JP2016219637A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016219637A
JP2016219637A JP2015104107A JP2015104107A JP2016219637A JP 2016219637 A JP2016219637 A JP 2016219637A JP 2015104107 A JP2015104107 A JP 2015104107A JP 2015104107 A JP2015104107 A JP 2015104107A JP 2016219637 A JP2016219637 A JP 2016219637A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
transparent member
light emitting
emitting device
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015104107A
Other languages
English (en)
Inventor
二郎 東野
Jiro Higashino
二郎 東野
和典 鈴木
Kazunori Suzuki
和典 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2015104107A priority Critical patent/JP2016219637A/ja
Publication of JP2016219637A publication Critical patent/JP2016219637A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】クロストーク及びダークグリッドを抑制する発光装置を提供する。
【解決手段】複数の発光素子12と、複数の発光素子の上方に配置された、光散乱領域15を備える透明部材14とを有し、光散乱領域は、複数の発光素子の間の領域の上方に配置される。
【選択図】図1−3

Description

本発明は、たとえば車両用灯具、一例として自動車の配光可変型前照灯(adaptive driving beam; ADB)用の光源に適した発光装置及びその製造方法に関する。
LED(light emitting diode)アレイが封入層に埋め込まれた光出力デバイスの発明が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
特許文献1記載の発明においては、封入層中に、たとえば空洞部が、LED素子配設位置までの近さに依存する数密度またはサイズで形成される。具体的には、LED素子の近くでは小さく、密集するように形成される。このような構造により、ホットスポット(局所的に光強度が強い領域)が低減され、デバイスの光出力が均一化される。空洞部は、ポリママトリクスが硬化する前に、ポリママトリクスより沸点の低い添加物を蒸発させることにより形成される。
特許文献1記載の発明においては、封入層にLEDアレイが埋め込まれるため、LED素子から出射された光が横方向に伝播し、クロストークが発生する。なお、特許文献1に記載される形成方法では、空洞部の位置やサイズの制御が難しく、したがって、たとえば横方向に伝播する光に対し、空洞部による連続した光散乱構造を形成し、クロストークを抑制することは困難である。
また、特許文献1記載の発明においては、たとえば輝度むら抑制のために、LED素子の直上領域に空洞部を配置することから、直上輝度が低下する。
他にも、輝度むら等を抑制する発光装置の発明が公知である(たとえば特許文献2参照)。
特許文献2記載の発光装置は、光拡散点としてマイクロクラックが形成されたガラスカバーを備える。マイクロクラックは、レーザビームの照射によって形成される。光拡散点は、たとえばLED素子の中心上方の領域をカバーするように、LED素子の中心で最も厚く、周辺に向かって厚みが薄くなるように形成される。他の部分に比べて輝度が高い領域(LED素子中心部)に光拡散点を形成することで、中心部の輝度を抑えるとともに、周辺部の輝度を高め、輝度むらを抑制する。
たとえばLED素子の直上領域にマイクロクラックを配置することから、特許文献2記載の発明においても、直上輝度が低下する。なお、横方向への伝播光に対する連続した光散乱構造として、ガラス中に数μmから数十μmサイズのマイクロクラックを、量産性のあるタクトタイムで形成するのは技術的に困難である。
たとえばLED素子間領域(非発光部)に、光吸収性の遮光壁を形成することでクロストークは抑制される。しかし、ダークグリッド(LED素子間領域に観察される暗部)の発生が顕著になる。このように、クロストークの抑制とダークグリッドの低減の双方を実現するのは困難であった。
特表2014−521208号公報 特許第5588301号公報
本発明の目的は、クロストークを抑制可能な発光装置及びその製造方法を提供することである。
また、ダークグリッドを低減可能な発光装置及びその製造方法を提供することである。
本発明の一観点によれば、複数の発光素子と、前記複数の発光素子の上方に配置された、光散乱領域を備える透明部材とを有し、前記光散乱領域は、前記複数の発光素子の間の領域の上方に配置される発光装置が提供される。
