JP2016198830A - 乾式研磨装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエーハの状態を測定する測定器に対する、研磨屑や粉等の異物の付着を防止すること。【解決手段】乾式研磨装置（１）は、ウエーハ（Ｗ）を保持する保持テーブル（２１）と、ウエーハを研磨する研磨パッド（４６）の中心と回転軸（４０）の中心とを一致させて装着するスピンドルユニット（４３）を有する研磨手段（４１）と、研磨手段と保持テーブルとを相対的に接近および離間させる方向に研磨送りする研磨加工送り手段とを備え、研磨パッドの中心に形成された空孔（４７）にスピンドルユニットに形成された貫通孔（４８）が連通され、貫通孔の上端を塞ぐカバー部材（６２）によって貫通孔に連通する閉塞空間（６３）が形成され、閉塞空間（６３）に配設された測定器（６０、６１）によって貫通孔を通じてウエーハ（Ｗ）の状態を測定する構成に構成とした。【選択図】図３

Description

本発明は、ドライ環境の加工室でウエーハを研磨する乾式研磨装置に関する。

研磨加工では、研削後のウエーハの被研削面に残存した研削歪を研磨することで抗折強度を向上させている。従来、研磨装置として研磨液を用いないでウエーハを研磨する乾式研磨装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の乾式研磨装置では、研磨加工で発生する研磨屑や研磨パッドの磨耗による粉等の微細な異物を、排気（吸気）にて加工室から排出し、加工室から排気した異物を湿らせて廃液として処理している。加工室をドライ環境にしたままで、異物を廃液にしているため、加工室内で異物が飛散することがなく、研磨装置が設置されているクリーンルームが汚染されることがない。

また、乾式研磨装置としては、ウエーハの外径よりも大きな径の研磨パッドを用いてウエーハを研磨するものも知られている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の乾式研磨装置は、研磨パッドの中心とウエーハの中心をずらした状態で研磨パッドをウエーハに接触させることで、より効率的に研磨パッドによってウエーハを研磨することが可能になっている。これら特許文献１、２に記載の乾式研磨装置においては、ウエーハ研磨時の摩擦熱による面焼け防止のために研磨中のウエーハの表面温度の測定や、より高精度な研磨加工のために研磨中のウエーハの厚み測定が必要とされる。

特許第４４６４１１３号公報 特許第４７５４８７０号公報

ところで、特許文献２の乾式研磨装置では、半導体ウエーハの全面が研磨パッドに覆われているため、上記のようなウエーハの温度測定用の測定器やウエーハ厚み測定用の測定器を配設する場所が無い。この場合、研磨パッドの中心に空孔を形成し、この空孔に連なる貫通孔をスピンドルユニットに形成して、スピンドルユニットの上方から貫通孔を通じてウエーハの状態を測定する構成が考えられる。しかしながら、研磨パッドの空孔に微細な異物が入り込むと、スピンドルユニットの貫通孔を通って異物が測定器に付着して、測定器を汚染させてしまうという問題があった。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ウエーハの状態を測定する測定器に、研磨屑や粉等の異物が付着することを防止できる乾式研磨装置を提供することを目的とする。

本発明の乾式研磨装置は、ウエーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持されるウエーハを研磨する研磨パッドの中心と回転軸の中心とを一致させて装着するスピンドルユニットを有する研磨手段と、該研磨手段と該保持テーブルとを相対的に接近および離間させる方向に研磨送りする研磨加工送り手段と、を備える乾式研磨装置であって、該研磨手段は、該研磨パッドの中心を中心とした円柱状の空孔と、該スピンドルユニットの該回転軸の中を延在方向に貫通させ一方の端を該空孔と連通させる貫通孔と、該貫通孔の他方の端と連通する閉塞空間を形成するカバー部材と、を備え、該閉塞空間内に研磨中のウエーハの状態を測定する測定器を配設する。

この構成によれば、研磨手段の貫通孔の他方の端がカバー部材の閉塞空間によって塞がれるため、空孔及び貫通孔に対するエアの出入りが抑えられている。このため、貫通孔におけるエアの流れが無くなるため、研磨パッドやウエーハに付着している研磨屑や粉等の微細な異物が巻き上げられても、空孔及び貫通孔内に微細な異物が入り込み難くなっている。貫通孔の他方の端に連なる閉塞空間に微細な異物が入り込み難いため、閉塞空間に配設された測定器に異物が付着することを防止できる。よって、乾式研磨装置でウエーハの状態を良好に測定しながら研磨することができる。

