JP2016207821A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016207821A JP2016207821A JP2015087442A JP2015087442A JP2016207821A JP 2016207821 A JP2016207821 A JP 2016207821A JP 2015087442 A JP2015087442 A JP 2015087442A JP 2015087442 A JP2015087442 A JP 2015087442A JP 2016207821 A JP2016207821 A JP 2016207821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal member
- semiconductor element
- covering
- metal
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】無酸素銅からなる金属部材が削られることを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体素子10と、半導体素子10の下表面102に固定されている無酸素銅からなる第1金属部材21と、半導体素子10に固定されている側とは反対側の第1金属部材21の下表面212の一部を覆っている第1被覆部材51と、第1金属部材21に固定されている側とは反対側の第1被覆部材51の下表面512と、第1被覆部材51に覆われていない第1金属部材21の下表面212とが露出するように半導体素子10と第1金属部材21を封止している封止樹脂30と、封止樹脂30から露出している第1被覆部材51の下表面512と第1金属部材21の下表面212にグリス60を介して接続されている第1絶縁部材71を備えている。第1被覆部材71が、無酸素銅よりも線膨張係数が小さい材料から形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置1は、半導体素子10と、半導体素子10の下表面102に固定されている無酸素銅からなる第1金属部材21と、半導体素子10に固定されている側とは反対側の第1金属部材21の下表面212の一部を覆っている第1被覆部材51と、第1金属部材21に固定されている側とは反対側の第1被覆部材51の下表面512と、第1被覆部材51に覆われていない第1金属部材21の下表面212とが露出するように半導体素子10と第1金属部材21を封止している封止樹脂30と、封止樹脂30から露出している第1被覆部材51の下表面512と第1金属部材21の下表面212にグリス60を介して接続されている第1絶縁部材71を備えている。第1被覆部材71が、無酸素銅よりも線膨張係数が小さい材料から形成されている。
【選択図】図1
Description
本明細書に開示する技術は、半導体装置に関する。
特許文献1に開示されている半導体装置は、半導体素子と、半導体素子の表面に固定されている銅からなる金属部材と、半導体素子に固定されている側とは反対側の金属部材の表面が露出するように半導体素子を封止している封止樹脂と、封止樹脂から露出している金属部材の表面に接続されている冷却器を備えている。
上記のような半導体装置では、金属部材の熱伝導率を高めるために、金属部材を無酸素銅から形成することが考えられる。この無酸素銅は、やわらかくて削れやすいという性質を有している。また、上記のような半導体装置では、封止樹脂から露出している金属部材の表面にフィラーを含むグリスを塗布することによって、金属部材の表面がグリスを介して冷却器に接続される構成にすることが考えられる。
このような半導体装置では、半導体装置が動作することによって半導体素子が発熱すると、その熱によって金属部材が膨張し、金属部材が反ってしまうことがある。金属部材が半導体素子に固定されており、固定されている側が拘束されているので、金属部材が膨張したときに冷却器に向かって凸になるように反る。金属部材が反ると、封止樹脂から露出している金属部材の表面が、金属部材と冷却器の間にあるグリスに押し付けられる。そうすると、グリスに含まれているフィラーによって無酸素銅からなる金属部材が削られることがある。金属部材が削られると、金属部材と冷却器の間に隙間が形成され、その隙間に空気が入ることによって、金属部材と冷却器の間で熱が伝わり難くなる。その結果、冷却能力が低下してしまうことがある。
そこで本明細書は、無酸素銅からなる金属部材が削られることを抑制できる技術を提供する。
本明細書に開示する半導体装置は、半導体素子と、半導体素子の表面に固定されている無酸素銅からなる金属部材と、半導体素子に固定されている側とは反対側の金属部材の表面の一部を覆っている被覆部材と、金属部材に固定されている側とは反対側の被覆部材の表面と、被覆部材に覆われていない金属部材の表面とが露出するように半導体素子と金属部材を封止している封止樹脂と、封止樹脂から露出している被覆部材の表面と金属部材の表面にグリスを介して接続されている絶縁部材を備えている。この半導体装置では、被覆部材が、無酸素銅よりも線膨張係数が小さい材料から形成されている。