また、本発明の他の観点によれば、(a)透明部材にレーザ光を照射して穴を形成し、該透明部材内に光散乱領域を配置する工程と、(b)前記透明部材を、複数の発光素子の上方に、前記光散乱領域が該複数の発光素子の間の領域の上方に位置するように、配置する工程とを有する発光装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、クロストークを抑制可能な発光装置及びその製造方法を提供することができる。
また、ダークグリッドを低減可能な発光装置及びその製造方法を提供することができる。
図1A〜図1Eは、第1実施例による発光装置について説明する概略図である。 図1F及び図1Gは、第1実施例による発光装置について説明する概略図である。 図1H〜図1Jは、第1実施例による発光装置について説明する概略図である。 図2A及び図2Bは、第2実施例による発光装置について説明する概略図である。 図3A〜図3Cは、変形例による発光装置について説明する概略図である。 図4A〜図4Cは、変形例による発光装置について説明する概略図である。
まず、第1実施例による発光装置の製造方法について説明する。
図1Aを参照する。たとえばAlNセラミックスで形成される実装基板11の上面配線上に、LED素子12をマトリクス状に実装する。実装基板11の上面配線は、Au等の導電体で形成されている。
LED素子12は、たとえば平面形状(Z軸方向から見た形状)が1辺1mmの正方形、厚さ(Z軸方向の高さ)が100μmのフリップチップタイプの発光素子である。
LED素子12は、たとえばn型半導体層、活性層(発光層)、及び、p型半導体層を含む半導体層を有する。n型半導体層にはn側電極、p型半導体層にはp側電極が電気的に接続される。LED素子12は、一例として、青色光(波長430nm〜470nm程度)を発光する窒化物系半導体発光素子である。
図1Bを参照する。LED素子12上に、ペースト状の波長変換体13を配置する。
波長変換体13は、透光性を有する材料、たとえばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、またはハイブリッド樹脂(エポキシ樹脂とシリコーン樹脂が混合された樹脂等)を用いて形成される。樹脂材料中には、蛍光体13aが分散されている。蛍光体13aは、一例としてYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット、YAl12)に付活剤としてCe(セリウム)を導入したYAG:Ce蛍光体である。蛍光体13aは、LED素子12から発光される、たとえばピーク波長約460nmの青色光を吸収し、約560nmの発光ピーク波長を有する黄色光を発する。
完成後の発光装置においては、波長変換体13の蛍光体13aに吸収され、波長変換された黄色光と、蛍光体13aに吸収されなかった青色光が、発光装置上面から出射され、白色光として視認される。
なお、LED素子12の発光色に応じ、波長変換体13に含有される蛍光体13aの種類を変更してもよい。また、複数種類の蛍光体13aを混合して用いてもよい。更に、発光装置に要求される出射光の波長によっては、蛍光体13aを用いなくてもよい。この場合、ペースト状の波長変換体13は、たとえば蛍光体13aを含まない接着層となる。
図1Cを参照する。波長変換体13上に、たとえば厚さ100μmのガラスで形成される透明部材14を配置する。図1Cには、透明部材14の概略的な断面図を示した。透明部材14には、光散乱領域(光散乱構造、遮光構造)15が形成されている。
図1Dは、光散乱領域15を示す概略的な平面図である。光散乱領域15は、貫通孔15aが形成される透明部材14内の領域である。貫通孔15aは、たとえば直径3μmの円形開口部を有する。図1Dに示す範囲においては、貫通孔15aの開口部は、Y軸方向に沿い、一定間隔(中心間の距離が6μm)で配置される。
図1Eは、図1Dの1E−1E線に沿う断面図である。貫通孔15aは、透明部材14の上面から下面に貫通する直円柱状の穴である。
貫通孔15aは、たとえば透明部材14にレーザ光を照射することによって形成される。実施例においては、Nd:YAGレーザの第2高調波(波長532nm)であるパルスレーザビーム(パルス幅15p秒)を、パワー250mW、周波数66.6kHzで照射した。
レーザビームは、透明部材14の直上方向から、直径3μm未満の円形状領域に集光して入射させた。同一位置に4ショットのレーザパルスを照射して貫通孔15aを形成した後、レーザビームの入射位置をY軸方向に6μm移動させるレーザ加工を繰り返し、透明部材14内に光散乱領域15を形成した。レーザビームの走査にはガルバノスキャナを用い、加工速度を400mm/秒とした。なお、使用するレーザビームや加工条件はこれに限られない。
1ショットのレーザパルスの照射により、透明部材14に、直径3μm、深さ25μm程度の直円柱状の穴が形成される。同一位置に4ショットのレーザパルスを入射させることにより、厚さ100μmの透明部材14を貫通する貫通孔15aが形成される。
光散乱領域15は、貫通孔15a、及び、隣接する貫通孔15a間領域を含んで形成される。たとえば透明部材14内を進行し光散乱領域15に入射する光のうち、貫通孔15a形成位置に入射する光は、貫通孔15aによって散乱される。また、隣接する貫通孔15aの間の領域は、レーザ加工時(貫通孔15a形成時)の熱により変質されている。このため、貫通孔15a間領域に入射する光も散乱される。すなわち、光散乱領域15は入射光を散乱させる機能を有する。
