JP2006216895A

JP2006216895A - Semiconductor wafer polishing device

Info

Publication number: JP2006216895A
Application number: JP2005030540A
Authority: JP
Inventors: Takashi Inomata; 崇猪股
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2005-02-07
Filing date: 2005-02-07
Publication date: 2006-08-17

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve yields by accurately grasping the temperature of the surface of a semiconductor wafer to be dry-polished to thereby enable the operational management of dry polish for preventing the temperature from reaching the level that causes defects. <P>SOLUTION: A hollow part 28 is formed at a rotation axis 22 of a polish unit 20 and the rotation center of a polish wheel 24 across both of them. A non-contact temperature sensor 40 is inserted into the hollow part 28 while a sensor 42 is near the opening on the polish wheel 24 side, and adjoins the surface of the semiconductor wafer W to be polished. A control unit 50 determines whether the temperature detected by the temperature senser 40 exceeds a detected allowable temperature, and proceeds with polishing or performs feedback control for retracting the polish unit 20 based on the content of determination. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体ウエーハの研磨装置に係り、特に、フェルト中に砥粒が分散された研磨材を回転させながら半導体ウエーハの被研磨面に押し当てて研磨する乾式の研磨装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer polishing apparatus, and more particularly to a dry polishing apparatus that polishes a polishing material in which abrasive grains are dispersed in felt while pressing the polishing material against a surface to be polished of the semiconductor wafer.

ＩＣやＬＳＩ等の電子回路が表面に形成された半導体チップは、各種電気・電子機器を小型化する上で今や必須のものとなっている。半導体チップは、円盤状の半導体ウエーハの表面に、ストリートと呼ばれる切断ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら矩形領域に電子回路を形成した後、半導体ウエーハをストリートに沿って分割するといった工程で製造される。 A semiconductor chip having an electronic circuit such as an IC or LSI formed on its surface is now indispensable for downsizing various electric / electronic devices. A semiconductor chip is a process in which a rectangular region of a lattice shape is defined by cutting lines called streets on the surface of a disk-shaped semiconductor wafer, an electronic circuit is formed in these rectangular regions, and then the semiconductor wafer is divided along the streets. Manufactured by.

このような製造工程において、半導体ウエーハは、半導体チップに分割されるに先だち、電子回路が形成されたデバイス面とは反対側の裏面が、グラインダ等の研削装置によって研削されている。裏面の研削は、電子機器のさらなる小型化や軽量化の他、熱放散性を向上させて性能を維持させることなどを目的としており、例えば、当初厚さの６００μｍから、２００〜１００μｍ以下、あるいは５０μｍ以下の厚さにする程度まで行われる。 In such a manufacturing process, before the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips, the back surface opposite to the device surface on which the electronic circuit is formed is ground by a grinding apparatus such as a grinder. The purpose of grinding the back surface is to further reduce the size and weight of the electronic device and to improve the heat dissipation and maintain the performance. For example, the initial thickness is 600 μm to 200 to 100 μm or less, or It is performed to the extent that the thickness is 50 μm or less.

ところが、半導体ウエーハの裏面を研削すると、その裏面に加工歪みが残存する場合が多く、これによって半導体チップの抗折強度が低下して折れやすくなるといった不具合が生じる。そこでこの不具合を解消するために、研削後の裏面をさらに僅かに（例えば１〜５μｍ程度）研磨して加工歪みを除去し、最終製品とすることが行われている。 However, when the back surface of the semiconductor wafer is ground, processing strain often remains on the back surface, which causes a problem that the bending strength of the semiconductor chip is lowered and the semiconductor wafer is easily broken. Therefore, in order to solve this problem, it has been practiced that the back surface after grinding is further slightly polished (for example, about 1 to 5 μm) to remove the processing distortion to obtain a final product.

このような加工歪みを除去するための研磨方法としては、従来、所定の薬品を用いた化学エッチングが主に採用されていた。しかしながらこの方法では、生産性に劣ったり、環境汚染に配慮した廃液処理が求められることから手間とコストがかかったりするといった問題があった。そこで本出願人は、フェルト中に砥粒を分散させた研磨材を回転させながら半導体ウエーハの裏面に押し当てて研磨する乾式の研磨装置を提案した（特許文献１，２）。 Conventionally, chemical etching using a predetermined chemical has been mainly employed as a polishing method for removing such processing strain. However, this method has a problem in that it is inferior in productivity and waste liquid treatment in consideration of environmental pollution, which requires labor and cost. In view of this, the present applicant has proposed a dry polishing apparatus that polishes a polishing material in which abrasive grains are dispersed in a felt while pressing it against the back surface of a semiconductor wafer (Patent Documents 1 and 2).

特開２００３−１８８１１８号公報JP 2003-188118 A 特開２００３−２３６７５２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-236752

上記特許文献１に記載の研磨工具によれば、水やスラリー等の水分を用いない乾式研磨であることから、工程が簡素化して生産性が保たれるとともに、廃液処理といった問題から解放されるといった利点がある。ところが乾式であるが故に、研磨によって摩擦熱が発生し、例えば１００℃前後まで温度上昇すると、半導体ウエーハの被研磨面である裏面が過熱状態となって焼ける現象、いわゆる面焼けが生じて、半導体ウエーハ自体にダメージを与える場合があった。また、このような過熱は、半導体ウエーハの表面に通常貼られている塩化ビニル製等の保護テープを溶融させ、表面を汚染させたり電子回路へのワイヤボンディングが導通しなかったりする問題を招くものであった。 According to the polishing tool described in Patent Document 1, since it is dry polishing that does not use water such as water or slurry, the process is simplified and productivity is maintained, and it is freed from problems such as waste liquid treatment. There are advantages such as. However, because it is a dry type, frictional heat is generated by polishing. For example, when the temperature rises to around 100 ° C., the back surface, which is the polished surface of the semiconductor wafer, is overheated and burnt, so-called surface burning occurs. In some cases, the wafer itself was damaged. In addition, such overheating may cause problems such as melting the protective tape made of vinyl chloride or the like that is usually affixed to the surface of the semiconductor wafer, contaminating the surface, or preventing wire bonding to the electronic circuit from conducting. Met.

そこで、半導体ウエーハの裏面に空気を吹き付けて空冷することにより、摩擦熱の上昇を抑えることが検討され、これを具体化させたものが、上記特許文献２に示されている。ところが、同文献２に記載される手段を用いて半導体ウエーハの被摩擦面を空冷しても、上記不具合が生じる温度すなわち過熱温度に達してしまう場合があった。例えば、研磨材が摩耗して薄くなり、研磨材の弾力性が低下して半導体ウエーハを押圧する力が強すぎる状態になったり、研磨材が取り付けられた支持部材が半導体ウエーハの裏面に当たったりすると、過熱温度に達してしまうことになっていた。 Therefore, it has been studied to suppress an increase in frictional heat by blowing air on the back surface of the semiconductor wafer and cooling it, and the above-mentioned patent document 2 discloses a concrete example of this. However, even if the friction surface of the semiconductor wafer is air-cooled by using the means described in the document 2, there is a case where the temperature at which the above problem occurs, that is, the overheating temperature may be reached. For example, the abrasive is worn and thinned, the elasticity of the abrasive is lowered, and the force for pressing the semiconductor wafer becomes too strong, or the support member attached with the abrasive hits the back surface of the semiconductor wafer. Then, it was supposed to reach an overheating temperature.

よって本発明は、半導体ウエーハを乾式研磨するにあたり、摩擦によって発熱する被研磨面の温度を正確に把握し、これによって常に被研磨面が過熱温度に達しないように運転管理を行うことができ、もって歩留まりの向上を図ることができる半導体ウエーハの研磨装置を提供することを目的としている。 Therefore, the present invention accurately grasps the temperature of the surface to be polished that generates heat due to friction when dry polishing a semiconductor wafer, and thereby can perform operation management so that the surface to be polished does not always reach the overheating temperature, Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer polishing apparatus capable of improving the yield.

本発明は、チャックテーブルに保持した半導体ウエーハの被研磨面を乾式の研磨手段によって研磨する研磨装置であって、研磨手段は、回転軸と、この回転軸を回転駆動する駆動源と、回転軸の先端に取り付けられ、半導体ウエーハの被研磨面に接触させられる研磨面を有する研磨ホイールとを備えており、回転軸および研磨ホイールの回転中心には、両者にわたる中空部が形成され、この中空部に、非接触式の温度センサが、センサ部を研磨ホイール側の開口付近に配した状態で挿入されていることを特徴としている。 The present invention is a polishing apparatus for polishing a surface to be polished of a semiconductor wafer held on a chuck table by dry polishing means, the polishing means comprising a rotating shaft, a driving source for rotating the rotating shaft, and a rotating shaft. And a polishing wheel having a polishing surface that is brought into contact with the surface to be polished of the semiconductor wafer, and a hollow portion is formed at the rotation shaft and the rotation center of the polishing wheel. In addition, a non-contact temperature sensor is inserted in a state where the sensor portion is arranged near the opening on the polishing wheel side.

