。
図1は、表示素子がマトリックス上に配置されたディスプレイ310を表す図である。
図1に示されるように、ディスプレイ310は、X軸方向に沿って等間隔に配置されているn本の走査線(X0、X1、X2、X3、・・・、Xn−2、Xn−1)と、Y軸方向に沿って等間隔に配置されているm本のデータ線(Y0、Y1、Y2、Y3、・・・、Ym−1)と、Y軸方向に沿って等間隔に配置されているm本の電流供給線(Y0i、Y1i、Y2i、Y3i、・・・・・、Ym−1i)とを有する。
よって、走査線とデータ線とによって、表示素子を特定することができる。
前記表示素子は、一例として図2に示されるように、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子350と、該有機EL素子350を発光させるためのドライブ回路320とを有している。即ち、ディスプレイ310は、いわゆるアクティブマトリックス方式の有機ELディスプレイである。また、ディスプレイ310は、カラー対応の32インチ型のディスプレイである。なお、大きさは、これに限定されるものではない。
ドライブ回路320は、2つの電界効果型トランジスタ11及び12と、キャパシタ13とを有する。
電界効果型トランジスタ11は、スイッチ素子として動作する。ゲート電極Gは、所定の走査線に接続され、ソース電極Sは、所定のデータ線に接続されている。また、ドレイン電極Dは、キャパシタ13の一方の端子に接続されている。
電界効果型トランジスタ11、12は、本発明の前記電界効果型トランジスタの説明に記載の材料、プロセスなどによって形成することができる。
図4において、有機EL素子350は、陰極312と、陽極314と、有機EL薄膜層340とを有する。
図5において、便宜上第IIのゲート電極33・第IIのドレイン電極38間にてキャパシタが形成されているように見えるが、実際にはキャパシタ形成箇所は限定されず、適宜必要な容量のキャパシタを必要な箇所に設計することができる。
また、図5の表示素子では、第IIのドレイン電極38が、有機EL素子350における陽極として機能する。
基材31、第I・第II二のゲート電極32・33、ゲート絶縁層34、第I・第IIのソース電極35・36、第I・第IIのドレイン電極37・38、第I・第IIの酸化物半導体層39・40、第I・第IIの保護層41・42については、本発明の前記電界効果型トランジスタの説明に記載の材料、プロセスなどによって形成することができる。
なお、第Iの保護層41、及び第IIの保護層42が、本発明の前記電界効果型トランジスタの前記保護層に相当する。ゲート絶縁層34が、本発明の前記電界効果型トランジスタの前記ゲート絶縁層に相当する。
前記有機材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂、フッ素系樹脂、非フッ素系樹脂、オレフィン系樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂、及びそれらを用いた感光性樹脂などが挙げられる。
前記無機材料としては、例えば、AZエレクトロニックマテリアルズ社製アクアミカなどのSOG(spin on glass)材料などが挙げられる。
前記有機無機複合材料としては、例えば、特許文献(特開2007−158146号公報)に開示されているシラン化合物からなる有機無機複合化合物などが挙げられる。
前記層間絶縁層は、大気中の水分、酸素、水素に対するバリア性を有していることが好ましい。
前記層間絶縁層の形成後に、後工程として、熱処理を行うことで、表示素子を構成する電界効果型トランジスタの特性を安定化させることも有効である。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、スカンジウム(III)トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘブタンジオナート)水和物(SIGMA−ALDRICH 517607、SIGMA−ALDRICH製)0.32gと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.07mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−1に示す組成となる。
トルエン1mLに、サマリウムアセチルアセトナート三水和物(Strem 93−6226、Strem Chemicals製)0.25gと、2−エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液(Mg含量3%、Strem 12−1260、Strem Chemicals製)0.05mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−1に示す組成となる。
最初に、ガラス基板(基材91)上にゲート電極92を形成した。具体的には、ガラス基板(基材91)上に、DCスパッタリングによりAl(アルミニウム)合金膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Al合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極92のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、PAN(Phosphoric Acetic Nitric Acid)系エッチング液を用いたエッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のAl合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Al合金膜からなるゲート電極92を形成した。
次に、前記ゲート絶縁層形成用塗布液0.4mLを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした(500rpmで5秒間回転させた後、3,000rpmで20秒間回転させ、5秒間で0rpmとなるように回転を止めた)。続いて、大気中で120℃1時間の乾燥処理後、O2雰囲気下で400℃3時間の焼成を行った後、大気雰囲気下で500℃1時間のアニールを行い、ゲート絶縁層93として、第二の複合金属酸化物膜を形成した。ゲート絶縁層の平均膜厚は、約110nmであった。
次に、ゲート絶縁層93上にソース電極94及びドレイン電極95を形成した。具体的には、ゲート絶縁層93上にDCスパッタリングによりAl(アルミニウム)合金膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Al合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極94及びドレイン電極95のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、RIEにより、レジストパターンの形成されていない領域のAl合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Al合金膜からなるソース電極94及びドレイン電極95を形成した。
次に、酸化物半導体層96を形成した。具体的には、DCスパッタリングにより、Mg−In系酸化物(In2MgO4)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mg−In系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層96のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のMg−In系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層96を形成した。これにより、ソース電極94とドレイン電極95との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層96が形成された。
