JP2016157786A - Heat radiation structure - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat radiation structure which effectively radiates heat generated by an electronic component and is easily manufactured.SOLUTION: A heat radiation structure includes at least one heating element 1 to 4; at least one base body 10 having a first major surface 10A and a second major surface 10B positioned at the opposite side of the first major surface 10A and in which the heating element is mounted on the first major surface 10A; and at least one first fin 20 connected to the second major surface 10B. A material forming the base body 10 contains a metal. A material mainly forming the first fin 20 is a resin. The second major surface 10B of the base body 10 includes a first irregularity part 30 in which irregularities are formed. An area of the second major surface 10B, which is connected to the first fin 20, includes the first irregularity part 30.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、放熱構造体に関し、特にフィンを備える放熱構造体に関する。   The present invention relates to a heat dissipation structure, and particularly relates to a heat dissipation structure including fins.

電子部品からの発熱を効果的に放出するための放熱構造体として、電子部品を搭載した金属板とフィンを有するヒートシンクとを接合させた放熱構造体が一般に採用されている。   As a heat dissipation structure for effectively releasing heat generated from an electronic component, a heat dissipation structure in which a metal plate on which the electronic component is mounted and a heat sink having fins is joined is generally employed.

また、ヒートシンクに直接絶縁性樹脂層を形成し、この絶縁性樹脂層の上面に回路パターンを形成してなる放熱基板が知られている（たとえば特開２００１−０５７４０６号公報参照）。   Further, a heat dissipation substrate is known in which an insulating resin layer is directly formed on a heat sink and a circuit pattern is formed on the upper surface of the insulating resin layer (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-057406).

また、表面に多数の放熱フィンを有し、モールド成形により得られる放熱基板が知られている（たとえば特開平６−３１８６４９号公報参照）。   Further, a heat radiating substrate having a large number of heat radiating fins on the surface and obtained by molding is known (for example, see JP-A-6-318649).

特開２００１−０５７４０６号公報JP 2001-057406 A 特開平６−３１８６４９号公報JP-A-6-318649

しかしながら、金属板とヒートシンクとを接合させた従来の放熱構造体では、金属板とヒートシンクとの接続面にはそれぞれ微細な凹凸または反りが生じているため、接続時に空隙が生じる場合がある。その場合、金属板とヒートシンクとの間の伝熱が妨げられ電子部品に生じた熱を効果的に放熱できない、という問題が生じる。   However, in the conventional heat dissipation structure in which the metal plate and the heat sink are joined, a fine unevenness or warp is generated on the connection surface between the metal plate and the heat sink, so that a gap may be generated at the time of connection. In that case, heat transfer between the metal plate and the heat sink is hindered, and there is a problem that heat generated in the electronic component cannot be effectively radiated.

また、特開２００１−０５７４０６号公報および特開平６−３１８６４９号公報に記載の放熱基板では、当該放熱基板上に回路パターンまたは多層配線層が形成された後、当該回路パターン等上にはんだ接合などにより電子部品が搭載され、半導体装置（放熱構造体）が形成される。この場合、電子部品を回路パターンに搭載する際にこれらに加えられる熱は放熱基板を介して放熱されるため、電子部品を回路パターン上に搭載することが困難である、という問題が生じる。つまり、従来の放熱基板では、これを用いて半導体装置を容易に製造することが困難であった。   Further, in the heat dissipation substrate described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-057406 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-318649, after a circuit pattern or a multilayer wiring layer is formed on the heat dissipation substrate, solder bonding or the like is performed on the circuit pattern or the like. Thus, an electronic component is mounted, and a semiconductor device (heat dissipation structure) is formed. In this case, since the heat applied to the electronic components when they are mounted on the circuit pattern is dissipated through the heat dissipation substrate, it is difficult to mount the electronic components on the circuit pattern. That is, it is difficult to easily manufacture a semiconductor device using the conventional heat dissipation substrate.

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものである。本発明の主たる目的は、電子部品に生じた熱を効果的に放熱することができ、かつ、容易に製造可能な放熱構造体を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems. A main object of the present invention is to provide a heat dissipation structure that can effectively dissipate heat generated in an electronic component and can be easily manufactured.

一実施の形態によれば、放熱構造体は、少なくとも１つの発熱体と、第１主面と第１主面の反対側に位置する第２主面とを有し、第１主面上に発熱体を搭載している少なくとも１つのベース体と、第２主面に接続されている少なくとも１つの第１フィンとを備える。ベース体を構成する材料は金属を含み、第１フィンを主に構成する材料は樹脂である。ベース体の第２主面は、凹凸が形成された第１凹凸部を含む。第２主面において第１フィンと接続されている領域は第１凹凸部を含んでいる。   According to one embodiment, the heat dissipation structure has at least one heat generating element, a first main surface, and a second main surface located on the opposite side of the first main surface, on the first main surface. At least one base body on which a heating element is mounted, and at least one first fin connected to the second main surface. The material constituting the base body includes a metal, and the material mainly constituting the first fin is a resin. The 2nd main surface of a base body contains the 1st uneven part in which unevenness was formed. The region connected to the first fin on the second main surface includes the first uneven portion.

