JP2017003903A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 液晶層中のイオンによる表示品位の低下を防止する。
【解決手段】 一実施形態に係る液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶層とを備える。上記第1基板は、第1副画素と、第2副画素と、上記第1副画素及び上記第2副画素の間で互いに間隔を空けて延びる第1配線及び第2配線と、最外層に位置する第1配向膜とを備える。上記第2基板は、上記第1配向膜と対向する第2配向膜を備える。上記液晶層は、上記第1配向膜及び上記第2配向膜の間に保持される。さらに、上記第1基板は、上記第1配線及び上記第2配線の間に、上記第1配向膜の表面が窪んだ溝部を有し、この溝部の内部が上記液晶層で満たされている。
【選択図】 図6
【解決手段】 一実施形態に係る液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶層とを備える。上記第1基板は、第1副画素と、第2副画素と、上記第1副画素及び上記第2副画素の間で互いに間隔を空けて延びる第1配線及び第2配線と、最外層に位置する第1配向膜とを備える。上記第2基板は、上記第1配向膜と対向する第2配向膜を備える。上記液晶層は、上記第1配向膜及び上記第2配向膜の間に保持される。さらに、上記第1基板は、上記第1配線及び上記第2配線の間に、上記第1配向膜の表面が窪んだ溝部を有し、この溝部の内部が上記液晶層で満たされている。
【選択図】 図6
Description
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
液晶表示装置は、一般に、スイッチング素子や画素電極が形成されたアレイ基板と、このアレイ基板と対向する対向基板と、アレイ基板及び対向基板の間に配置された液晶層とを備える。
液晶表示装置の液晶層には、アレイ基板や対向基板に含まれる要素やアレイ基板及び対向基板の貼り合せ部分などから侵入した不純物に起因したイオンが存在する。このイオンは、例えば液晶表示装置の駆動に応じて液晶層中を移動する。
液晶層においてイオンの密度が局所的に高まると、この部分において液晶層に印加される実行電圧が低下し得る。これに応じて、当該部分の輝度が低下し、表示画像において黒ムラなどの影響が現れることがある。
本発明が解決しようとする課題は、液晶表示装置において液晶層中のイオンによる表示品位の低下を防止することである。
一実施形態に係る液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶層とを備える。上記第1基板は、第1副画素と、第2副画素と、上記第1副画素及び上記第2副画素の間で互いに間隔を空けて延びる第1配線及び第2配線と、最外層に位置する第1配向膜とを備える。上記第2基板は、上記第1配向膜と対向する第2配向膜を備える。上記液晶層は、上記第1配向膜及び上記第2配向膜の間に保持される。さらに、上記第1基板は、上記第1配線及び上記第2配線の間に、上記第1配向膜の表面が窪んだ溝部を有し、この溝部の内部が上記液晶層で満たされている。
一実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
各実施形態においては、液晶表示装置の一例として、透過型の液晶表示装置を開示する。このような液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。なお、各実施形態にて開示する主要な構成は、反射型の液晶表示装置や、透過型及び反射型の双方の機能を備えた液晶表示装置などにも適用できる。
図1は、本実施形態の液晶表示装置DSPの概略的な構成を示す図である。液晶表示装置DSPは、アクティブマトリクスタイプの透過型の液晶表示パネルPNLを備えている。液晶表示パネルPNLは、第1基板であるアレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向して配置された第2基板である対向基板CTと、アレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LCとを備えている。
アレイ基板AR及び対向基板CTは、例えば矩形平板状に形成されている。図1の例において、アレイ基板AR及び対向基板CTは、第1方向Xに延びる短辺と、第1方向Xと垂直に交わる第2方向Yに沿う長辺とを有する長方形状であり、第1方向X及び第2方向Yの双方と垂直に交わる第3方向Zに重ねられている。