本発明の研磨装置によれば、チャックテーブルに保持した半導体ウエーハの被研磨面に対して、回転する研磨ホイールの研磨面を接触させることにより、その被研磨面を研磨する。ここで、回転軸および研磨ホイールの回転中心に形成された中空部を半導体ウエーハの被研磨面上に配した状態で、稼働させるものとする。この稼働状態で、中空部に挿入された温度センサのセンサ部は半導体ウエーハの被研磨面に近接し、その被研磨面の温度が温度センサで検出される。温度センサのセンサ部が被研磨面に近接しているので、被研磨面の温度を正確に検出することができ、その検出温度を常に管理することにより、面焼け等の不具合が生じる過熱温度に達しない温度で、半導体ウエーハを乾式研磨することが可能となる。 According to the polishing apparatus of the present invention, the surface to be polished is polished by bringing the polishing surface of the rotating polishing wheel into contact with the surface to be polished of the semiconductor wafer held on the chuck table. Here, it is assumed that the hollow portion formed at the rotation shaft and the rotation center of the polishing wheel is operated on the surface to be polished of the semiconductor wafer. In this operating state, the sensor portion of the temperature sensor inserted in the hollow portion is close to the surface to be polished of the semiconductor wafer, and the temperature of the surface to be polished is detected by the temperature sensor. Since the sensor part of the temperature sensor is close to the surface to be polished, the temperature of the surface to be polished can be accurately detected, and by constantly managing the detected temperature, it becomes an overheating temperature that causes problems such as surface burning. The semiconductor wafer can be dry-polished at a temperature that does not reach it.

温度センサの検出温度に基づいて研磨手段をフィードバック制御する制御手段を備えることは、本発明の運転管理を自動化するための好ましい形態である。制御手段が行うフィードバック制御の具体的な動作としては、研磨手段が、研磨ホイールを、チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの被研磨面に対して、押圧したり、逆に離間させたりする方向に加工送りする送り機構を備えており、この構成において、温度センサの検出温度が、所定の許容温度を超えたか否かを判別し、その許容温度を超えた場合には、送り機構を、研磨ホイールが半導体ウエーハから退避位置まで離間するよう作動させ、研磨を停止させる形態が挙げられる。 Providing a control means for feedback-controlling the polishing means based on the temperature detected by the temperature sensor is a preferred form for automating the operation management of the present invention. As a specific operation of the feedback control performed by the control means, the polishing means presses the polishing wheel against the surface to be polished of the semiconductor wafer held by the chuck table or reversely separates the polishing wheel. In this configuration, it is determined whether or not the temperature detected by the temperature sensor exceeds a predetermined allowable temperature. If the temperature exceeds the allowable temperature, the feed mechanism is Is operated to move away from the semiconductor wafer to the retracted position, and polishing is stopped.

この場合の許容温度とは、上記過熱温度、すなわち半導体ウエーハの被研磨面が面焼けしたり、あるいは表面に貼られた保護テープが溶融したりする不具合が生じる温度よりも若干低い温度であって、その不具合が確実に生じない範囲で研磨が最大限に行われる温度を言う。上記制御によれば、半導体ウエーハの被研磨面が過熱温度に達することを未然に回避することができ、面焼け等の不具合を確実に防止することができる。 The allowable temperature in this case is a temperature slightly lower than the above-described overheating temperature, that is, a temperature at which the surface to be polished of the semiconductor wafer is burnt or the protective tape affixed to the surface is melted. The temperature at which polishing is performed to the maximum extent within a range where the malfunction does not occur reliably. According to the above control, the surface to be polished of the semiconductor wafer can be prevented from reaching the overheating temperature, and problems such as surface burn can be reliably prevented.

また、別の制御形態として、上記送り機構を備えた構成において、制御手段は、温度センサの検出温度が所定の許容温度範囲内であるか否かを判別するとともに、温度センサの検出温度が、許容温度範囲の上限を下回っている場合には、送り機構を、研磨ホイールがチャックテーブルに保持された半導体ウエーハに対して押圧するように作動させ、一方、許容温度範囲の上限を超えた場合には、送り機構を、チャックテーブルに保持された半導体ウエーハに対する研磨ホイールの押圧力を緩めるように作動させ、これによって温度センサの検出温度を許容温度範囲内に維持させるといった形態が挙げられる。この場合の許容温度範囲とは、研磨が確実に行われる温度範囲であって、その上限は、上記前者の制御で設定される許容温度と同等であり、下限においても十分に研磨は行われる、 As another control mode, in the configuration including the feeding mechanism, the control unit determines whether or not the temperature detected by the temperature sensor is within a predetermined allowable temperature range, and the temperature detected by the temperature sensor is When the upper limit of the allowable temperature range is exceeded, the feed mechanism is operated so that the polishing wheel presses against the semiconductor wafer held on the chuck table, while the upper limit of the allowable temperature range is exceeded. The feed mechanism is operated so as to loosen the pressing force of the polishing wheel against the semiconductor wafer held on the chuck table, thereby maintaining the temperature detected by the temperature sensor within the allowable temperature range. The allowable temperature range in this case is a temperature range in which polishing is reliably performed, and the upper limit is equivalent to the allowable temperature set by the former control, and polishing is sufficiently performed even at the lower limit.

この形態では、温度センサの検出温度が許容温度範囲の上限を下回っている状態では、研磨ホイールが半導体ウエーハを押圧して研磨が進行し、その過程で許容温度範囲の上限を超えると、送り機構によって研磨ホイールが半導体ウエーハから離間する方向に僅かに移動し、半導体ウエーハに対する研磨ホイールの押圧力が緩められる。すると、半導体ウエーハの温度は下がり、温度センサの検出温度範囲の上限を下回ったら、送り機構によって研磨ホイールが半導体ウエーハを押圧するように作動する。すなわちこの制御は、温度センサの検出温度が許容温度範囲内では研磨し、超えると研磨ホイールの押圧力を緩めるといったもので、これら２つの状態が繰り返される場合もあり、したがって、常に許容温度範囲内で乾式研磨がなされる。 In this form, when the temperature detected by the temperature sensor is below the upper limit of the allowable temperature range, the polishing wheel presses the semiconductor wafer and polishing proceeds. As a result, the polishing wheel slightly moves in a direction away from the semiconductor wafer, and the pressing force of the polishing wheel against the semiconductor wafer is relaxed. Then, the temperature of the semiconductor wafer decreases, and when the temperature falls below the upper limit of the temperature range detected by the temperature sensor, the polishing wheel is operated so as to press the semiconductor wafer. That is, this control is such that the detected temperature of the temperature sensor is polished within the allowable temperature range, and if it exceeds, the pressing force of the polishing wheel is loosened, and these two states may be repeated, and therefore always within the allowable temperature range. With dry polishing.

本発明によれば、半導体ウエーハを乾式研磨するにあたり、その被研磨面の温度を正確に検出することができ、これによって、常に被研磨面が過熱温度に達しないように運転管理を行うことができ、もって歩留まりの向上を図ることができるといった効果を奏する。 According to the present invention, when a semiconductor wafer is dry-polished, the temperature of the surface to be polished can be accurately detected, and thus operation management can be performed so that the surface to be polished does not always reach the overheating temperature. Therefore, the yield can be improved.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］装置の構成
図１は、一実施形態に係る乾式研磨装置の全体を示しており、図中符号１０は、各種機構が搭載される基台である。この基台１０は、横長の状態に設置されて基台１０の主体をなす直方体状のテーブル１１と、このテーブル１１の長手方向一端部（図１の奥側の端部）から鉛直上方に延びる壁部１２とを有している。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[1] Configuration of Apparatus FIG. 1 shows an entire dry polishing apparatus according to an embodiment, and reference numeral 10 in the figure denotes a base on which various mechanisms are mounted. The base 10 is installed in a horizontally long state and has a rectangular parallelepiped table 11 which is the main body of the base 10 and extends vertically upward from one end in the longitudinal direction of the table 11 (end on the back side in FIG. 1). And wall portion 12.

この研磨装置は、表面に電子回路が形成され、グラインダ等でほぼ製品に近い厚さに裏面を研削された円盤状の半導体ウエーハＷの裏面を、さらに研磨して、加工歪みを除去する装置である。半導体ウエーハＷの表面には、電子回路を保護する塩化ビニル製等の保護テープＴが貼られている。 This polishing apparatus is an apparatus that removes processing distortion by further polishing the back surface of a disk-shaped semiconductor wafer W having an electronic circuit formed on the front surface and the back surface ground to a thickness close to that of a product by a grinder or the like. is there. On the surface of the semiconductor wafer W, a protective tape T made of vinyl chloride or the like for protecting the electronic circuit is attached.

基台１０のテーブル１１上は、長手方向のほぼ中間部分から壁部１２側が研磨エリア１１Ａとされ、この反対側が、研磨エリア１１Ａに研磨前の半導体ウエーハＷを供給し、かつ、研磨後の半導体ウエーハＷを回収する供給・回収エリア１１Ｂとされている。
以下、本装置が備える各種機構を、研磨エリア１１Ａに設けられるものと供給・回収エリア１１Ｂに設けられものとに分けて説明する。 On the table 11 of the base 10, the wall 12 side from the substantially middle part in the longitudinal direction is a polishing area 11A, and the opposite side supplies the semiconductor wafer W before polishing to the polishing area 11A, and the semiconductor after polishing A supply / recovery area 11B for collecting the wafer W is used.
Hereinafter, various mechanisms provided in this apparatus will be described separately for those provided in the polishing area 11A and those provided in the supply / recovery area 11B.