次に、前記保護層形成用塗布液0.4mLを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした(1,000rpmで5秒間回転させた後、3,000rpmで20秒間回転させ、5秒間で0rpmとなるように回転を止めた)。続いて、大気中で120℃1時間の乾燥処理後、O2雰囲気下で400℃3時間の焼成を行い、保護層97として、第一の複合金属酸化物膜を形成した。保護層の平均膜厚は、135nmであった。
次に、層間絶縁層98を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機無機複合材料(ADEKAナノハイブリッドシリコーンFXシリーズ、ADEKA社製)をスピンコートにより前記保護層97上に塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、150℃で1時間、200℃で1時間のポストベークをした。
最後に、後工程の加熱処理として、230℃で1時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。層間絶縁層の平均膜厚は、約1,500nmであった。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ランタントルエン溶液(La含量7%、Wako 122−03371、株式会社ワコーケミカル製)1.14mLと、2−エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液(Mg含量3%、Strem 12−1260、Strem Chemicals製)0.01mLと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.15mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−1に示す組成となる。
トルエン1mLに、スカンジウム(III)トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘブタンジオナート)水和物(SIGMA−ALDRICH 517607、SIGMA−ALDRICH製)0.17gと、2−エチルヘキサン酸イットリウム(Strem 39−2400、Strem Chemicals製)0.11gと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.09mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−1に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ガドリニウムトルエン溶液(Gd含量25%、Strem 64−3500、Strem Chemicals製)0.26mLと、2−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液(Ba含量8%、Wako 021−09471、株式会社ワコーケミカル製)0.36mLを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−1に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ランタントルエン溶液(La含量7%、Wako 122−03371、株式会社ワコーケミカル製)1.10mLと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.30mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−1に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ネオジム2−エチルヘキサン酸溶液(Nd含量12%、Strem 60−2400、Strem Chemicals製)0.26mLと、イッテルビウムアセチルアセトナート三水和物(Strem 70−2202、Strem Chemicals製)0.15gと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.29mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.01mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−1に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ガドリニウムトルエン溶液(Gd含量25%、Strem 64−3500、Strem Chemicals製)0.30mLと、2−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液(Ba含量8%、Wako 021−09471、株式会社ワコーケミカル製)0.26mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−1に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、ジスプロシウムアセチルアセトナート三水和物(Strem 66−2002、Strem Chemicals製)0.23gと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.03mLと、2−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液(Ba含量8%、Wako 021−09471、株式会社ワコーケミカル製)0.05mLと、2−エチルヘキサン酸ハフニウム2−エチルヘキサン酸溶液(Gelest AKH332、Gelest製)0.05mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−1に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸イットリウム(Strem 39−2400、Strem Chemicals製)0.30gと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.19mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−1に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ランタントルエン溶液(La含量7%、Wako 122−03371、株式会社ワコーケミカル製)1.11mLと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.02mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.03mLと、2−エチルヘキサン酸ハフニウム2−エチルヘキサン酸溶液(Gelest AKH332、Gelest製)0.01mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−2に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ユウロピウム(Strem 93−6311、Strem Chemicals製)0.29gと、2−エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液(Mg含量3%、Strem 12−1260、Strem