JP2016159253A - 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェハ上に塗布液を塗布する方法であって、ウェハの中央部に、溶剤により第1の液膜を、ウェハの外周部に、溶剤により第1の液膜よりも膜厚の厚い環状の第2の液膜を、それぞれ形成し(工程T1)。次いで、ウェハを第1の回転速度で回転させながら、塗布液をウェハの中心部に供給する(工程T2)。塗布液を供給しながら、ウェハを第1の回転速度よりも速い第2の回転速度で回転させ、ウェハ上に塗布液を拡散させる(工程T3)。
【選択図】図6
Description
前記塗布液供給ノズルを移動させる第1の移動機構と、前記溶剤供給ノズルを移動させる第2の移動機構と、前記基板の中央部に、前記溶剤により第1の液膜を、前記基板の外周部に、前記溶剤により前記第1の液膜よりも膜厚の厚い環状の第2の液膜を、それぞれ形成し、前記基板を第1の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給し、前記塗布液を供給しながら、前記基板を前記第1の回転速度よりも速い第2の回転速度で回転させて前記塗布液を基板上に拡散させるべく、前記基板保持部、前記塗布液供給ノズル、前記溶剤供給ノズル、前記第1の移動機構及び前記第2の移動機構を制御するように構成された制御部と、を有することを特徴としている。
30 現像処理装置
31 下部反射防止膜形成装置
32 レジスト塗布装置
33 上部反射防止膜形成装置
40 熱処理装置
41 アドヒージョン装置
42 周辺露光装置
140 スピンチャック
154 レジスト液供給ノズル
158 溶剤供給ノズル
161 乾燥ガスノズル
200 制御部
Q 溶剤
M1 第1の液膜
M2 第1の液膜
R レジスト膜
W ウェハ
Claims (14)
- 基板上に塗布液を塗布する方法であって、
前記基板の中央部に、溶剤により第1の液膜を、前記基板の外周部に、前記溶剤により前記第1の液膜よりも膜厚の厚い環状の第2の液膜を、それぞれ形成する溶剤液膜形成工程と、
前記基板を第1の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給する塗布液供給工程と、
前記塗布液を供給しながら、前記基板を前記第1の回転速度よりも速い第2の回転速度で回転させ、前記塗布液を基板上に拡散させる塗布液拡散工程と、を有していることを特徴とする、塗布処理方法。 - 前記溶剤液膜形成工程では、
前記基板の中央部に前記溶剤を供給した後に、前記基板を所定の回転速度で回転させて当該溶剤を振り切ることで前記第1の液膜を形成し、
次いで、前記基板を回転させた状態で、前記基板の外周部に位置させた溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給することで前記第2の液膜を形成することを特徴とする、請求項1に記載の塗布処理方法。 - 前記第1の液膜の形成において、前記基板を前記所定の回転速度で回転させて前記溶剤を振り切りながら、前記基板の中央部に乾燥ガスを吹き付けることを特徴とする、請求項2に記載の塗布処理方法。
- 前記乾燥ガスは、前記溶剤の揮発温度以上に加熱されていることを特徴とする、請求項3に記載の塗布処理方法。
- 前記溶剤液膜形成工程では、
前記基板の中央部に前記溶剤の蒸気またはミストの少なくともいずれかを供給して前記第1の液膜を形成し、
前記基板を回転させた状態で、前記基板の外周部に位置させた溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給することで前記第2の液膜を形成することを特徴とする、請求項1に記載の塗布処理方法。 - 前記溶剤液膜形成工程では、
その表面に、前記第2の液膜よりも薄い膜厚で前記溶剤が塗布されたテンプレートを、前記基板の中央部の表面に接触させることで前記第1の液膜を形成し、
前記基板を回転させた状態で、前記基板の外周部に位置させた溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給することで前記第2の液膜を形成することを特徴とする、請求項1に記載の塗布処理方法。 - 前記溶剤液膜形成工程では、基板の中心から半径方向に30mm〜100mm離れた位置で、前記溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給することを特徴とする、請求項2〜6のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
- 基板上に塗布液を塗布する方法であって、
前記基板の中央部に溶剤を供給した後に、前記基板を所定の回転速度で回転させて当該溶剤を振り切ることで前記溶剤の液膜を形成し、
次いで、前記基板を回転させた状態で前記基板の中央部からずれた位置に乾燥ガスを吹き付け、当該基板の中央部からずれた位置の前記溶剤を除去することで、前記基板の中央部に溶剤の液膜を、前記基板の外周部に環状の他の液膜をそれぞれ形成する溶剤液膜形成工程と、
基板を第1の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給する塗布液供給工程と、
前記塗布液を供給しながら、前記基板を前記第1の回転速度よりも速い第2の回転速度で回転させ、前記塗布液を基板上に拡散させる塗布液拡散工程と、を有していることを特徴とする、塗布処理方法。 - 前記第1の液膜の膜厚は0mm超で2mm未満であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の塗布処理方法を塗布処理装置によって実行させるように、当該塗布処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、
基板を保持して回転させる基板保持部と、
基板上に前記塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、
基板上に溶剤を供給する溶剤供給ノズルと、
前記塗布液供給ノズルを移動させる第1の移動機構と、
前記溶剤供給ノズルを移動させる第2の移動機構と、
前記基板の中央部に、前記溶剤により第1の液膜を、前記基板の外周部に、前記溶剤により前記第1の液膜よりも膜厚の厚い環状の第2の液膜を、それぞれ形成し、
前記基板を第1の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給し、
前記塗布液を供給しながら、前記基板を前記第1の回転速度よりも速い第2の回転速度で回転させて前記塗布液を基板上に拡散させるべく、前記基板保持部、前記塗布液供給ノズル、前記溶剤供給ノズル、前記第1の移動機構及び前記第2の移動機構を制御するように構成された制御部と、を有することを特徴とする、塗布処理装置。 - 前記基板上に乾燥ガスを吹き付ける乾燥ガスノズルと、
前記乾燥ガスノズルを移動させる第3の移動機構と、を有することを特徴とする、請求項11に記載の塗布処理装置。 - 前記溶剤の蒸気またはミストを供給する他の溶剤供給ノズルと、
前記他の溶剤供給ノズルを移動させる他の移動機構と、を有することを特徴とする、請求項11に記載の塗布処理装置。 - その表面に、前記第2の液膜よりも薄い膜厚で前記溶剤を塗布し、その状態で前記基板の中央部の表面に接触させることで当該基板の中央部に前記第1の液膜を形成するテンプレートと、
前記テンプレートを移動させるテンプレート移動機構と、を有することを特徴とする、請求項11に記載の塗布処理装置。
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