JP2016159416A - 研磨パッド - Google Patents

研磨パッド Download PDF

Info

Publication number
JP2016159416A
JP2016159416A JP2015043169A JP2015043169A JP2016159416A JP 2016159416 A JP2016159416 A JP 2016159416A JP 2015043169 A JP2015043169 A JP 2015043169A JP 2015043169 A JP2015043169 A JP 2015043169A JP 2016159416 A JP2016159416 A JP 2016159416A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polishing pad
plate
annular
annular members
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015043169A
Other languages
English (en)
Inventor
佳祐 鈴木
Keisuke Suzuki
佳祐 鈴木
俊洙 禹
Junsoo Woo
俊洙 禹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2015043169A priority Critical patent/JP2016159416A/ja
Publication of JP2016159416A publication Critical patent/JP2016159416A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

【課題】容易に仕様を変更可能な汎用性の高い研磨パッドを提供する。
【解決手段】板状物(21)を研磨する研磨装置(2)の回転軸(38)に連結した円盤状の基台(40)に装着される研磨パッド(1)であって、研磨装置の基台に装着される下地部材(3)と、下地部材に対してそれぞれ固定され、下地部材に固定される側とは反対側にそれぞれ研磨布(17)が接着された径の異なる複数の環状部材(13)と、を備え、一部の環状部材には、他の一部の環状部材とは異なる種類の研磨布が接着されており、複数の環状部材は、隣接する2個の環状部材の内側の環状部材の外周面(13b)に外側の環状部材の内周面(13a)が接触して全ての環状部材が同心状に配置されるように、下地部材に対してそれぞれ着脱自在に固定される。
【選択図】図1

