JP2016198830A - Dry polishing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ドライ環境の加工室でウエーハを研磨する乾式研磨装置に関する。 The present invention relates to a dry polishing apparatus for polishing a wafer in a processing chamber in a dry environment.
研磨加工では、研削後のウエーハの被研削面に残存した研削歪を研磨することで抗折強度を向上させている。従来、研磨装置として研磨液を用いないでウエーハを研磨する乾式研磨装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載の乾式研磨装置では、研磨加工で発生する研磨屑や研磨パッドの磨耗による粉等の微細な異物を、排気(吸気)にて加工室から排出し、加工室から排気した異物を湿らせて廃液として処理している。加工室をドライ環境にしたままで、異物を廃液にしているため、加工室内で異物が飛散することがなく、研磨装置が設置されているクリーンルームが汚染されることがない。 In the polishing process, the bending strength is improved by polishing the grinding distortion remaining on the ground surface of the wafer after grinding. Conventionally, a dry polishing apparatus that polishes a wafer without using a polishing liquid is known as a polishing apparatus (see, for example, Patent Document 1). In the dry polishing apparatus described in Patent Document 1, fine foreign matters such as polishing dust generated by polishing and powder due to abrasion of the polishing pad are exhausted from the processing chamber by exhaust (intake air), and the foreign matter exhausted from the processing chamber. Is treated as waste liquid. Since the foreign matter is made into the waste liquid while the processing chamber is kept in a dry environment, the foreign matter is not scattered in the processing chamber, and the clean room in which the polishing apparatus is installed is not contaminated.
また、乾式研磨装置としては、ウエーハの外径よりも大きな径の研磨パッドを用いてウエーハを研磨するものも知られている(例えば、特許文献2参照)。特許文献2に記載の乾式研磨装置は、研磨パッドの中心とウエーハの中心をずらした状態で研磨パッドをウエーハに接触させることで、より効率的に研磨パッドによってウエーハを研磨することが可能になっている。これら特許文献1、2に記載の乾式研磨装置においては、ウエーハ研磨時の摩擦熱による面焼け防止のために研磨中のウエーハの表面温度の測定や、より高精度な研磨加工のために研磨中のウエーハの厚み測定が必要とされる。 In addition, as a dry polishing apparatus, there is also known one that polishes a wafer using a polishing pad having a diameter larger than the outer diameter of the wafer (see, for example, Patent Document 2). In the dry polishing apparatus described in Patent Document 2, the wafer can be more efficiently polished by the polishing pad by bringing the polishing pad into contact with the wafer in a state where the center of the polishing pad is shifted from the center of the wafer. ing. In the dry polishing apparatuses described in Patent Documents 1 and 2, the surface temperature of the wafer during polishing is measured to prevent surface burning due to frictional heat during wafer polishing, and polishing is performed for more accurate polishing. Wafer thickness measurement is required.
ところで、特許文献2の乾式研磨装置では、半導体ウエーハの全面が研磨パッドに覆われているため、上記のようなウエーハの温度測定用の測定器やウエーハ厚み測定用の測定器を配設する場所が無い。この場合、研磨パッドの中心に空孔を形成し、この空孔に連なる貫通孔をスピンドルユニットに形成して、スピンドルユニットの上方から貫通孔を通じてウエーハの状態を測定する構成が考えられる。しかしながら、研磨パッドの空孔に微細な異物が入り込むと、スピンドルユニットの貫通孔を通って異物が測定器に付着して、測定器を汚染させてしまうという問題があった。 By the way, in the dry polishing apparatus of Patent Document 2, since the entire surface of the semiconductor wafer is covered with the polishing pad, a place for measuring a wafer temperature measuring instrument and a wafer thickness measuring instrument as described above is provided. There is no. In this case, a configuration is conceivable in which a hole is formed in the center of the polishing pad, a through hole connected to the hole is formed in the spindle unit, and the state of the wafer is measured from above the spindle unit through the through hole. However, when a fine foreign substance enters the hole of the polishing pad, there is a problem that the foreign substance adheres to the measuring instrument through the through hole of the spindle unit and contaminates the measuring instrument.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ウエーハの状態を測定する測定器に、研磨屑や粉等の異物が付着することを防止できる乾式研磨装置を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of this point, and it aims at providing the dry-type grinding | polishing apparatus which can prevent that foreign materials, such as grinding | polishing waste and a powder, adhere to the measuring device which measures the state of a wafer.