上記一実施の形態によれば、ベース体の第２主面には微小な凹凸からなる第１凹凸部が形成されており、第２主面において第１フィンと接続されている領域は第１凹凸部を含んでいる。そのため、主な構成材料が樹脂である第１フィンを、構成材料が金属であり電子部品が搭載されたベース体の第１凹凸部上に樹脂成形により容易に形成することができる。これにより、ベース体と第１フィンとの接続部には空隙の形成が抑制されているため、電子部品に生じた熱を効果的に放熱することができる。また、電子部品は、第１フィンが接続されていないベース体にはんだ接合などにより容易に搭載され得る。つまり、上記一実施の形態によれば、電子部品に生じた熱を効果的に放熱することができ、かつ、容易に製造可能な放熱構造体を提供することができる。   According to the above-described embodiment, the first concavo-convex portion including minute concavo-convex portions is formed on the second main surface of the base body, and the region connected to the first fin on the second main surface is the first. Concave and convex portions are included. Therefore, the first fin whose main constituent material is resin can be easily formed by resin molding on the first concavo-convex portion of the base body on which the constituent material is metal and the electronic component is mounted. Thereby, since the formation of the air gap is suppressed at the connection portion between the base body and the first fin, the heat generated in the electronic component can be effectively radiated. In addition, the electronic component can be easily mounted on the base body to which the first fin is not connected by soldering or the like. That is, according to the one embodiment, it is possible to provide a heat dissipation structure that can effectively dissipate heat generated in the electronic component and can be easily manufactured.

実施の形態１に係る放熱構造体を説明するための上面図である。4 is a top view for explaining the heat dissipation structure according to Embodiment 1. FIG. 図１中の線分ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。It is sectional drawing seen from the line segment II-II in FIG. 図２中の領域ＩＩＩの部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the area | region III in FIG. 図２中の矢印ＩＶから見た下面図である。It is the bottom view seen from the arrow IV in FIG. 実施の形態２に係る放熱構造体を説明するための上面図である。5 is a top view for explaining a heat dissipation structure according to Embodiment 2. FIG. 図５中の線分ＶＩ−ＶＩから見た断面図である。It is sectional drawing seen from the line segment VI-VI in FIG. 実施の形態３に係る放熱構造体を説明するための上面図である。FIG. 6 is a top view for explaining a heat dissipation structure according to Embodiment 3. 図７中の矢印ＶＩＩＩから見た側面図である。It is the side view seen from arrow VIII in FIG. 図８中の矢印ＩＸから見た下面図である。It is the bottom view seen from arrow IX in FIG. 実施の形態４に係る放熱構造体の変形例を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining a modification of the heat dissipation structure according to the fourth embodiment. 図１０中の矢印ＸＩから見た側面図である。It is the side view seen from arrow XI in FIG. 図１１中の矢印ＸＩＩから見た下面図である。It is the bottom view seen from arrow XII in FIG. 実施の形態５に係る放熱構造体を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining a heat dissipation structure according to a fifth embodiment. 図１３中の矢印ＸＩＶから見た側面図である。It is the side view seen from arrow XIV in FIG. 図１４中の矢印ＸＶから見た下面図である。It is the bottom view seen from arrow XV in FIG. 実施の形態６に係る放熱構造体を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the thermal radiation structure which concerns on Embodiment 6. FIG. 図１６中の矢印ＸＶＩＩから見た下面図である。It is the bottom view seen from arrow XVII in FIG. 実施の形態７に係る放熱構造体を説明するための下面図である。It is a bottom view for demonstrating the thermal radiation structure concerning Embodiment 7. FIG. 実施の形態１〜実施の形態７に係る放熱構造体における第１フィンの変形例を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the modification of the 1st fin in the thermal radiation structure which concerns on Embodiment 1- Embodiment 7. FIG. 実施の形態１〜実施の形態７に係る放熱構造体における第１フィンの他の変形例を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the other modification of the 1st fin in the thermal radiation structure which concerns on Embodiment 1- Embodiment 7. FIG. 実施の形態１〜実施の形態７に係る放熱構造体における第１フィンのさらに他の変形例を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the further another modification of the 1st fin in the thermal radiation structure which concerns on Embodiment 1- Embodiment 7. FIG.

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

（実施の形態１）
図１〜図４を参照して、実施の形態１に係る放熱構造体１００について説明する。放熱構造体１００は、発熱体としての電子部品１〜４と、ベース体１０と、第１フィン２０とを備える。 (Embodiment 1)
With reference to FIGS. 1-4, the thermal radiation structure 100 which concerns on Embodiment 1 is demonstrated. The heat dissipation structure 100 includes electronic components 1 to 4 as heating elements, a base body 10, and first fins 20.