Description

本発明は、ウェーハ等の板状物を研磨する際に使用される研磨パッドに関する。
IC、LSI等に代表される半導体デバイスの製造工程では、シリコン等の半導体材料でなる半導体ウェーハを化学的機械的研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)等によって平坦化することがある。CMP等の研磨技術では、一般に、不織布や高分子発泡体でなる研磨パッド(例えば、特許文献1参照)を装着した研磨装置が用いられる。
近年では、半導体デバイスの生産性を高めるために、半導体ウェーハの大型化が進められている。一方、半導体ウェーハを大型化すると、従来の研磨パッドでは半導体ウェーハの全面を均一に研磨できなくなる。そこで、研磨層の硬さを領域毎に異ならせた研磨パッドが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2004−123975号公報 特開2006−231464号公報
上述の研磨パッドを用いれば、大型化された半導体ウェーハの全面を均一に研磨して平坦性を高めることができる。しかしながら、この研磨パッドは、硬さの異なる複数の研磨層が一体に固定されてなるので、例えば、研磨の結果等に応じて研磨パッドの仕様を変更したい場合には、別の研磨パッドを新たに製造しなくてはならなかった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、容易に仕様を変更可能な汎用性の高い研磨パッドを提供することである。
本発明によれば、板状物を研磨する研磨装置の回転軸に連結した円盤状の基台に装着される研磨パッドであって、該研磨装置の該基台に装着される下地部材と、該下地部材に対してそれぞれ固定され、該下地部材に固定される側とは反対側にそれぞれ研磨布が接着された径の異なる複数の環状部材と、を備え、一部の該環状部材には、他の一部の該環状部材とは異なる種類の研磨布が接着されており、複数の該環状部材は、隣接する2個の該環状部材の内側の該環状部材の外周面に外側の該環状部材の内周面が接触して全ての該環状部材が同心状に配置されるように、該下地部材に対してそれぞれ着脱自在に固定されることを特徴とする研磨パッドが提供される。
本発明において、複数の該環状部材は、それぞれ雌螺子部を有し、雄螺子を用いて該下地部材に固定されることが好ましい。
本発明に係る研磨パッドは、基台に装着される下地部材と、それぞれ研磨布が接着された径の異なる複数の環状部材と、を備え、複数の環状部材は、下地部材に対してそれぞれ着脱自在に固定されるので、任意の環状部材を研磨布の種類が異なる別の環状部材に交換することで、研磨パッドの仕様を容易に変更できる。このように、本発明によれば、容易に仕様を変更可能な汎用性の高い研磨パッドを提供できる。
研磨パッドの構成例を模式的に示す斜視図である。 研磨パッドの構成例を模式的に示す分解斜視図である。 研磨パッドを構成する円盤状部材の構成例を模式的に示す斜視図である。 研磨パッドを構成する環状部材の構成例を模式的に示す斜視図である。 研磨パッドを研磨布側から見た図である。 研磨パッドが使用される研磨装置の構成例を模式的に示す斜視図である。 板状物が研磨される様子を模式的に示す図である。 板状物と研磨パッドとの位置関係を示す図である。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係る研磨パッドの構成例を模式的に示す斜視図であり、図2は、研磨パッドの構成例を模式的に示す分解斜視図である。図1及び図2に示すように、研磨パッド1は、所定の剛性を有する下地部材(プラテン)3を備えている。
下地部材3は、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK:Poly Ether Ether Ketone)等の樹脂を用いて円盤状に形成されており、略平坦な第1面3aと第2面3bとを有している。下地部材3の第1面3a側は、後述する研磨装置2(図6参照)が備える円盤状のマウンタ(基台)40に装着される。
一方、下地部材3の第2面3b側の中央領域には、平面視で円形に形成された円盤状部材5が固定されている。図3は、円盤状部材5の構成例を模式的に示す斜視図である。図3に示すように、円盤状部材5は、円盤状のプレート7を含んでいる。
プレート7は、例えば、下地部材3と同様の樹脂を用いて、下地部材3より小径に形成されており、略平坦な第1面7aと第2面7bとを有している。このプレート7の第1面7a側には、凹部の内周面に螺子(螺子溝)が切られた複数(本実施形態では8個)の雌螺子部7cが形成されている。また、プレート7の中央部には、研磨液の流路となる貫通穴7dが形成されている。