本発明の乾式研磨装置は、ウエーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持されるウエーハを研磨する研磨パッドの中心と回転軸の中心とを一致させて装着するスピンドルユニットを有する研磨手段と、該研磨手段と該保持テーブルとを相対的に接近および離間させる方向に研磨送りする研磨加工送り手段と、を備える乾式研磨装置であって、該研磨手段は、該研磨パッドの中心を中心とした円柱状の空孔と、該スピンドルユニットの該回転軸の中を延在方向に貫通させ一方の端を該空孔と連通させる貫通孔と、該貫通孔の他方の端と連通する閉塞空間を形成するカバー部材と、を備え、該閉塞空間内に研磨中のウエーハの状態を測定する測定器を配設する。 A dry polishing apparatus according to the present invention includes a holding table for holding a wafer, and a polishing unit having a spindle unit for mounting the polishing pad for polishing the wafer held on the holding table so that the center of the polishing pad coincides with the center of the rotary shaft. A polishing process feeding means for polishing and feeding the polishing means and the holding table in a direction in which the polishing table and the holding table are relatively approached and separated from each other, wherein the polishing means is centered on the center of the polishing pad. A cylindrical hole, a through-hole that extends through the rotation shaft of the spindle unit in the extending direction and communicates one end with the hole, and a closed space that communicates with the other end of the through-hole. And a measuring device for measuring the state of the wafer being polished is disposed in the closed space.
この構成によれば、研磨手段の貫通孔の他方の端がカバー部材の閉塞空間によって塞がれるため、空孔及び貫通孔に対するエアの出入りが抑えられている。このため、貫通孔におけるエアの流れが無くなるため、研磨パッドやウエーハに付着している研磨屑や粉等の微細な異物が巻き上げられても、空孔及び貫通孔内に微細な異物が入り込み難くなっている。貫通孔の他方の端に連なる閉塞空間に微細な異物が入り込み難いため、閉塞空間に配設された測定器に異物が付着することを防止できる。よって、乾式研磨装置でウエーハの状態を良好に測定しながら研磨することができる。 According to this configuration, the other end of the through hole of the polishing means is closed by the closed space of the cover member, so that air can be prevented from entering and leaving the hole and the through hole. For this reason, since the air flow in the through hole is eliminated, even if a fine foreign matter such as polishing dust or powder adhering to the polishing pad or wafer is wound up, it is difficult for the fine foreign matter to enter the hole and the through hole. It has become. Since it is difficult for fine foreign matter to enter the closed space connected to the other end of the through hole, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the measuring instrument disposed in the closed space. Therefore, it can grind | polish, measuring a wafer state favorably with a dry-type grinding | polishing apparatus.
また、上記乾式研磨装置において、該閉塞空間とエアを供給するエア供給源とを連通するエア供給手段を備え、少なくとも該研磨パッドの研磨面をウエーハの上面に接近させる研磨送り動作時に該エア供給手段によってエアを供給して該閉塞空間を陽圧にする。 The dry polishing apparatus further includes an air supply means that communicates the closed space with an air supply source that supplies air, and the air supply is performed during a polishing feed operation in which at least the polishing surface of the polishing pad approaches the upper surface of the wafer. Air is supplied by means to make the enclosed space positive.