また、上記乾式研磨装置において、該閉塞空間とエアを供給するエア供給源とを連通するエア供給手段を備え、少なくとも該研磨パッドの研磨面をウエーハの上面に接近させる研磨送り動作時に該エア供給手段によってエアを供給して該閉塞空間を陽圧にする。

本発明によれば、研磨手段の貫通孔の他方の端がカバー部材の閉塞空間で塞がれて、空孔及び貫通孔に対するエアの出入りが抑えられるため、ウエーハの状態を測定する測定器に微細な異物が付着することを防止できる。

第１の実施の形態に係る乾式研磨装置の斜視図である。 異物によって測定器が汚染される様子を示す説明図である。 第１の実施の形態に係る研磨手段の研磨動作の一例を示す図である。 第２の実施の形態に係る研磨手段の研磨動作の一例を示す図である。

添付図面を参照して、本実施の形態に係る乾式研磨装置について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る乾式研磨装置の斜視図である。図２は、異物によって測定器が汚染される様子を示す説明図である。なお、本実施の形態に係る乾式研磨装置は、図１に示すような研磨専用の装置に限定されず、例えば、研削、研磨、洗浄等の一連の加工が全自動で実施されるフルオートタイプの加工装置に組み込まれてもよい。

図１に示すように、乾式研磨装置１は、研磨手段４１を用いて研削後のウエーハＷを研磨することで、ウエーハＷの被研削面（上面８１）に残存した研削歪を除去するように構成されている。乾式研磨装置１は、ドライ環境の加工室（不図示）で研磨液を用いずにウエーハＷを研磨するものであり、研磨屑や研磨パッドの磨耗による粉等の微細な異物を加工室から吸引排気している。なお、ウエーハＷは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板でもよいし、サファイア、炭化ケイ素等の硬質な無機材料基板でもよい。また、ウエーハＷは、デバイス形成後の半導体基板や無機材料基板でもよい。

乾式研磨装置１の基台１１の上面には、Ｘ軸方向に延在する矩形状の開口が形成され、この開口は保持テーブル２１と共に移動可能なテーブルカバー１２及び蛇腹状の防塵カバー１３に覆われている。防塵カバー１３の下方には、保持テーブル２１をＸ軸方向に移動させる移動手段２４と、保持テーブル２１を連続回転させる回転手段２２とが設けられている。保持テーブル２１の表面には、多孔質のポーラス材によってウエーハＷを吸着する保持面２３が形成されている。保持面２３は、保持テーブル２１内の流路を通じて吸引源（不図示）に接続されており、保持面２３に生じる負圧によってウエーハＷが吸引保持される。

移動手段２４は、基台１１上に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール５１と、一対のガイドレール５１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル５２とを有している。Ｘ軸テーブル５２の背面側には、ナット部（不図示）が形成され、このナット部にボールネジ５３が螺合されている。そして、ボールネジ５３の一端部に連結された駆動モータ５４が回転駆動されることで、保持テーブル２１が一対のガイドレール５１に沿ってＸ軸方向に動かされる。回転手段２２は、Ｘ軸テーブル５２上に設けられており、保持テーブル２１をＺ軸回りに回転可能に支持している。

基台１１上のコラム１４には、研磨手段４１と保持テーブル２１とを相対的に接近および離間させるＺ軸方向に研磨送りする研磨加工送り手段３１が設けられている。研磨加工送り手段３１は、コラム１４に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール３２と、一対のガイドレール３２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸テーブル３３とを有している。Ｚ軸テーブル３３の背面側にはナット部（不図示）が形成され、このナット部にボールネジ３４が螺合されている。ボールネジ３４の一端部に連結された駆動モータ３５によりボールネジ３４が回転駆動されることで、研磨手段４１がガイドレール３２に沿って研磨送りされる。

研磨手段４１は、ハウジング４２を介してＺ軸テーブル３３の前面に取り付けられており、スピンドルユニット４３の下部に研磨パッド４６を設けて構成されている。スピンドルユニット４３にはフランジ４５が設けられ、フランジ４５を介してハウジング４２に研磨手段４１が支持される。スピンドルユニット４３の下部はマウント４４になっており、マウント４４の下面には保持テーブル２１に保持されるウエーハＷを研磨する研磨パッド４６が装着されている。研磨パッド４６は、発泡材や繊維質等で形成されており、研磨パッド４６の中心と回転軸の中心とを一致させるように、研磨手段４１のスピンドルユニット４３に装着されている。