Chemicals製)0.08mLと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.03mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−2に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、スカンジウム(III)トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘブタンジオナート)水和物(SIGMA−ALDRICH 517607、SIGMA−ALDRICH製)0.32gと、2−エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液(Mg含量3%、Strem 12−1260、Strem Chemicals製)0.06mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.02mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−2に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ガドリニウムトルエン溶液(Gd含量25%、Strem 64−3500、Strem Chemicals製)0.19mLと、イッテルビウムアセチルアセトナート三水和物(Strem 70−2202、Strem Chemicals製)0.09gと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.55mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−2に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸イットリウム(Strem 39−2400、Strem Chemicals製)0.23gと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.82mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−2に示す組成となる。
トルエン1mLに、サマリウムアセチルアセトナート三水和物(Strem 93−6226、Strem Chemicals製)0.21gと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.04mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.09mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−2に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、イッテルビウムアセチルアセトナート三水和物(Strem 70−2202、Strem Chemicals製)0.23gと、2−エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液(Mg含量3%、Strem 12−1260、Strem Chemicals製)0.08mLと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.03mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−2に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ランタントルエン溶液(La含量7%、Wako 122−03371、株式会社ワコーケミカル製)1.06mLと、2−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液(Ba含量8%、Wako 021−09471、株式会社ワコーケミカル製)0.06mLと、2−エチルヘキサン酸ハフニウム2−エチルヘキサン酸溶液(Gelest AKH332、Gelest製)0.04mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−2に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ネオジム2−エチルヘキサン酸溶液(Nd含量12%、Strem 60−2400、Strem Chemicals製)0.40mLと、ジスプロシウムアセチルアセトナート三水和物(Strem 66−2002、Strem Chemicals製)0.09gと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.46mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−2に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ガドリニウムトルエン溶液(Gd含量25%、Strem 64−3500、Strem Chemicals製)0.32mLと、2−エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液(Mg含量3%、Strem 12−1260、Strem Chemicals製)0.01mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.06mLと、2−エチルヘキサン酸ハフニウム2−エチルヘキサン酸溶液(Gelest AKH332、Gelest製)0.02mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−2に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、スカンジウム(III)トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘブタンジオナート)水和物(SIGMA−ALDRICH 517607、SIGMA−ALDRICH製)0.23gと、2−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液(Ba含量8%、Wako 021−09471、株式会社ワコーケミカル製)0.40mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−3に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ユウロピウム(Strem 93−6311、Strem Chemicals製)0.33gと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.02mLと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.16mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−3に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ランタントルエン溶液(La含量7%、Wako 122−03371、株式会社ワコーケミカル製)0.99mLと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.27mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.05mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−3に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ランタントルエン溶液(La含量7%、Wako 