液晶表示パネルPNLは、表示領域DAを有している、表示領域DAには、第1方向X及び第2方向Yに沿ってマトリクス状に並ぶ多数の主画素PXが配置されている。
アレイ基板ARは、第1方向Xに延びるとともに第2方向Yに略等間隔で並ぶ複数の走査線Gと、第2方向Yに延びるとともに第1方向Xに並ぶ複数の信号線Sとを備えている。走査線G及び信号線Sは、直線状に延びている必要はなく、屈曲或いは湾曲しながら延びても良い。走査線G及び信号線Sは、アレイ基板ARに形成される「配線」の一例である。走査線Gは、ゲート線と呼ばれることがある。また、信号線Sは、ソース線と呼ばれることがある。
図1の例において、液晶表示パネルPNLは、2つの走査線ドライバGD1,GD2と、2つの信号線ドライバSD1,SD2とを備えている。これら走査線ドライバGD1,GD2及び信号線ドライバSD1,SD2は、例えばアレイ基板ARに形成されている。例えば、複数の走査線Gのうちいずれか一方の端部から奇数番目の走査線Gは走査線ドライバGD1に接続され、偶数番目の走査線Gは走査線ドライバGD2に接続されている。また、例えば、複数の信号線Sのうちいずれか一方の端部から奇数番目の信号線Sは信号線ドライバSD1に接続され、偶数番目の信号線Sは信号線ドライバSD2に接続されている。液晶表示パネルPNLが1つの走査線ドライバのみを備え、全ての走査線Gがこの走査線ドライバに接続されても良い。同様に、液晶表示パネルPNLが1つの信号線ドライバのみを備え、全ての信号線Sがこの信号線ドライバに接続されても良い。
走査線ドライバGD1,GD2及び信号線ドライバSD1,SD2は、これらドライバを制御する表示回路モジュールICに接続されている。図1の例においては、アレイ基板ARが対向基板CTに対してXY平面におけるサイズが大きく、これによりアレイ基板AR上に生じる対向基板CTとの非対向領域NCに表示回路モジュールICが実装されている。この非対向領域NCには、外部接続用の端子部なども設けられる。表示回路モジュールICは、上記端子部に接続されるフレキシブル配線基板や、液晶表示装置DSPが搭載される機器の制御基板などに実装されても良い。
図1においては、表示領域DAに主画素PXの概略的な等価回路を表している。主画素PXは、6つの副画素SP1〜SP6を備えている。副画素SP1〜SP6は、例えば赤、緑、青、白といった異なる色に対応している。副画素SP1〜SP6の一部が同一の色に対応しても良い。
図示した副画素SP1〜SP6は、第2方向Yに連続する3本の走査線G(G1〜G3)と、第1方向Xに連続する3本の信号線S(S1〜S3)とで規定される領域に相当する。すなわち、副画素SP1は走査線G1,G2及び信号線S1,S2にて規定される領域の約半分に相当し、副画素SP2は当該領域の残りの約半分に相当し、副画素SP3は走査線G1,G2及び信号線S2,S3にて規定される領域に相当し、副画素SP4は走査線G2,G3及び信号線S1,S2にて規定される領域の約半分に相当し、副画素SP5は当該領域の残りの約半分に相当し、副画素SP6は走査線G2,G3及び信号線S2,S3にて規定される領域に相当する。
副画素SP1は、走査線G1及び信号線S2と電気的に接続されたスイッチング素子SW1と、このスイッチング素子SW1と電気的に接続された画素電極PE1とを備えている。副画素SP2は、走査線G2及び信号線S1と電気的に接続されたスイッチング素子SW2と、このスイッチング素子SW2と電気的に接続された画素電極PE2とを備えている。副画素SP3は、走査線G2及び信号線S3と電気的に接続されたスイッチング素子SW3と、このスイッチング素子SW3と電気的に接続された画素電極PE3とを備えている。副画素PX4は、走査線G2及び信号線S2と電気的に接続されたスイッチング素子SW4と、このスイッチング素子SW4と電気的に接続された画素電極PE4とを備えている。副画素SP5は、走査線G3及び信号線S1と電気的に接続されたスイッチング素子SW5と、このスイッチング素子SW5と電気的に接続された画素電極PE5とを備えている。副画素SP6は、走査線G3及び信号線S3と電気的に接続されたスイッチング素子SW6と、このスイッチング素子SW6と電気的に接続された画素電極PE6とを備えている。但し、各副画素SPのスイッチング素子SW(SW1〜SW6)と走査線G及び信号線Sとの接続関係は、図1に示すものに限られない。スイッチング素子SWは、抵抗等の電気的特性が切り替わる素子であって、代表例は電界効果トランジスタに代表される薄膜トランジスタである。