（ａ）研磨エリア１１Ａの機構
研磨エリア１１Ａには矩形状の凹所１３が形成されており、この凹所１３の底面には、矩形状のステージ１４が、テーブル１１の長手方向（以下、Ｙ方向と称する）に移動自在に設けられている。このテーブル１１は、ステージ１４内に配されたＹ方向に延びるガイドレールに摺動自在に取り付けられ、適宜な駆動機構（いずれも図示略）によって同方向を往復動させられる。 (A) Mechanism of Polishing Area 11A A rectangular recess 13 is formed in the polishing area 11A, and a rectangular stage 14 is disposed on the bottom surface of the recess 13 in the longitudinal direction of the table 11 (hereinafter referred to as Y). (Referred to as a direction). The table 11 is slidably attached to a guide rail disposed in the stage 14 and extending in the Y direction, and is reciprocated in the same direction by an appropriate drive mechanism (none of which is shown).

ステージ１４の移動方向両端部には、蛇腹１５，１６の一端が、それぞれ取り付けられており、これら蛇腹１５，１６の他端は、壁部１２の内面と、壁部１２に対向する凹所１３の内壁面に、それぞれ取り付けられている。これら、蛇腹１５，１６は、ステージ１４を上記ガイドレールに連結させるために凹所１３の底面に形成された図示せぬスリットを覆って、ステージ１４内に研磨屑等が落下することを防ぐもので、ステージ１４の移動に伴って伸縮し、その移動を妨げない。 One end of bellows 15 and 16 is attached to both ends of the stage 14 in the moving direction, and the other end of these bellows 15 and 16 is the inner surface of the wall portion 12 and the recess 13 facing the wall portion 12. Are attached to the inner wall surface of each. These bellows 15 and 16 cover a slit (not shown) formed on the bottom surface of the recess 13 in order to connect the stage 14 to the guide rail, and prevent polishing debris from falling into the stage 14. Thus, the stage 14 expands and contracts with the movement of the stage 14 and does not hinder the movement.

ステージ１４上には、鉛直方向（以下、Ｚ方向と称する）を回転中心とし、上面が水平とされた円盤状のチャックテーブル１７が、回転自在に設けられている。半導体ウエーハＷは、裏面（被研磨面）を上に向けて、このチャックテーブル１７上に水平に載置される。チャックテーブル１７は、ステージ１４内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって、一方向、または両方向に回転させられる。 On the stage 14, a disk-shaped chuck table 17 having a vertical direction (hereinafter referred to as “Z direction”) as a rotation center and a horizontal upper surface is rotatably provided. The semiconductor wafer W is placed horizontally on the chuck table 17 with the back surface (surface to be polished) facing upward. The chuck table 17 is rotated in one direction or both directions by a rotation drive mechanism (not shown) provided in the stage 14.

チャックテーブル１７のチャック方式は、この場合、周知のバキュームチャックである。すなわち、チャックテーブル１７は多孔質セラミックスのような多孔質材料で成形されており、テーブル１１内に設けられた図示せぬバキューム装置の空気吸引口がチャックテーブル１７の裏面に接続され、バキューム装置を運転すると、半導体ウエーハＷがチャックテーブル１７上に吸着・保持される。 In this case, the chuck system of the chuck table 17 is a known vacuum chuck. That is, the chuck table 17 is formed of a porous material such as porous ceramics, and an air suction port of a vacuum device (not shown) provided in the table 11 is connected to the back surface of the chuck table 17 so that the vacuum device is When operated, the semiconductor wafer W is attracted and held on the chuck table 17.

チャックテーブル１７の移動ラインの上方には、研磨ユニット（研磨手段）２０が配されている。この研磨ユニット２０は、基台１０の壁部１２に、送り機構３０を介してＺ方向に昇降自在に支持されている。送り機構３０は、鉛直面とされた壁部１２の内面に固定された互いに平行でＺ方向に延びる一対のガイドレール３１と、これらガイドレール３１に摺動自在に取り付けられたスライダ３２と、このスライダ３２をガイドレール３１に沿って往復動させるスライダ駆動機構３３とを備えている。 A polishing unit (polishing means) 20 is disposed above the movement line of the chuck table 17. The polishing unit 20 is supported on the wall 12 of the base 10 via a feed mechanism 30 so as to be movable up and down in the Z direction. The feed mechanism 30 includes a pair of guide rails 31 that are fixed to the inner surface of the wall portion 12 that is a vertical surface and that extend in the Z direction, and a slider 32 that is slidably attached to the guide rails 31. And a slider drive mechanism 33 that reciprocates the slider 32 along the guide rail 31.

スライダ駆動機構３３は、スライダ３２と壁部１２との間の空間に、軸方向をＺ方向と平行にして配され、上端部および下端部が、それぞれ壁部１２に設けられた軸受３４，３５に回転自在に取り付けられた螺子ロッド３６と、この螺子ロッド３６を回転駆動するパルスモータ３７とを備えている。螺子ロッド３６は、スライダ３２の背面に突出形成された図示せぬブラケットに螺合して貫通している。これにより、スライダ３２は、パルスモータ３７が正転して螺子ロッド３６が一方向に回転した場合には下方（送り方向）に移動し、パルスモータ３７が逆転して螺子ロッド３６が逆方向に回転すると上方（退避方向）に移動する。 The slider drive mechanism 33 is arranged in the space between the slider 32 and the wall portion 12 with the axial direction being parallel to the Z direction, and the upper end portion and the lower end portion are bearings 34 and 35 provided on the wall portion 12, respectively. And a pulse motor 37 that rotationally drives the screw rod 36. The screw rod 36 is threadedly engaged with a bracket (not shown) formed on the back surface of the slider 32 so as to pass therethrough. Thus, the slider 32 moves downward (feed direction) when the pulse motor 37 rotates forward and the screw rod 36 rotates in one direction, and the pulse motor 37 reverses and the screw rod 36 moves in the reverse direction. When rotated, it moves upward (withdrawal direction).

上記研磨ユニット２０は、スライダ３２のテーブル１１側に面する前面に、ブロック３２ａを介して固定されている。研磨ユニット２０は、図３および図４に示すように、軸方向がＺ方向に沿う状態にブロック３２ａに通され、かつ、このブロック３２ａに固定された円筒状のハウジング２１と、このハウジング２１の内部に回転自在に挿入された回転軸２２と、この回転軸２２を回転駆動するサーボモータ（駆動源）２３と、ハウジング２１から下方に突出する回転軸２２の下端に取り付けられた研磨ホイール２４とを備えている。 The polishing unit 20 is fixed to the front surface of the slider 32 facing the table 11 via a block 32a. As shown in FIGS. 3 and 4, the polishing unit 20 is passed through a block 32a with the axial direction along the Z direction, and a cylindrical housing 21 fixed to the block 32a. A rotary shaft 22 rotatably inserted therein, a servo motor (drive source) 23 that rotationally drives the rotary shaft 22, and a polishing wheel 24 attached to the lower end of the rotary shaft 22 that protrudes downward from the housing 21 It has.

回転軸２２は、ハウジング２１の内面との間に均一な微小隙間を隔ててラジアル／スラスト方向を支持する周知のエアベアリング機構により、ハウジング２１内に回転自在に支持されている。回転軸２２のハウジング２１内における下端部の外周面にはスラストベアリング２２ａが形成されており、このスラストベアリング２２ａがハウジング２１の内周面に形成された環状溝２１ａに嵌入されることにより、回転軸２２のスラスト方向が支持されるようになっている。 The rotary shaft 22 is rotatably supported in the housing 21 by a known air bearing mechanism that supports a radial / thrust direction with a uniform minute gap between the rotary shaft 22 and the inner surface of the housing 21. A thrust bearing 22 a is formed on the outer peripheral surface of the lower end portion of the rotary shaft 22 in the housing 21, and the thrust bearing 22 a is rotated by being fitted into an annular groove 21 a formed on the inner peripheral surface of the housing 21. The thrust direction of the shaft 22 is supported.

この場合のサーボモータ２３は周知の永久磁石式であって、回転軸２２の上端部外周面に一体的に固着された永久磁石製の円筒状ロータ２３ａと、このロータ２３ａを包囲する状態にハウジング２１の内周面に固定された円筒状のステータ２３ｂとからなるもので、ステータ２３ｂのコイル電圧を印加するとロータ２３ａが回転し、これによって回転軸２２が軸回りに回転するようになっている。 The servo motor 23 in this case is a known permanent magnet type, and is a cylindrical rotor 23a made of a permanent magnet integrally fixed to the outer peripheral surface of the upper end of the rotating shaft 22, and a housing in a state surrounding the rotor 23a. The rotor 23a rotates when a coil voltage of the stator 23b is applied, thereby rotating the rotating shaft 22 around the axis. .

回転軸２２は、その下端に円盤状のホイールマウント２２ｂを有している。このホイールマウント２２ｂは、回転軸２２の回転中心と同心であり、図３に示すように、円周方向の等分複数箇所に、ボルト挿通孔２２ｃが貫通形成されている。そして、回転軸２２の回転中心には、軸方向に沿って延びる貫通孔２２ｄが形成されている。回転軸２２の上端はハウジング２１から突出しており、その突出部と、回転軸２２とハウジング２１との間の隙間が、ハウジング２１の上端面に螺子止め等の手段で着脱自在に装着されるキャップ２１ａで覆われている。 The rotating shaft 22 has a disk-shaped wheel mount 22b at the lower end thereof. The wheel mount 22b is concentric with the center of rotation of the rotating shaft 22, and, as shown in FIG. 3, bolt insertion holes 22c are formed through it at a plurality of equally spaced locations in the circumferential direction. A through hole 22 d extending along the axial direction is formed at the rotation center of the rotation shaft 22. The upper end of the rotating shaft 22 protrudes from the housing 21, and the protruding portion and the gap between the rotating shaft 22 and the housing 21 are detachably attached to the upper end surface of the housing 21 by means such as screwing. It is covered with 21a.