本発明によれば、研磨手段の貫通孔の他方の端がカバー部材の閉塞空間で塞がれて、空孔及び貫通孔に対するエアの出入りが抑えられるため、ウエーハの状態を測定する測定器に微細な異物が付着することを防止できる。 According to the present invention, since the other end of the through hole of the polishing means is blocked by the closed space of the cover member, air can be prevented from entering and exiting the hole and the through hole. It is possible to prevent fine foreign matter from adhering.
添付図面を参照して、本実施の形態に係る乾式研磨装置について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る乾式研磨装置の斜視図である。図2は、異物によって測定器が汚染される様子を示す説明図である。なお、本実施の形態に係る乾式研磨装置は、図1に示すような研磨専用の装置に限定されず、例えば、研削、研磨、洗浄等の一連の加工が全自動で実施されるフルオートタイプの加工装置に組み込まれてもよい。 A dry polishing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of a dry polishing apparatus according to the first embodiment. FIG. 2 is an explanatory view showing a state in which the measuring instrument is contaminated by foreign matter. Note that the dry polishing apparatus according to the present embodiment is not limited to a polishing-dedicated apparatus as shown in FIG. 1, and is, for example, a fully automatic type in which a series of processes such as grinding, polishing, and cleaning are performed automatically. It may be incorporated in the processing apparatus.
図1に示すように、乾式研磨装置1は、研磨手段41を用いて研削後のウエーハWを研磨することで、ウエーハWの被研削面(上面81)に残存した研削歪を除去するように構成されている。乾式研磨装置1は、ドライ環境の加工室(不図示)で研磨液を用いずにウエーハWを研磨するものであり、研磨屑や研磨パッドの磨耗による粉等の微細な異物を加工室から吸引排気している。なお、ウエーハWは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板でもよいし、サファイア、炭化ケイ素等の硬質な無機材料基板でもよい。また、ウエーハWは、デバイス形成後の半導体基板や無機材料基板でもよい。
As shown in FIG. 1, the dry polishing apparatus 1 uses a
乾式研磨装置1の基台11の上面には、X軸方向に延在する矩形状の開口が形成され、この開口は保持テーブル21と共に移動可能なテーブルカバー12及び蛇腹状の防塵カバー13に覆われている。防塵カバー13の下方には、保持テーブル21をX軸方向に移動させる移動手段24と、保持テーブル21を連続回転させる回転手段22とが設けられている。保持テーブル21の表面には、多孔質のポーラス材によってウエーハWを吸着する保持面23が形成されている。保持面23は、保持テーブル21内の流路を通じて吸引源(不図示)に接続されており、保持面23に生じる負圧によってウエーハWが吸引保持される。
A rectangular opening extending in the X-axis direction is formed on the upper surface of the
移動手段24は、基台11上に配置されたX軸方向に平行な一対のガイドレール51と、一対のガイドレール51にスライド可能に設置されたモータ駆動のX軸テーブル52とを有している。X軸テーブル52の背面側には、ナット部(不図示)が形成され、このナット部にボールネジ53が螺合されている。そして、ボールネジ53の一端部に連結された駆動モータ54が回転駆動されることで、保持テーブル21が一対のガイドレール51に沿ってX軸方向に動かされる。回転手段22は、X軸テーブル52上に設けられており、保持テーブル21をZ軸回りに回転可能に支持している。
The moving
基台11上のコラム14には、研磨手段41と保持テーブル21とを相対的に接近および離間させるZ軸方向に研磨送りする研磨加工送り手段31が設けられている。研磨加工送り手段31は、コラム14に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール32と、一対のガイドレール32にスライド可能に設置されたモータ駆動のZ軸テーブル33とを有している。Z軸テーブル33の背面側にはナット部(不図示)が形成され、このナット部にボールネジ34が螺合されている。ボールネジ34の一端部に連結された駆動モータ35によりボールネジ34が回転駆動されることで、研磨手段41がガイドレール32に沿って研磨送りされる。
The