このような半導体装置では、半導体装置が動作することによって半導体素子が発熱すると、その熱によって無酸素銅からなる金属部材が膨張し、金属部材が反ることがある。金属部材が半導体素子に固定されており、固定されている側が拘束されているので、金属部材が膨張したときに絶縁部材に向かって凸になるように反ってしまう。このとき、上記の構成によれば、半導体素子に固定されている側とは反対側の金属部材の表面の一部が被覆部材によって覆われており、被覆部材が無酸素銅よりも線膨張係数が小さい材料から形成されているので、金属部材が膨張しても被覆部材の存在によって金属部材の表面が拘束され、金属部材の反りが抑制される。その結果、金属部材が反ることによって金属部材がグリスに押し付けられたとしても、反りが抑制されているのでグリスに対する押圧力が弱くなる。これによって、無酸素銅からなる金属部材がグリスに含まれているフィラーによって削られることを抑制できる。金属部材が削られやすい無酸素銅から形成されているが、被覆部材の存在によって金属部材の反りが抑制されるので、無酸素銅からなる金属部材が削られることを抑制できる。
図1に示すように、実施例に係る半導体装置1は、半導体素子10と、半導体素子10に接合材40を介して接合された第1金属部材21と、第1金属部材21に固定された第1被覆部材51を備えている。また、半導体装置1は、半導体素子10に接合材40を介して接合されたスペーサ23と、スペーサ23に接合材40を介して接合された第2金属部材22と、第2金属部材22に固定された第2被覆部材52を備えている。また、半導体装置1は、全体を封止する封止樹脂30を備えている。
半導体素子10は、板状に形成されている。半導体素子10の基板は、例えばシリコン(Si)や炭化ケイ素(SiC)等から形成されている。半導体素子10としては、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を用いることができる。半導体素子10がIGBTである場合、半導体基板には、エミッタ領域、コレクタ領域、ボディ領域、ドリフト領域、ゲート電極などが形成されている(図示省略)。半導体素子10がMOSFETである場合、半導体基板には、ソース領域、ドレイン領域、ベース領域、ドリフト領域、ゲート電極などが形成されている(図示省略)。半導体素子10は、動作時に発熱する。
半導体素子10は、第1金属部材21とスペーサ23の間に配置されている。半導体素子10の下表面102が、接合材40を介して第1金属部材21に固定されている。半導体素子10の上表面101が、接合材40を介してスペーサ23に固定されている。半導体素子10は、接合材40とスペーサ23を介して第2金属部材22に固定されている。
第1金属部材21は、熱伝導性および導電性を有する金属から形成されている。第1金属部材21は、無酸素銅(OFC:Oxygen Free Copper)から形成されている。無酸素銅とは、酸化物をほとんど含まない純度99.95%以上の高純度銅のことをいう。無酸素銅は、やわらかくて削れやすい性質を有している。無酸素銅の線膨張係数は、約17×10‐6/Kである。
第1金属部材21は、板状に形成されている。第1金属部材21は、外部の端子に電気的に接続されている。第1金属部材21は、半導体素子10の下表面側に配置されている。第1金属部材21は、半導体素子10で発生した熱を外部に放散する。第1金属部材21と半導体素子10の間に接合材40が充填されている。接合材40は、第1金属部材21と半導体素子10に密着している。第1金属部材21の上表面211が、接合材40を介して半導体素子10の下表面102に固定されている。第1金属部材21の下表面212が、第1被覆部材51に固定されている。第1金属部材21の下表面212は、半導体素子10に固定されている側とは反対側に位置している。第1金属部材21の下表面212に第1凹部25が形成されている。第1凹部25に第1被覆部材51が配置されている。
第1被覆部材51は、熱伝導性および導電性を有する金属から形成されている。第1被覆部材51は、無酸素銅よりも線膨張係数が小さい材料から形成されている。第1被覆部材51の線膨張係数は、第1金属部材21の線膨張係数より小さい。第1被覆部材51は、例えばモリブデン(Mo)やタングステン(W)等から形成されている。モリブデンの線膨張係数は、約4.9×10‐6/Kである。タングステンの線膨張係数は、約4.3×10‐6/Kである。第1被覆部材51は、めっき処理されていてもよい。例えば、第1被覆部材51の表面が、ニッケル(Ni)、金(Au)、スズ(Sn)等によってめっき処理されていてもよい。
第1被覆部材51は、板状に形成されている。第1被覆部材51は、第1金属部材21の下表面212の一部に配置されている。第1被覆部材51は、第1金属部材21の下表面212の一部を覆っている。第1被覆部材51は、ろう付けによって第1金属部材21に接合されている。第1被覆部材51は、第1金属部材21に密着した状態で加圧されることによって、第1金属部材21に固定される。第1被覆部材51は、半導体素子10で発生して第1金属部材21に伝わった熱を外部に放散する。第1被覆部材51の下表面512(第1金属部材21に固定されている側とは反対側の面)は、封止樹脂30から露出している。また、第1被覆部材51によって覆われていない第1金属部材21の下表面212が封止樹脂30から露出している。第1被覆部材51の下表面512と第1金属部材21の下表面212の一部が封止樹脂30から露出している。よって、封止樹脂30から露出している露出面が、無酸素銅からなる第1金属部材21の領域と、無酸素銅よりも線膨張係数が小さい材料からなる第1被覆部材51の領域を有している。第1被覆部材51の下表面512と第1金属部材21の下表面212の露出している部分にグリス60が塗布されている。封止樹脂30から露出している第1被覆部材51の下表面512と第1金属部材21の下表面212に対向するように、第1絶縁部材71が配置されている。
