JP2016512393A - プラズマエッチング作業工程用の基板支持体 - Google Patents

Abstract

基板を処理する方法および装置が明細書で開示される。いくつかの実施形態では、処理チャンバ内で基板を支持するための基板支持体は、誘電絶縁体プレートと、誘電絶縁体プレートの上に支持され、上面および底面を含み、上面と底面の間に厚さが画定される導電性プレートであって、導電性プレートのエッジ部が、半径方向外側に向かうテーパ付きである導電性プレートと、導電体プレートの上面に配置された、基板支持面を含む誘電体プレートとを含む。

Description

本発明の実施形態は、一般に半導体基板処理に関する。

半導体基板を処理する際、基板、または基板に付けられた層の上に汚染物質が存在すると、その後の処理、または完成品半導体デバイスの性能に悪影響が及ぶおそれがある。汚染物質には、基板に付けられた金属の望ましくない酸化物、またはエッチング処理のマスク残留物などの処理の残留物が含まれ得る。
汚染物質を除去するために、基板処理は、非選択性エッチング処理（たとえば、アルゴンなどのイオン化状態の不活性ガスを使用するエッチング）を含むことができる。このエッチング処理は、基板支持体上に支持された基板の上方に不活性ガスのプラズマが形成されるチャンバの中で行うことができる。場合によって基板支持体は、アルゴン分子を基板の方に引き付けるために、バイアス高周波（ＲＦ）源に結合される。
本発明者らは、エッチング手順において、基板のエッジにおいてエッチング速度の不均一性が生じることを観察した。いくつかの処理条件のもとでは、観察された不均一性が著しく、処理される基板に悪影響を及ぼすおそれがある。
それゆえに、本発明者らは、プラズマエッチング処理時のエッチング速度均一性の改善を促進できる基板支持体の実施形態を考案した。

基板を処理するための方法および装置が本明細書で開示される。いくつかの実施形態では、処理チャンバ内で基板を支持するための基板支持体は、誘電絶縁体プレートと、誘電絶縁体プレートの上に支持され、上面および底面を含み、上面と底面の間に厚さが画定される導電性プレートであって、導電性プレートのエッジ部が、半径方向外側に向かうテーパ付きである導電性プレートと、導電体プレートの上面に配置された、基板支持面を含む誘電体プレートとを備える。
いくつかの実施形態では、基板処理装置が、内部処理容積を有する処理チャンバと、ＲＦエネルギーを処理容積の中に結合するために処理チャンバに近接して配置された高周波（ＲＦ）コイルと、バイアスＲＦ源と、処理容積内に配置された、本明細書に開示の実施形態のいずれかで説明される基板支持体とを含み、導電性プレートは、バイアスＲＦ源に結合される。
いくつかの実施形態では、処理チャンバ内で基板を支持するための基板支持体は、石英誘電絶縁体プレートと、石英誘電絶縁体プレートの上に支持され、上面および底面を含み、この上面と底面の間に厚さが画定されるチタン導電性プレートであって、その厚さが、導電性プレートのエッジ部に沿って半径方向外側に向かうテーパ付きである導電性プレートと、基板支持面に対応する内壁がある***リップを備える導電体プレートの上面に配置された、石英またはセラミックの誘電体プレートとを含み、この石英誘電絶縁体プレートは、その上面に形成された凹部を含み、この凹部は、導電体プレートを受け入れるように、ならびに少なくとも底面の一部および側壁の一部との接触を維持するように構成される。

本発明の他の、さらなる実施形態が以下で説明される。
上記で簡潔に要約され、以下でより詳細に論じられる本発明の実施形態は、添付の図面に表された本発明の説明的な諸実施形態を参照して理解することができる。しかし、本発明では、その他の同様に効果的な実施形態を認めることができるので、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を示すのみであり、したがって、本発明の範囲を限定するものとみなされるべきでないことに留意されたい。