122−03371、株式会社ワコーケミカル製)0.99mLと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.27mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.05mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−3に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ランタントルエン溶液(La含量7%、Wako 122−03371、株式会社ワコーケミカル製)1.02mLと、2−エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液(Mg含量3%、Strem 12−1260、Strem Chemicals製)0.03mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.03mLと、2−エチルヘキサン酸ハフニウム2−エチルヘキサン酸溶液(Gelest AKH332、Gelest製)0.03mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−3に示す組成となる。
トルエン1mLに、スカンジウム(III)トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘブタンジオナート)水和物(SIGMA−ALDRICH 517607、SIGMA−ALDRICH製)0.22gと、2−エチルヘキサン酸イットリウム(Strem 39−2400、Strem Chemicals製)0.08gと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.03mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.05mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−3に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ネオジム2−エチルヘキサン酸溶液(Nd含量12%、Strem 60−2400、Strem Chemicals製)0.46mLと、ジスプロシウムアセチルアセトナート三水和物(Strem 66−2002、Strem Chemicals製)0.08gと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.02mLと、2−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液(Ba含量8%、Wako 021−09471、株式会社ワコーケミカル製0.01mLと、2−エチルヘキサン酸ハフニウム2−エチルヘキサン酸溶液(Gelest AKH332、Gelest製)0.02mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−3に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ユウロピウム(Strem 93−6311、Strem Chemicals製)0.24gと、2−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液(Ba含量8%、Wako 021−09471、株式会社ワコーケミカル製)0.07mLと、2−エチルヘキサン酸ハフニウム2−エチルヘキサン酸溶液(Gelest AKH332、Gelest製)0.12mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−3に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
−保護層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸イットリウム(Strem 39−2400、Strem Chemicals製)0.29gと、2−エチルヘキサン酸カルシウム2−エチルヘキサン酸溶液(Ca含量3%−8%、Alfa36657、Alfa Aesar製)0.03mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.02mLとを混合し、保護層形成用塗布液を得た。前記保護層形成用塗布液によって形成される第一の複合金属酸化物は、表1−3に示す組成となる。
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ランタントルエン溶液(La含量7%、Wako 122−03371、株式会社ワコーケミカル製)1.04mLと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液(Sr含量2%、Wako 195−09561、株式会社ワコーケミカル製)0.09mLと、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液(Zr含量12%、Wako 269−01116、株式会社ワコーケミカル製)0.03mLと、2−エチルヘキサン酸ハフニウム2−エチルヘキサン酸溶液(Gelest AKH332、Gelest製)0.03mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表1−3に示す組成となる。
<電界効果型トランジスタの作製>
まず、実施例1と同様の方法で、ガラス基板上に、ゲート電極を作製した。
次に、SiO2をターゲット材料として、酸素、アルゴン、窒素を導入した雰囲気において、RFスパッタ法により、前記基板及びゲート電極上に、ゲート絶縁層としてSiON層を形成した。このように形成されたゲート絶縁層の平均膜厚は、約300nmであった。
次に、SiO2をターゲット材料として、酸素、アルゴン、窒素を導入した雰囲気において、RFスパッタ法により、前記基板上に、保護層としてSiON層を形成した。このように形成された保護層の平均膜厚は、約300nmであった。
最後に、実施例1と同様の方法で、保護層上に層間絶縁層を形成し、後工程の熱処理を行い、電界効果型トランジスタを完成させた。
<電界効果型トランジスタの作製>
−ゲート絶縁層形成用塗布液の作製−
トルエン1mLに、2−エチルヘキサン酸ユウロピウム(Strem 93−6311、Strem Chemicals製)0.32gと、2−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液(Ba含量8%、Wako 021−09471、株式会社ワコーケミカル製)0.12mLとを混合し、ゲート絶縁層形成用塗布液を得た。前記ゲート絶縁層形成用塗布液によって形成される第二の複合金属酸化物は、表2に示す組成となる。
次に、作製したゲート絶縁層形成用塗布液を用い、実施例1と同様の方法で、ゲート絶縁層を形成した。
次に、SiO2をターゲット材料として、酸素、アルゴン、窒素を導入した雰囲気において、RFスパッタ法により、前記基板上に、保護層としてSiON層を形成した。このように形成された保護層の平均膜厚は、約300nmであった。
最後に、実施例1と同様の方法で、保護層上に層間絶縁層を形成し、後工程の熱処理を行い、電界効果型トランジスタを完成させた。
実施例1〜15、及び比較例1、2で作製した電界効果型トランジスタに対して、保護層形成前後でのトランジスタ特性を評価した。トランジスタ特性は、ドレイン電極95−ソース電極94間電圧(Vds)=+10Vとした場合の、ゲート電極92−ソース電極間電圧(Vgs)とドレイン電極95−ソース電極94間電流(Ids)との関係(Vgs−Ids)を測定した。