電子部品は、能動素子である半導体モジュール１、および受動素子である端子台２、抵抗体３、電解コンデンサ４などを含む。半導体モジュール１は、任意の半導体素子が樹脂などによりパッケージされたものであり、半導体素子はたとえばＭＯＳＦＥＴなどである。半導体モジュール１、端子台２、抵抗体３、電解コンデンサ４は、電気抵抗成分を有するため、電流が流れることによりジュール損が生じる。また、半導体モジュール１は、たとえばスイッチング動作を行う際に瞬時にオン状態とオフ状態との間を移行することができないため、スイッチング損失が生じる。このように、上記電子部品は動作時において発熱体となり得る。   The electronic component includes a semiconductor module 1 that is an active element, a terminal block 2 that is a passive element, a resistor 3, an electrolytic capacitor 4, and the like. The semiconductor module 1 is obtained by packaging an arbitrary semiconductor element with a resin or the like, and the semiconductor element is, for example, a MOSFET. Since the semiconductor module 1, the terminal block 2, the resistor 3, and the electrolytic capacitor 4 have an electrical resistance component, Joule loss occurs due to current flow. Moreover, since the semiconductor module 1 cannot instantaneously switch between the on state and the off state when performing a switching operation, for example, a switching loss occurs. Thus, the electronic component can be a heating element during operation.

ベース体１０は、第１主面１０Ａと第１主面１０Ａの反対側に位置する第２主面１０Ｂとを有する。第１主面１０Ａ上には、第１絶縁層１１、および導電層１２が積層されている。導電層１２上には上記電子部品１〜４が搭載されており、電子部品１〜４と導電層１２とは電気的に接続されている。また、電子部品１〜４とベース体１０とは第１絶縁層１１により電気的に絶縁されている。第１絶縁層１１は、任意の電気的絶縁材料で構成されていればよく、エポキシ樹脂などの樹脂材料により構成されていてもよい。また、第１絶縁層１１は、公知の酸化膜などであってもよいし、セラミックス板として構成されていてもよい。導電層１２は、任意の導電性材料で構成されていればよく、たとえば銅（Ｃｕ）により構成されている回路パターンとして構成されている。ベース体１０の第１主面１０Ａ、第１絶縁層１１、導電層１２および電子部品１〜４は、たとえば封止体（図示しない）により封止されている。   The base body 10 has a first main surface 10A and a second main surface 10B located on the opposite side of the first main surface 10A. A first insulating layer 11 and a conductive layer 12 are stacked on the first major surface 10A. The electronic components 1 to 4 are mounted on the conductive layer 12, and the electronic components 1 to 4 and the conductive layer 12 are electrically connected. In addition, the electronic components 1 to 4 and the base body 10 are electrically insulated by the first insulating layer 11. The 1st insulating layer 11 should just be comprised with arbitrary electrical insulation materials, and may be comprised with resin materials, such as an epoxy resin. Moreover, the 1st insulating layer 11 may be a well-known oxide film etc., and may be comprised as a ceramic board. The conductive layer 12 should just be comprised with arbitrary electroconductive materials, for example, is comprised as a circuit pattern comprised with copper (Cu). The first main surface 10A, the first insulating layer 11, the conductive layer 12, and the electronic components 1 to 4 of the base body 10 are sealed with, for example, a sealing body (not shown).

第２主面１０Ｂは、凹凸が形成された第１凹凸部３０を含む。第１凹凸部３０には、複数の凹凸が形成されており、第１凹凸部３０における個々の凹凸はマイクロオーダーの幅および深さを有している。第１凹凸部３０は、たとえばベース体１０の第２主面１０Ｂに対するエッチング処理により形成される（詳細は後述する）。後述のように、第１凹凸部３０は第１フィン２０と接続されるが、第１凹凸部３０の個々の凹凸の深さはこれらに要求される接続強度に応じて任意に決められる。第１凹凸部３０の当該深さが深いほど上記接続強度は高くなり、当該深さが１００μｍ程度で上記接続強度は飽和する。そのため、上記接続強度を十分に高めるには、第１凹凸部３０の個々の凹凸の深さは１００μｍ以上が好ましい。さらに、このような第１凹凸部３０は第２主面１０Ｂ上に複数形成されている。   The second main surface 10B includes a first uneven portion 30 in which unevenness is formed. The first concavo-convex portion 30 has a plurality of concavo-convex portions, and each concavo-convex portion of the first concavo-convex portion 30 has a micro-order width and depth. The first concavo-convex portion 30 is formed, for example, by an etching process on the second main surface 10B of the base body 10 (details will be described later). As will be described later, the first concavo-convex portion 30 is connected to the first fin 20, and the depth of each concavo-convex portion of the first concavo-convex portion 30 is arbitrarily determined according to the connection strength required for these. The connection strength increases as the depth of the first uneven portion 30 increases, and the connection strength is saturated when the depth is approximately 100 μm. Therefore, in order to sufficiently increase the connection strength, the depth of the individual unevenness of the first uneven portion 30 is preferably 100 μm or more. Furthermore, a plurality of such first uneven portions 30 are formed on the second main surface 10B.