本発明のいくつかの実施形態による基板支持体の概略側面断面図である。 本出願のいくつかの実施形態による処理チャンバ内の基板支持体の概略図である。

理解しやすくするために、各図面で共通である同じ要素を指定するのに、可能な場合には同じ参照数字が使用されている。図は原寸に比例していなく、見やすくするために簡略化されていることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらに詳述されていなくても他の実施形態に有利に組み込まれてよいことが企図されている。
基板を処理するための方法および装置が本明細書で開示される。より詳細には、エッチングされる基板のエッジのすぐ近くの処理均一性（たとえばエッジ効果）に有利に影響を及ぼし得る基板支持体の実施形態が本明細書で提供される。エッジ効果に有利に影響を及ぼすことによって、本発明の実施形態では、基板全体にわたってより均一なエッチング処理を行うことができる。
本発明の範囲を限定するものではないが、本明細書で開示された本発明の装置は、プラズマエッチング処理を実施するように構成された処理チャンバ（たとえばアルゴンスパッタリング機能を有する前洗浄チャンバ）において特に有利になり得る。適切なプラズマエッチング処理チャンバの例としては、カリフォルニア州Ｓａｎｔａ ＣｌａｒａのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されている、処理チャンバのＰＣ−ＸＴ（登録商標）系列、または前洗浄チャンバのＰｒｅｃｌｅａｎ ＩＩ系列のいずれかが含まれる。Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．または他の製造者からの他の処理チャンバもまた、本明細書で開示された本発明の装置から利益を得る。

図１は、本発明のいくつかの実施形態による基板支持体１００の概略側面断面図である。本発明の基板支持体は、石英またはセラミックなどの非限定的例を含めて１つまたは複数の処理適合性材料を含むことができる誘電絶縁体１０２（たとえば誘電絶縁体プレート）を備える。
誘電絶縁体１０２は、基板支持体１００の上に支持される基板の大きさほどに少なくとも寸法設定され、上面１０６および底面１０３を有する。いくつかの実施形態では、誘電絶縁体１０２は、誘電絶縁体１０２の上面１０６に形成された中心配置の凹部１０４を含むことができる。凹部１０４は、導電性プレート１０８（以下でより完全に論じられる）を受けるように、かつ導電性プレート１０８の少なくとも一部との接触を維持するように構成される。誘電絶縁体１０２は、垂直変位もしくは回転する状態で、または垂直変位も回転もする状態で、支持軸１４０上に支持することができる。
導電性プレート１０８は、上部エッジ１１２がある上面１１０、および底部エッジ１１６がある底面１１４を有して、上面１１０と底面１１４の間に厚さＴを画定する。導電性プレート１０８は、テーパ付きエッジ部を有することができ、すなわち厚さＴは、導電性プレート１０８のエッジに近接する半径の一部に沿って、半径方向外側に向かって低減する。図１に示された非限定的な実施形態では、導電性プレート１０８のエッジ部の概して上向きに傾斜した側壁１１８が、１つまたは複数の直線または曲線状の部分によって上部エッジ１１２と底部エッジ１１６をつないでいる。テーパ付きエッジは、図１に示されたように、連続的な、もしくは部分的に連続的な移行部とすること、または底部エッジ１１６から上部エッジ１１２まで１つもしくは複数の段を含む階段状の移行部とすることができる。曲線状の部分を含む実施形態では、その部分の湾曲は、凹面または凸面のいずれかとすることも、凹面部分と凸面部分の組合せとすることもできる。

図１に示された非限定的な実施形態では、側壁１１８は２つの部分を含む。第１の側壁部分１１８ａは、底部エッジ１１６から上部エッジ１１２に向かって、約１５度〜約７５度（たとえば約４５度）の角度で傾斜している。第２の側壁部分１１８ｂは、底部エッジ１１６に向かい合う第１の側壁部分１１８ａの端部を上部エッジ１１２につなぐ。第２の側壁部分１１８ｂ、および使用される場合には追加の部分（図示せず）が、第１の側壁部分１１８ａと同じ角度で延びること、または図示のように異なる角度で延びることができる。たとえば、いくつかの実施形態では、第２の側壁部分１１８ｂ、または上面１１０に隣接する最後の側壁部分は、上面１１０に対し実質的に垂直に延びることができる。