プレート7の第2面7b側には、プレート7と同様の円盤状に形成された研磨布9が接着されている。この研磨布9は、例えば、粘着テープを用いてプレート7に接着されており、研磨の際に対象の板状物21(図7参照)と接触する。なお、研磨布9は、任意の接着剤を用いてプレート7に接着されても良い。また、研磨布9の中央部には、プレート7の貫通穴7dに対応する貫通穴9aが形成されている(図5参照)。
研磨布9としては、不織布型、高分子発泡体型のいずれを用いることもできる。例えば、シリコン等の半導体材料でなる板状物を研磨する場合には、不織布型のSUBA(登録商標)シリーズや、発泡ポリウレタンでなる高分子発泡体型のIC1000(登録商標)等を単層で、又は2層以上に積層して用いると良い。
なお、研磨布9を積層構造(代表的には、SUBA(登録商標)400とIC1000(登録商標)との積層構造)とする場合には、研磨布9が撓み易くなるので、研磨装置2側にゴム等の緩衝材を設けなくても板状物21と研磨布9とを適切に接触させることができる。
図1及び図2に示すように、下地部材3においてプレート7の雌螺子部7cに対応する位置には、下地部材3を第1面3a側から第2面3b側まで貫通する複数(本実施形態では8個)の貫通穴3cが形成されている。この貫通穴3cを通じて雄螺子11をプレート7の雌螺子部7cに締め込むことで、円盤状部材5は下地部材3の第2面3b側に着脱可能に固定される。
なお、下地部材3の中央には、プレート7の貫通穴7dに対応する貫通穴3dが形成されている。マウンタ40側から供給される研磨液は、貫通穴3d,7d,9aを通じて板状物21の上面に導かれる。
また、下地部材3の第2面3b側には、平面視で円環状に形成された径の異なる複数の環状部材13が円盤状部材5を囲む同心状に固定されている。図4は、環状部材13の構成例を模式的に示す斜視図である。図4に示すように、環状部材13は、円環状のプレート15を含んでいる。
プレート15は、例えば、下地部材3と同様の樹脂を用いて、円盤状部材5のプレート7より大径に形成されており、略平坦な第1面15aと第2面15bとを有している。このプレート15の第1面15a側には、凹部の内周面に螺子(螺子溝)が切られた複数(本実施形態では8個)の雌螺子部15cが形成されている。
プレート15の第2面15b側には、プレート15と同様の円環状に形成された研磨布17が接着されている。この研磨布17は、例えば、粘着テープを用いてプレート15に接着されており、研磨の際に板状物21と接触する。なお、研磨布17は、任意の接着剤を用いてプレート15に接着されても良い。
研磨布17の材質等は、円盤状部材5の研磨布9の材質等と同様である。ただし、円盤状部材5及び複数の環状部材15の少なくともいずれかには、他のいずれかとは異なる種類の研磨布が接着される。すなわち、研磨パッド1は、2種類以上の異なる研磨布を含んで構成される。ここで、種類が異なる、とは、材質や硬さ等の研磨能力に寄与する特徴が異なっていることをいう。
図1及び図2に示すように、下地部材3においてプレート15の雌螺子部15cに対応する位置には、下地部材3を第1面3a側から第2面3b側まで貫通する複数(本実施形態では8個)の貫通穴3eが形成されている。この貫通穴3eを通じて雄螺子19をプレート15の雌螺子部15cに締め込むことで、環状部材13は下地部材3の第2面3b側に固定される。
図5は、研磨パッド1を研磨布9,17側から見た図である。円盤状部材5の径は、隣接する環状部材13の内径に等しくなっており、上述のように円盤状部材5及び複数の環状部材13を下地部材3に固定すると、図5に示すように、円盤状部材5の外周面5aには、隣接する環状部材13の内周面13aが接触する。
また、隣接する2個の環状部材13において、内側の環状部材13の外径は、外側の環状部材13の内径に等しくなっており、図5に示すように、内側の環状部材13の外周面13bには、外側の環状部材13の内周面13aが接触する。すなわち、研磨パッド1には、円盤状部材5及び複数の環状部材13が同心状(年輪状)に隙間なく配置されている。
このように構成された本実施形態に係る研磨パッド1では、円盤状部材5又は環状部材13毎に研磨布9,17を選択できるので、所望の仕様を満たす研磨パッド1を容易に形成できる。仕様の一例としては、図5に示すような4つの領域A1,A2,A3,A4のそれぞれに異なる種類の研磨布9,17を採用したものが挙げられる。もちろん、研磨パッド1の仕様はこれに限定されず、任意に設定、変更できる。
また、本実施形態に係る研磨パッド1では、下地部材3に対して円盤状部材5及び環状部材13が雄螺子11,19で着脱自在に固定されている。そのため、円盤状部材5や環状部材13を組み替えることで、研磨の結果等に応じて研磨パッド1の仕様を迅速に変更できる。