ベース体１０を構成する材料は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金であるが、これと同じように高い熱伝導率を有する任意の材料で構成されていればよい。   Although the material which comprises the base body 10 is aluminum (Al) or aluminum alloy, for example, it should just be comprised with the arbitrary materials which have high thermal conductivity similarly to this.

第１フィン２０は第２主面１０Ｂに接続されている。第１フィン２０を主に構成する材料は、樹脂であり、好ましくは樹脂材料の中では比較的高い熱伝導率を有する熱可塑性樹脂である。たとえば、第１フィン２０を主に構成する材料は、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアミド６（ＰＡ６）、ポリアミド９（ＰＡ９）、ポリアミド６６（ＰＡ６６）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ＡＢＣ樹脂（ＡＢＳ）、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）からなる群から選択される少なくとも１つである。また、第１フィン２０は、上記のような樹脂よりも高い熱伝導性を有する金属材料からなるフィラーを含んでいてもよい。第１フィン２０の形状は、任意の形状とすることができるが、たとえば直方体である。   The first fin 20 is connected to the second main surface 10B. The material mainly constituting the first fin 20 is a resin, and preferably a thermoplastic resin having a relatively high thermal conductivity among the resin materials. For example, the material which mainly constitutes the first fin 20 is polyphenylene sulfide (PPS), polyphthalamide (PPA), polybutylene terephthalate (PBT), polyamide (PA), polyamide 6 (PA6), polyamide 9 (PA9). , Polyamide 66 (PA66), polycarbonate (PC), ABC resin (ABS), and thermoplastic elastomer (TPE). Moreover, the 1st fin 20 may contain the filler which consists of a metal material which has higher heat conductivity than the above resin. Although the shape of the 1st fin 20 can be made into arbitrary shapes, it is a rectangular parallelepiped, for example.

さらに、このような第１フィン２０は第２主面１０Ｂ上に複数形成されている。個々の第１フィン２０において第２主面１０Ｂと接続されている端部は、それぞれ個々の第１凹凸部３０の上記凹凸と噛み合わされている。言い換えると、第２主面１０Ｂにおいて第１フィン２０と接続されている領域は、第１凹凸部３０を含んでいる。このとき、ベース体１０と第１フィン２０とが接続されている領域において、少なくとも第１フィン２０と第１凹凸部３０の上記凹凸とが噛み合わされている部分には、空隙が生じていない。   Further, a plurality of such first fins 20 are formed on the second main surface 10B. End portions of the individual first fins 20 connected to the second main surface 10 </ b> B are meshed with the irregularities of the individual first irregularities 30. In other words, the region connected to the first fin 20 in the second main surface 10 </ b> B includes the first uneven portion 30. At this time, in the region where the base body 10 and the first fin 20 are connected, at least a portion where the first fin 20 and the first uneven portion 30 are meshed with each other has no gap.

図２〜図４に示されるように、複数の第１フィン２０および複数の第１凹凸部３０は、第２主面１０Ｂにおいて、上記１つの方向に沿って一方の端部から他方の端部まで延びるように形成されている。また、複数の第１フィン２０および複数の第１凹凸部３０は、第２主面１０Ｂにおいて、上記１つの方向に垂直な方向において間隔を隔てて平行に形成されている。図３に示されるように、第２主面１０Ｂの上記垂直な方向において、第１凹凸部３０が形成されている領域Ａ１は第１フィン２０と接続されている領域Ａ２よりも狭い。   As shown in FIGS. 2 to 4, the plurality of first fins 20 and the plurality of first concavo-convex portions 30 are formed on the second main surface 10 </ b> B from one end to the other end along the one direction. It is formed to extend up to. In addition, the plurality of first fins 20 and the plurality of first concavo-convex portions 30 are formed in parallel on the second main surface 10B at intervals in a direction perpendicular to the one direction. As shown in FIG. 3, the region A <b> 1 where the first uneven portion 30 is formed is narrower than the region A <b> 2 connected to the first fin 20 in the perpendicular direction of the second main surface 10 </ b> B.