いくつかの実施形態では、誘電絶縁体１０２の上面１０６に形成された凹部１０４は、導電性プレート１０８の底面１１４と一致するように（たとえば嵌合するように）構成される。図１に示された非限定的な実施形態では、凹部１０４は、上面１１０が誘電絶縁体１０２の上面１０６の一部と共平面（実質的に共平面）になるよう導電性プレート１０８を同軸に受けるように構成される。他の実施形態では、上面１１０は、上面１０６の上方または下方に配置することができる。
導電性プレート１０８は、チタンもしくはアルミニウムのような金属材料、またはドープされたセラミックなどの非限定的な例を含めて、少なくともＲＦエネルギーを伝導する材料から形成することができる。いくつかの実施形態では、導電性プレート１０８は、ＲＦ導管１１１を介してＲＦバイアス源（たとえば電源１０９）に結合することができる。

いくつかの実施形態では、誘電体プレート１２０が、導電性プレート１０８の上面１１０に配置される。誘電体プレート１２０は、誘電絶縁体１０２と同様な材料で製作することができる。誘電体プレート１２０の外側周辺部は、導電性プレート１０８の周辺部を越えて延び、誘電絶縁体１０２の上面１０６の一部の上に置くことができる。いくつかの実施形態では、誘電体プレート１２０は、誘電絶縁体１０２の半径方向境界を越えて延び得る（たとえば最も外側のエッジ１２２）。
いくつかの実施形態によれば、誘電体プレート１２０は、基板支持面１２８を画定する内壁１２６がある***リップ１２４を含む。基板支持面は、内壁１２６の内側に基板（たとえば直径２００ｍｍ、３００ｍｍ、または４５０ｍｍの半導体基板）を支持するように構成される。いくつかの実施形態では、誘電体プレートが導電性プレート１０８の上面１１０に配置される場合に、導電性プレート１０８のテーパ付きエッジ部が基板支持面１２８を越えて延びる。

誘電体プレート１２０は、導電性プレート１０８を少なくとも部分的に貫通して形成された第２の位置決め孔１３２と同軸に位置合わせされた、第１の位置決め孔１３０を含むことができる。第１の位置決めデバイス（たとえば第１の位置決めピン１３６）が誘電体プレート１２０を、このピンが誘電体プレートの中に、基板支持面１２８に、またはその下に置かれるように貫通することができ、また第１の位置決めピン１３６は、部分的に導電性プレート１０８を貫通して、誘電体プレート１２０を導電性プレート１０８に対して少なくとも角を成して配置する。第３の位置決め孔１３４が、誘電体プレート１２０を少なくとも部分的に貫通して、第１の位置決め孔１３０と同軸に位置合わせされて形成され得る。第２の位置決めデバイス、たとえば第２の位置決めピン１３７が誘電絶縁体１０２を貫通し、第２の位置決め孔１３２の中に部分的に延びて、導電性プレート１０８を誘電絶縁体１０２に対して少なくとも角を成して配置することができる。

第１、第２および第３の位置決め孔１３０、１３２および１３４は、基板支持体の構成要素を配置するために同軸に位置合わせされる必要はない。位置合わせのために、隣接する要素、たとえば誘電体プレート１２０および導電性プレート１０８は、第１の位置決めピン１３６を受け入れるための、軸方向に位置合わせされた１つまたは複数の孔を有することができる。同様に、導電性プレート１０８および誘電絶縁体１０２は、第２の位置決めピン１３７を受け入れるための、軸方向に位置合わせされた１つまたは複数の孔を有することができる。一緒に使用されるとき、位置決め孔と位置決めピンは、誘電絶縁体１０２と導電性プレート１０８と誘電体プレート１２０との少なくとも半径方向の位置合わせを行うことができる。