なお、本実施形態に係る研磨パッド1の性質上、円盤状部材5及び環状部材13を下地部材3に固定しただけでは、研磨布9,17側の平坦性を十分に確保できないことがある。そのような場合には、板状物21を研磨する前に、研磨パッド1の研磨布9,17側をドレッシングして平坦化することが好ましい。
次に、本実施の形態に係る研磨パッド1が使用される研磨装置の例について説明する。図6は、研磨パッド1が使用される研磨装置の構成例を模式的に示す斜視図である。図4に示すように、研磨装置2は、各構造を支持する基台4を備えている。
基台4の上面前端側には、開口4aが形成されており、この開口4a内には、研磨対象の板状物21を搬送する搬送機構6が設けられている。また、開口4aのさらに前方の領域には、板状物21を収容可能なカセット8a,8bが載置されている。板状物21は、例えば、円盤状に形成された半導体ウェーハや樹脂基板、セラミック基板等である。ただし、板状物21は、必ずしもこれらに限定されない。
カセット8aが載置される載置領域及び開口4aの後方には、板状物21の位置合わせを行う位置合わせ機構10が設けられている。位置合わせ機構10は、例えば、カセット8aから搬送機構6で搬送され、位置合わせ機構10に載置された板状物21の位置合わせを行う。
位置合わせ機構10の後方には、板状物21を吸引保持して旋回可能な搬入機構12が設けられている。搬入機構12の後方には、開口4bが形成されている。この開口4b内には、X軸移動テーブル14、X軸移動テーブル14をX軸方向(前後方向)に移動させるX軸移動機構(不図示)、及びX軸移動機構を覆う防塵防滴カバー16が設けられている。
X軸移動機構は、X軸方向に平行な一対のX軸ガイドレール(不図示)を備えており、X軸ガイドレールには、X軸移動テーブル14がスライド可能に設置されている。X軸移動テーブル14の下面側には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、X軸ガイドレールと平行なX軸ボールネジ(不図示)が螺合されている。
X軸ボールネジの一端部には、X軸パルスモータ(不図示)が連結されている。X軸パルスモータでX軸ボールネジを回転させることで、X軸移動テーブル14はX軸ガイドレールに沿ってX軸方向に移動する。
X軸移動テーブル14上には、板状物21を吸引保持するチャックテーブル18が設けられている。チャックテーブル18は、モータ等の回転駆動源(不図示)と連結されており、鉛直方向(Z軸方向)に延びる回転軸の周りに回転する。
チャックテーブル18の上面は、板状物21を吸引保持する保持面18aとなっている。この保持面18aは、チャックテーブル18の内部に形成された流路(不図示)を通じて吸引源(不図示)と接続されている。搬入機構12で搬入された板状物21は、保持面18aに作用する吸引源の負圧でチャックテーブル18に吸引保持される。
開口4bの後方には、柱状の支持構造20が略鉛直に立てられている。支持構造20の前面側には、Z軸移動機構22が設けられている。Z軸移動機構22は、支持構造20の前面に配置されZ軸方向に平行な一対のZ軸ガイドレール24を備えている。Z軸ガイドレール24には、Z軸移動プレート26がスライド可能に設置されている。
Z軸移動プレート26の後面側(裏面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Z軸ガイドレール24と平行なZ軸ボールネジ28が螺合されている。Z軸ボールネジ28の一端部には、Z軸パルスモータ30が連結されている。Z軸パルスモータ30でZ軸ボールネジ28を回転させることで、Z軸移動プレート26はZ軸ガイドレール24に沿ってZ軸方向に移動する。
Z軸移動プレート26の前面(表面)には、支持具32が固定されている。この支持具32には、板状物21を研磨する研磨ユニット(研磨手段)34が支持されている。研磨ユニット34は、支持具32に固定されたスピンドルハウジング36を含む。スピンドルハウジング36には、Z軸方向に略平行な回転軸を構成するスピンドル(回転軸)38が収容されている。
スピンドルの下端部には、円盤状のマウンタ40が設けられている。マウンタ40の下面は、研磨パッド1の下地部材3側を吸引保持する保持面となっている。この保持面は、マウンタ40の内部に形成された流路(不図示)を通じて吸引源(不図示)と接続されている。研磨パッド1は、保持面に作用する吸引源の負圧でマウンタ40に吸引保持される。なお、研磨パッド1は、螺子等の固定具を用いてマウンタ40に固定されても良い。