次に、実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法について説明する。
はじめに、ベース体１０の第２主面１０Ｂに第１凹凸部３０を形成する（Ｓ１０）。具体的には、まず第１主面１０Ａと第２主面１０Ｂとを有するベース体１０を準備し、第１主面１０Ａ上に第１絶縁層１１および導電層１２を形成する。第１絶縁層１１および導電層１２は任意の方法により形成され得る。導電層１２は回路パターンとして形成される。次に、第１主面１０Ａの全面、および第２主面１０Ｂにおいて第１凹凸部３０を形成すべき領域以外の領域を覆うマスク膜をそれぞれ形成する。マスク膜は、ベース体１０をエッチング可能な溶液に対し、ベース体１０よりもエッチング速度の遅い任意の材料で構成されていればよい。次に、第２主面１０Ｂにおいて第１凹凸部３０を形成すべき領域に対し、ベース体１０をエッチング可能な溶液を用いてウエットエッチングする。このときのエッチング時間などを適宜調整することにより、上記のような第１凹凸部３０が形成される。上記マスク膜は、第１凹凸部３０が形成された後、除去される。 Next, a method for manufacturing the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 1 will be described.
First, the 1st uneven part 30 is formed in the 2nd main surface 10B of the base body 10 (S10). Specifically, first, the base body 10 having the first main surface 10A and the second main surface 10B is prepared, and the first insulating layer 11 and the conductive layer 12 are formed on the first main surface 10A. The first insulating layer 11 and the conductive layer 12 can be formed by any method. The conductive layer 12 is formed as a circuit pattern. Next, mask films are formed to cover the entire area of the first main surface 10A and the area other than the area where the first uneven portion 30 is to be formed on the second main surface 10B. The mask film may be made of any material whose etching rate is lower than that of the base body 10 with respect to the solution capable of etching the base body 10. Next, wet etching is performed on a region where the first uneven portion 30 is to be formed on the second main surface 10 </ b> B using a solution capable of etching the base body 10. The first concavo-convex portion 30 as described above is formed by appropriately adjusting the etching time and the like at this time. The mask film is removed after the first uneven portion 30 is formed.

また、第１凹凸部３０を形成する方法はこれに限られるものではなく、たとえば第２主面１０Ｂにおいて第１凹凸部３０を形成すべき領域に対し選択的にレーザを照射してドライエッチングすることにより第１凹凸部３０を形成してもよい。この場合、第１凹凸部３０を形成するための処理時間は、照射領域に応じて長くなるため、第１凹凸部３０を形成すべき領域を必要最低限に制限することで処理時間を短くすることができる。   Further, the method of forming the first uneven portion 30 is not limited to this, and for example, dry etching is performed by selectively irradiating a laser to the region where the first uneven portion 30 is to be formed on the second main surface 10B. Thus, the first uneven portion 30 may be formed. In this case, the processing time for forming the first concavo-convex portion 30 becomes longer according to the irradiation region. Therefore, the processing time is shortened by limiting the region where the first concavo-convex portion 30 is to be formed to the minimum necessary. be able to.

次に、ベース体１０の第１主面１０Ａ上に電子部品１〜４を搭載する（Ｓ２０）。具体的には、半導体モジュール１、端子台２、抵抗体３、および電解コンデンサ４をそれぞれ導電層１２上の所定の位置に配置し、かつそれぞれと導電層１２と接合する。これらの電子部品と導電層１２との接合方法は、任意の方法を採用し得るが、たとえばリフローはんだ付け法である。このようにして、半導体モジュール１、端子台２、抵抗体３、および電解コンデンサ４が搭載されているベース体１０が準備される。   Next, the electronic components 1 to 4 are mounted on the first main surface 10A of the base body 10 (S20). Specifically, the semiconductor module 1, the terminal block 2, the resistor 3, and the electrolytic capacitor 4 are arranged at predetermined positions on the conductive layer 12 and are joined to the conductive layer 12, respectively. Although any method can be adopted as a method for joining these electronic components and the conductive layer 12, for example, a reflow soldering method is used. In this way, the base body 10 on which the semiconductor module 1, the terminal block 2, the resistor 3, and the electrolytic capacitor 4 are mounted is prepared.

次に、ベース体１０の第２主面１０Ｂに第１フィン２０を形成する（Ｓ３０）。具体的には、まず、先の工程（Ｓ２０）において得られたベース体１０をモールド成形用の金型内部に配置し、型締めする。当該金型には、ベース体１０に形成された個々の第１凹凸部３０を１つずつ内部に含む複数のキャビティが形成されている。次に、当該金型の内部に加熱溶融させた熱可塑性樹脂を射出し、冷却する。このとき、金型の内部に配置されている電子部品１〜４は、先の工程（Ｓ２０）のはんだ接合時に加熱される温度よりも低温に加熱されるため、電子部品１〜４の接合状態に影響を与えることがない。なお、このときベース体１０の第１主面１０Ａ、第１絶縁層１１、導電層１２および電子部品１〜４を封止する封止体を同時に形成することができる。   Next, the first fin 20 is formed on the second main surface 10B of the base body 10 (S30). Specifically, first, the base body 10 obtained in the previous step (S20) is placed inside a mold for molding and clamped. The mold is formed with a plurality of cavities each including the individual first concavo-convex portions 30 formed in the base body 10 one by one. Next, the thermoplastic resin heated and melted is injected into the mold and cooled. At this time, since the electronic components 1 to 4 arranged inside the mold are heated to a temperature lower than the temperature heated at the time of soldering in the previous step (S20), the electronic components 1 to 4 are joined. Will not be affected. In addition, the sealing body which seals 10 A of 1st main surfaces, the 1st insulating layer 11, the conductive layer 12, and the electronic components 1-4 of the base body 10 at this time can be formed simultaneously.