乾式研磨装置１には、装置各部を統括制御する制御部（不図示）が設けられている。制御部は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。このように構成された乾式研磨装置１では、スピンドルユニット４３によって研磨パッド４６がＺ軸回りに回転されながら保持テーブル２１に接近される。そして、研磨パッド４６がウエーハＷに回転接触することで、ウエーハＷの被研削面が研磨される。

また、乾式研磨装置１の研磨中には、摩擦熱による面焼け防止のために温度測定や高精度な研磨加工のためにウエーハＷの厚み測定が実施される。しかしながら、本実施の形態の乾式研磨装置１のように、ウエーハＷの外径よりも大径の研磨パッド４６を用いてウエーハＷが研磨パッド４６に覆われている状態では、温度測定や厚み測定に用いる測定器の設置スペースがない。このため、図２Ａの比較例に示すように、研磨パッド４６の中心に空孔４７を形成し、この空孔４７に連なる貫通孔４８をスピンドルユニット４３に形成して、スピンドルユニット４３の上方から貫通孔４８を通じて測定可能なように測定器６０、６１を設置する構成が考えられる。

しかしながら、図２Ｂに示すように、スピンドルユニット４３の貫通孔４８の真上に測定器６０、６１が存在するため、研磨加工で発生する研磨屑や研磨パッド４６の磨耗による粉等の微細な異物７０が測定器６０、６１に付着して、測定精度を劣化させるという問題が生じていた。ここで、本件発明者が、測定器６０、６１が異物７０によって汚染される様子を詳細に観察したところ、ウエーハＷの研磨中よりも研磨動作の開始時に研磨手段４１がウエーハＷに近づけられたときの勢いで、異物７０が巻き上げられて貫通孔４８を通じて測定器６０、６１に付着することが確認された。

これは、研磨パッド４６がウエーハＷに近づけられた時に、研磨パッド４６の研磨面４９とウエーハＷの上面８１との隙間のエアが圧縮されて空孔４７を介して貫通孔４８に入り込み、貫通孔４８の上端（他方の端）から噴き出るエアの流れが出来るからだと思われる。そこで、本実施の形態では、このエアの流れを遮断するように貫通孔４８の上端をカバー部材６２（図３参照）で塞ぐようにしている。そして、カバー部材６２に貫通孔４８の上端に連なる閉塞空間６３を設け、この閉塞空間６３内に測定器６０、６１を配設することで、貫通孔４８におけるエアの流れを無くして測定器６０、６１に対する異物７０の付着を抑えている。

以下、図３を参照して、研磨手段の構成及び研磨動作について詳細に説明する。図３は、第１の実施の形態に係る研磨手段の研磨動作の一例を示す図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、スピンドルユニットのスピンドルケースを省略して、回転軸が露出された状態を例示して説明する。

図３Ａに示すように、スピンドルユニット４３内の回転軸４０の下部にはマウント４４が設けられており、マウント４４には保持テーブル２１上のウエーハＷの外径よりも大径の研磨パッド４６が装着されている。研磨パッド４６の中心には空孔４７が開口しており、スピンドルユニット４３の回転軸４０の中心には貫通孔４８が延在方向（上下方向）に貫通している。貫通孔４８の一方の端（下端）は研磨パッド４６の空孔４７に連通している。すなわち、研磨手段４１は、研磨パッド４６の中心を中心とした円柱状の空孔４７と、回転軸４０の中を延在方向に貫通する貫通孔４８とを備えている。

また、研磨手段４１は、貫通孔４８の他方の端（上端）を塞いで、貫通孔４８内のエアの流れを抑えるカバー部材６２を備えている。カバー部材６２には、貫通孔４８の他方の端に連通する閉塞空間６３が形成されており、閉塞空間６３内に研磨中のウエーハＷの状態を測定する測定器６０、６１が配設されている。測定器６０、６１は、貫通孔４８の真上に配設されており、貫通孔４８及び空孔４７を介して真上からウエーハＷの状態を測定する。このとき、貫通孔４８の他方の端がカバー部材６２で塞がれるため、貫通孔４８を通じて閉塞空間６３内の測定器６０、６１に向かうエアの流れが抑えられている。