本発明者らは、上述の導電性プレート１０８の上面に構成および配置された誘電体プレートが、プラズマの形成に有利に影響を及ぼし、また基板のエッジにおけるエッチング速度均一性に有益な効果があることを観察した。本発明者らは、基板支持面１２８を越えて延びるテーパ付きエッジを有する導電性プレート１０８が、エッジ効果の大きさを低減させ得ることを観察した。理論に縛られずに、本発明者らは、誘電体プレート１２０が、導電性プレート１０８のエッジから下方への電界の発散または拡散によってプラズマの均一性を改善すると考える。

基板支持体は、基板支持体１００に基板が配置されたときに基板を所望の温度まで加熱するためのヒータ１５０を含むことができる。ヒータ１５０は、基板温度の制御を行うのに適した任意のタイプのヒータとすることができる。たとえば、ヒータ１５０は抵抗ヒータとすることができる。このような実施形態では、ヒータ１５０は、電力をヒータ１５０に供給してヒータ１５０を操作しやすくするように構成された、電源１５２に結合することができる。いくつかの実施形態では、ヒータ１５０は、基板支持体１００の誘電絶縁体１０２、導電性プレート１０８および誘電体プレート１２０のうちの１つまたは複数に埋め込むことができる。ヒータ１５０はまた、誘電絶縁体１０２と導電性プレート１０８の境界面、または導電性プレート１０８と誘電体プレート１２０の境界面に設置することもできる。別法として、または合わせて、いくつかの実施形態では、ヒータ１５０は基板支持体１００の表面の上方に、またはすぐ近くに配置することもできる。ヒータ１５０の数および配置は、基板２１６（図２）の温度の補足的制御を行うために変えることができる。たとえば、１つより多いヒータが利用される実施形態では、ヒータは、基板２１６全体にわたって温度を制御しやすくするように複数のゾーンに配置され、それによって温度制御を向上させることができる。

本発明者らは、現在の一部の基板支持体に特有のエッジ効果が基板エッジの基板処理に悪影響を及ぼすことを観察した。概して、前洗浄処理時、または他のエッチングもしくはスパッタエッチング処理時に、基板エッジが基板の他の部分よりも侵略的にエッチングされるエッチング速度の非均一性をもたらすエッジ効果が観測された。
いくつかの処理条件のもとでは、また一部の基板では、基板のエッジにおけるエッチング速度の増加は、製造問題を引き起こすのに十分なほどではない。しかし、いくつかの処理（たとえば、バイアス高周波（ＲＦ）エネルギー源を使用する処理）では、この非均一性は許容することができず、また現在の技法ではその状態を適切に修正することができない。特定のハードウェア構成を使用する高バイアス処理など、導電性プレートに約５００Ｗ〜約１ｋＷのバイアスＲＦ電力が供給されるいくつかの処理では、基板エッジにおけるエッジ効果は、処理の非均一性による製造問題を引き起こすのに十分である。他のハードウェア構成による他の状況では、バイアス電力がシステム能力の約５０％を超える場合に高バイアス条件が存在し得る。他の実施形態では、高バイアスが別の特性を有し得るが、すべての場合で、基板支持体に印加されるバイアス電力が他の処理考慮事項に関して望ましいレベルまで増大すると、基板エッジにおける非均一性が問題になる。

高バイアスの場合では、望ましくない非均一状態が、基板から生産される半導体の歩留まりに影響を及ぼすのに十分なだけ、エッジに存在する。この非均一性は、商品化では許容することができず、また現在の機器を使用して受容可能なレベルまで適切に制御することができない。
本明細書で開示された本発明の基板支持体は、典型的な基板支持体で確認される基板のエッジにおける大きいエッチング速度を都合よく修正することができる。試験結果は、本基板支持体が、エッジ効果によって引き起こされるエッチング非均一性を受容可能なレベルまで、高バイアス条件下でさえも低減できることを示した。いくつかのエッチング均一性試験の結果では、現在の基板支持体を使用して同様の条件のもとで処理された基板と比較すると、除去またはエッチングされる材料の均一性の改善が示された。