また、第１フィン２０を形成する方法は上記方法に限られるものではない。たとえば、まず射出成形により第１フィン２０を成形したのち、成形された第１フィン２０をモールド成形時（封止体形成時）にベース体１０の第２主面１０Ｂの第１凹凸部３０に接続させてもよい。このようにすれば、上記方法と比べて第１フィン２０の成形性を向上することができる。   Further, the method of forming the first fin 20 is not limited to the above method. For example, after first molding the first fin 20 by injection molding, the molded first fin 20 is formed on the first uneven portion 30 of the second main surface 10B of the base body 10 during molding (sealing body formation). You may connect. If it does in this way, the moldability of the 1st fin 20 can be improved compared with the above-mentioned method.

このようにして、実施の形態１に係る放熱構造体１００を得ることができる。
なお、実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法において、第１凹凸部３０を形成する工程（Ｓ１０）はベース体１０に電子部品１〜４を搭載する工程（Ｓ２０）の後に実施してもよい。すなわち、電子部品１〜４が搭載されたベース体１０の第２主面１０Ｂに対してエッチング処理が施されることにより、第１凹凸部３０を形成してもよい。 Thus, the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 1 can be obtained.
In the method for manufacturing the heat dissipation structure 100 according to the first embodiment, the step (S10) of forming the first uneven portion 30 is performed after the step (S20) of mounting the electronic components 1 to 4 on the base body 10. May be. That is, the first uneven portion 30 may be formed by performing an etching process on the second main surface 10B of the base body 10 on which the electronic components 1 to 4 are mounted.

次に、実施の形態１に係る放熱構造体１００の作用効果について説明する。
放熱構造体１００は、少なくとも１つの発熱体（電子部品１〜４）と、第１主面１０Ａと第１主面１０Ａの反対側に位置する第２主面１０Ｂとを有し、第１主面１０Ａ上に上記発熱体を搭載しているベース体１０と、第２主面１０Ｂに接続されている少なくとも１つの第１フィン２０とを備える。ベース体１０を構成する材料は金属を含む。第１フィン２０を主に構成する材料は樹脂である。ベース体１０の第２主面１０Ｂは、凹凸が形成された第１凹凸部３０を含み、第２主面１０Ｂにおいて第１フィン２０と接続されている領域は第１凹凸部３０を含んでいる。 Next, the function and effect of the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 1 will be described.
The heat dissipation structure 100 includes at least one heat generating element (electronic components 1 to 4), a first main surface 10A, and a second main surface 10B located on the opposite side of the first main surface 10A. A base body 10 on which the heating element is mounted on the surface 10A and at least one first fin 20 connected to the second main surface 10B are provided. The material constituting the base body 10 includes a metal. The material mainly constituting the first fin 20 is a resin. The second main surface 10B of the base body 10 includes a first uneven portion 30 formed with unevenness, and the region connected to the first fin 20 in the second main surface 10B includes the first uneven portion 30. .

そのため、主な構成材料が樹脂である第１フィン２０は、構成材料が金属であり電子部品１〜４が搭載されたベース体１０の第１凹凸部３０上に樹脂成形により容易に形成され得る。これにより、ベース体１０と第１フィン２０とが接続されている領域において、少なくとも第１フィン２０と第１凹凸部３０の上記凹凸とが噛み合わされている部分は、空隙の形成が抑制されているため、電子部品１〜４に生じた熱を効果的に放熱することができる。つまり、実施の形態１に係る放熱構造体１００は、電子部品１〜４に生じた熱を効果的に放熱することができ、電子部品１〜４の温度上昇を抑制することができる。さらに、電子部品１〜４は第１フィン２０が接続されていないベース体１０にはんだ接合などにより容易に搭載され得るため、放熱構造体１００は容易に製造可能である。   Therefore, the first fin 20 whose main constituent material is resin can be easily formed by resin molding on the first uneven portion 30 of the base body 10 on which the constituent material is metal and the electronic components 1 to 4 are mounted. . As a result, in the region where the base body 10 and the first fin 20 are connected, at least a portion where the first fin 20 and the first concave and convex portion 30 mesh with the concave and convex portions is prevented from forming a gap. Therefore, the heat generated in the electronic components 1 to 4 can be effectively radiated. That is, the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 1 can effectively dissipate heat generated in the electronic components 1 to 4, and can suppress an increase in temperature of the electronic components 1 to 4. Furthermore, since the electronic components 1 to 4 can be easily mounted on the base body 10 to which the first fins 20 are not connected by soldering or the like, the heat dissipation structure 100 can be easily manufactured.

また、放熱構造体１００は、ベース体１０の第１主面１０Ａ上の第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上の導電層１２とを備え、発熱体としての電子部品１〜４は導電層１２上に配置されている。   The heat dissipation structure 100 includes a first insulating layer 11 on the first main surface 10A of the base body 10 and a conductive layer 12 on the first insulating layer 11, and electronic components 1 to 4 as heating elements are It is disposed on the conductive layer 12.