上記研磨ホイール２４は、ホイールマウント２２ｂと同径であり、このホイールマウント２２ｂの下面であるマウント面に、着脱自在に取り付けられる。研磨ホイール２４は、図３に示すように、円盤状の支持板２５の片面に、同じく円盤状で、実際に半導体ウエーハＷの裏面を研磨するフェルト砥石２６が固着されてなるものである。 The grinding wheel 24 has the same diameter as the wheel mount 22b, and is detachably attached to a mount surface that is the lower surface of the wheel mount 22b. As shown in FIG. 3, the polishing wheel 24 is formed by fixing a felt grindstone 26 that is also disk-shaped and actually polishes the back surface of the semiconductor wafer W on one surface of a disk-shaped support plate 25.

支持板２５の片面（フェルト砥石２６が固着されていない面）には、ホイールマウントの複数のボルト挿通孔２２ｃに一致する貫通しない複数の螺子穴２５ａが形成されている。そして、研磨ホイール２４の中心には、回転軸２２の貫通孔２２ｄと同径の貫通孔２４ａが形成されている。なお、この場合の研磨ホイール２４の外径は、半導体ウエーハＷの直径とほぼ同一ないし１．５倍程度とされるが、寸法はこれに限定されるものではない。 On one surface of the support plate 25 (the surface on which the felt grindstone 26 is not fixed), there are formed a plurality of screw holes 25a that do not pass through and match the plurality of bolt insertion holes 22c of the wheel mount. At the center of the grinding wheel 24, a through hole 24a having the same diameter as the through hole 22d of the rotary shaft 22 is formed. In this case, the outer diameter of the polishing wheel 24 is approximately the same as or about 1.5 times the diameter of the semiconductor wafer W, but the dimensions are not limited thereto.

支持板２５およびフェルト砥石２６は同径で、互いに同心状に重ねられ、例えば、エポキシ樹脂系接着剤によって相互に接着されている。フェルト砥石２６は、フェルト中に砥粒が分散状態で含浸され、全体を適宜な接着剤で固めて成形されたものである。 The support plate 25 and the felt grindstone 26 have the same diameter, are stacked concentrically with each other, and are bonded to each other by, for example, an epoxy resin adhesive. The felt grindstone 26 is formed by impregnating abrasive grains in a dispersed state in a felt and hardening the whole with an appropriate adhesive.

フェルトの材料としては、ポリエステル、ナイロン等の合成繊維や、羊毛、綿、麻等の天然繊維等が用いられ、適宜な硬さと密度を有するよう成形される。また、砥粒としては、シリカ、アルミナ、ダイヤモンド等からなるものが用いられ、その粒径は、例えば０．０１〜１００μｍ程度とされる。なお、フェルト砥石２６に関しては、本出願人の発明が記載されている特許文献：特開２００２−２８３２４３号公報や特開２００３−１８８１１８号公報等に詳述されている。 As the felt material, synthetic fibers such as polyester and nylon and natural fibers such as wool, cotton and hemp are used, and are molded to have an appropriate hardness and density. Moreover, as an abrasive grain, what consists of a silica, an alumina, a diamond, etc. is used, The particle diameter shall be about 0.01-100 micrometers, for example. The felt grindstone 26 is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2002-283243 and 2003-188118 in which the invention of the present applicant is described.

研磨ホイール２４は、支持板２５を回転軸２２のホイールマウント２２ｂのマウント面に合わせ、なおかつ螺子穴２５ａをボルト挿通孔２２ｃに一致させ、ボルト挿通孔２２ｃに通したボルト２７を螺子穴２５ａにねじ込んで締結することにより、ホイールマウント２２ｂに取り付けられる。 In the grinding wheel 24, the support plate 25 is aligned with the mounting surface of the wheel mount 22b of the rotary shaft 22, the screw hole 25a is aligned with the bolt insertion hole 22c, and the bolt 27 passed through the bolt insertion hole 22c is screwed into the screw hole 25a. By fastening with, it is attached to the wheel mount 22b.

この取り付け状態で、研磨ホイール２４は回転軸２２と同心となり、また、研磨ホイール２４の貫通孔２４ａは回転軸２２の貫通孔２２ｄに連通する。ここで、連続する２つの貫通孔２２ｄ、２４ａを、中空部２８と総称する。研磨ホイール２４は回転軸２２と一体に回転するが、その回転中心の軸線はＺ方向に延びるとともに、ステージ１４ごとＹ方向に移動する上記チャックテーブル１７の回転中心の移動軌跡に対して直交するように、研磨ユニット２０がスライダ３２に固定されている。 In this attached state, the polishing wheel 24 is concentric with the rotating shaft 22, and the through hole 24 a of the polishing wheel 24 communicates with the through hole 22 d of the rotating shaft 22. Here, the two continuous through holes 22 d and 24 a are collectively referred to as a hollow portion 28. The grinding wheel 24 rotates integrally with the rotary shaft 22, but the axis of the rotation center extends in the Z direction and is orthogonal to the movement locus of the rotation center of the chuck table 17 that moves in the Y direction together with the stage 14. Further, the polishing unit 20 is fixed to the slider 32.

後述するように、チャックテーブル１７上には、裏面を上に向けられた半導体ウエーハＷが、チャックテーブル１７上に同心の状態で載置される。したがって、チャックテーブル１７上に保持された半導体ウエーハＷと研磨ホイール２４との位置関係は、Ｚ方向に延びる両者の回転中心がＹ方向の面内で平行になる。 As will be described later, on the chuck table 17, the semiconductor wafer W with the back surface facing upward is placed on the chuck table 17 in a concentric state. Therefore, the positional relationship between the semiconductor wafer W held on the chuck table 17 and the polishing wheel 24 is such that both rotation centers extending in the Z direction are parallel in the plane in the Y direction.

ここで、研磨ユニット２０によって半導体ウエーハＷの裏面を研磨する動作を簡単に説明すると、ステージ１４によって、研磨ホイール２４の下方である研磨位置にチャックテーブル１７を配し、図４に示すように、研磨ホイール２４が半導体ウエーハＷに被さるように位置付けた状態で、チャックテーブル１７を回転させるとともに、研磨ホイール２４を回転させながら、チャックテーブル１７上に保持されて回転する半導体ウエーハＷに対し、送り機構３０によって研磨ユニット２０を所定速度でゆっくり下降させる。 Here, the operation of polishing the back surface of the semiconductor wafer W by the polishing unit 20 will be briefly described. By the stage 14, the chuck table 17 is arranged at the polishing position below the polishing wheel 24, and as shown in FIG. While the polishing wheel 24 is positioned so as to cover the semiconductor wafer W, the chuck table 17 is rotated, and while the polishing wheel 24 is rotated, the feed mechanism to the semiconductor wafer W held and rotated on the chuck table 17 is rotated. 30, the polishing unit 20 is slowly lowered at a predetermined speed.

これにより、回転する研磨ホイール２４のフェルト砥石２６の下面が半導体ウエーハＷの裏面を所定の荷重で押圧し、その裏面が研磨される。この研磨中には、フェルト砥石２６による乾式研磨であるが故、半導体ウエーハＷの裏面には摩擦熱が発生する。 Thereby, the lower surface of the felt grindstone 26 of the rotating polishing wheel 24 presses the back surface of the semiconductor wafer W with a predetermined load, and the back surface is polished. During this polishing, frictional heat is generated on the back surface of the semiconductor wafer W because it is dry polishing by the felt grindstone 26.

さて、研磨ユニット２０の中空部２８には、図２〜図４に示すように、半導体ウエーハＷの裏面に発生する摩擦熱を検出する温度センサ４０が挿入される。この温度センサ４０は、赤外線センサ等の非接触式であって、細管４１と、この細管４１の先端に固定されたセンサ部４２と、細管４１内に通されて保護され、センサ部４２で検出される温度信号を外部に出力するためのリード線４３とを備えている。 As shown in FIGS. 2 to 4, a temperature sensor 40 that detects frictional heat generated on the back surface of the semiconductor wafer W is inserted into the hollow portion 28 of the polishing unit 20. The temperature sensor 40 is a non-contact type such as an infrared sensor, and is a thin tube 41, a sensor unit 42 fixed to the tip of the thin tube 41, and passed through the thin tube 41 to be protected and detected by the sensor unit 42. And a lead wire 43 for outputting a temperature signal to be output to the outside.

温度センサ４０は、センサ部４２を、中空部２８の研磨ホイール２４側の開口付近に配した状態で中空部２８に挿入され、細管４１のセンサ部４２と反対側の端部が、キャップ２１ａに支持されている。温度センサ４０を研磨ユニット２０にセットするには、図２および図４に示すように、予め細管４１の端部をキャップ２１ａに固定するとともに、リード線４３を外部に引き出した状態として、センサ部４２および細管４１を中空部２８に挿入した後、キャップ２１ａをハウジング２１に装着する。 The temperature sensor 40 is inserted into the hollow portion 28 in a state where the sensor portion 42 is disposed in the vicinity of the opening of the hollow portion 28 on the polishing wheel 24 side, and the end of the narrow tube 41 opposite to the sensor portion 42 is attached to the cap 21a. It is supported. In order to set the temperature sensor 40 in the polishing unit 20, as shown in FIGS. 2 and 4, the end of the thin tube 41 is fixed to the cap 21a in advance, and the lead wire 43 is pulled out to the outside. After inserting 42 and the thin tube 41 into the hollow portion 28, the cap 21 a is attached to the housing 21.