ここで、研磨中のウエーハＷの状態としては、上記したように、ウエーハＷの表面温度、ウエーハＷの厚み等を挙げることができる。測定器６０は、いわゆる放射温度計であり、非接触でウエーハＷの表面温度を測定する。測定器６１は、干渉分光器等の光センサであり、非接触でウエーハＷの厚みを測定する。測定器６０、６１の測定結果から研磨中のウエーハＷの表面温度や研磨量が測定され、摩擦熱による面焼けを防止すると共にウエーハＷを高精度に研磨することができる。これら測定器６０、６１の測定結果は研磨中に制御部（不図示）に出力されて、制御部によって測定結果に基づいて研磨手段４１の動作が制御される。

この研磨手段４１では、保持テーブル２１上にウエーハＷが載置されると、保持テーブル２１の保持面２３にウエーハＷが保持される。保持テーブル２１が研磨手段４１の下方に移動されて、研磨パッド４６の真下にウエーハＷが位置付けられる。このとき、ウエーハＷから研磨パッド４６が十分に離間した待機位置に研磨手段４１が停止されているため、ウエーハＷの上面８１と研磨パッド４６の研磨面４９の間や貫通孔４８内にエアの流れが生じていない。そして、研磨手段４１が研磨パッド４６を回転させながら、待機位置からウエーハＷの上面８１に向かって移動される。

図３Ｂに示すように、研磨パッド４６の研磨面４９がウエーハＷの上面８１に近づけられると、研磨パッド４６の研磨面４９とウエーハＷの上面８１との隙間のエアが圧縮される。隙間内のエアがウエーハＷの上面８１に沿って逃げようとするが、貫通孔４８の他方の端、すなわち上端がカバー部材６２に塞がれているため、ウエーハＷの径方向内側にはエアの逃げ道が無くなっている。このため、隙間内のエアはウエーハＷの径方向外側に向かって流れ、空孔４７及び貫通孔４８内にエアが流れることが防止される。貫通孔４８を上方に抜けるエアの逃げ道がカバー部材６２に遮断されることでエアの流れがコントロールされている。

このとき、ウエーハＷの径方向外側に向かってエアが流れるため、研磨パッド４６やウエーハＷに付着している微細な異物７０の巻き上げが防止される。仮に巻き上げられた場合であっても、貫通孔４８内にエアの流れが無いため貫通孔４８内に異物７０が入り込み難くなっている。よって、貫通孔４８を通じて閉塞空間６３に異物７０が入り込み難くなっており、閉塞空間６３に配設された測定器６０、６１に対する異物７０の付着が防止される。このように、カバー部材６２によってエアの流れをウエーハＷの径方向外側に誘導することで、簡易な構成で測定器６０、６１に対する異物７０の付着を防止している。

図３Ｃに示すように、研磨パッド４６の研磨面４９がウエーハＷの上面８１に接触されると、ウエーハＷの上面８１が研磨パッド４６によって研磨される。このとき、閉塞空間６３内の測定器６０、６１によってウエーハＷの表面温度や厚みがリアルタイムに測定され、測定器６０、６１の測定結果に基づいて研磨手段４１が制御される。測定器６０によって測定された温度が、面焼けが生じる温度を下回っている間はウエーハＷの研磨が続けられ、面焼けが生じる温度になるとウエーハＷの研磨が中止される。そして、測定器６１に測定されたウエーハＷの厚みが、研削歪が除去される目標の厚みになるまで研磨手段４１が研磨送りされる。

以上、第１の実施の形態に係る乾式研磨装置１においては、研磨手段４１の貫通孔４８の上端がカバー部材６２の閉塞空間６３によって塞がれるため、空孔４７及び貫通孔４８に対するエアの出入りが抑えられている。このため、貫通孔４８におけるエアの流れが無くなるため、研磨パッド４６やウエーハＷに付着している研磨屑や粉等の微細な異物７０が巻き上げられても、空孔４７及び貫通孔４８内に微細な異物７０が入り込み難くなっている。貫通孔４８の上端に連なる閉塞空間６３に微細な異物７０が入り込み難いため、閉塞空間６３に配設された測定器６０、６１に異物７０が付着することを防止できる。よって、乾式研磨装置１でウエーハＷの状態を良好に測定しながら研磨することができる。