図7は、板状物21が研磨される様子を模式的に示す側面図である。図7に示すように、スピンドル38には、配管42を介してスラリー等の研磨液を供給する研磨液供給源44が接続されている。スピンドル38及びマウンタ40の内部には、供給路38a,40aがそれぞれ形成されており、研磨液供給源44からの研磨液は、配管42、供給路38a,40a等を通じて研磨パッド1の貫通穴3d,7d,9aに供給される。
図7に示すように、板状物21をチャックテーブル18に吸引保持させた状態でチャックテーブル18と研磨パッド1とを相互に回転させて、研磨液を供給しながら板状物21の上面に研磨パッド1を接触させれば、板状物21を研磨できる。この研磨は、例えば、研磨ユニット34に隣接する非接触型の厚み測定器46で板状物21の厚みをリアルタイムに測定しながら行われる。
図8は、研磨パッド1と板状物21との位置関係を模式的に示す図である。図7及び図8に示すように、研磨パッド1の回転軸と板状物21(チャックテーブル18)の回転軸とは一致しておらず、また、それぞれの中央部分と外周部分とで回転による速度も異なる。これにより、研磨パッド1と板状物21との接触頻度は、板状物21の全面において等しくならない。
そのため、例えば、単一の研磨布で構成された研磨パッドを用いると、板状物には研磨の斑が発生し易くなる。具体的には、板状物の回転数が研磨パッドの回転数よりも大きい場合や、研磨パッドの回転数が被加工物の回転数よりも大きい場合には、外周部分の研磨が進み易く、研磨後の板状物は凸状になってしまう。
一方、板状物の回転数と研磨パッドの回転数とが等しい場合には、一部の領域で研磨パッドと板状物との速度差がなくなり、研磨が進み難くなる。特に、外周部分で研磨が進み難いので、研磨後の板状物は凹状になってしまう。
これに対して、本実施形態に係る研磨パッド1では、研磨レートを領域毎に設定できるので、上述のような研磨の斑を低減して板状物21を平坦化できる。また、板状物21との接触頻度に起因して研磨パッド1の摩耗量も領域毎に異なってくるが、本実施形態に係る研磨パッド1では、摩耗した領域毎に研磨布9,17(円盤状部材5、環状部材13)を適宜交換できる。
なお、チャックテーブル18と研磨パッド1との回転数は、それぞれ、100rpm〜800rpm、好ましくは200rpm〜500rpmに制御される。ただし、チャックテーブル18の回転と研磨パッド1の回転とが同期すると、上述のように板状物21の研磨が進み難くなるので、チャックテーブル18の回転数と研磨パッド1の回転数とは僅かに異なっていることが好ましい。
研磨ユニット34の近傍には、研磨パッド1の研磨布9,17側を洗浄する第1洗浄ノズル48、及びチャックテーブル18の保持面18aを洗浄する第2洗浄ノズル50が設けられている。第1洗浄ノズル48及び第2洗浄ノズル50によって、研磨パッド1及びチャックテーブル18は清浄な状態に保たれる。
搬入機構12と隣接する位置には、研磨後の板状物21を吸引保持して旋回可能な搬出機構52が設けられている。搬出機構52の前方、且つ開口4aの後方には、研磨後の板状物21を洗浄する洗浄ユニット54が設けられている。洗浄ユニット54で洗浄された板状物21は、搬送機構6で搬送され、例えば、カセット8bに収容される。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、CMP等に使用可能な研磨装置2を例示しているが、本発明に係る研磨パッドは、研磨液を用いないドライポリッシュ等にも使用できる。
その他、上記実施形態に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
1 研磨パッド
3 下地部材(プラテン)
3a 第1面
3b 第2面
3c,3d,3e 貫通穴
5 円盤状部材
5a 外周面
7 プレート
7a 第1面
7b 第2面
7c 雌螺子部
7d 貫通穴
9 研磨布
9a 貫通穴
11 雄螺子
13 環状部材
13a 内周面
13b 外周面
15 プレート
15a 第1面
15b 第2面
15c 雌螺子部
17 研磨布
19 雄螺子
21 板状物
2 研磨装置
4 基台
4a,4b 開口
6 搬送機構
8a,8b カセット
10 位置合わせ機構
12 搬入機構
14 X軸移動テーブル
16 防塵防滴カバー
18 チャックテーブル
18a 保持面
20 支持構造
22 Z軸移動機構
24 Z軸ガイドレール
26 Z軸移動プレート
28 Z軸ボールネジ
30 Z軸パルスモータ
32 支持具
34 研磨ユニット(研磨手段)
36 スピンドルハウジング
38 スピンドル(回転軸)
38a 供給路
40 マウンタ(基台)
40a 供給路
42 配管
44 研磨液供給源
46 厚み測定器
48 第1洗浄ノズル
50 第2洗浄ノズル
52 搬出機構
54 洗浄ユニット

