JP2016522661A - Rc−igbtスイッチングパルス制御 - Google Patents
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Abstract
Description
第1のRC−IGBTのコレクタがDC電圧源の正極に電気接続され、第2のRC−IGBTのエミッタがDC電圧源の負極に電気接続されるように構成される。第1のRC−IGBTのエミッタは、AC端子を形成するために第2のRC−IGBTのコレクタに電気接続される。電圧源コンバータは、本発明の第2の態様によるコントローラを更に備える。
Claims (16)
- 直列に電気接続された第1の及び第2の逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC−IGBT)(S1、S2)を制御する方法であって、
第1のRC−IGBT(S1)のコレクタ(C1)が直流(DC)電流電圧源(C)の正極に電気接続され、第2のRC−IGBT(S2)のエミッタ(E2)が該DC電圧源(C)の負極に電気接続され、
第1のRC−IGBT(S1)のエミッタ(E1)が第2のRC−IGBT(S2)のコレクタ(C2)に電気接続されて交流電流(AC)端子(A)を形成し、
第1の及び第2のRC−IGBTの各ゲート(G1、G2)にゲート電圧(b1〜g1、b2〜g2)を印加することであって、前記ゲート電圧は、該AC端子上の出力電流の大きさ及び方向に基づいて、及び各RC−IGBTの目標とされるターンオン及びターンオフ瞬間を示すコマンド信号(Cmd)に基づいて、制御されることを含む、方法。 - 該AC端子(A)上の出力電流の大きさが選択された閾値を超え、一方のRC−IGBTがIGBTモードで動作し他方のRC−IGBTがダイオードモードで動作していることを出力電流の方向が示す場合、
該コマンド信号(Cmd)によって示される目標とされる各ターンオン及びターンオフ瞬間中にIGBTモードで動作するRC−IGBTに、高レベル及び低レベルゲート電圧パルスをそれぞれ印加し、一方、該コマンド信号(Cmd)によって示される他方のRC−IGBTの目標とされるターンオフ瞬間よりも前のある期間(δ2)中以外、他方のRC−IGBTに低レベルゲート電圧を印加し維持することであって、該期間中、他方のRC−IGBTに高レベルゲート電圧パルスが印加される、請求項1に記載の方法。 - 該AC端子(A)上の出力電流の大きさが選択された閾値を超え、一方のRC−IGBTがIGBTモードで動作し他方のRC−IGBTがダイオードモードで動作していることを出力電流の方向が示す場合、
該コマンド信号(Cmd)によって示される目標とされる各ターンオン及びターンオフ瞬間中にIGBTモードで動作するRC−IGBTに、高レベル及び低レベルゲート電圧パルスをそれぞれ印加し、一方、該コマンド信号(Cmd)によって示される、他方のRC−IGBTの目標とされるいかなるターンオン又はターンオフ瞬間に関わらず、他方のRC−IGBTに低レベルゲート電圧を印加し維持する、請求項1に記載の方法。 - 該AC端子(A)上の出力電流の大きさが選択された閾値を超えない場合、
該コマンド信号(Cmd)によって示される、各RC−IGBTの目標とされる各ターンオン及びターンオフ瞬間中に、両方のRC−IGBTに高レベル及び低レベルゲート電圧パルスをそれぞれ印加する、請求項2又は3に記載の方法。 - 前記RC−IGBTのうちの一方に対する高レベルゲート電圧の印加、及び他方のRC−IGBTに対する高レベルゲート電圧の印加が、ブランキング時間(δ1)によって分離されるように、ゲート電圧が第1の及び第2のRC−IGBT(S1、S2)に印加され、該ブランキング時間中、低レベルゲート電圧が前記RC−IGBTの両方に印加される、請求項1から4の何れか一項に記載の方法。
- 該DC電圧源がエネルギー蓄積素子(C)である、請求項1から5の何れか一項に記載の方法。
- 第1の及び第2のRC−IGBTがハーフブリッジ構成であるか又はフルブリッジ構成に含まれ、ストレージ素子に電気接続されている、請求項1から6の何れか一項に記載の方法。
- 第1の及び第2のRC−IGBT(S1、S2)が、カスケード接続されたセルの分岐のセル内に含まれ、該AC端子(A)上の出力電流の測定値が、該分岐を通る電流を測定することによって取得される、請求項1から7の何れか一項に記載の方法。
- 第1の及び第2のRC−IGBT(S1、S2)の各々が、バイモード絶縁ゲートトランジスタ(BIGT)である、請求項1から8の何れか一項に記載の方法。
- 直列に電気接続された第1の及び第2の逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC−IGBT)(S1、S2)を制御するためのコントローラ(110)であって、
第1のRC−IGBT(S1)のコレクタ(C1)が直流(DC)電流電圧源(C)の正極に電気接続され、第2のRC−IGBT(S2)のエミッタ(E2)が該DC電圧源の負極に電気接続され、
第1のRC−IGBT(S1)のエミッタ(E1)が第2のRC−IGBT(S2)のコレクタ(C2)に電気接続されて交流電流(AC)端子(A)を形成し、
該コントローラ(110)が、
各RC−IGBTの目標とされるターンオン及びターンオフ瞬間を示すコマンド信号(Cmd)を受信するように適合された、入力回路と、
測定された前記AC端子(A)上の出力電流の大きさ及び方向についての情報を電流計から受信し、
受信した該コマンド信号(Cmd)に基づいて、並びに測定された出力電流の大きさ及び方向についての受信した情報に基づいて、第1のRC−IGBT及び第2のRC−IGBT(S1、S2)の各ゲート(G1、G2)に印加するためのゲート電圧(b1〜g1、b2〜g2)を決定する
ように適合された、プロセッサと、
第1の及び第2のRC−IGBT(S1、S2)の各ゲート(G1、G2)に接続された、出力回路と
を備え、該出力回路は更に、決定されたゲート電圧を第1の及び第2のRC−IGBT(S1、S2)の各ゲートに印加するように適合された、コントローラ(110)。 - 該AC端子(A)上の出力電流の大きさが選択された閾値を超えるという情報を該コントローラ(110)が受信し、一方のRC−IGBTがIGBTモードで動作し他方のRC−IGBTがダイオードモードで動作していることを、受信した出力電流の方向についての情報が示す場合、
該コマンド信号(Cmd)によって示される目標とされる各ターンオン及びターンオフ瞬間中にIGBTモードで動作するRC−IGBTに、高レベル及び低レベルゲート電圧パルスをそれぞれ印加し、一方、該コマンド信号によって示される他方のRC−IGBTの目標とされるターンオフ瞬間よりも前のある期間(δ2)中以外、他方のRC−IGBTに低レベルゲート電圧を印加し維持することであって、該期間中、高レベルゲート電圧パルスを他方のRC−IGBTに印加する