例えば、各画素電極PE(PE〜PE6)は、共通電極CEと対向している。共通電極CEは、例えば複数の主画素PXに亘って設けられ、コモン電圧を供給する給電部VSと電気的に接続されている。
走査線ドライバGD1,GD2は、各走査線Gに対して走査信号を順次供給する。信号線ドライバSD1,SD2は、各信号線Sに対して画像信号を選択的に供給する。スイッチング素子SWに走査信号及び画像信号の双方が入力されると、このスイッチング素子SWに接続された画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が生じ、この電界によってアレイ基板AR及び対向基板CTの間に保持された液晶層LCの液晶分子の配向が変わる。このようにして、各主画素PXの各副画素SPを選択的に駆動することにより、液晶表示パネルPNLを透過するバックライトなどからの光を用いて、表示領域DAにカラー画像を表示することができる。
第2方向Yに隣り合う2つの主画素PXの間においては、例えば図1に示す信号線S3,S4のように、2本の信号線Sが副画素SPを介すことなく隣り合う。これら2本の信号線Sの間に形成される間隔は、副画素SPを介して隣り合う2本の信号線Sの間に形成される間隔よりも小さい。
液晶表示装置DSPの駆動に際しては、隣り合う信号線Sに電位差が生じるように、各信号線Sに電圧が印加される。例えば、信号線ドライバSD1から当該ドライバSD1に接続された各信号線Sに供給される信号の電圧を第1電圧、信号線ドライバSD2から当該ドライバSD2に接続された各信号線Sに供給される信号の電圧を第2電圧とすると、第1電圧及び第2電圧を異ならせる。
一例として、第1電圧及び第2電圧は、極性が互いに異なる。さらに、第1電圧及び第2電圧は、表示領域DAに表示される1フレームの画像毎に極性が反転される。具体例を挙げると、第1フレームにおいては第1電圧が−5Vかつ第2電圧が+5Vであり、第1フレームに続く第2フレームにおいては第1電圧が+5Vかつ第2電圧が−5Vである。
図2は、主画素PXのレイアウトの一例を概略的に示す図である。ここでは、第1方向Xに並ぶ2つの主画素PX(PX1,PX2)の要素の一部と、その周辺に配置される要素の一部とを示している。
図2の例においては、3本の走査線G1〜G3と、7本の信号線S1〜S7とを示しており、走査線G1〜G3は第1方向Xに沿って直線状に延び、信号線S1〜S7は屈曲しながら第2方向Yに延びている。
主画素PX1の副画素SP1〜SP6と走査線G1〜G3及び信号線S1〜S3との関係、及び、主画素PX1のスイッチング素子SW1〜SW6と走査線G1〜G3及び信号線S1〜S3との接続関係は、図1にて説明した主画素PXの場合と同様である。また、主画素PX2の副画素SP1〜SP6と走査線G1〜G3及び信号線S4〜S6との関係は、主画素PX1の副画素SP1〜SP6と走査線G1〜G3及び信号線S1〜S3との関係と同様である。信号線S6,S7は、信号線S3,S4と同じく、副画素SPを介すことなく隣り合っている。
図2のレイアウトにおいては、副画素SPを介さずに隣り合う2本の信号線Sの両隣に配置された第1乃至第3副画素に着目すると、第1副画素と第2副画素、及び、第1副画素と第3副画素がそれぞれ第1方向Xに並び、第2副画素と第3副画素が第2方向Yに並び、且つ、2本の信号線S及び溝部GRが第1副画素と第2副画素及び第3副画素との間で延びている。第1乃至第3副画素は、例えば、主画素PX1の副画素SP3、主画素PX2の副画素SP1及び副画素SP2、或いは、主画素PX1の副画素SP6、主画素PX2の副画素SP4,SP5などが該当する。
走査線G1〜G3、信号線S1〜S7、及び主画素PX1,PX2のスイッチング素子SW1〜SW6は、XY平面において、対向基板CTに形成された遮光層BM(破線で端部形状を示す)と重なっている。遮光層BMは、副画素SP1,SP2の境界、及び、副画素SP4,SP5の境界にも延びている。このような遮光層BMは、各副画素SP1〜SP6に対応した開口領域AP1〜AP6を形成する。例えば、開口領域AP1,AP2,AP4,AP5の面積はいずれも略等しい。また、開口領域AP3,AP6の面積は略等しく、且つ開口領域AP1,AP2,AP4,AP5の面積の約2倍である。