図４では、センサ部４２は回転軸２２の貫通孔２２ｄの下端付近に位置しているが、これより下方の研磨ホイール２４の貫通孔２４ａにセンサ部４２を配してもよい。また、細管４１およびセンサ部４２は、回転軸２２に接触しないように挿入されている。 In FIG. 4, the sensor unit 42 is positioned near the lower end of the through hole 22 d of the rotating shaft 22, but the sensor unit 42 may be disposed in the through hole 24 a of the polishing wheel 24 below this. Further, the thin tube 41 and the sensor unit 42 are inserted so as not to contact the rotating shaft 22.

図１に示すように、当該研磨装置は、制御手段５０を有している。この制御手段５０は、温度センサ４０による検出温度が、所定の許容温度を超えたか否かを判別する判別部５１と、この判別部５１の判別信号が供給されるとともに、判別内容に応じて送り機構３０のパルスモータ３７を正転あるいは逆転させる制御部５２とを備えている。この制御手段５０により、研磨ユニット２０は、温度センサ４０の検出温度に基づいてフィードバック制御される。 As shown in FIG. 1, the polishing apparatus has a control means 50. The control means 50 is supplied with a determination unit 51 for determining whether or not the temperature detected by the temperature sensor 40 exceeds a predetermined allowable temperature, and a determination signal of the determination unit 51 is sent according to the determination contents. And a control unit 52 that rotates the pulse motor 37 of the mechanism 30 forward or backward. By this control means 50, the polishing unit 20 is feedback-controlled based on the temperature detected by the temperature sensor 40.

上記許容温度とは、研磨ホイール２４で研磨される半導体ウエーハＷの裏面が摩擦で発熱した際に、半導体ウエーハＷの裏面が面焼けしたり、あるいは表面に貼られた保護テープＴが溶融したりする不具合が生じる温度よりも若干低い温度であって、研磨後に製品不良とならない範囲で研磨が最大限に行われる温度を言う。具体的には、８０〜１００℃程度とされる。 The allowable temperature is that when the back surface of the semiconductor wafer W polished by the polishing wheel 24 generates heat due to friction, the back surface of the semiconductor wafer W is burnt, or the protective tape T affixed to the surface is melted. This is a temperature that is slightly lower than the temperature at which defects occur, and is the temperature at which polishing is performed to the maximum extent within a range that does not cause product defects after polishing. Specifically, the temperature is about 80 to 100 ° C.

制御手段５０が行うフィードバック制御の具体的な動作は、以下の通りである。
すなわち、判別部５１が、温度センサ４０の検出温度が許容温度を下回っていると判別している場合には、制御部５２は、送り機構３０のパルスモータ３７の正転状態を維持する。これによって、研磨ユニット２０は下降を続け、半導体ウエーハＷの裏面の研磨が続行される。 The specific operation of the feedback control performed by the control means 50 is as follows.
That is, when the determination unit 51 determines that the temperature detected by the temperature sensor 40 is below the allowable temperature, the control unit 52 maintains the normal rotation state of the pulse motor 37 of the feed mechanism 30. As a result, the polishing unit 20 continues to descend and polishing of the back surface of the semiconductor wafer W is continued.

次に、判別部５１が、温度センサ４０の検出温度が許容温度を超えたと判別したら、制御部５２は、送り機構３０のパルスモータ３７を所定ステップ逆転させる。これによって、研磨ユニット２０は、研磨ホイール２４が半導体ウエーハＷから所定距離上方に離れた退避位置まで上昇し、そこで停止する。引き続き判別部５１に温度センサ４０の検出信号（検出温度）が供給され、許容温度を下回ったと判別したら、制御部５２はその判別信号を受け、再びパルスモータ３７を正転させる。これにより、研磨ユニット２０は下降し、研磨ホイール２４のフェルト砥石２６が半導体ウエーハＷの裏面を押圧して研磨が再開される。 Next, when the determination unit 51 determines that the temperature detected by the temperature sensor 40 has exceeded the allowable temperature, the control unit 52 reverses the pulse motor 37 of the feed mechanism 30 by a predetermined step. As a result, the polishing unit 20 rises to a retracted position where the polishing wheel 24 is separated from the semiconductor wafer W by a predetermined distance and stops there. When the detection signal (detection temperature) of the temperature sensor 40 is continuously supplied to the determination unit 51 and it is determined that the temperature is lower than the allowable temperature, the control unit 52 receives the determination signal and rotates the pulse motor 37 in the normal direction again. As a result, the polishing unit 20 is lowered, and the felt grindstone 26 of the polishing wheel 24 presses the back surface of the semiconductor wafer W to resume polishing.

（ｂ）供給・回収エリア１１Ｂの機構
図１に示すように、基台１０のテーブル１１上に設定された上記供給・回収エリア１１Ｂには、上記凹所１３よりも狭く、かつ深い矩形状の凹所１８が形成されており、この凹所１８の底部には、昇降自在とされた２節リンク式の水平旋回アーム６０ａの先端にフォーク６０ｂが装着された移送機構６０が設置されている。 (B) Mechanism of Supply / Recovery Area 11B As shown in FIG. 1, the supply / recovery area 11B set on the table 11 of the base 10 has a rectangular shape that is narrower and deeper than the recess 13. A recess 18 is formed, and a transfer mechanism 60 in which a fork 60b is attached to the tip of a two-joint link-type horizontal swivel arm 60a that can be moved up and down is installed at the bottom of the recess 18.

そして、凹所１８の周囲のテーブル１１上には、上から見た状態で、反時計回りに、カセット６１、位置合わせ台６２、１節の水平旋回アーム６３ａの先端に吸着板６３ｂが取り付けられた供給アーム６３、供給アーム６３と同じ構造で、水平旋回アーム６４ａおよび吸着板６４ｂを有する回収アーム６４、スピンナ式の洗浄装置６５、カセット６６が、それぞれ配置されている。 Then, on the table 11 around the recess 18, the suction plate 63 b is attached to the tip of the cassette 61, the alignment table 62, and the horizontal turning arm 63 a of the first node in a counterclockwise direction as viewed from above. The recovery arm 64 having the same structure as the supply arm 63 and the supply arm 63, the horizontal turning arm 64a and the suction plate 64b, the spinner type cleaning device 65, and the cassette 66 are arranged.

カセット６１、位置合わせ台６２および供給アーム６３は、裏面を研磨すべき半導体ウエーハＷをチャックテーブル１７に供給する手段であり、回収アーム６４、洗浄装置６５およびカセット６６は、研磨後の半導体ウエーハＷをチャックテーブル１７から回収する手段である。２つのカセット６１，６６は同一の構造であるが、ここでは用途別に、供給カセット６１、回収カセット６６と称する。これらカセット６１，６６は、複数の半導体ウエーハＷを収容して持ち運びするためのもので、テーブル１１の所定位置にセットされる。 The cassette 61, the alignment table 62, and the supply arm 63 are means for supplying the semiconductor wafer W whose back surface is to be polished to the chuck table 17, and the recovery arm 64, the cleaning device 65, and the cassette 66 are the semiconductor wafer W after polishing. Is a means for recovering from the chuck table 17. Although the two cassettes 61 and 66 have the same structure, they will be referred to as a supply cassette 61 and a recovery cassette 66 according to applications. These cassettes 61 and 66 are for accommodating and carrying a plurality of semiconductor wafers W, and are set at predetermined positions on the table 11.

供給カセット６１には、当該研磨装置で裏面を研磨すべき複数の半導体ウエーハＷが、積層された状態で収容される。移送機構６０は、アーム６０ａの昇降・旋回と、フォーク６０ｂの把持動作によって、供給カセット６１内から１枚の半導体ウエーハＷを取り出し、さらにその半導体ウエーハＷを、裏面を上に向けた状態で、位置合わせ台６２上に載置する機能を有する。 In the supply cassette 61, a plurality of semiconductor wafers W whose back surfaces are to be polished by the polishing apparatus are accommodated in a stacked state. The transfer mechanism 60 takes out one semiconductor wafer W from the supply cassette 61 by raising / lowering and turning the arm 60a and gripping the fork 60b, and further, with the back surface of the semiconductor wafer W facing up, It has a function of placing on the alignment table 62.

位置合わせ台６２上に載置された半導体ウエーハＷは、一定の位置に決められた状態で載置される。供給アーム６３は、位置合わせ台６２上に載置された半導体ウエーハＷを吸着板６３ｂに吸着し、アーム６３ａを旋回させて、チャックテーブル１７上に半導体ウエーハＷを配し、この後、吸着動作を停止することにより、チャックテーブル１７上に半導体ウエーハＷを載置する機能を有する。位置合わせ台６２で位置決めされた半導体ウエーハＷを、供給・回収位置のチャックテーブル１７上に載置することにより、半導体ウエーハＷとチャックテーブル１７とは同心状となる。 The semiconductor wafer W placed on the alignment table 62 is placed in a state determined at a certain position. The supply arm 63 sucks the semiconductor wafer W placed on the alignment table 62 onto the suction plate 63b, rotates the arm 63a, and places the semiconductor wafer W on the chuck table 17, and then performs a suction operation. By stopping the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W is placed on the chuck table 17. By placing the semiconductor wafer W positioned by the alignment table 62 on the chuck table 17 at the supply / recovery position, the semiconductor wafer W and the chuck table 17 are concentric.