レーザビームを照射して貫通孔15aを形成することにより、高い位置精度及び狭い加工幅で、散乱効率の高い光散乱領域15を透明部材14内に配置することができる。
なお、実施例においては、貫通孔15aを形成して透明部材14内に光散乱領域15を画定したが、透明部材14の厚さ方向の途中まで形成された穴を用いてもよい。その場合、穴は、透明部材14の上面(一方面)からだけでなく、下面(他方面)から形成してもよい。
更に、光散乱領域15は、光散乱性の樹脂を透明部材14内に配置する等の方法により形成してもよい。
図1Fは、光散乱領域15を形成した透明部材14の上面を示す写真である。光散乱領域15は、写真中の上下方向に沿い、幅3μm程度のライン状に形成されている。
図1Gは、光散乱領域15を示す断面写真である。透明部材14の上面から下面に至る貫通孔15aが形成されている。
図1Hを参照する。透明部材14は、たとえば光散乱領域15が、LED素子12間領域の上方に配置されるように、一例として、LED素子12間領域の中心の上方に配置されるように位置合わせされ、ペースト状の波長変換体13上に載置される。
自重により、または必要に応じて透明部材14上面に荷重をかけることにより、透明部材14を下方(Z軸負方向)に移動し、LED素子12の上面と透明部材14の間の間隔が所望の値となるようにする。ペースト状の波長変換体13は、表面張力により、LED素子12と透明部材14の間、及び、隣接するLED素子12間に濡れ広がる。
なお、LED素子12上面と透明部材14の間の間隔の制御にスペーサを用いてもよい。
たとえば150℃で4時間の加熱を行い、ペースト状の波長変換体13を硬化させる。LED素子12間領域に、基板11、波長変換体13、及び、透明部材14に囲まれた空隙部16が形成される。
図1Iを参照する。空隙部16に、遮光性または反射性を有する材料を注入して固化し、隔壁体17を形成する。注入する材料として、たとえば酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、硫酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化亜鉛等を含有するペースト状のエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂を用いることができる。
隔壁体17は、LED素子12から出射され、たとえば波長変換体13内を横方向に進行する光を遮光する機能を有する。
こうして第1実施例による発光装置が製造される。
第1実施例による発光装置は、実装基板11上にマトリクス状に配置されたLED素子12、及び、LED素子12上方に配置された透明部材14を有する。LED素子12と透明部材14との間に、波長変換体13を配置してもよい。
透明部材14は、光散乱領域15を備える。光散乱領域15は、たとえばレーザ光の照射により、貫通孔15aが形成された領域であり、入射光を散乱させる機能を有する。なお、光散乱領域15以外の透明部材14内においては、光は散乱されない。
図1Jは、光散乱領域15の配設位置を示す概略的な平面図である。
第1実施例による発光装置においては、実装基板11上にLED素子12が、たとえばX軸方向及びY軸方向の各方向に一定周期で、マトリクス状に配置される。基板11の上面配線を経由して、駆動信号(電力)が駆動回路から供給されることにより、各LED素子12は、独立に駆動(発光、非発光状態の制御)が可能である。LED素子12上方に、光散乱領域15を備える透明部材14が、波長変換体13を介して配置される。
光散乱領域15は、LED素子12間領域の上方に、一例として、LED素子12間領域の中心の上方に配置される。具体的には、本図に示すように、たとえば直交する2方向(X軸方向及びY軸方向)を延在方向とする格子状に形成される。光散乱領域15の配置ピッチは、たとえばX軸方向、Y軸方向のそれぞれにLED素子12の配置ピッチと等しい。光散乱領域15は、LED素子12の配置態様に対応した態様で形成される。第1実施例においては、光散乱領域15は、平面視上(Z軸方向から見たとき、)、各LED素子12を取り囲むように形成される。なお、光散乱領域15以外の透明部材14(たとえば各LED素子12の直上領域)には、貫通孔15aは形成されておらず、非散乱領域となる。
第1実施例による発光装置においては、たとえば透明部材14内を横方向(隣接するLED素子12方向)に進行する光が光散乱領域15で散乱されるため、クロストークが抑制される。また、LED素子12間領域の上方に光が散乱されるため、LED素子12間領域に発生するダークグリッド(暗部)が低減される。
第1実施例による発光装置は、クロストークとダークグリッドの双方を抑制することが可能な発光装置である。
図2A及び図2Bに、第2実施例による発光装置の製造方法を示す。第1実施例においては、ペースト状の波長変換体13を用いたが、第2実施例においては、シート状の波長変換体13を用いる。
図2Aを参照する。各LED素子12のサイズに対応したサイズを有する、シート状の波長変換体13を、光散乱領域15を形成した透明部材14上の、各LED素子12対応位置に貼り合わせた後、透明部材14をLED素子12上に載置する。