そのため、第１絶縁層１１によりベース体１０と導電層１２とを電気的に絶縁することができる。その結果、ベース体１０をＡｌなどの導電性材料により構成することができる。   Therefore, the base body 10 and the conductive layer 12 can be electrically insulated by the first insulating layer 11. As a result, the base body 10 can be made of a conductive material such as Al.

また、放熱構造体１００において、第１凹凸部３０はベース体１０に対するエッチング処理により形成されている。つまり、第１凹凸部３０は容易に形成され得る。さらに、第１フィン２０は、当該第１凹凸部３０を含むように樹脂成形により容易に形成され得ることから、放熱構造体１００は容易に製造可能である。   In the heat dissipation structure 100, the first uneven portion 30 is formed by etching the base body 10. That is, the 1st uneven | corrugated | grooved part 30 can be formed easily. Furthermore, since the 1st fin 20 can be easily formed by resin molding so that the said 1st uneven | corrugated | grooved part 30 may be included, the thermal radiation structure 100 can be manufactured easily.

また、図３に示されるように、第２主面１０Ｂの上記垂直な方向において、第１凹凸部３０が形成されている領域Ａ１は第１フィン２０と接続されている領域Ａ２よりも狭い。このようにすれば、第１フィン２０をモールド成形により第２主面１０Ｂ上に形成する場合に、第１凹凸部３０は第１フィンが形成されるべき領域として金型に設けられているキャビティの内部に配置される。そのため、上記金型と第２主面１０Ｂとの間を密着させることができ、当該間から樹脂が漏れ出ることを抑制することができる。   Further, as shown in FIG. 3, the region A <b> 1 where the first uneven portion 30 is formed is narrower than the region A <b> 2 connected to the first fin 20 in the perpendicular direction of the second main surface 10 </ b> B. In this way, when the first fin 20 is formed on the second main surface 10B by molding, the first uneven portion 30 is a cavity provided in the mold as a region where the first fin is to be formed. Placed inside. Therefore, the mold and the second main surface 10B can be brought into close contact with each other, and leakage of the resin from the space can be suppressed.

これに対し、第２主面１０Ｂの上記垂直な方向において、上記領域Ａ１を上記領域Ａ２よりも広く形成した場合には、第１凹凸部３０が上記キャビティの内部と外部とに跨って配置されるため、上記金型と第２主面１０Ｂとの間には第１凹凸部３０の凹凸に起因した隙間が形成される。そのため、金型内に樹脂を射出した際に当該隙間から樹脂が漏れ出てしまい、放熱構造体１００にバリが生じることになる。その結果、放熱構造体１００を製造する際にバリ取り工程などを行う必要が生じ、製造コストの増大を招く。   On the other hand, when the region A1 is formed wider than the region A2 in the perpendicular direction of the second main surface 10B, the first uneven portion 30 is disposed across the inside and the outside of the cavity. Therefore, a gap due to the unevenness of the first uneven portion 30 is formed between the mold and the second main surface 10B. Therefore, when the resin is injected into the mold, the resin leaks out from the gap, and a burr is generated in the heat dissipation structure 100. As a result, it is necessary to perform a deburring process or the like when manufacturing the heat dissipation structure 100, resulting in an increase in manufacturing cost.

つまり、放熱構造体１００は、上記領域Ａ１が上記領域Ａ２よりも狭いため、バリの発生を抑制することができ、容易にかつ低コストで製造可能である。   That is, since the region A1 is narrower than the region A2, the heat dissipation structure 100 can suppress the generation of burrs, and can be manufactured easily and at low cost.

（実施の形態２）
次に、図５および図６を参照して、実施の形態２に係る放熱構造体１００について説明する。実施の形態２に係る放熱構造体１００は、基本的には実施の形態１に係る放熱構造体１００と同様の構成を備えるが、ベース体１０の第１主面１０Ａに接続されており、かつ発熱体としての電子部品１〜４を囲むように形成されている壁部２１を備える点で異なる。 (Embodiment 2)
Next, with reference to FIG. 5 and FIG. 6, the thermal radiation structure 100 which concerns on Embodiment 2 is demonstrated. The heat dissipation structure 100 according to the second embodiment basically has the same configuration as the heat dissipation structure 100 according to the first embodiment, but is connected to the first main surface 10A of the base body 10, and The difference is that a wall portion 21 is formed so as to surround the electronic components 1 to 4 as heating elements.