本発明者らは、いくつかの試験で本発明の基板支持体により、エッチング速度が均一であるが小さくなることを確認した。すなわち、エッチング速度は、同様な条件のもとで現在の基板支持体を使用して処理された類似の基板よりも、基板全体にわたってより均一であり、ある決まった時間間隔内に除去される材料の量が少なかった。本基板支持体を使用して観察されたエッチング速度は、基板全体にわたって均一であるか、または実質的に均一であった。小さいエッチング速度により、エッチング処理の可制御性が有利に改善することが示された。
図２は、本発明のいくつかの実施形態による基板処理システムを示す。他の構成の他の処理チャンバもまた、本明細書で与えられる教示に従って改変することができる。

一般に、基板処理システム２００は、第１の容積２０３および第２の容積２０５を有する処理チャンバ２０２を備える。第１の容積２０３は、プラズマ２０７を収容する（たとえば、導入または形成する）処理チャンバ２０２の一部を含むことができる。第２の容積２０５は、基板をプラズマ２０７からの反応物質で処理する処理チャンバ２０２の一部を含むことができる。たとえば、基板支持体１００は、処理チャンバ２０２の第２の容積２０５内に配置することができる。
基板処理システム２００は、第１の容積内でプラズマ２０７を形成するために利用できる１つまたは複数の処理ガスを供給するための、処理チャンバに結合されたガス入り口２０６を含むことができる。ガス排気口２０８は、たとえば第２の容積２０５を含む処理チャンバ２０２の下部において、処理チャンバ２０２に結合することができる。いくつかの実施形態では、処理チャンバ２０２内でプラズマ２０７を発生させるために、ＲＦ電源２１０を誘導コイル２１２に結合することができる。別法として（図示せず）、プラズマは、たとえば遠隔プラズマ源などによって遠隔で発生させ、処理チャンバの第１の容積２０３の中に流し込むことができる。いくつかの実施形態では、基板支持体１００の表面に基板２１６があるときに基板へのイオン流束を制御するために、電源１０９を基板支持体１００に結合することができる。基板処理システム２００は、たとえば基板処理システム２００の１つまたは複数の構成要素を制御して基板２１６上の作業工程を実施するために、コントローラ２２０を含むことができる。他の、さらなる構成要素および基板処理システム２００が以下で論じられる。

処理チャンバ２０２は、壁２３０、底部２３２および上部２３４を含む。誘電体蓋２３６を上部２３４の下で、かつ処理チャンバ２０２に結合された処理キット２２８の上に配置することができる。誘電体蓋２３６は、図２に示されるようにドーム形とすることができる。誘電体蓋２３６は、ガラスまたは石英などの誘電体材料から作ることができ、通常は、特定の数の基板が基板処理システム２００内で処理された後に交換することができる、交換可能な部分である。誘導コイル２１２は、ＲＦ電力を第１の容積２０３に誘電的に結合して第１の容積２０３内にプラズマ２０７を形成するために、誘電体蓋２３６のまわりに配置しＲＦ電源２１０に結合することができる。誘導コイル２１２の代替として、またはそれと合わせて、遠隔プラズマ源（図示せず）を使用して第１の容積２０３内にプラズマ２０７を形成すること、またはプラズマ２０７を第１の容積２０３に供給することができる。

処理キット２２８は、処理チャンバ２０２の壁２３０に置くように構成された外側エッジ２４０を有する、フランジなどのリング２３８を含むことができる。たとえば、図２に示されるように、リング２３８の外側エッジ２４０は壁２３０の上に置かれ、リング２３８の上に誘電体蓋２３６および上部２３４を置くことができる。しかし、図２に示された実施形態は例示的なものにすぎず、他の実施形態も実現可能である。たとえば、リング２３８は、壁２３０から内側に延びるリップなどの、チャンバの内部フィーチャ（図示せず）の上に置かれるように構成することができる。リング２３８はさらに、内側エッジ２４２を含むことができる。