透明部材14は、たとえば光散乱領域15が、LED素子12間領域の上方に配置されるように、一例として、LED素子12間領域の中心の上方に配置されるように、かつ、シート状の波長変換体13がLED素子12上に載置されるように位置合わせされる。基板11、LED素子12、波長変換体13、及び、透明部材14に囲まれた空隙部16が形成される。
図2Bを参照する。空隙部16に、遮光性または反射性を有する材料を注入して固化し、隔壁体17を形成する。
こうして第2実施例による発光装置が製造される。
第2実施例による発光装置においても、第1実施例と同様の効果が奏される。
なお、第2実施例においては、各LED素子12のサイズに対応したサイズを有する、シート状の波長変換体13を、LED素子12の配置態様に対応させて、透明部材14上に貼り合わせたが、複数のLED素子12にまたがるサイズのシート状波長変換体13を使用してもよい。
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されない。
たとえば実施例においては、1列の貫通孔15aを備える光散乱領域15とした(図1D参照)が、複数列の貫通孔15aを備える光散乱領域15とすることもできる。図3Aには、2列の貫通孔15aを備える例を示した。
また、実施例においては、光散乱領域15を連続的に格子状に形成した(図1J参照)が、光散乱領域15は、断続的(離散的)に形成してもよい。図3Bには、光散乱領域15を断続的(離散的)に格子状に形成した場合を示す。
更に、図3Cに示すように、たとえば列方向の(Y軸方向に沿う)複数のLED素子12の発光、非発光状態を一致させる場合等には、光散乱領域15を、Y軸方向に沿ってのみ配置することも可能である。
また、実施例においては、フリップチップタイプのLED素子12を用いたが、薄膜タイプのLED素子12を用いてもよい。たとえば平面形状が1辺1mmの正方形、厚さが500μmの薄膜タイプのLED素子12を、一例として、Siで形成される実装基板11の上面配線上に、マトリクス状に実装する。
図4A及び図4Bに、薄膜タイプのLED素子12を用いた発光装置の例を示した。薄膜タイプのLED素子12は、支持基板12b、及び、支持基板12b上に配置された半導体層12aを備える。
半導体層12aは、たとえばn型半導体層、活性層(発光層)、及び、p型半導体層を含み、n型半導体層にはn側電極、p型半導体層にはp側電極が電気的に接続される。半導体層12aは、一例として窒化物系半導体で形成され、電力の供給により青色光(波長430nm〜470nm程度)を発光する。
図4A及び図4Bは、シート状の波長変換体13を使用した発光装置である。図4Aに示すように、1枚の支持基板12b上に複数の半導体層(発光領域)12aが配置されていてもよいし、図4Bに示すように、1枚の支持基板12b上に1つの半導体層(発光領域)12aが配置されていてもよい
図4Cに示す例においては、支持基板12b上に、半導体層(発光領域)12aが3行2列に配置されている。図示する範囲では、行方向(X軸方向)に2枚の支持基板12bが配列される結果、半導体層(発光領域)12aが3行4列に配置される。図4Cに示す例においては、1枚の透明部材14が、3行4列の半導体層(発光領域)12a上方に配置されるが、たとえば3行2列の半導体層(発光領域)12aごとに、1枚の透明部材14を配置してもよい。
なお、実施例においては、発光素子としてLED素子12を用いるが、LED素子に限らず、種々の発光素子、たとえばLD(laser diode)素子等を使用可能である。
その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
様々な照明装置、たとえば車両用照明装置や一般照明装置用の光源として利用することができる。一例として、基板上に発光部が配列されたアクティブマトリクス駆動型ADB用光源として好適に利用可能である。
11 実装基板
12 LED素子
12a 半導体層
12b 支持基板
13 波長変換体
13a 蛍光体
14 透明部材
15 光散乱領域
15a 貫通孔
16 空隙部
17 隔壁体

Claims (11)

  1. 複数の発光素子と、
    前記複数の発光素子の上方に配置された、光散乱領域を備える透明部材と
    を有し、
    前記光散乱領域は、前記複数の発光素子の間の領域の上方に配置される発光装置。
  2. 前記光散乱領域は、平面視上、前記複数の発光素子の各々を、連続的または断続的に取り囲むように配置されている請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記光散乱領域は、連続的または断続的な格子状に配置されている請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記光散乱領域は、レーザ光の照射によって前記透明部材に複数の穴が形成された領域である請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 前記複数の穴は、前記透明部材の一方面から他方面に貫通する貫通孔である請求項4に記載の発光装置。
  6. 更に、前記複数の発光素子と前記透明部材との間に、前記発光素子から出射された光の波長を変換する波長変換体が配置される請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置。
  7. (a)透明部材にレーザ光を照射して穴を形成し、該透明部材内に光散乱領域を配置する工程と、