研磨手段41は、ハウジング42を介してZ軸テーブル33の前面に取り付けられており、スピンドルユニット43の下部に研磨パッド46を設けて構成されている。スピンドルユニット43にはフランジ45が設けられ、フランジ45を介してハウジング42に研磨手段41が支持される。スピンドルユニット43の下部はマウント44になっており、マウント44の下面には保持テーブル21に保持されるウエーハWを研磨する研磨パッド46が装着されている。研磨パッド46は、発泡材や繊維質等で形成されており、研磨パッド46の中心と回転軸の中心とを一致させるように、研磨手段41のスピンドルユニット43に装着されている。
The
乾式研磨装置1には、装置各部を統括制御する制御部(不図示)が設けられている。制御部は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。このように構成された乾式研磨装置1では、スピンドルユニット43によって研磨パッド46がZ軸回りに回転されながら保持テーブル21に接近される。そして、研磨パッド46がウエーハWに回転接触することで、ウエーハWの被研削面が研磨される。
The dry polishing apparatus 1 is provided with a control unit (not shown) that controls each part of the apparatus. The control unit is configured by a processor, a memory, and the like that execute various processes. The memory is composed of one or a plurality of storage media such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory) depending on the application. In the dry polishing apparatus 1 configured as described above, the
また、乾式研磨装置1の研磨中には、摩擦熱による面焼け防止のために温度測定や高精度な研磨加工のためにウエーハWの厚み測定が実施される。しかしながら、本実施の形態の乾式研磨装置1のように、ウエーハWの外径よりも大径の研磨パッド46を用いてウエーハWが研磨パッド46に覆われている状態では、温度測定や厚み測定に用いる測定器の設置スペースがない。このため、図2Aの比較例に示すように、研磨パッド46の中心に空孔47を形成し、この空孔47に連なる貫通孔48をスピンドルユニット43に形成して、スピンドルユニット43の上方から貫通孔48を通じて測定可能なように測定器60、61を設置する構成が考えられる。
Further, during the polishing of the dry polishing apparatus 1, the thickness of the wafer W is measured for temperature measurement and high-precision polishing for preventing surface burn due to frictional heat. However, in the state where the wafer W is covered with the
しかしながら、図2Bに示すように、スピンドルユニット43の貫通孔48の真上に測定器60、61が存在するため、研磨加工で発生する研磨屑や研磨パッド46の磨耗による粉等の微細な異物70が測定器60、61に付着して、測定精度を劣化させるという問題が生じていた。ここで、本件発明者が、測定器60、61が異物70によって汚染される様子を詳細に観察したところ、ウエーハWの研磨中よりも研磨動作の開始時に研磨手段41がウエーハWに近づけられたときの勢いで、異物70が巻き上げられて貫通孔48を通じて測定器60、61に付着することが確認された。
However, as shown in FIG. 2B, since the measuring
これは、研磨パッド46がウエーハWに近づけられた時に、研磨パッド46の研磨面49とウエーハWの上面81との隙間のエアが圧縮されて空孔47を介して貫通孔48に入り込み、貫通孔48の上端(他方の端)から噴き出るエアの流れが出来るからだと思われる。そこで、本実施の形態では、このエアの流れを遮断するように貫通孔48の上端をカバー部材62(図3参照)で塞ぐようにしている。そして、カバー部材62に貫通孔48の上端に連なる閉塞空間63を設け、この閉塞空間63内に測定器60、61を配設することで、貫通孔48におけるエアの流れを無くして測定器60、61に対する異物70の付着を抑えている。
This is because when the
以下、図3を参照して、研磨手段の構成及び研磨動作について詳細に説明する。図3は、第1の実施の形態に係る研磨手段の研磨動作の一例を示す図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、スピンドルユニットのスピンドルケースを省略して、回転軸が露出された状態を例示して説明する。 Hereinafter, the configuration of the polishing means and the polishing operation will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the polishing operation of the polishing unit according to the first embodiment. In the following description, for convenience of explanation, the spindle case of the spindle unit is omitted, and an example in which the rotating shaft is exposed will be described.