処理キット２２８は、リング２３８の内側エッジ２４２から下向きに延びる本体２４４を含むことができる。本体２４４は、基板支持体１００の上の開口２４８を画定する側壁２４６を含むことができる。たとえば、図２に示されるように、開口２４８の直径は、基板支持体１００の直径を上回ることができる。たとえば、基板支持体１００と本体２４４の側壁２４６の間に形成された空隙２５０は、ガス排気口２０８へ排出されるべき処理ガス、副生成物および他の材料の流路として利用することができる。
処理キット２２８は、基板処理システム２００内で行われる処理に適合した任意の適切な材料を備えることができる。処理キット２２８の構成要素は、第１および第２の容積２０３、２０５を画定するのに寄与することができる。たとえば、第１の容積２０３は、少なくともリング２３８および誘電体蓋２３６によって画定することができる。たとえば、図２に示されたような、いくつかの実施形態では、第１の容積２０３は、本体２４４の側壁２４６によってさらに画定することができる。たとえば、第２の容積２０５は、本体２４４および基板支持体１００によって画定することができる。

ガス入り口２０６は、処理ガス供給源２１８につながれ、処理時に処理ガスを基板処理システム２００の中に導入する。図示のように、ガス入り口２０６は、誘電体蓋２３６を介して第１の容積２０３に結合される。しかし、ガス入り口２０６は、第１の容積２０３の中に適切な任意の位置で結合することができる。ガス排気口２０８は、サーボ制御絞り弁２５２および真空ポンプ２５４を備えることができる。真空ポンプ２５４は、処理の前に基板処理システム２００を排気する。処理時、真空ポンプ２５４およびサーボ制御絞り弁２５２は、基板処理システム２００の内部を所望の圧力に維持する。ヒータ２５６が、基板２１６を所望の温度まで加熱するために設けられる。ヒータ２５６は、電力をヒータ２５６に供給してヒータ２５６を操作しやすくするように構成された、電源２６４に結合される。

コントローラ２２０は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）２２２、メモリ２２４、およびＣＰＵ ２２２のサポート回路２２６を備え、基板処理システム２００の構成要素の制御を容易にし、そうして、基板処理システム２００内で基板を処理する方法を容易なものにする。コントローラ２２０は、様々なチャンバおよび副プロセッサを制御するための工業環境で使用できる汎用コンピュータプロセッサの任意の形のものとすることができる。ＣＰＵ ２２２のメモリ、またはコンピュータ可読媒体２２４は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、または局所または遠隔のデジタルストレージの他の任意の形など、１つまたは複数の容易に利用可能なメモリとすることができる。サポート回路２２６は、プロセッサをサポートするＣＰＵ ２２２に従来通りに結合される。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路および副システムなどを含む。メモリ２２４は、基板処理システム２００の動作を本明細書に記載のように制御するために実行または起動することができるソフトウェア（ソースコードまたはオブジェクトコード）を記憶する。そのソフトウェアルーチンは、ＣＰＵ ２２２により制御されるハードウェアから遠隔に置かれた第２のＣＰＵ（図示せず）によって、記憶および／または実行することができる。

動作の一例では、基板２１６は、基板支持体１００の基板支持面１２８に配置される。基板処理システム２００は、真空処理環境を得るために排気することができる。処理ガスは、ガス入り口２０６を経由して第１の容積２０３の中に導入される。反応を促進するために、処理ガスのプラズマが誘導性結合および／または容量性結合によって処理領域内に生成される。プラズマ２０７は、処理領域内にプラズマを維持するのに十分なだけの電力を誘導コイル２１２に加えることによって生成することができる。処理領域内のプラズマは、誘導性結合だけでも、容量性結合だけでも、または誘導性結合と容量性結合の両方の組合せでも、処理時に励起および維持できることが企図されている。