    (b)前記透明部材を、複数の発光素子の上方に、前記光散乱領域が該複数の発光素子の間の領域の上方に位置するように、配置する工程と
    を有する発光装置の製造方法。
  8. 前記工程(a)において、前記光散乱領域は、連続的または断続的な格子状に形成され、
    前記工程(b)において、前記格子状の光散乱領域が、平面視上、前記複数の発光素子の各々を、連続的または断続的に取り囲むように配置される請求項7に記載の発光装置の製造方法。
  9. 前記工程(a)において、前記透明部材にレーザ光を照射して、前記透明部材の一方面から他方面に貫通する貫通孔を形成する請求項7または8に記載の発光装置の製造方法。
  10. 前記工程(b)の前に、
    (c)前記複数の発光素子上に、ペースト状の波長変換体を配置する工程
    を有し、
    前記工程(b)において、前記透明部材を、前記ペースト状の波長変換体上に配置する請求項7〜9のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
  11. 前記工程(a)の後に、
    (d)前記透明部材に、シート状の波長変換体を配置する工程
    を有し、
    前記工程(b)において、前記透明部材を、前記シート状の波長変換体が、前記複数の発光素子上に位置するように配置する請求項7〜9のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
JP2015104107A 2015-05-22 2015-05-22 発光装置及びその製造方法 Pending JP2016219637A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015104107A JP2016219637A (ja) 2015-05-22 2015-05-22 発光装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015104107A JP2016219637A (ja) 2015-05-22 2015-05-22 発光装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016219637A true JP2016219637A (ja) 2016-12-22

Family

ID=57581535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015104107A Pending JP2016219637A (ja) 2015-05-22 2015-05-22 発光装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016219637A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019021801A (ja) * 2017-07-19 2019-02-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイ、及び、半導体発光装置
JP2020013948A (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2020053467A (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2021507528A (ja) * 2017-12-21 2021-02-22 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 光強度適応型led側壁
KR20230004307A (ko) 2021-06-30 2023-01-06 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광원, 광원 장치 및 광원의 제조 방법
US11563145B2 (en) 2020-11-30 2023-01-24 Nichia Corporation Light source, light source device and method of manufacturing light source
US11815231B2 (en) 2021-09-28 2023-11-14 Nichia Corporation Light source and light emitting module

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019021801A (ja) * 2017-07-19 2019-02-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイ、及び、半導体発光装置
JP7337065B2 (ja) 2017-12-21 2023-09-01 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 光強度適応型led側壁
JP2021507528A (ja) * 2017-12-21 2021-02-22 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 光強度適応型led側壁