図3Aに示すように、スピンドルユニット43内の回転軸40の下部にはマウント44が設けられており、マウント44には保持テーブル21上のウエーハWの外径よりも大径の研磨パッド46が装着されている。研磨パッド46の中心には空孔47が開口しており、スピンドルユニット43の回転軸40の中心には貫通孔48が延在方向(上下方向)に貫通している。貫通孔48の一方の端(下端)は研磨パッド46の空孔47に連通している。すなわち、研磨手段41は、研磨パッド46の中心を中心とした円柱状の空孔47と、回転軸40の中を延在方向に貫通する貫通孔48とを備えている。
As shown in FIG. 3A, a
また、研磨手段41は、貫通孔48の他方の端(上端)を塞いで、貫通孔48内のエアの流れを抑えるカバー部材62を備えている。カバー部材62には、貫通孔48の他方の端に連通する閉塞空間63が形成されており、閉塞空間63内に研磨中のウエーハWの状態を測定する測定器60、61が配設されている。測定器60、61は、貫通孔48の真上に配設されており、貫通孔48及び空孔47を介して真上からウエーハWの状態を測定する。このとき、貫通孔48の他方の端がカバー部材62で塞がれるため、貫通孔48を通じて閉塞空間63内の測定器60、61に向かうエアの流れが抑えられている。
Further, the polishing means 41 includes a
ここで、研磨中のウエーハWの状態としては、上記したように、ウエーハWの表面温度、ウエーハWの厚み等を挙げることができる。測定器60は、いわゆる放射温度計であり、非接触でウエーハWの表面温度を測定する。測定器61は、干渉分光器等の光センサであり、非接触でウエーハWの厚みを測定する。測定器60、61の測定結果から研磨中のウエーハWの表面温度や研磨量が測定され、摩擦熱による面焼けを防止すると共にウエーハWを高精度に研磨することができる。これら測定器60、61の測定結果は研磨中に制御部(不図示)に出力されて、制御部によって測定結果に基づいて研磨手段41の動作が制御される。
Here, examples of the state of the wafer W during polishing include the surface temperature of the wafer W, the thickness of the wafer W, and the like. The measuring
この研磨手段41では、保持テーブル21上にウエーハWが載置されると、保持テーブル21の保持面23にウエーハWが保持される。保持テーブル21が研磨手段41の下方に移動されて、研磨パッド46の真下にウエーハWが位置付けられる。このとき、ウエーハWから研磨パッド46が十分に離間した待機位置に研磨手段41が停止されているため、ウエーハWの上面81と研磨パッド46の研磨面49の間や貫通孔48内にエアの流れが生じていない。そして、研磨手段41が研磨パッド46を回転させながら、待機位置からウエーハWの上面81に向かって移動される。
In the polishing means 41, when the wafer W is placed on the holding table 21, the wafer W is held on the holding
図3Bに示すように、研磨パッド46の研磨面49がウエーハWの上面81に近づけられると、研磨パッド46の研磨面49とウエーハWの上面81との隙間のエアが圧縮される。隙間内のエアがウエーハWの上面81に沿って逃げようとするが、貫通孔48の他方の端、すなわち上端がカバー部材62に塞がれているため、ウエーハWの径方向内側にはエアの逃げ道が無くなっている。このため、隙間内のエアはウエーハWの径方向外側に向かって流れ、空孔47及び貫通孔48内にエアが流れることが防止される。貫通孔48を上方に抜けるエアの逃げ道がカバー部材62に遮断されることでエアの流れがコントロールされている。
As shown in FIG. 3B, when the polishing
このとき、ウエーハWの径方向外側に向かってエアが流れるため、研磨パッド46やウエーハWに付着している微細な異物70の巻き上げが防止される。仮に巻き上げられた場合であっても、貫通孔48内にエアの流れが無いため貫通孔48内に異物70が入り込み難くなっている。よって、貫通孔48を通じて閉塞空間63に異物70が入り込み難くなっており、閉塞空間63に配設された測定器60、61に対する異物70の付着が防止される。このように、カバー部材62によってエアの流れをウエーハWの径方向外側に誘導することで、簡易な構成で測定器60、61に対する異物70の付着を防止している。