ように構成された、請求項10に記載のコントローラ(110)。 - 該AC端子(A)上の出力電流の大きさが選択された閾値を超えるという情報を該コントローラが受信し、一方のRC−IGBTがIGBTモードで動作し他方のRC−IGBTがダイオードモードで動作していることを、受信した出力電流の方向についての情報が示す場合、
該コマンド信号(Cmd)によって示される目標とされる各ターンオン及びターンオフ瞬間中にIGBTモードで動作するRC−IGBTに、高レベル及び低レベルゲート電圧パルスをそれぞれ印加し、一方、該コマンド信号(Cmd)によって示される、他方のRC−IGBTの目標とされるいかなるターンオン又はターンオフ瞬間に関わらず、他方のRC−IGBTに低レベルゲート電圧を印加し維持する
ように構成された、請求項10に記載のコントローラ(110)。 - 該AC端子上の出力電流の大きさが選択された閾値を超えないという情報を該コントローラが受信する場合、
該コマンド信号(Cmd)によって示される、各RC−IGBTの目標とされる各ターンオン及びターンオフ瞬間中に、両方のRC−IGBTに高レベル及び低レベルゲート電圧パルスをそれぞれ印加する
ように構成された、請求項11又は12に記載のコントローラ(110)。 - AC電流とDC電流との間の変換のための電圧源コンバータであって、
直列に電気接続された少なくとも第1の及び第2のRC−IGBT(S1、S2)を備える接続されたRC−IGBT装置であって、
第1のRC−IGBT(S1)のコレクタ(C1)が直流(DC)電圧源(C)の正極に電気接続され、第2のRC−IGBT(S2)のエミッタ(E2)が該DC電圧源の負極に電気接続され、
第1のRC−IGBT(S1)のエミッタ(E1)が交流(AC)端子で第2のRC−IGBT(S2)のコレクタ(C2)に電気接続された、RC−IGBT装置と、
該RC−IGBT装置に電気接続された、請求項15から20の何れか一項に記載のコントローラと
を備えた、電圧源コンバータ。 - 第1の及び第2のRC−IGBT(S1、S2)がバイモード絶縁ゲートトランジスタ(BIGT)である、請求項10から14の何れか一項に記載のデバイス。
- 請求項1から9の何れか一項に記載の方法を、第1のRC−IGBT及び第2のRC−IGBT(S1、S2)に接続されたプログラマブル処理ユニットに実施させるための指令を含むデータキャリアを含んだ、コンピュータプログラム製品であって、
第1の及び第2のRC−IGBT(S1、S2)が直列に電気接続され、
第1のRC−IGBT(S1)のコレクタ(C1)が直流(DC)電圧源の正極に電気接続され、第2のRC−IGBT(S2)のエミッタが該DC電圧源の負極に電気接続され、
第1のRC−IGBT(S1)のエミッタが交流(AC)端子で第2のRC−IGBT(S2)のコレクタに電気接続された、コンピュータプログラム製品。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019536407A (ja) * | 2016-11-14 | 2019-12-12 | アーベーベー・シュバイツ・アーゲー | 並列逆導通igbtおよびワイドバンドギャップスイッチのスイッチング |
US10778216B2 (en) | 2019-01-04 | 2020-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Control circuit, semiconductor device, and electrical circuit device |
US10938388B2 (en) | 2019-01-04 | 2021-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Control circuit, semiconductor device, and electrical circuit device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3041137B1 (en) * | 2014-12-29 | 2020-02-12 | ABB Schweiz AG | Control of reverse-conducting igbt |
FR3056859B1 (fr) * | 2016-09-23 | 2018-11-30 | Alstom Transport Technologies | Procede de pilotage d'un transistor du type igbt et dispositif de pilotage associe |
CN110224597B (zh) * | 2019-03-06 | 2020-11-06 | 湖南大学 | 一种rc-igbt型储能变换器的驱动控制方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009268336A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-11-12 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2012143115A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Denso Corp | 負荷駆動回路 |
WO2012107258A2 (de) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur steuerung zweier elektrisch in reihe geschalteter rückwärts leitfähiger igbts einer halbbrücke |
US20130049843A1 (en) * | 2011-08-26 | 2013-02-28 | Mari Curbelo Alvaro Jorge | Reverse conduction mode self turn-off gate driver |
US20130082741A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Infineon Technologies Ag | Detection of the Zero Crossing of the Load Current in a Semiconductor Device |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3133964B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2001-02-13 | 助川電気工業株式会社 | 絶縁ゲートドライブ回路 |