次に、図４を参照して、第２の実施の形態に係る乾式研磨装置における研磨手段について説明する。図４は、第２の実施の形態に係る研磨手段の研磨動作の一例を示す図である。なお、第２の実施の形態では、貫通孔内を陽圧にしながら研磨パッドをウエーハに接近させる点で第１の実施の形態と相違している。したがって、主に相違点について詳細に説明する。また、以下の説明では、説明の便宜上、スピンドルユニットのスピンドルケースを省略して、回転軸が露出された状態を例示して説明する。

図４Ａに示すように、第２の実施の形態に係る研磨手段４１は、閉塞空間６３とエアを供給するエア供給源６５とを連通するエア供給手段６４が設けられていること以外は、第１の実施の形態に係る研磨手段４１と同一の構成である。エア供給手段６４は、少なくとも研磨パッド４６の研磨面４９がウエーハＷの上面８１に接近させる研磨送り動作時に、閉塞空間６３にエアを供給して閉塞空間６３を陽圧にするように構成されている。なお、エア供給源６５は、エア供給手段６４を介して閉塞空間６３にエアを供給可能な構成であればよく、例えば、乾式研磨装置１が設置される工場内に設けられていてもよいし、装置自体に設けられていてもよい。

この研磨手段４１では、保持テーブル２１上にウエーハＷが載置されると、保持テーブル２１の保持面２３にウエーハＷが保持される。保持テーブル２１が研磨手段４１の下方に移動されて、研磨パッド４６の真下にウエーハＷが位置付けられる。このとき、ウエーハＷから研磨パッド４６が十分に離間した待機位置に研磨手段４１が停止されているため、ウエーハＷの上面８１と研磨パッド４６の研磨面４９の間や貫通孔４８内にエアの流れが生じていない。そして、研磨手段４１が研磨パッド４６を回転させながら、待機位置からウエーハＷの上面８１に向かって移動される。

図４Ｂに示すように、研磨パッド４６が待機位置からウエーハＷに向けて下降されると、エア供給手段６４によってエア供給源６５から閉塞空間６３にエアが供給される。この場合、エア供給手段６４の管路に設けた開閉バルブ（不図示）によって閉塞空間６３へのエアの供給が制御されている。閉塞空間６３にエアが供給されると、閉塞空間６３が陽圧になって閉塞空間６３に連通する貫通孔４８及び空孔４７も陽圧になる。よって、研磨パッド４６の研磨面４９とウエーハＷの上面８１との隙間のエアが圧縮されても、隙間内のエアはウエーハＷの径方向外側に向かって流れる。

このとき、ウエーハＷの径方向外側に向かってエアが流れるため、研磨パッド４６やウエーハＷに付着している微細な異物７０の巻き上げが防止される。仮に巻き上げられた場合であっても、貫通孔４８内にエアの流れが無いため貫通孔４８内に異物７０が入り込み難くなっている。よって、貫通孔４８を通じて閉塞空間６３に異物７０が入り込むことがなく、閉塞空間６３に配設された測定器６０、６１に異物７０が付着することがない。このように、エア供給手段６４によってウエーハＷの径方向外側に向かうエアの流れを作り出すことで、測定器６０、６１に対する異物７０の付着を確実に防止している。

図４Ｃに示すように、研磨パッド４６の研磨面４９がウエーハＷの上面８１に接触されると、エア供給源６５からのエアの供給が停止され、ウエーハＷの上面８１が研磨パッド４６によって研磨される。このとき、閉塞空間６３内の測定器６０、６１によってウエーハＷの表面温度や厚みがリアルタイムに測定され、測定器６０、６１の測定結果に基づいて研磨手段４１が制御される。測定器６０によって測定された温度が、面焼けが生じる温度を下回っている間はウエーハＷの研磨が続けられ、面焼けが生じる温度になるとウエーハＷの研磨が中止される。そして、測定器６１に測定されたウエーハＷの厚みが目標の厚みになるまで研磨手段４１が研磨送りされる。

以上、第２の実施の形態に係る乾式研磨装置１においては、測定器６０、６１が配設された閉塞空間６３を陽圧にすることで、貫通孔４８を通じて空孔４７からウエーハＷに向かってエアが噴き出される。よって、研磨手段４１の研磨送り動作時に、空孔４７及び貫通孔４８に空気が入り込むことがなく、閉塞空間６３に配設された測定器６０、６１に異物７０が付着することがない。よって、乾式研磨装置１でウエーハＷの状態を良好に測定しながら研磨することができる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。