回収アーム６４は、上記研磨ユニット２０によって裏面が研磨されたチャックテーブル１７上の半導体ウエーハＷを吸着板６４ｂに吸着し、アーム６４ａを旋回させて、半導体ウエーハＷを洗浄装置６５内に移送する機能を有する。洗浄装置６５は、半導体ウエーハＷを水洗した後、半導体ウエーハＷを回転させて水分を振り飛ばし除去する機能を有する。そして、洗浄装置６５によって洗浄された半導体ウエーハＷは、移送機構６０によって回収カセット６６内に移送、収容される。 The recovery arm 64 has a function of adsorbing the semiconductor wafer W on the chuck table 17 whose back surface has been polished by the polishing unit 20 to the suction plate 64b, and rotating the arm 64a to transfer the semiconductor wafer W into the cleaning device 65. Have The cleaning device 65 has a function of rotating the semiconductor wafer W to shake off and remove moisture after the semiconductor wafer W is washed with water. The semiconductor wafer W cleaned by the cleaning device 65 is transferred and accommodated in the collection cassette 66 by the transfer mechanism 60.

なお、供給アーム６３と回収アーム６４の間には、チャックテーブル１７に洗浄水を噴射してチャックテーブル１７を洗浄するチャックテーブル洗浄ノズル６７が配されている。上記のように、供給アーム６３によってチャックテーブル１７上に半導体ウエーハＷを載置し、また、回収アーム６４によってチャックテーブル１７上の半導体ウエーハＷを回収する際には、ステージ１４を供給・回収エリア１１Ｂ側に移動させて供給・回収位置で停止させる。その供給・回収位置は、各アーム６３，６４の吸着板６３ａ，６４ａに吸着された半導体ウエーハＷの中心と、チャックテーブル１７の回転中心と結ぶ線が、Ｚ方向に沿う位置である。 A chuck table cleaning nozzle 67 for cleaning the chuck table 17 by spraying cleaning water onto the chuck table 17 is disposed between the supply arm 63 and the recovery arm 64. As described above, when the semiconductor wafer W is placed on the chuck table 17 by the supply arm 63 and the semiconductor wafer W on the chuck table 17 is recovered by the recovery arm 64, the stage 14 is supplied to the supply / recovery area. Move to the 11B side and stop at the supply / recovery position. The supply / recovery position is a position where the line connecting the center of the semiconductor wafer W sucked by the suction plates 63a and 64a of the arms 63 and 64 and the rotation center of the chuck table 17 is along the Z direction.

研磨ユニット２０による半導体ウエーハＷの研磨位置は、供給・回収位置よりも壁部１２側に所定距離移動した位置とされ、チャックテーブル１７上の半導体ウエーハＷは、ステージ１４の移動によって、これら研磨位置と供給・回収位置との間を行き来させられる。チャックテーブル洗浄ノズル６７によるチャックテーブル１７の洗浄は、供給・回収位置において行われる。 The polishing position of the semiconductor wafer W by the polishing unit 20 is a position moved by a predetermined distance from the supply / recovery position toward the wall 12, and the semiconductor wafer W on the chuck table 17 is moved to the polishing position by the movement of the stage 14. And the supply / recovery position. The chuck table 17 is cleaned by the chuck table cleaning nozzle 67 at the supply / recovery position.

［２］装置の動作
続いて、以上の構成からなる一実施形態の研磨装置の使用方法ならびに動作を、以下に説明する。
まず、オペレータは、裏面を研磨すべき複数の半導体ウエーハＷを収容した供給カセット６１と、空の回収カセット６６を、供給・回収エリア１１Ｂの所定位置に、それぞれセットする。 [2] Operation of Apparatus Next, a method for using the polishing apparatus according to an embodiment having the above-described configuration and an operation thereof will be described below.
First, the operator sets a supply cassette 61 containing a plurality of semiconductor wafers W whose back surface is to be polished and an empty collection cassette 66 at predetermined positions in the supply / collection area 11B.

以上の準備を終えたら、半導体ウエーハＷは、次の順で研磨される。
移送機構６０によって、供給カセット６１内から１枚の半導体ウエーハＷが取り出され、さらにその半導体ウエーハＷは、移送機構６０によって裏面を上に向けた状態で位置合わせ台６２上に載置される。 When the above preparation is completed, the semiconductor wafer W is polished in the following order.
One semiconductor wafer W is taken out from the supply cassette 61 by the transfer mechanism 60, and the semiconductor wafer W is further placed on the alignment table 62 with the back surface facing upward by the transfer mechanism 60.

次に、位置合わせ台６２に載置された半導体ウエーハＷは、供給アーム６３により、予め供給・回収位置に停止しているチャックテーブル１７上に、裏面を上に向けて同心状に載置される。そして、半導体ウエーハＷは、バキューム装置によってチャックテーブル１７上に吸着、保持される。 Next, the semiconductor wafer W placed on the alignment table 62 is placed concentrically by the supply arm 63 on the chuck table 17 previously stopped at the supply / recovery position with the back surface facing up. The The semiconductor wafer W is sucked and held on the chuck table 17 by a vacuum device.

次に、ステージ１４が壁部１２側に移動してチャックテーブル１７が研磨位置で停止し、ここで、チャックテーブル１７を回転させて半導体ウエーハＷを回転させる。これと同時に、予め上方で待機させていた研磨ユニット２０の研磨ホイール２４を、サーボモータ２３によって回転させるとともに、パルスモータ３７を正転させて、送り機構３０により研磨ユニット２０を所定速度でゆっくり下降させる。なお、チャックテーブル１７の回転方向は、研磨ホイール２４と同方向でもよく、また、逆方向であってもよい。 Next, the stage 14 moves to the wall 12 side, and the chuck table 17 stops at the polishing position. Here, the chuck table 17 is rotated to rotate the semiconductor wafer W. At the same time, the polishing wheel 24 of the polishing unit 20 that has been waiting in advance is rotated by the servo motor 23 and the pulse motor 37 is rotated forward so that the polishing unit 20 is slowly lowered by the feed mechanism 30 at a predetermined speed. Let The rotation direction of the chuck table 17 may be the same direction as the polishing wheel 24 or may be the opposite direction.

研磨ユニット２０が下降すると、回転する研磨ホイール２４のフェルト砥石２６が、回転している半導体ウエーハＷの裏面を所定の荷重で押圧し、その裏面が徐々に研磨される。研磨時の半導体ウエーハＷと研磨ホイール２４との位置関係は、半導体ウエーハＷの裏面全面が均一に研磨される状態とされる。例えば、図４に示すように、半導体ウエーハＷの回転中心Ｏ１に対して、研磨ホイール２４の回転中心Ｏ２がＹ方向に沿って壁部１２側（図４で右側）に、半導体ウエーハＷの半径よりもやや短い距離ずれた状態であり、なおかつ、研磨ユニット２０の上記中空部２８の下側の開口が、半導体ウエーハＷの裏面に対向する状態が採用される。 When the polishing unit 20 is lowered, the felt grindstone 26 of the rotating polishing wheel 24 presses the back surface of the rotating semiconductor wafer W with a predetermined load, and the back surface is gradually polished. The positional relationship between the semiconductor wafer W and the polishing wheel 24 during polishing is such that the entire back surface of the semiconductor wafer W is uniformly polished. For example, as shown in FIG. 4, with respect to the rotation center O1 of the semiconductor wafer W, the rotation center O2 of the polishing wheel 24 is on the wall 12 side (right side in FIG. 4) along the Y direction. A state in which the distance is slightly shorter than that of the semiconductor wafer W and the lower opening of the hollow portion 28 of the polishing unit 20 faces the back surface of the semiconductor wafer W is employed.

研磨ホイール２４のフェルト砥石２６が半導体ウエーハＷの裏面を押圧する研磨状態が、予め決められた所定時間（実質研磨時間）経過したら、パルスモータ３７を逆転させ、送り機構３０によって研磨ユニット２０を待機位置まで上昇させる。次いで、サーボモータ２３を停止させて研磨ホイール２４の回転を停止させるとともに、チャックテーブル１７の回転も停止させ、研磨を終了する。ちなみに半導体ウエーハＷの裏面の研磨量としては、例えば１〜５μｍである。 When the polishing state in which the felt grindstone 26 of the polishing wheel 24 presses the back surface of the semiconductor wafer W has elapsed for a predetermined time (substantially polishing time), the pulse motor 37 is reversed and the polishing unit 20 is waited by the feed mechanism 30. Raise to position. Next, the servo motor 23 is stopped to stop the rotation of the polishing wheel 24, and the rotation of the chuck table 17 is also stopped to finish the polishing. Incidentally, the polishing amount of the back surface of the semiconductor wafer W is, for example, 1 to 5 μm.