各開口領域AP1〜AP6には、画素電極PE1〜PE6が配置されている。液晶表示パネルPNLのモードとして、アレイ基板ARに画素電極PE1〜PE6及び共通電極CEが設けられるIPS(In-Plane Switching)モード、更にはこのIPSモードのなかでも画素電極PE1〜PE6及び共通電極CEが絶縁層を介して対向するFFS(Fringe Field Switching)モードを採用する場合には、画素電極PE1〜PE6或いは共通電極CEがそれぞれ1又は複数のスリットを有しても良い。
例えば主画素PX1においては、副画素SP1,SP4は緑色に対応し、副画素SP2,SP5は赤色に対応し、副画素SP3は青色に対応し、副画素SP6は白色に対応する。一方で、主画素PX2においては、副画素SP1,SP4は緑色に対応し、副画素SP2,SP5は赤色に対応し、副画素SP3は白色に対応し、副画素SP6は青色に対応する。但し、副画素SP1〜SP6と色の対応関係はここで述べたものに限定されない。主画素PX1,PX2は、第2方向Yにおいて連続して配置される。一方で、主画素PX1,PX2は、第1方向Xにおいて交互に配置される。
アレイ基板ARの液晶層LC側の面には、溝部GRが形成されている。この溝部GRは、信号線S3,S4の間及び信号線S6,S7の間のように、副画素SPを介さずに隣り合う2本の信号線Sの間に形成され、信号線Sに沿って延びている。図2の例において、溝部GRは、走査線G1〜G3と交差して延びている。溝部GRは、走査線Gと交差しないように、走査線Gの近傍で途切れても良い。この場合には、副画素SPを介さずに隣り合う2本の信号線Sと、隣り合う2本の走査線Gとで囲われる領域ごとに溝部GRが存在することとなる。或いは、溝部GRは、隣り合う2本の走査線Gの間で複数に分断されるなど、他の態様で設けられても良い。
図3は、液晶表示パネルPNLの断面の一例を概略的に示す図である。ここでは、主に1つの副画素SPに関する構造を示しており、この構造は副画素SP1〜SP6のいずれにおいても共通する。
アレイ基板ARは、上述したスイッチング素子SW及び画素電極PEに加え、第1絶縁基板10と、アンダーコート層11と、第1絶縁層12と、第2絶縁層13と、第3絶縁層14と、第4絶縁層15と、第1配向膜16とを備えている。さらに、図3に示す構造は、FFSモードに適用可能なものであり、アレイ基板ARが共通電極CEを備えている。スイッチング素子SWは、半導体層SCと、第1電極E1と、第2電極E2と、第3電極E3とを備えている。一例として、第1電極E1、第2電極E2、及び第3電極E3は、それぞれゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極(或いは中継電極)などと呼ぶこともできる。
第1絶縁基板10は、例えばガラス基板或いは樹脂基板であり、第1主面10aと、第1主面10aの反対側の第2主面10bとを有している。アンダーコート層11は、第1絶縁基板10の第1主面10aを覆っている。
半導体層SCは、例えばポリシリコンであって、アンダーコート層11の上に形成されている。半導体層SC及びアンダーコート層11は、第1絶縁層12によって覆われている。第1絶縁層12の上には、第1電極E1が配置されている。走査線Gも第1絶縁層12の上に配置される。一例として、第1電極E1は、走査線Gの一部である。第1電極E1(走査線G)及び第1絶縁層12は、第2絶縁層13によって覆われている。
第2絶縁層13の上には、第2電極E2及び第3電極E3が配置されている。信号線Sも第2絶縁層13の上に配置される。一例として、第2電極E2は、信号線Sの一部である。第2電極E2及び第3電極E3は、半導体層SCに接触している。このような構造のスイッチング素子SWは、シングルゲート型かつトップゲート型の薄膜トランジスタである。但し、スイッチング素子SWは、例えばダブルゲート型の薄膜トランジスタやボトムゲート型の薄膜トランジスタなど、他種のスイッチング素子であっても良い。
第2電極E2(信号線S)、第3電極E3、及び第2絶縁層13は、例えば有機樹脂材料で形成された第3絶縁層14によって覆われている。第3絶縁層14は、スイッチング素子SWと共通電極CE及び画素電極PEとの間に介在し、スイッチング素子SWによる凹凸を平坦化する有機平坦化膜として機能する。