At this time, since air flows toward the outer side in the radial direction of the wafer W, the fine
図3Cに示すように、研磨パッド46の研磨面49がウエーハWの上面81に接触されると、ウエーハWの上面81が研磨パッド46によって研磨される。このとき、閉塞空間63内の測定器60、61によってウエーハWの表面温度や厚みがリアルタイムに測定され、測定器60、61の測定結果に基づいて研磨手段41が制御される。測定器60によって測定された温度が、面焼けが生じる温度を下回っている間はウエーハWの研磨が続けられ、面焼けが生じる温度になるとウエーハWの研磨が中止される。そして、測定器61に測定されたウエーハWの厚みが、研削歪が除去される目標の厚みになるまで研磨手段41が研磨送りされる。
As shown in FIG. 3C, when the polishing
以上、第1の実施の形態に係る乾式研磨装置1においては、研磨手段41の貫通孔48の上端がカバー部材62の閉塞空間63によって塞がれるため、空孔47及び貫通孔48に対するエアの出入りが抑えられている。このため、貫通孔48におけるエアの流れが無くなるため、研磨パッド46やウエーハWに付着している研磨屑や粉等の微細な異物70が巻き上げられても、空孔47及び貫通孔48内に微細な異物70が入り込み難くなっている。貫通孔48の上端に連なる閉塞空間63に微細な異物70が入り込み難いため、閉塞空間63に配設された測定器60、61に異物70が付着することを防止できる。よって、乾式研磨装置1でウエーハWの状態を良好に測定しながら研磨することができる。
As described above, in the dry polishing apparatus 1 according to the first embodiment, since the upper end of the through
次に、図4を参照して、第2の実施の形態に係る乾式研磨装置における研磨手段について説明する。図4は、第2の実施の形態に係る研磨手段の研磨動作の一例を示す図である。なお、第2の実施の形態では、貫通孔内を陽圧にしながら研磨パッドをウエーハに接近させる点で第1の実施の形態と相違している。したがって、主に相違点について詳細に説明する。また、以下の説明では、説明の便宜上、スピンドルユニットのスピンドルケースを省略して、回転軸が露出された状態を例示して説明する。 Next, with reference to FIG. 4, the polishing means in the dry polishing apparatus according to the second embodiment will be described. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the polishing operation of the polishing unit according to the second embodiment. The second embodiment is different from the first embodiment in that the polishing pad is brought close to the wafer while the inside of the through hole is set to a positive pressure. Therefore, the differences will be mainly described in detail. Further, in the following description, for convenience of explanation, the spindle case of the spindle unit is omitted, and an example in which the rotating shaft is exposed will be described.