また、トランジスタ特性(Vgs−Ids)の評価結果より、飽和領域における電界効果移動度を算出した。また、トランジスタのオン状態(例えばVgs=+10V)とオフ状態(例えばVgs=−10V)のIdsの比(on/off比、オン/オフ比)を算出した。また、Vgs印加に対するIdsの立ち上がりの鋭さの指標として、S値を算出した。また、Vgs印加に対するIdsの立ち上がりの電圧値として、閾値電圧(Vth)を算出した。
ここで、図11、12、13、及び14のグラフの縦軸、並びに図14のグラフの横軸及び縦軸における、「e」は、10のべき乗を表す。例えば、「1e−3」は、「1.0×10−3」及び「0.001」を表し、「1e+05」は「1.0×10+5」及び「100,000」を表す。
図11及び表3より、実施例12で作製した電界効果型トランジスタは、保護層形成前に優れたトランジスタ特性を示し、かつ、保護層形成後もその状態が維持されることがわかる。同様に、表3より、実施例1〜15で作製した電界効果型トランジスタは、いずれも、保護層形成前に優れたトランジスタ特性を示し、かつ、保護層形成後もその状態が維持されることがわかる。
一方、図12及び表3より、比較例1で作製した電界効果型トランジスタは、保護層形成前のトランジスタ特性が、実施例1〜15と比較して悪いことがわかる。また、比較例2で作製した電界効果型トランジスタは、保護層形成前のトランジスタ特性は良いが、保護層形成によりトランジスタ特性が劣化していることがわかる。
実施例1〜15、及び比較例1、2で作製した電界効果型トランジスタに対し、大気中(温度50℃、相対湿度50%)でBTS(Bias Temperature Stress)試験を100時間実施した。
ストレス条件は以下の4条件とした。
(1)Vgs=+10V、及びVds=0V
(2)Vgs=+10V、及びVds=+10V
(3)Vgs=−10V、及びVds=0V
(4)Vgs=−10V、及びVds=+10V
また、BTS試験が一定時間経過するごとに、Vds=+10Vとした場合の、VgsとIdsとの関係(Vgs−Ids)を測定した。
図13、図14、及び表4より、実施例12で作製した電界効果型トランジスタは、ΔVthシフトが小さく、BTS試験に対する優れた信頼性を示すことが確認できた。同様に、表4より、実施例1〜15で作製した電界効果型トランジスタは、いずれも、ΔVthシフトが小さく、BTS試験に対する優れた信頼性を示すことが確認できた。
一方、図14、及び表4より、比較例1で作製した電界効果型トランジスタは、ΔVthシフトが大きく、BTS試験に対する信頼性が不十分であった。同様に表4より、比較例2で作製した電界効果型トランジスタは、ΔVthシフトが大きく、BTS試験に対する信頼性が不十分であった。
<1>基材と、
保護層と、
前記基材、及び前記保護層の間に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層と接するように形成されたソース電極、及びドレイン電極と、
少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成され、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する半導体層と、
前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向するゲート電極とを有し、
前記保護層が、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第一の複合金属酸化物を含有し、
前記ゲート絶縁層が、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第二の複合金属酸化物を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタである。
<2>第一の複合金属酸化物が、Zr及びHfの少なくともいずれかを含有する前記<1>に記載の電界効果型トランジスタである。
<3>第二の複合金属酸化物が、Zr及びHfの少なくともいずれかを含有する前記<1>から<2>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
<4>半導体層が、酸化物半導体である前記<1>から<3>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
<5>駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
前記<1>から<4>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを有し、かつ前記光制御素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示素子である。
<6>光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する前記<5>に記載の表示素子である。
<7>画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の前記<5>から<6>のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置とを有することを特徴とする画像表示装置である。
<8>前記<7>に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置とを有することを特徴とするシステムである。
12 電界効果型トランジスタ
13 キャパシタ
14 電界効果型トランジスタ
15 キャパシタ
16 対向電極
21 基材
22 ゲート電極
23 ゲート絶縁層
24 ソース電極
25 ドレイン電極
26 酸化物半導体層
27 保護層
31 基材
32 第Iのゲート電極
33 第IIのゲート電極
34 ゲート絶縁層
35 第Iのソース電極
36 第IIのソース電極
37 第Iのドレイン電極
38 第IIのドレイン電極
39 第Iの酸化物半導体層
40 第IIの酸化物半導体層
41 第Iの保護層
42 第IIの保護層
43 層間絶縁層
44 有機EL層
45 陰極
91 基材
92 ゲート電極
93 ゲート絶縁層
94 ソース電極
95 ドレイン電極
96 酸化物半導体層
97 保護層
98 層間絶縁層
302、302’ 表示素子
310 ディスプレイ
312 陰極
314 陽極
320、320’ ドライブ回路(駆動回路)
340 有機EL薄膜層
342 電子輸送層
344 発光層
346 正孔輸送層
350 有機EL素子
370 液晶素子
372 対向電極
400 表示制御装置
402 画像データ処理回路
404 走査線駆動回路
406 データ線駆動回路
Claims (8)
- 基材と、
保護層と、
前記基材、及び前記保護層の間に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層と接するように形成されたソース電極、及びドレイン電極と、
少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成され、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する半導体層と、
前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向するゲート電極とを有し、
前記保護層が、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第一の複合金属酸化物を含有し、
前記ゲート絶縁層が、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第二の複合金属酸化物を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 第一の複合金属酸化物が、Zr及びHfの少なくともいずれかを含有する請求項1に記載の電界効果型トランジスタ。