Claims (2)

  1. 板状物を研磨する研磨装置の回転軸に連結した円盤状の基台に装着される研磨パッドであって、
    該研磨装置の該基台に装着される下地部材と、
    該下地部材に対してそれぞれ固定され、該下地部材に固定される側とは反対側にそれぞれ研磨布が接着された径の異なる複数の環状部材と、を備え、
    一部の該環状部材には、他の一部の該環状部材とは異なる種類の研磨布が接着されており、
    複数の該環状部材は、隣接する2個の該環状部材の内側の該環状部材の外周面に外側の該環状部材の内周面が接触して全ての該環状部材が同心状に配置されるように、該下地部材に対してそれぞれ着脱自在に固定されることを特徴とする研磨パッド。
  2. 複数の該環状部材は、それぞれ雌螺子部を有し、雄螺子を用いて該下地部材に固定されることを特徴とする請求項1記載の研磨パッド。
JP2015043169A 2015-03-05 2015-03-05 研磨パッド Pending JP2016159416A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015043169A JP2016159416A (ja) 2015-03-05 2015-03-05 研磨パッド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015043169A JP2016159416A (ja) 2015-03-05 2015-03-05 研磨パッド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016159416A true JP2016159416A (ja) 2016-09-05

Family

ID=56845941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015043169A Pending JP2016159416A (ja) 2015-03-05 2015-03-05 研磨パッド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016159416A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021135452A1 (zh) * 2019-12-31 2021-07-08 天津大学 一种子孔径中心供液光学表面系列加工工艺与工具

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10230451A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Speedfam Co Ltd 研磨装置及びワーク測定方法
JPH10249711A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Cmp用複合研磨パッド
JP2000343440A (ja) * 1999-06-04 2000-12-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨砥石及び研磨砥石の製造方法
JP2003124164A (ja) * 2001-10-09 2003-04-25 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨工具
JP2004335668A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
JP2005197408A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Cmp用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法
US20050272348A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Chung-Ki Min Polishing pad assembly, apparatus for polishing a wafer including the polishing pad assembly and method for polishing a wafer using the polishing pad assembly
KR100903473B1 (ko) * 2007-11-29 2009-06-18 주식회사 동부하이텍 화학 기계적 연마 패드
JP2012157936A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Fujitsu Semiconductor Ltd 研磨パッド及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10230451A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Speedfam Co Ltd 研磨装置及びワーク測定方法
JPH10249711A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Cmp用複合研磨パッド
JP2000343440A (ja) * 1999-06-04 2000-12-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨砥石及び研磨砥石の製造方法
JP2003124164A (ja) * 2001-10-09 2003-04-25 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨工具
JP2004335668A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
JP2005197408A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Cmp用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法
US20050272348A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Chung-Ki Min Polishing pad assembly, apparatus for polishing a wafer including the polishing pad assembly and method for polishing a wafer using the polishing pad assembly
KR100903473B1 (ko) * 2007-11-29 2009-06-18 주식회사 동부하이텍 화학 기계적 연마 패드
JP2012157936A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Fujitsu Semiconductor Ltd 研磨パッド及び半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021135452A1 (zh) * 2019-12-31 2021-07-08 天津大学 一种子孔径中心供液光学表面系列加工工艺与工具

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103962941B (zh) 基板的背面的研磨方法及基板处理装置
TWI823988B (zh) 研磨墊
JPH0950975A (ja) ウェーハ研磨装置
KR20020017943A (ko) 반도체 웨이퍼의 연삭방법
TWI534932B (zh) Wafer transfer mechanism
JPWO2019013042A1 (ja) 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2010118424A (ja) 薄板状ワークの搬送装置
TWI668751B (zh) Grinding method of workpiece
JP2012074545A (ja) 保護フィルム貼付半導体基板の裏面研削方法
KR101962090B1 (ko) 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 방법
JP2011161550A (ja) 研削装置
JP2016159416A (ja) 研磨パッド
JP5270179B2 (ja) 研削装置
JP2018192412A (ja) 加工装置
JP2008018502A (ja) 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板処理装置
JP2018015825A (ja) 加工装置
JP5875224B2 (ja) 研削装置
JP7301473B2 (ja) 研削装置及び研削装置の使用方法
JP2022168720A (ja) 加工方法
JP2004216485A (ja) 基板用研削装置
JP2016078132A (ja) 加工装置
JP2019111634A (ja) 被加工物の研削方法
KR102530125B1 (ko) 연마 패드
JP2006198737A (ja) ビトリファイドボンド砥石
US20230321680A1 (en) Processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180129

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181015

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181023

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181219

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190305