図4Aに示すように、第2の実施の形態に係る研磨手段41は、閉塞空間63とエアを供給するエア供給源65とを連通するエア供給手段64が設けられていること以外は、第1の実施の形態に係る研磨手段41と同一の構成である。エア供給手段64は、少なくとも研磨パッド46の研磨面49がウエーハWの上面81に接近させる研磨送り動作時に、閉塞空間63にエアを供給して閉塞空間63を陽圧にするように構成されている。なお、エア供給源65は、エア供給手段64を介して閉塞空間63にエアを供給可能な構成であればよく、例えば、乾式研磨装置1が設置される工場内に設けられていてもよいし、装置自体に設けられていてもよい。
As shown in FIG. 4A, the polishing means 41 according to the second embodiment is the same as that shown in FIG. 4 except that an air supply means 64 that connects the closed
この研磨手段41では、保持テーブル21上にウエーハWが載置されると、保持テーブル21の保持面23にウエーハWが保持される。保持テーブル21が研磨手段41の下方に移動されて、研磨パッド46の真下にウエーハWが位置付けられる。このとき、ウエーハWから研磨パッド46が十分に離間した待機位置に研磨手段41が停止されているため、ウエーハWの上面81と研磨パッド46の研磨面49の間や貫通孔48内にエアの流れが生じていない。そして、研磨手段41が研磨パッド46を回転させながら、待機位置からウエーハWの上面81に向かって移動される。
In the polishing means 41, when the wafer W is placed on the holding table 21, the wafer W is held on the holding
図4Bに示すように、研磨パッド46が待機位置からウエーハWに向けて下降されると、エア供給手段64によってエア供給源65から閉塞空間63にエアが供給される。この場合、エア供給手段64の管路に設けた開閉バルブ(不図示)によって閉塞空間63へのエアの供給が制御されている。閉塞空間63にエアが供給されると、閉塞空間63が陽圧になって閉塞空間63に連通する貫通孔48及び空孔47も陽圧になる。よって、研磨パッド46の研磨面49とウエーハWの上面81との隙間のエアが圧縮されても、隙間内のエアはウエーハWの径方向外側に向かって流れる。
As shown in FIG. 4B, when the
このとき、ウエーハWの径方向外側に向かってエアが流れるため、研磨パッド46やウエーハWに付着している微細な異物70の巻き上げが防止される。仮に巻き上げられた場合であっても、貫通孔48内にエアの流れが無いため貫通孔48内に異物70が入り込み難くなっている。よって、貫通孔48を通じて閉塞空間63に異物70が入り込むことがなく、閉塞空間63に配設された測定器60、61に異物70が付着することがない。このように、エア供給手段64によってウエーハWの径方向外側に向かうエアの流れを作り出すことで、測定器60、61に対する異物70の付着を確実に防止している。
At this time, since air flows toward the outer side in the radial direction of the wafer W, the fine
図4Cに示すように、研磨パッド46の研磨面49がウエーハWの上面81に接触されると、エア供給源65からのエアの供給が停止され、ウエーハWの上面81が研磨パッド46によって研磨される。このとき、閉塞空間63内の測定器60、61によってウエーハWの表面温度や厚みがリアルタイムに測定され、測定器60、61の測定結果に基づいて研磨手段41が制御される。測定器60によって測定された温度が、面焼けが生じる温度を下回っている間はウエーハWの研磨が続けられ、面焼けが生じる温度になるとウエーハWの研磨が中止される。そして、測定器61に測定されたウエーハWの厚みが目標の厚みになるまで研磨手段41が研磨送りされる。
As shown in FIG. 4C, when the polishing
以上、第2の実施の形態に係る乾式研磨装置1においては、測定器60、61が配設された閉塞空間63を陽圧にすることで、貫通孔48を通じて空孔47からウエーハWに向かってエアが噴き出される。よって、研磨手段41の研磨送り動作時に、空孔47及び貫通孔48に空気が入り込むことがなく、閉塞空間63に配設された測定器60、61に異物70が付着することがない。よって、乾式研磨装置1でウエーハWの状態を良好に測定しながら研磨することができる。
As described above, in the dry polishing apparatus 1 according to the second embodiment, the closed
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.