- 第二の複合金属酸化物が、Zr及びHfの少なくともいずれかを含有する請求項1から2のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
- 半導体層が、酸化物半導体である請求項1から3のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
- 駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
請求項1から4のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを有し、かつ前記光制御素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示素子。 - 光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する請求項5に記載の表示素子。
- 画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の請求項5から6のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置とを有することを特徴とする画像表示装置。 - 請求項7に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置とを有することを特徴とするシステム。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015140568A JP6582655B2 (ja) | 2015-07-14 | 2015-07-14 | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
US15/205,355 US20170018650A1 (en) | 2015-07-14 | 2016-07-08 | Field-effect transistor, display element, image display device, and system |
TW107135437A TWI677988B (zh) | 2015-07-14 | 2016-07-12 | 場效電晶體、顯示元件、影像顯示裝置及系統 |
TW105121934A TWI677987B (zh) | 2015-07-14 | 2016-07-12 | 場效電晶體、顯示元件、影像顯示裝置及系統 |
EP16179228.8A EP3118900B1 (en) | 2015-07-14 | 2016-07-13 | Field-effect transistor, display element, image display device, and system |
CN201610552716.1A CN106356406A (zh) | 2015-07-14 | 2016-07-14 | 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和*** |
SG10201605788RA SG10201605788RA (en) | 2015-07-14 | 2016-07-14 | Field-effect transistor, display element, image display device, and system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015140568A JP6582655B2 (ja) | 2015-07-14 | 2015-07-14 | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017022315A true JP2017022315A (ja) | 2017-01-26 |
JP6582655B2 JP6582655B2 (ja) | 2019-10-02 |
Family
ID=56853452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015140568A Active JP6582655B2 (ja) | 2015-07-14 | 2015-07-14 | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170018650A1 (ja) |
EP (1) | EP3118900B1 (ja) |
JP (1) | JP6582655B2 (ja) |
CN (1) | CN106356406A (ja) |
SG (1) | SG10201605788RA (ja) |
TW (2) | TWI677987B (ja) |
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JP6607013B2 (ja) | 2015-12-08 | 2019-11-20 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
JP2018022879A (ja) | 2016-07-20 | 2018-02-08 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、及びその製造方法、並びに表示素子、画像表示装置、及びシステム |
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- 2016-07-08 US US15/205,355 patent/US20170018650A1/en not_active Abandoned
- 2016-07-12 TW TW105121934A patent/TWI677987B/zh active
- 2016-07-12 TW TW107135437A patent/TWI677988B/zh active
- 2016-07-13 EP EP16179228.8A patent/EP3118900B1/en active Active
- 2016-07-14 CN CN201610552716.1A patent/CN106356406A/zh active Pending
- 2016-07-14 SG SG10201605788RA patent/SG10201605788RA/en unknown
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JP7305933B2 (ja) | 2018-07-23 | 2023-07-11 | 株式会社リコー | 金属酸化物膜形成用塗布液、酸化物絶縁体膜、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3118900B1 (en) | 2020-01-01 |
CN106356406A (zh) | 2017-01-25 |
US20170018650A1 (en) | 2017-01-19 |
TWI677987B (zh) | 2019-11-21 |
SG10201605788RA (en) | 2017-02-27 |
EP3118900A1 (en) | 2017-01-18 |
TW201906170A (zh) | 2019-02-01 |
TW201703259A (zh) | 2017-01-16 |
JP6582655B2 (ja) | 2019-10-02 |
TWI677988B (zh) | 2019-11-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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