なお、上記の研磨動作の好適な条件例を挙げると、研磨ホイール２４のサーボモータ２３による回転速度は４０００〜７０００ＲＰＭ、チャックテーブル１７の回転速度は１００〜３００ＲＰＭ、送り機構３０による研磨ユニット２０の下降速度は１〜２μｍ／分、研磨ホイール２４のフェルト砥石２６が半導体ウエーハＷの裏面を押圧する荷重は１００〜３００ｇ／ｃｍ^２である。また、研磨中にステージ１４をＹ方向に往復動させて半導体ウエーハＷを径方向に移動させる動作を組み合わせてもよい。 As an example of suitable conditions for the above polishing operation, the rotation speed of the polishing wheel 24 by the servo motor 23 is 4000 to 7000 RPM, the rotation speed of the chuck table 17 is 100 to 300 RPM, and the polishing unit 20 is lowered by the feed mechanism 30. The speed is 1 to 2 μm / min, and the load at which the felt grindstone 26 of the polishing wheel 24 presses the back surface of the semiconductor wafer W is 100 to 300 g / cm ² . In addition, an operation of moving the semiconductor wafer W in the radial direction by reciprocating the stage 14 in the Y direction during polishing may be combined.

続いて、研磨後の半導体ウエーハＷを回収する動作を説明すると、まず、ステージ１４を供給・回収位置まで移動させるとともに、バキューム装置の動作を停止させ、チャックテーブル１７上での半導体ウエーハＷの保持状態を解除する。次に、その半導体ウエーハＷは、回収アーム６４によって洗浄装置６５内に移送される。ここで半導体ウエーハＷは水洗され、その後、回転させられて水分が除去される。 Next, the operation of recovering the polished semiconductor wafer W will be described. First, the stage 14 is moved to the supply / recovery position, the operation of the vacuum device is stopped, and the semiconductor wafer W is held on the chuck table 17. Release the state. Next, the semiconductor wafer W is transferred into the cleaning device 65 by the recovery arm 64. Here, the semiconductor wafer W is washed with water and then rotated to remove moisture.

次いで、半導体ウエーハＷは、移送機構６０によって回収カセット６６内に移送、収容される。また、回収アーム６４によってチャックテーブル１７から半導体ウエーハＷが取り去られた後は、チャックテーブル洗浄ノズル６７から、供給・回収位置で停止しているステージ１４上のチャックテーブル１７に向けて洗浄水が噴射され、チャックテーブル１７が洗浄される。 Next, the semiconductor wafer W is transferred and accommodated in the collection cassette 66 by the transfer mechanism 60. In addition, after the semiconductor wafer W is removed from the chuck table 17 by the recovery arm 64, cleaning water flows from the chuck table cleaning nozzle 67 toward the chuck table 17 on the stage 14 stopped at the supply / recovery position. The chuck table 17 is cleaned by spraying.

以上が１枚の半導体ウエーハＷを研磨して洗浄し、回収するサイクルであり、このサイクルを繰り返して、供給カセット６１内の半導体ウエーハＷが全て研磨処理され、回収カセット６６内に収容されると、オペレータは回収カセット６６を回収して、研磨後の複数の半導体ウエーハＷを次の製品化工程に運搬する。そして、裏面を研磨すべき新たな複数の半導体ウエーハＷを収容した供給カセット６１と、空の回収カセット６６を、供給・回収エリア１１Ｂの所定位置にそれぞれセットし、引き続き上記サイクルで研磨作業を行う。なお、回収カセット６６としては、空になった供給カセット６１を流用してもよい。 The above is a cycle for polishing, cleaning, and collecting one semiconductor wafer W. When this cycle is repeated, all the semiconductor wafers W in the supply cassette 61 are polished and accommodated in the collection cassette 66. The operator collects the collection cassette 66 and transports the plurality of polished semiconductor wafers W to the next production process. Then, a supply cassette 61 that accommodates a plurality of new semiconductor wafers W whose surfaces are to be polished and an empty recovery cassette 66 are set at predetermined positions in the supply / recovery area 11B, and the polishing operation is subsequently performed in the above cycle. . Note that the empty supply cassette 61 may be used as the recovery cassette 66.

次に、温度センサ４０および制御手段５０による作用を説明する。
上記研磨中においては、温度センサ４０で検出された温度が、制御手段５０の判別部５１に供給されるが、センサ部４２が半導体ウエーハＷの裏面に近接するため、検出温度は、その裏面の温度とみなすことができる。つまり、温度センサ４０によって半導体ウエーハＷの裏面の温度が正確に検出される。 Next, the operation of the temperature sensor 40 and the control means 50 will be described.
During the polishing, the temperature detected by the temperature sensor 40 is supplied to the determination unit 51 of the control means 50. However, since the sensor unit 42 is close to the back surface of the semiconductor wafer W, the detected temperature is It can be regarded as temperature. That is, the temperature sensor 40 accurately detects the temperature of the back surface of the semiconductor wafer W.

制御手段５０の判別部５１は、温度センサ４０の検出温度が上記許容温度を超えたか否かを判別しており、下回っていると判別している場合には、制御部５２は、送り機構３０のパルスモータ３７の正転状態を維持する。これによって、研磨ユニット２０は下降を続け、半導体ウエーハＷの裏面は研磨が続行される。 The determination unit 51 of the control unit 50 determines whether or not the temperature detected by the temperature sensor 40 exceeds the allowable temperature. If it is determined that the temperature is lower than the allowable temperature, the control unit 52 determines that the feed mechanism 30 The forward rotation state of the pulse motor 37 is maintained. As a result, the polishing unit 20 continues to descend, and the back surface of the semiconductor wafer W is continuously polished.

判別部５１が、温度センサ４０の検出温度が許容温度を超えたと判別したら、その信号を受けた制御部５２は、送り機構３０のパルスモータ３７を所定ステップ逆転させる。これによって、研磨ユニット２０は退避位置まで上昇し、オペレータにその旨を了知させる信号を発するとともに、そこで停止する。退避位置は、上記待機位置と同じ位置でもよい。 When the determination unit 51 determines that the temperature detected by the temperature sensor 40 has exceeded the allowable temperature, the control unit 52 that has received the signal reverses the pulse motor 37 of the feed mechanism 30 by a predetermined step. As a result, the polishing unit 20 moves up to the retracted position, issues a signal to the operator so that the operator knows it, and stops there. The retreat position may be the same position as the standby position.

引き続き判別部５１に温度センサ４０の検出信号（検出温度）が供給され、許容温度を下回ったと判別したら、制御部５２はその信号を受け、再びパルスモータ３７を正転させる。これにより、研磨ユニット２０は下降し、研磨ホイール２４のフェルト砥石２６が半導体ウエーハＷの裏面を押圧して研磨が再開される。なお、研磨は、上記実質研磨時間が経過したら研磨ユニット２０を上昇させて終了となる。 When the detection signal (detection temperature) of the temperature sensor 40 is continuously supplied to the determination unit 51 and it is determined that the temperature falls below the allowable temperature, the control unit 52 receives the signal and rotates the pulse motor 37 forward again. As a result, the polishing unit 20 is lowered, and the felt grindstone 26 of the polishing wheel 24 presses the back surface of the semiconductor wafer W to resume polishing. The polishing is finished by raising the polishing unit 20 when the above-described substantial polishing time has elapsed.

［３］装置の効果
本実施形態の研磨装置によれば、上記制御手段５０の作用により、温度センサ４０の検出温度、すなわち半導体ウエーハＷの裏面の温度が許容温度を超えたら、送り機構３０によって研磨ホイール２４が半導体ウエーハＷから退避位置まで離間する。このため、許容温度を超えた状態での研磨は行われず、半導体ウエーハＷの裏面に発生する摩擦熱の過度な上昇を未然に回避することができる。また、温度センサ４０の検出温度が許容温度を下回っている場合には、送り機構３０によって研磨ホイール２４が半導体ウエーハＷに対して押圧させられ、研磨状態が保持される。 [3] Effect of the apparatus According to the polishing apparatus of the present embodiment, when the temperature detected by the temperature sensor 40, that is, the temperature of the back surface of the semiconductor wafer W exceeds the allowable temperature by the action of the control means 50, the feeding mechanism 30 The polishing wheel 24 is separated from the semiconductor wafer W to the retracted position. For this reason, polishing in a state exceeding the allowable temperature is not performed, and an excessive increase in frictional heat generated on the back surface of the semiconductor wafer W can be avoided in advance. When the temperature detected by the temperature sensor 40 is lower than the allowable temperature, the polishing wheel 24 is pressed against the semiconductor wafer W by the feed mechanism 30 and the polishing state is maintained.

このような制御の組み合わせにより、半導体ウエーハＷの裏面の温度が面焼けなどの不具合が生じる過熱温度に達することを常に防止しつつ、乾式研磨を行うことができる。その結果、半導体ウエーハＷの裏面が面焼けしたり、あるいは表面に貼られた保護テープＴが溶融したりする不具合の発生を防止することができ、もって歩留まりの向上を図ることができる。 By such a combination of controls, dry polishing can be performed while always preventing the temperature of the back surface of the semiconductor wafer W from reaching the overheating temperature at which defects such as surface burning occur. As a result, it is possible to prevent a problem that the back surface of the semiconductor wafer W is burnt or the protective tape T attached to the front surface is melted, thereby improving the yield.

［４］制御の別形態
上記実施形態における制御手段５０によれば、判別部５１は温度センサ４０の検出温度が所定の許容温度（例えば９０℃）を超えたか否かを判別し、その許容温度を超えた場合、送り機構３０によって研磨ユニット２０を上昇させて研磨ホイール２４を半導体ウエーハＷから退避位置まで離間させているが、これとは異なる次のような制御を行ってもよい。 [4] Another form of control According to the control means 50 in the above embodiment, the determination unit 51 determines whether or not the temperature detected by the temperature sensor 40 exceeds a predetermined allowable temperature (for example, 90 ° C.), and the allowable temperature. Is exceeded, the polishing unit 20 is raised by the feed mechanism 30 to separate the polishing wheel 24 from the semiconductor wafer W to the retracted position, but the following control different from this may be performed.