第1絶縁部材71は、絶縁性を有する材料から形成されている。第1絶縁部材71は、例えば、セラミックスから形成されている。第1絶縁部材71は、板状に形成されている。第1絶縁部材71は、第1被覆部材51の下表面側に配置されている。第1絶縁部材71は、グリス60を介して第1被覆部材51の下表面512と第1金属部材21の下表面212に接続されている。第1絶縁部材71と第1被覆部材51の間にグリス60が充填されている。グリス60は、第1絶縁部材71と第1被覆部材51に密着している。また、第1絶縁部材71の下表面712にグリス60が塗布されている。第1絶縁部材71の下表面712に対向するように、第1冷却器91が配置されている。
第1冷却器91は、第1絶縁部材71の下表面側に配置されている。第1冷却器91は、グリス60を介して第1絶縁部材71の下表面712に接続されている。第1冷却器91と第1絶縁部材71の間にグリス60が充填されている。グリス60は、第1冷却器91と第1絶縁部材71に密着している。第1冷却器91は、第1絶縁部材71、第1被覆部材51、および、第1金属部材21を介して半導体素子10を冷却する。第1冷却器91としては、公知の構成を用いることができる。第1冷却器91は、例えば水冷式の冷却器である。
スペーサ23は、半導体素子10の上表面側に配置されている。スペーサ23は、熱伝導性および導電性を有する金属から形成されている。スペーサ23は、例えば銅(Cu)やアルミニウム(Al)等から形成されている。スペーサ23は、板状に形成されている。スペーサ23は、半導体素子10と第2金属部材22の間に配置されている。スペーサ23と半導体素子10の間に接合材40が充填されている。接合材40は、スペーサ23と半導体素子10に密着している。スペーサ23の下表面232が、接合材40を介して半導体素子10に固定されている。スペーサ23の上表面231が、接合材40を介して第2金属部材22に固定されている。
第2金属部材22は、熱伝導性および導電性を有する金属から形成されている。第2金属部材22は、無酸素銅(OFC:Oxygen Free Copper)から形成されている。無酸素銅とは、酸化物を含まない純度99.95%以上の高純度銅のことをいう。無酸素銅は、やわらかくて削れやすい性質を有している。無酸素銅の線膨張係数は、約17×10‐6/Kである。
第2金属部材22は、板状に形成されている。第2金属部材22は、外部の端子に電気的に接続されている。第2金属部材22は、スペーサ23の上表面側に配置されている。第2金属部材22とスペーサ23の間に接合材40が充填されている。接合材40は、第2金属部材22とスペーサ23に密着している。第2金属部材22の下表面222が、接合材40を介してスペーサ23に固定されている。第2金属部材22は、スペーサ23と接合材40を介して半導体素子10の上表面101に固定されている。第2金属部材22は、半導体素子10で発生した熱を外部に放散する。第2金属部材22の上表面221が、第2被覆部材52に固定されている。第2金属部材22の上表面221は、半導体素子10に固定されている側とは反対側に位置している。第2金属部材22の上表面221に第2凹部26が形成されている。第2凹部26に第2被覆部材52が配置されている。
第2被覆部材52は、熱伝導性および導電性を有する金属から形成されている。第2被覆部材52は、無酸素銅よりも線膨張係数が小さい材料から形成されている。第2被覆部材52の線膨張係数は、第2金属部材22の線膨張係数より小さい。第2被覆部材52は、例えばモリブデン(Mo)やタングステン(W)等から形成されている。モリブデンの線膨張係数は、約4.9×10‐6/Kである。タングステンの線膨張係数は、約4.3×10‐6/Kである。第2被覆部材52は、めっき処理されていてもよい。例えば、第2被覆部材52の表面がニッケル(Ni)、金(Au)、スズ(Sn)等によってめっき処理されていてもよい。
第2被覆部材52は、板状に形成されている。第2被覆部材52は、第2金属部材22の上表面221の一部に配置されている。第2被覆部材52は、第2金属部材22の下表面222の全体を覆っている。第2被覆部材52は、ろう付けによって第2金属部材22に接合されている。第2被覆部材52は、第2金属部材22に密着した状態で加圧されることによって、第2金属部材22に固定される。第2被覆部材52は、半導体素子10で発生して第2金属部材22に伝わった熱を外部に放散する。第2被覆部材52の上表面521(第2金属部材22に固定されている側とは反対側の面)は、封止樹脂30から露出している。また、第2被覆部材52によって覆われていない第2金属部材22の上表面221が封止樹脂30から露出している。第2被覆部材52の上表面521と第2金属部材22の上表面221の一部が封止樹脂30から露出している。よって、封止樹脂30から露出している露出面が、無酸素銅からなる第2金属部材22の領域と、無酸素銅よりも線膨張係数が小さい材料からなる第2被覆部材52の領域を有している。第2被覆部材52の上表面521と第2金属部材22の上表面221の露出している部分にグリス60が塗布されている。封止樹脂30から露出している第2被覆部材52の上表面521と第2金属部材22の上表面221に対向するように、第2絶縁部材72が配置されている。