非限定的な実施形態では、開示された基板支持体は、堆積処理の前に基板を洗浄するために、または処理ステップ間の洗浄ステップとして、使用される前洗浄チャンバで有利に使用することができる。このような場合には、アルゴンなどの不活性ガスを処理ガスとして使用することができる。誘導コイルは、処理チャンバ２０２内でアルゴン分子のイオン化核種（プラズマ２０７）を生成する。

イオン化分子を所望の方向に、たとえば基板２１６の方に向けるために、いくつかの実施形態では、バイアス（または高バイアス）ＲＦ電力が、たとえば電源１０９によって基板支持体１００に結合される。本発明では、ＲＦは導電性プレート１０８に加えられる。本発明者らは、少なくとも図１に示されるように半径方向外側に向かって導電性プレート１０８の厚さにテーパが付いていると、基板エッジにおけるエッジ効果が有利に最小限になり、基板全体にわたってより均一なエッチングがもたらされることを観察した。

このように、基板を処理するための改善された装置が本明細書に提示されている。本発明の装置の実施形態は、アルゴンスパッタエッチング処理に関して、限定ではなく例示的なものとして説明されている。他のプラズマエッチング処理でも本発明の基板支持体を有利に使用して、その上に配置された基板の処理時のエッジ効果を低減させることができる。
上述のことは本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の、さらなる実施形態を考案することができる。

Claims (15)

1. 誘電絶縁体プレートと、
   前記誘電絶縁体プレートの上に支持され、上面および底面を含み、前記上面と前記底面の間に厚さが画定される導電性プレートであって、前記導電性プレートのエッジ部が、半径方向外側に向かうテーパ付きである導電性プレートと、
   前記導電性プレートの前記上面に配置された、基板支持面を含む誘電体プレートと
   を備える、処理チャンバ内で基板を支持するための基板支持体。
2. 前記底面の少なくとも一部が上向きにテーパ付きである、請求項１に記載の基板支持体。
3. 前記テーパ付き部が、前記上面と前記底面をつなぐ側壁を備え、前記側壁が水平面から約１５度〜約７５度の角度で傾斜している、請求項２に記載の基板支持体。
4. 前記テーパ付き部が、前記上面と前記底面をつなぐ側壁を備え、前記側壁が１つまたは複数の直線または曲線状の部分を備える、請求項２に記載の基板支持体。
5. 前記導電性プレートの前記テーパ付き部が、前記基板支持面を越えて半径方向に延びる、請求項１から４のいずれかに記載の基板支持体。
6. 前記誘電絶縁体プレートが、その上面に形成された凹部を含み、前記凹部が、前記導電性プレートの少なくとも一部を受け入れるように、ならびに前記底面の少なくとも一部との接触を維持するように構成される、請求項１から４のいずれかに記載の基板支持体。
7. 前記凹部が、前記導電性プレートの前記上面が前記誘電絶縁体プレートの前記上面の一部と共平面になるように構成される、請求項６に記載の基板支持体。
8. 前記誘電絶縁体プレートが石英から形成される、請求項１から４のいずれかに記載の基板支持体。
9. 前記導電性プレートが金属材料から形成される、請求項１から４のいずれかに記載の基板支持体。
10. 前記導電性プレートがチタンから形成される、請求項９に記載の基板支持体。
11. 前記導電性プレートがドープされたセラミックから形成される、請求項１から４のいずれかに記載の基板支持体。
12. 前記誘電体プレートが、前記基板支持面に対応する内壁がある***リップを備える、請求項１から４のいずれかに記載の基板支持体。
13. 前記誘電体プレートが石英またはセラミックの少なくとも一方を含む、請求項１から４のいずれかに記載の基板支持体。
14. 前記導電性プレートがＲＦバイアス源につながるように適合される、請求項１から４のいずれかに記載の基板支持体。
15. 前記誘電体プレート内の第１の位置決め孔と、
    前記第１の位置決め孔と同軸である、前記導電性プレート内の第２の位置決め孔と、
    前記第１の位置決め孔を部分的に貫通し、前記導電性プレートの中に部分的に配置された位置決めデバイスと
    をさらに備える、請求項１から４のいずれかに記載の基板支持体。

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