すなわち、制御手段５０の判別部５０は、温度センサ４０の検出温度が所定の許容温度範囲内であるか否かを判別するとともに、その検出温度が常に許容温度範囲内に維持されるように、送り機構３０を制御して半導体ウエーハＷに対する研磨ホイール２４の押圧力を調整する。この場合の許容温度範囲とは、研磨が確実に行われる温度範囲であって、その上限は、上記実施形態の制御で設定される許容温度と同等であり、下限においても十分に研磨は行われる。例えば、７０〜８０℃が許容温度範囲とされる。 That is, the determination unit 50 of the control unit 50 determines whether or not the detected temperature of the temperature sensor 40 is within a predetermined allowable temperature range, and the detected temperature is always maintained within the allowable temperature range. The feeding mechanism 30 is controlled to adjust the pressing force of the polishing wheel 24 against the semiconductor wafer W. The allowable temperature range in this case is a temperature range in which polishing is reliably performed, and the upper limit is equivalent to the allowable temperature set by the control of the above embodiment, and the polishing is sufficiently performed even at the lower limit. . For example, 70 to 80 ° C. is the allowable temperature range.

この制御によれば、温度センサ４０の検出温度が、許容温度範囲の上限を下回っている場合には、送り機構３０によって研磨ユニット２０が下降し、半導体ウエーハＷの裏面が研磨ホイール２４によって押圧され、研磨が行われる。研磨中において、判別部５１により許容温度範囲の上限を超えたと判断されたら、パルスモータ３７を若干逆転させ、研磨ユニット２０を僅かに上昇させる。これによって、半導体ウエーハＷに対する研磨ホイール２４の押圧力が緩む。 According to this control, when the temperature detected by the temperature sensor 40 is below the upper limit of the allowable temperature range, the polishing unit 20 is lowered by the feed mechanism 30 and the back surface of the semiconductor wafer W is pressed by the polishing wheel 24. Polishing is performed. During polishing, if the determination unit 51 determines that the upper limit of the allowable temperature range has been exceeded, the pulse motor 37 is slightly reversed to raise the polishing unit 20 slightly. As a result, the pressing force of the polishing wheel 24 against the semiconductor wafer W is loosened.

すると、半導体ウエーハＷの温度は下がり、次いで、判別部５１により温度センサ４０の検出温度が許容温度範囲の上限を下回ったら、パルスモータ３７を正転させ、送り機構３０によって研磨ユニット２０を僅かに下降させる。これにより、半導体ウエーハＷの裏面に対する研磨ホイール２４の押圧力は強くなる。このように、半導体ウエーハＷに対する研磨ホイール２４の押圧力を強くしたり緩めたりする動作を繰り返す。このような制御によれば、常に許容温度範囲内で半導体ウエーハＷの研磨を行うことができる。なお、万一許容温度（例えば９０℃）を超えた場合には、上記実施形態と同様に研磨ホイール２４を半導体ウエーハＷから退避させる。 Then, the temperature of the semiconductor wafer W decreases, and when the temperature detected by the temperature sensor 40 falls below the upper limit of the allowable temperature range by the determination unit 51, the pulse motor 37 is rotated forward, and the polishing unit 20 is slightly moved by the feed mechanism 30. Lower. Thereby, the pressing force of the polishing wheel 24 against the back surface of the semiconductor wafer W is increased. In this way, the operation of increasing or loosening the pressing force of the polishing wheel 24 against the semiconductor wafer W is repeated. According to such control, the semiconductor wafer W can always be polished within the allowable temperature range. In the unlikely event that the allowable temperature (for example, 90 ° C.) is exceeded, the polishing wheel 24 is retracted from the semiconductor wafer W as in the above embodiment.

本発明の一実施形態に係る研磨装置の全体斜視図である。1 is an overall perspective view of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. 一実施形態の研磨装置の一部であって、研磨ユニットから温度センサを取り出した状態の斜視図である。It is a part of polish device of one embodiment, and is a perspective view in the state where a temperature sensor was taken out from a polish unit. （ａ）は研磨ユニットを構成する回転軸および研磨ホイールと、温度センサを分解した状態の斜視図、（ｂ）は研磨ホイールの下面を示す斜視図である。(A) is the perspective view of the state which decomposed | disassembled the rotating shaft and polishing wheel which comprise a grinding | polishing unit, and a temperature sensor, (b) is a perspective view which shows the lower surface of a grinding | polishing wheel. 半導体ウエーハを研磨する状態の研磨ユニットの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the grinding | polishing unit of the state which grind | polishes a semiconductor wafer.

符号の説明Explanation of symbols

１７…チャックテーブル
２０…研磨ユニット（研磨手段）
２２…回転軸
２３…サーボモータ（駆動源）
２４…研磨ホイール
２８…中空部
３０…送り機構
４０…温度センサ
４２…センサ部
５０…制御手段 17 ... chuck table 20 ... polishing unit (polishing means)
22 ... Rotating shaft 23 ... Servo motor (drive source)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 24 ... Polishing wheel 28 ... Hollow part 30 ... Feed mechanism 40 ... Temperature sensor 42 ... Sensor part 50 ... Control means

Claims

チャックテーブルに保持した半導体ウエーハの被研磨面を乾式の研磨手段によって研磨する研磨装置であって、
前記研磨手段は、回転軸と、この回転軸を回転駆動する駆動源と、前記回転軸の先端に取り付けられ、前記半導体ウエーハの被研磨面に接触させられる研磨面を有する研磨ホイールとを備えており、
前記回転軸および前記研磨ホイールの回転中心には、両者にわたる中空部が形成され、この中空部に、非接触式の温度センサが、センサ部を、研磨ホイール側の開口付近に配した状態で挿入されていることを特徴とする半導体ウエーハの研磨装置。 A polishing apparatus for polishing a surface to be polished of a semiconductor wafer held on a chuck table by a dry polishing means,
The polishing means includes a rotating shaft, a drive source for rotating the rotating shaft, and a polishing wheel having a polishing surface attached to the tip of the rotating shaft and brought into contact with the surface to be polished of the semiconductor wafer. And
A hollow portion is formed at the rotation shaft and the rotation center of the grinding wheel, and a non-contact temperature sensor is inserted into the hollow portion with the sensor portion arranged near the opening on the grinding wheel side. An apparatus for polishing a semiconductor wafer, wherein:

前記温度センサの検出温度に基づいて前記研磨手段をフィードバック制御する制御手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハの研磨装置。 2. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 1, further comprising a control unit that feedback-controls the polishing unit based on a temperature detected by the temperature sensor.

前記研磨手段は、前記研磨ホイールを、前記チャックテーブルに保持された前記半導体ウエーハの被研磨面に対して、押圧したり、逆に離間させたりする方向に加工送りする送り機構を備えており、
前記制御手段は、前記温度センサの検出温度が所定の許容温度を超えたか否かを判別し、その許容温度を超えた場合には、前記送り機構を、前記研磨ホイールが前記チャックテーブルに保持された前記半導体ウエーハから退避位置まで離間するよう作動させることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエーハの研磨装置。 The polishing means includes a feed mechanism for processing and feeding the polishing wheel in a direction to press or reversely separate the polishing wheel against the surface to be polished of the semiconductor wafer held by the chuck table.
The control means determines whether or not the temperature detected by the temperature sensor exceeds a predetermined allowable temperature. If the temperature exceeds the predetermined allowable temperature, the feed mechanism is held by the grinding wheel on the chuck table. 3. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 2, wherein the semiconductor wafer polishing apparatus is operated so as to be separated from the semiconductor wafer to a retracted position.

前記研磨手段は、前記研磨ホイールを、前記チャックテーブルに保持された前記半導体ウエーハの被研磨面に対して、押圧したり、逆に離間させたりする方向に加工送りする送り機構を備えており、
前記制御手段は、前記温度センサの検出温度が所定の許容温度範囲内であるか否かを判別するとともに、
前記温度センサの検出温度が、前記許容温度範囲の上限を下回っている場合には、前記送り機構を、前記研磨ホイールが前記チャックテーブルに保持された前記半導体ウエーハに対して押圧するように作動させ、
一方、前記許容温度範囲の上限を超えた場合には、前記送り機構を、前記チャックテーブルに保持された前記半導体ウエーハに対する研磨ホイールの押圧力を緩めるように作動させ、
これによって前記温度センサの検出温度を前記許容温度範囲内に維持させることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエーハの研磨装置。 The polishing means includes a feed mechanism for processing and feeding the polishing wheel in a direction to press or reversely separate the polishing wheel against the surface to be polished of the semiconductor wafer held by the chuck table.
The control means determines whether or not the temperature detected by the temperature sensor is within a predetermined allowable temperature range,
When the detected temperature of the temperature sensor is below the upper limit of the allowable temperature range, the feed mechanism is operated so that the polishing wheel presses against the semiconductor wafer held on the chuck table. ,
On the other hand, when the upper limit of the allowable temperature range is exceeded, the feed mechanism is operated so as to loosen the pressing force of the polishing wheel against the semiconductor wafer held by the chuck table,
3. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 2, wherein the temperature detected by the temperature sensor is maintained within the allowable temperature range.