第2絶縁部材72は、絶縁性を有する材料から形成されている。第2絶縁部材72は、例えば、セラミックスから形成されている。第2絶縁部材72は、板状に形成されている。第2絶縁部材72は、第2金属部材22の上表面側に配置されている。第2絶縁部材72は、グリス60を介して第2被覆部材52の上表面521と第2金属部材22の上表面221に接続されている。第2絶縁部材72と第2被覆部材52の間にグリス60が充填されている。グリス60は、第2絶縁部材72と第2被覆部材52に密着している。第2絶縁部材72の上表面721にグリス60が塗布されている。第2絶縁部材72の上表面721に対向するように、第2冷却器92が配置されている。
第2冷却器92は、第2絶縁部材72の上表面側に配置されている。第2冷却器92は、グリス60を介して第2絶縁部材72の上表面721に接続されている。第2冷却器92と第2絶縁部材72の間にグリス60が充填されている。グリス60は、第2冷却器92と第2絶縁部材72に密着している。第2冷却器92は、第2絶縁部材72、第2被覆部材52、第2金属部材22、および、スペーサ23を介して半導体素子10を冷却する。第2冷却器92としては、公知の構成を用いることができる。第2冷却器92は、例えば水冷式の冷却器である。
封止樹脂30の材料としては、エポキシ樹脂を主成分として用いることができる。その他に、封止樹脂30は、硬化剤、応力緩和剤、硬化促進剤、フィラー等を含んでいてもよい。封止樹脂30は、第1金属部材21と第2金属部材22の間に充填されている。封止樹脂30は、第1被覆部材51、第1金属部材21、半導体素子10、スペーサ23、第2金属部材22、第2被覆部材52、および接合材40を封止している。封止樹脂30は、各部材に密着している。封止樹脂30は、第1被覆部材51の下表面512を覆っていない。封止樹脂30は、第2被覆部材52の上表面521を覆っていない。封止樹脂30は、第2金属部材22の上表面221の一部を覆っていない。封止樹脂30は、第2金属部材22の上表面221のうち第2被覆部材52によって覆われていない部分を覆っていない。封止樹脂30は、第1金属部材21の下表面212の一部を覆っていない。封止樹脂30は、第1金属部材21の下表面212のうち第1被覆部材51によって覆われていない部分を覆っていない。
上記の各グリス60は、シリコーンオイルを基油として添加剤を含んでいる。グリス60としては、公知の放熱グリスを用いることができる。また、グリス60は、フィラーを含んでいる。フィラーとしては、例えば、銅(Cu)やアルミニウム(Al)の金属粒子を用いることができる。
上記の各接合材40としては、例えばSn系はんだ、SnCu系はんだ、Zn系はんだ等を用いることができる。
上記の構成を備える半導体装置1では、半導体装置1が動作すると半導体素子10が発熱する。半導体素子10が発熱すると、その熱によって第1金属部材21が膨張し、第1金属部材21が反ることがある。第1金属部材21が半導体素子10に固定されており、固定されている側が拘束されているので、第1金属部材21が膨張したときに第1絶縁部材71に向かって凸になるように反る。このとき、半導体素子10に固定されている側とは反対側の第1金属部材21の下表面212の一部が第1被覆部材51によって覆われており、第1被覆部材51が無酸素銅よりも線膨張係数が小さい材料から形成されているので、第1金属部材21の下表面212が第1被覆部材51によって拘束され、第1金属部材21の反りが抑制される。その結果、第1金属部材21が反ることによって第1金属部材21がグリス60に押し付けられたとしても、第1金属部材21の反りが抑制されているのでグリス60に対する押圧力を弱くすることができる。これによって、無酸素銅からなる第1金属部材21がグリス60に含まれているフィラーによって削られることを抑制できる。第1金属部材21がやわらかくて削られやすい無酸素銅から形成されているので、第1金属部材21が反ることによってグリス60に強く押し付けられると、グリス60に含まれているフィラーによって第1金属部材21が削られてしまう。しかしながら、この半導体装置では、第1被覆部材51の存在によって第1金属部材21の反りが抑制されるので、第1金属部材21が削られることを抑制できる。
同様に、第2金属部材22よりも線膨張係数が小さい第2被覆部材52の存在によって第2金属部材22の反りが抑制されるので、第2金属部材22が反ったときにグリス60に対する押圧力を弱くすることができる。これによって、無酸素銅からなる第2金属部材22がグリス60に含まれているフィラーによって削られることを抑制できる。
以上、一実施形態について説明したが、具体的な態様は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施例では、第1被覆部材51と第2被覆部材52が金属から形成されていたが、この構成に限定されるものではない。他の実施例では、第1被覆部材51と第2被覆部材52が樹脂から形成されていてもよい。樹脂の線膨張係数は、無酸素銅の線膨張係数よりも小さい。樹脂は、例えばエポキシ樹脂を主成分として、硬化剤、応力緩和剤、硬化促進剤、フィラー等を含んでいる。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
1 :半導体装置
10 :半導体素子
21 :第1金属部材
22 :第2金属部材
23 :スペーサ
25 :第1凹部
26 :第2凹部
30 :封止樹脂
40 :接合材
51 :第1被覆部材