例えば、第１、第２の実施の形態では、研磨パッド４６がウエーハＷの全面を覆うことができる大きさを有する構成にしたが、この構成に限定されない。研磨パッド４６は、ウエーハＷよりも小さく形成されていてもよい。

また、第１、第２の実施の形態では、研磨加工送り手段３１によって保持テーブル２１に対して研磨パッド４６を研磨送りする構成にしたが、この構成に限定されない。研磨加工送り手段３１は、研磨手段４１と保持テーブル２１とを相対的に接近及び離間させる方向に研磨送りする構成であればよく、研磨パッド４６に対して保持テーブル２１を研磨送りする構成にしてもよい。

また、第１、第２の実施の形態では、研磨パッド４６に円柱状の空孔４７が形成されたが、この構成に限定されない。研磨パッド４６の空孔４７の形は特に限定されず、測定器６０、６１の測定を阻害しないように形成されていればよい。

また、第１、第２の実施の形態では、カバー部材６２が貫通孔４８の上端を塞ぐように設けられる構成について説明したが、この構成に限定されない。カバー部材６２は、貫通孔４８の上端を完全に塞ぐ構成に限定されず、閉塞空間６３まで異物７０が進入しない程度にエアの逃げ道が形成されていてもよい。すなわち、閉塞空間６３は完全にエアの逃げ道が無い状態に限定されない。

また、第１、第２の実施の形態では、乾式研磨装置１が測定器６０、６１によってウエーハＷの表面温度と厚みを同時に測定する構成について説明したが、この構成に限定されない。乾式研磨装置１は、測定器６０又は測定器６１によって、ウエーハＷの表面温度と厚みのいずれかを測定してもよい。また、乾式研磨装置１は、ウエーハＷの表面温度及び厚み以外の研磨中のウエーハＷの状態を測定する測定器を備えていてもよい。

また、第２の実施の形態では、研磨パッド４６の研磨面４９がウエーハＷの上面８１に接触するまで、エア供給手段６４によって閉塞空間６３にエアが供給される構成にしたが、この構成に限定されない。エア供給手段６４は、少なくとも研磨パッド４６の研磨面４９をウエーハＷの上面８１に接近させる研磨送り動作時に閉塞空間６３にエアを供給する構成であればよい。例えば、エア供給手段６４は、研磨中に常に閉塞空間６３にエアを供給し続けてもよいし、研磨パッド４６の研磨面４９とウエーハＷの上面８１の接触直前の一瞬だけ閉塞空間６３にエアを供給してもよい。

以上説明したように、本発明は、ウエーハの状態を測定する測定器に対する研磨屑や粉等の異物の付着を防止することができるという効果を有し、特に、ドライ環境の加工室でウエーハを研磨する乾式研磨装置に有用である。

１ 乾式研磨装置
２１ 保持テーブル
３１ 研磨加工送り手段
４０ 回転軸
４１ 研磨手段
４３ スピンドルユニット
４６ 研磨パッド
４７ 空孔
４８ 貫通孔
６０、６１ 測定器
６２ カバー部材
６３ 閉塞空間
６４ エア供給手段
６５ エア供給源
Ｗ ウエーハ

Claims (2)

1. ウエーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持されるウエーハを研磨する研磨パッドの中心と回転軸の中心とを一致させて装着するスピンドルユニットを有する研磨手段と、該研磨手段と該保持テーブルとを相対的に接近および離間させる方向に研磨送りする研磨加工送り手段と、を備える乾式研磨装置であって、
   該研磨手段は、該研磨パッドの中心を中心とした円柱状の空孔と、該スピンドルユニットの該回転軸の中を延在方向に貫通させ一方の端を該空孔と連通させる貫通孔と、該貫通孔の他方の端と連通する閉塞空間を形成するカバー部材と、を備え、該閉塞空間内に研磨中のウエーハの状態を測定する測定器を配設する乾式研磨装置。
2. 該閉塞空間とエアを供給するエア供給源とを連通するエア供給手段を備え、少なくとも該研磨パッドの研磨面をウエーハの上面に接近させる研磨送り動作時に該エア供給手段によってエアを供給して該閉塞空間を陽圧にする請求項１記載の乾式研磨装置。

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