JP2004248377A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Toyoda Mach Works Ltd | 駆動電圧出力装置及びその制御方法 |
DE102008045410B4 (de) | 2007-09-05 | 2019-07-11 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung mit IGBT mit eingebauter Diode und Halbleitervorrichtung mit DMOS mit eingebauter Diode |
DE102009001029B4 (de) | 2009-02-20 | 2010-12-09 | Infineon Technologies Ag | Ansteuerung für rückwärtsleitfähigen IGBT |
DE102009030738A1 (de) | 2009-06-26 | 2010-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Ansteuerung eines rückwärts leitfähigen IGBT |
DE102009030740A1 (de) | 2009-06-26 | 2010-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Kommutierungsverfahren einer Stromrichterphase mit rückwärts leitfähigen IGBTs |
DE102009030739A1 (de) | 2009-06-26 | 2010-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Ansteuerung eines rückwärts leitfähigen IGBT |
CN102498668A (zh) * | 2009-09-15 | 2012-06-13 | 三菱电机株式会社 | 栅极驱动电路 |
EP2355353A1 (de) * | 2010-02-05 | 2011-08-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Steuerverfahren zur Überstrom- und Kurzschlussstrombegrenzung eines Leistungsstellgliedes und zugehörige Einrichtung |
CN102324918B (zh) * | 2011-06-09 | 2013-06-26 | 深圳市英威腾电气股份有限公司 | 一种绝缘栅双极型晶体管驱动电路 |
JP5532062B2 (ja) * | 2012-02-13 | 2014-06-25 | 株式会社デンソー | 逆導通スイッチング素子の駆動装置 |
-
2013
- 2013-04-05 CN CN201380075378.1A patent/CN105324939B/zh active Active
- 2013-04-05 JP JP2016505715A patent/JP6333358B2/ja active Active
- 2013-04-05 EP EP13714308.7A patent/EP2982039B1/en active Active
- 2013-04-05 US US14/774,026 patent/US9831865B2/en active Active
- 2013-04-05 WO PCT/EP2013/057218 patent/WO2014161600A1/en active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009268336A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-11-12 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2012143115A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Denso Corp | 負荷駆動回路 |
WO2012107258A2 (de) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur steuerung zweier elektrisch in reihe geschalteter rückwärts leitfähiger igbts einer halbbrücke |
US20130321062A1 (en) * | 2011-02-10 | 2013-12-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for controlling two electrically series-connected reverse conductive igbts of a half bridge |
US20130049843A1 (en) * | 2011-08-26 | 2013-02-28 | Mari Curbelo Alvaro Jorge | Reverse conduction mode self turn-off gate driver |
US20130082741A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Infineon Technologies Ag | Detection of the Zero Crossing of the Load Current in a Semiconductor Device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019536407A (ja) * | 2016-11-14 | 2019-12-12 | アーベーベー・シュバイツ・アーゲー | 並列逆導通igbtおよびワイドバンドギャップスイッチのスイッチング |
JP7078619B2 (ja) | 2016-11-14 | 2022-05-31 | ヒタチ・エナジー・スウィツァーランド・アクチェンゲゼルシャフト | 並列逆導通igbtおよびワイドバンドギャップスイッチのスイッチング |
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