第3絶縁層14の上には共通電極CEが配置されている。共通電極CEは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)などの透明な導電材料によって形成されている。図3の例においては、共通電極CEの上に金属配線17が配置されている。この金属配線17は、ITOなどで形成された共通電極CEの抵抗を下げる役割を担う。表示領域DAに接触或いは近接する物体を検出するセンサ機能を液晶表示装置DSPに持たせる場合において、共通電極CEは、物体を検出するための電極の一つとして利用されることがある。このような場合においては、金属配線17を設けることで検出能を向上できる。
共通電極CE及び金属配線17は、第4絶縁層15によって覆われている。第4絶縁層15の上には、画素電極PEが形成されている。第4絶縁層15は、共通電極CE及び画素電極PEの間に配置された層間絶縁膜として機能する。画素電極PEは、第3絶縁層14及び第4絶縁層15を貫通するコンタクトホールCHを通じて第3電極E3と電気的に接触している。このコンタクトホールCHの位置においては共通電極CEが開口している。図3の例において、画素電極PEは、複数のスリットSLを有している。
画素電極PE及び第4絶縁層15は、第1配向膜16によって覆われている。第1配向膜16は、光配向法やラビング配向法によって配向能が付与されており、アレイ基板ARの対向基板CT側の面における最外層に位置している。
一方で、対向基板CTは、第2絶縁基板20と、カラーフィルタ層21と、オーバーコート層22と、第2配向膜23と、上述の遮光層BMとを備えている。第2絶縁基板20は、例えばガラス基板或いは樹脂基板であり、第1主面20aと、第1主面20aの反対側の第2主面20bとを有している。第1主面20aは、カラーフィルタ層21及び遮光層BMによって覆われている。カラーフィルタ層21は、副画素SP1〜SP6に対応する位置に配置された複数のカラーフィルタを含む。各カラーフィルタは、副画素SPに対応した色に着色されている。白色の副画素SPに対応しては、例えば透明なカラーフィルタが配置されるが、この副画素SPについてカラーフィルタを設けないようにしても良い。
オーバーコート層22は、カラーフィルタ層21を覆い、カラーフィルタの境界などで生じる凹凸を平坦化する。オーバーコート層22は、第2配向膜23によって覆われている。第2配向膜23は、光配向法やラビング配向法によって配向能が付与されており、対向基板CTのアレイ基板AR側の面における最外層に位置している。
アレイ基板AR及び対向基板CTは、縁部に沿って配置されたシール材によって貼り合わされ、第1配向膜16及び第2配向膜23の間に液晶分子を含む液晶層LCを保持している。
第1絶縁基板10の第2主面10bには第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1が配置され、第2絶縁基板20の第2主面20bには第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2が配置されている。第1偏光板PL1の第1偏光軸(或いは第1吸収軸)と第2偏光板PL2の第2偏光軸(或いは第2吸収軸)とは、例えば互いに直交するクロスニコルの位置関係にある。
図4は、図2のIV−IV線に沿う液晶表示パネルPNLの断面の一例を概略的に示す図である。この断面は主画素PX1の副画素SP3と主画素PX2の副画素SP1とに亘るものであり、副画素SP3の画素電極PE3、副画素SP1の画素電極PE1、信号線S3,S4、及び信号線S3,S4の間に設けられた溝部GRなどが示されている。
信号線S3,S4の間において、第3絶縁層14は、開口部14aを有している。この開口部14aは、第3絶縁層14を貫通しており、図2に示した溝部GRの形状と同じく、信号線S3,S4に沿って長尺に延びている。
第4絶縁層15及び第1配向膜16は、この開口部14aにおいて第1絶縁基板10の側に窪み、これにより溝部GRが形成されている。溝部GRは、共通電極CEを貫通している。溝部GRの内部は、液晶層LCで満たされている。遮光層BMは、信号線S3,S4及び溝部GRと対向するように連続して延びている。
他の例として、図4の開口部14aに相当する位置で第3絶縁層14を完全には除去せずに、部分的に除去することで、第3方向Zにおける厚さを残した凹部を形成しても良い。この場合であっても、第4絶縁層15及び第1配向膜16が凹部の位置で窪むので、溝部GRを形成することができる。