例えば、第1、第2の実施の形態では、研磨パッド46がウエーハWの全面を覆うことができる大きさを有する構成にしたが、この構成に限定されない。研磨パッド46は、ウエーハWよりも小さく形成されていてもよい。
For example, in the first and second embodiments, the
また、第1、第2の実施の形態では、研磨加工送り手段31によって保持テーブル21に対して研磨パッド46を研磨送りする構成にしたが、この構成に限定されない。研磨加工送り手段31は、研磨手段41と保持テーブル21とを相対的に接近及び離間させる方向に研磨送りする構成であればよく、研磨パッド46に対して保持テーブル21を研磨送りする構成にしてもよい。
In the first and second embodiments, the
また、第1、第2の実施の形態では、研磨パッド46に円柱状の空孔47が形成されたが、この構成に限定されない。研磨パッド46の空孔47の形は特に限定されず、測定器60、61の測定を阻害しないように形成されていればよい。
In the first and second embodiments, the
また、第1、第2の実施の形態では、カバー部材62が貫通孔48の上端を塞ぐように設けられる構成について説明したが、この構成に限定されない。カバー部材62は、貫通孔48の上端を完全に塞ぐ構成に限定されず、閉塞空間63まで異物70が進入しない程度にエアの逃げ道が形成されていてもよい。すなわち、閉塞空間63は完全にエアの逃げ道が無い状態に限定されない。
In the first and second embodiments, the configuration in which the
また、第1、第2の実施の形態では、乾式研磨装置1が測定器60、61によってウエーハWの表面温度と厚みを同時に測定する構成について説明したが、この構成に限定されない。乾式研磨装置1は、測定器60又は測定器61によって、ウエーハWの表面温度と厚みのいずれかを測定してもよい。また、乾式研磨装置1は、ウエーハWの表面温度及び厚み以外の研磨中のウエーハWの状態を測定する測定器を備えていてもよい。
In the first and second embodiments, the configuration in which the dry polishing apparatus 1 simultaneously measures the surface temperature and thickness of the wafer W using the
また、第2の実施の形態では、研磨パッド46の研磨面49がウエーハWの上面81に接触するまで、エア供給手段64によって閉塞空間63にエアが供給される構成にしたが、この構成に限定されない。エア供給手段64は、少なくとも研磨パッド46の研磨面49をウエーハWの上面81に接近させる研磨送り動作時に閉塞空間63にエアを供給する構成であればよい。例えば、エア供給手段64は、研磨中に常に閉塞空間63にエアを供給し続けてもよいし、研磨パッド46の研磨面49とウエーハWの上面81の接触直前の一瞬だけ閉塞空間63にエアを供給してもよい。
In the second embodiment, the
以上説明したように、本発明は、ウエーハの状態を測定する測定器に対する研磨屑や粉等の異物の付着を防止することができるという効果を有し、特に、ドライ環境の加工室でウエーハを研磨する乾式研磨装置に有用である。 As described above, the present invention has an effect that it is possible to prevent adhesion of foreign matters such as polishing dust and powder to a measuring instrument that measures the state of a wafer, and in particular, a wafer is processed in a processing chamber in a dry environment. This is useful for a dry polishing apparatus for polishing.
1 乾式研磨装置
21 保持テーブル
31 研磨加工送り手段
40 回転軸
41 研磨手段
43 スピンドルユニット
46 研磨パッド
47 空孔
48 貫通孔
60、61 測定器
62 カバー部材
63 閉塞空間
64 エア供給手段
65 エア供給源
W ウエーハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (2)
該研磨手段は、該研磨パッドの中心を中心とした円柱状の空孔と、該スピンドルユニットの該回転軸の中を延在方向に貫通させ一方の端を該空孔と連通させる貫通孔と、該貫通孔の他方の端と連通する閉塞空間を形成するカバー部材と、を備え、該閉塞空間内に研磨中のウエーハの状態を測定する測定器を配設する乾式研磨装置。 A polishing table having a holding table for holding a wafer, a spindle unit for mounting the polishing pad for polishing the wafer held on the holding table so that the center of the polishing pad is aligned with the center of the rotating shaft, the polishing unit and the holding table A polishing process feeding means for polishing and feeding in a direction for relatively approaching and separating, and a dry polishing apparatus comprising:
The polishing means includes a cylindrical hole centered on the center of the polishing pad, a through hole that penetrates the rotating shaft of the spindle unit in the extending direction and communicates one end with the hole. And a cover member that forms a closed space that communicates with the other end of the through hole, and a measuring apparatus that measures the state of the wafer being polished is disposed in the closed space.
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