52 :第2被覆部材
60 :グリス
71 :第1絶縁部材
72 :第2絶縁部材
91 :第1冷却器
92 :第2冷却器
10 :半導体素子
21 :第1金属部材
22 :第2金属部材
23 :スペーサ
25 :第1凹部
26 :第2凹部
30 :封止樹脂
40 :接合材
51 :第1被覆部材
52 :第2被覆部材
60 :グリス
71 :第1絶縁部材
72 :第2絶縁部材
91 :第1冷却器
92 :第2冷却器
Claims (1)
- 半導体素子と、
前記半導体素子の表面に固定されている無酸素銅からなる金属部材と、
前記半導体素子に固定されている側とは反対側の前記金属部材の表面の一部を覆っている被覆部材と、
前記金属部材に固定されている側とは反対側の前記被覆部材の表面と、前記被覆部材に覆われていない前記金属部材の前記表面とが露出するように前記半導体素子と前記金属部材を封止している封止樹脂と、
前記封止樹脂から露出している前記被覆部材の前記表面と前記金属部材の前記表面にグリスを介して接続されている絶縁部材を備えており、
前記被覆部材が、前記無酸素銅よりも線膨張係数が小さい材料から形成されている半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015087442A JP2016207821A (ja) | 2015-04-22 | 2015-04-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015087442A JP2016207821A (ja) | 2015-04-22 | 2015-04-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016207821A true JP2016207821A (ja) | 2016-12-08 |
Family
ID=57490412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015087442A Pending JP2016207821A (ja) | 2015-04-22 | 2015-04-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016207821A (ja) |
-
2015
- 2015-04-22 JP JP2015087442A patent/JP2016207821A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9418910B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5373713B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6983187B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US10643969B2 (en) | Semiconductor module and method for manufacturing the same | |
JP6336138B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2016152258A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014216459A (ja) | 半導体装置 | |
US20140284783A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2009283741A (ja) | 半導体装置 | |
US20150214138A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2016018866A (ja) | パワーモジュール | |
US10818630B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2019067986A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP6617655B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016054249A (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2019187125A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014123644A (ja) | 電力用半導体装置 | |
CN112889148B (zh) | 具有自由浮动封装概念的功率半导体装置 | |
JP2017073406A (ja) | 電極リードおよび半導体装置 | |
JP2016207821A (ja) | 半導体装置 | |
JP2015126207A (ja) | 半導体装置 | |
JP6380076B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN109564918B (zh) | 半导体装置 | |
JP6119553B2 (ja) | 電力用半導体装置およびその製造方法 | |
JP7459395B1 (ja) | 半導体装置 |