一例として、第3絶縁層14の厚さは約3μmであり、信号線S3,S4の間隔は2〜3μmである。この場合において、溝部GRは、高さが3μm以下かつ幅が2〜3μm以下に形成される。
ここで、従来の液晶表示装置において生じ得る問題点につき、図5A〜図5Cを用いて説明する。これらの図には、本実施形態との比較例としての液晶表示装置DSPaと、この液晶表示装置DSPaのアレイ基板及び対向基板を貼り合せるシール材SMの位置と、表示領域DAaとを示している。シール材SMと表示領域DAaとの間には、表示に寄与しないが液晶層が存在する非表示領域NDAaが形成される。
図5Aに小円で示すように、液晶層中には多数のイオンが存在する。このイオンは、例えば、シール材SM近傍の隙間や配向膜を介して液晶層に侵入した不純物などに起因して生じた正のイオンである。このようなイオンは、例えば、表示領域DAaの外部にある配線によって生じる電界により、図5Aにおいて矢印で示すように、所定の方向に移動する。所定方向に移動するイオンは、図5Bに示すように、非表示領域NDAaに溜まっていく。これらのイオンが非表示領域NDAaに収まっている間は、表示領域DAaに表示される画像への影響は小さい。
やがて、図5Cに示すように、イオンが非表示領域NDAaに収まりきらなくなると、表示領域DAaに溢れ出る。溢れ出たイオンにより、表示領域DAaにおいて液晶層に印加される実行電圧が低下し、表示領域DAに表示される画像に黒ムラなどとしてその影響が現れる。
一方で、図2及び図4に示したように溝部GRを設けた場合には、イオンによる表示画像への影響を低減ないし防止することができる。図6は、この作用を説明するための図であって、溝部GR近辺の断面を概略的に示している。
液晶層LC中の複数の正のイオンを、円形に“+”を付して模式的に示している。これらイオンは、液晶表示装置DSPの駆動時において、表示領域DAの外の配線によって生じる電界などに起因したクーロン力により、所定の方向へ移動する。
上述したように、液晶表示装置DSPの駆動に際しては、隣り合う信号線Sに電位差が生じるように各信号線Sに電圧が印加される。すなわち、溝部GRの両側の信号線Sには電位差が生じているため、これら信号線Sの間にXY平面と平行な成分を有する電界E(横電界)が形成される。信号線Sに印加される電圧の極性が1フレーム毎に反転されると、この電界Eの向きも1フレーム毎に反転する。
溝部GRにはこのような電界Eが作用しており、これにより液晶層LC中のイオンの一部が溝部GRに導かれ、且つ電界Eの向きの変化によって溝部GR内に留められる。溝部GR及びその近辺は遮光層BMと対向する領域であるため、溝部GRに溜まったイオンが液晶層LCに印加される電圧を低下させた場合であっても、表示画像への影響は殆ど生じない。
さらに、溝部GRは、表示領域DAの各所、すなわち副画素SPを介さずに隣り合う2本の信号線Sの間にそれぞれ設けられているため、表示領域DAにおいてイオンを分散することができる。したがって、電圧低下などの影響が遮光層BMとの対向領域を越えるほどに、イオンが溝部GRに集中することはない。
発明者は、溝部GRを設けたことによる画素電極PE及び共通電極CEの間の電界への影響を検証した。図7A及び図8Aは、このシミュレーションのモデルを示す図である。図7Aのモデルは、スリットを有する2つの画素電極PEa,PEb、これら画素電極PEa,PEbに対向する共通電極CE、共通電極CEの上に配置された2本の金属配線17a,17b、及び、2本の信号線Sa,Sbを備えている。共通電極CEは一部が開口しており、この開口した部分の一方の側に画素電極PEa、金属配線17a及び信号線Saが配置され、他方の側に画素電極PEb、金属配線17b及び信号線Sbが配置されている。図8Aのモデルは、共通電極CEの開口部を通って信号線Sa,Sbの間に至る溝部GRが設けられ、この溝部GRの内部まで液晶層LCが延びている点で、図7Aのモデルと相違する。
これらのモデルにおいて、信号線Saに−5V、信号線Sbに+5Vの電圧をそれぞれ印加した場合の電界をシミュレートした。共通電極CEの電圧は0Vである。図7Aのモデルに関する結果を図7Bに示し、図8Aのモデルに関する結果を図8Bに示す。各図においては、正の等電位線を実線で示し、負の等電位線を破線で示している。
図7B及び図8Bのいずれにおいても、信号線Sa,Sbの間に信号線Sa側が負で信号線Sb側が正の電界が生じ、これらの等電位線の形状は略同様であった。また、図7B及び図8Bのいずれにおいても、信号線Saに接続された画素電極PEaと共通電極CEとの間に負の電界が生じるとともに、信号線Sbに接続された画素電極PEbと共通電極CEとの間に正の電界が生じ、これらの等電位線の形状は図7B及び図8Bにおいて略同様であった。