JP7177336B2 (ja) 2018-07-20 2022-11-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2020013948A (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2022179704A (ja) * 2018-09-25 2022-12-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7161100B2 (ja) 2018-09-25 2022-10-26 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US11562989B2 (en) 2018-09-25 2023-01-24 Nichia Corporation Light-emitting device and method for manufacturing same
JP2020053467A (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US11563145B2 (en) 2020-11-30 2023-01-24 Nichia Corporation Light source, light source device and method of manufacturing light source
US11810998B2 (en) 2020-11-30 2023-11-07 Nichia Corporation Light source and light source device
KR20230004307A (ko) 2021-06-30 2023-01-06 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광원, 광원 장치 및 광원의 제조 방법
US11810997B2 (en) 2021-06-30 2023-11-07 Nichia Corporation Light source and light source device
US11815231B2 (en) 2021-09-28 2023-11-14 Nichia Corporation Light source and light emitting module
US12038142B2 (en) 2021-09-28 2024-07-16 Nichia Corporation Light source and light emitting module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016219637A (ja) 発光装置及びその製造方法
US11269215B2 (en) Method of manufacturing light emitting module and light emitting module
KR20200053451A (ko) 발광 모듈의 제조 방법 및 발광 모듈
JP6537891B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6276557B2 (ja) Led発光装置
US20150014708A1 (en) Package for light emitting and receiving devices
JP5965162B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US20180019373A1 (en) Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device
KR20200066229A (ko) 발광 모듈
US11652198B2 (en) Light-emitting device including wirings in groove structure
CN112882147B (zh) 面发光光源
JP2017191875A (ja) 発光モジュール
CN112042271A (zh) 柔性发光器件的制造方法以及制造装置
KR102111200B1 (ko) 발광 모듈의 제조 방법 및 발광 모듈
KR20130083721A (ko) 레이저 어블레이션을 이용한 관통 실리콘 비아 형성방법
CN112042273A (zh) 柔性发光器件的制造方法以及制造装置
KR20120113622A (ko) 라이트 유닛 및 이를 구비한 표시장치
JP2019204812A (ja) 発光装置
US11536892B2 (en) Method for manufacturing light-emitting module
US11616180B2 (en) Light emitting device, and method of manufacturing light emitting device
CN112042270A (zh) 柔性发光器件的制造方法以及制造装置
TW202310456A (zh) 發光裝置
KR102464568B1 (ko) Led들의 정렬된 배열체
EP3174095B1 (en) Light emitting apparatus
JP2017084888A (ja) 半導体発光装置、車両用灯具、及び、半導体発光装置の製造方法