以上のシミュレーションから、溝部GRを設けた場合であっても、画素電極PEa,PEbと共通電極CEとの間に生じて液晶層LCに作用する電界が殆ど影響を受けず、液晶表示装置DSPが従前通りに動作することが判る。
以上、本発明の一実施形態を説明したが、この実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、副画素SPのレイアウトは図1及び図2に示した副画素SP1,SP2,SP4,SP5と副画素SP3,SP6のように、大きさの異なる副画素が並んだものに限られない。主画素PXは、同様の大きさの副画素によって構成されても良い。また、主画素PXを構成する副画素の数は限定されない。
また、液晶表示装置DSPのモードは、IPSモードなどのいわゆる横電界(フリンジ電界を含む)を利用したものに限られない。例えば、対向基板CTに共通電極CEを設け、この共通電極CEとアレイ基板ARの画素電極PEとの間に生じるいわゆる縦電界を利用するモードであっても良い。
DSP…液晶表示装置、PNL…液晶表示パネル、AR…アレイ基板、CT…対向基板、LC…液晶層、G…走査線、S…信号線、SW…スイッチング素子、PE…画素電極、CE…共通電極、BM…遮光層、GR…溝部、SC…半導体層、10…第1絶縁基板、12…第1絶縁層、13…第2絶縁層、14…第3絶縁層、15…第4絶縁層、16…第1配向膜、17…金属配線、20…第2絶縁基板、21…カラーフィルタ層、22…オーバーコート層、23…第2配向膜。
Claims (7)
- 第1副画素と、第2副画素と、前記第1副画素及び前記第2副画素の間で互いに間隔を空けて延びる第1配線及び第2配線と、最外層に位置する第1配向膜と、を備える第1基板と、
前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備える第2基板と、
前記第1配向膜及び前記第2配向膜の間に保持された液晶層と、
を備え、
前記第1基板は、前記第1配線及び前記第2配線の間に、前記第1配向膜の表面が窪んだ溝部を有し、この溝部の内部が前記液晶層で満たされている、
液晶表示装置。 - 前記第1基板は、第3副画素をさらに備え、
前記第1副画素と前記第2副画素、及び、前記第1副画素と前記第3副画素は、それぞれ第1方向に並び、前記第2副画素と前記第3副画素は、前記第1方向と交わる第2方向に並び、
前記第1配線、前記第2配線、及び前記溝部は、前記第1副画素と前記第2副画素及び前記第3副画素との間で延びる、
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1基板は、
前記第1副画素及び前記第2副画素にそれぞれ配置された第1画素電極及び第2画素電極と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極とそれぞれ電気的に接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子との間に配置された絶縁層と、
を備え、
前記溝部は、前記第1配線及び前記第2配線の間で前記絶縁層を少なくとも部分的に除去することで形成された、
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1配線に第1電圧を供給し、前記第2配線に前記第1電圧と異なる第2電圧を供給するドライバをさらに備える、
請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記第1電圧及び前記第2電圧は、極性が互いに異なる、
請求項4に記載の液晶表示装置。 - 前記第2基板は、前記第1配線、前記第2配線、及び、前記溝部と対向する遮光層を備える、
請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記第1基板は、コモン電位が供給される共通電極をさらに備え、
前記溝部は、前記共通電極を貫通する、
請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の液晶表示装置。
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