壁部２１は、第１主面１０Ａの外周部に沿って、電子部品１〜４を囲むように形成されている。壁部２１は、第１主面１０Ａと接続されている。つまり、壁部２１は、第１絶縁層１１および導電層１２が形成されていない第１主面１０Ａ上に形成されている。壁部２１を主に構成する材料は、樹脂であり、好ましくは第１フィン２０を構成する材料と同一の材料である。壁部２１は、第１フィン２０と同等程度の高い熱伝導率を有していなくてもよいが、第１フィン２０と同等程度の高い熱伝導率を有しているのが好ましい。   The wall portion 21 is formed so as to surround the electronic components 1 to 4 along the outer peripheral portion of the first main surface 10A. Wall portion 21 is connected to first main surface 10A. That is, the wall 21 is formed on the first main surface 10A where the first insulating layer 11 and the conductive layer 12 are not formed. The material mainly constituting the wall portion 21 is a resin, and preferably the same material as that constituting the first fin 20. The wall portion 21 may not have a high thermal conductivity equivalent to that of the first fin 20, but preferably has a high thermal conductivity equivalent to that of the first fin 20.

ベース体１０の第１主面１０Ａは凹凸が形成された第２凹凸部３１を含み、第１主面１０Ａにおいて壁部２１と接続されている領域は第２凹凸部３１を含んでいる。   10 A of 1st main surfaces of the base body 10 contain the 2nd uneven part 31 in which the unevenness | corrugation was formed, and the area | region connected to the wall part 21 in 10 A of 1st main surfaces contains the 2nd uneven part 31. FIG.

第２凹凸部３１は、上述した第１凹凸部３０と同様の構成を備えている。つまり、第２凹凸部３１には、複数の凹凸が形成されており、第２凹凸部３１における個々の凹凸はマイクロオーダーの幅および深さを有している。第２凹凸部３１は、たとえばベース体１０の第１主面１０Ａに対するエッチング処理により形成される。第２凹凸部３１は壁部２１と接続されるが、第２凹凸部３１の個々の凹凸の深さはこれらに要求される接続強度に応じて任意に決められる。第２凹凸部３１の個々の凹凸の深さは１００μｍ以上が好ましい。さらに、このような第２凹凸部３１は第１主面１０Ａの外周部に沿って電子部品１〜４を囲むように形成されている。   The second concavo-convex portion 31 has the same configuration as the first concavo-convex portion 30 described above. In other words, the second uneven portion 31 has a plurality of uneven portions, and each uneven portion in the second uneven portion 31 has a micro-order width and depth. The second concavo-convex portion 31 is formed, for example, by an etching process on the first main surface 10A of the base body 10. The second concavo-convex portion 31 is connected to the wall portion 21, and the depth of each concavo-convex portion of the second concavo-convex portion 31 is arbitrarily determined according to the connection strength required for these. As for the depth of each unevenness | corrugation of the 2nd unevenness | corrugation part 31, 100 micrometers or more are preferable. Further, the second uneven portion 31 is formed so as to surround the electronic components 1 to 4 along the outer peripheral portion of the first main surface 10A.

次に、実施の形態２に係る放熱構造体１００の製造方法について説明する。実施の形態２に係る放熱構造体１００の製造方法は、基本的には実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法と同様の構成を備えるが、ベース体１０の第１主面１０Ａに第２凹凸部３１を形成する工程および第１主面１０Ａに壁部２１を形成する工程をさらに備える点で異なる。   Next, a method for manufacturing the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 2 will be described. The manufacturing method of the heat dissipation structure 100 according to the second embodiment basically includes the same configuration as the manufacturing method of the heat dissipation structure 100 according to the first embodiment, but the first main surface 10A of the base body 10 is provided. It differs in that it further includes the step of forming the second uneven portion 31 and the step of forming the wall portion 21 on the first main surface 10A.

第２凹凸部３１は、たとえば第１凹凸部３０と同時に形成し得る。具体的には、エッチング処理に先立って、第２凹凸部３１が形成されるべき領域上に開口部を有する上記マスク膜を第１主面１０Ａに形成する。なお、第２主面１０Ｂ上には実施の形態１と同様のマスク膜が形成される。次に、実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法と同様のエッチング処理が実施されることにより、第１凹凸部３０と第２凹凸部３１を同時に形成することができる。マスク膜は、第１凹凸部３０と第２凹凸部３１を形成した後、除去される。   The 2nd uneven part 31 can be formed simultaneously with the 1st uneven part 30, for example. Specifically, prior to the etching process, the mask film having an opening on the region where the second uneven portion 31 is to be formed is formed on the first main surface 10A. A mask film similar to that of the first embodiment is formed on second main surface 10B. Next, by performing the same etching process as the manufacturing method of the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 1, the first uneven portion 30 and the second uneven portion 31 can be formed simultaneously. The mask film is removed after the first uneven portion 30 and the second uneven portion 31 are formed.

なお、第２凹凸部３１を形成する工程は第１凹凸部３０と別工程として実施してもよい。また、第２凹凸部３１は、電子部品１〜４を搭載する前の第１主面１０Ａに形成されるのが好ましいが、電子部品１〜４を搭載した後の第１主面１０Ａに形成されてもよい。   The step of forming the second uneven portion 31 may be performed as a separate process from the first uneven portion 30. Moreover, although it is preferable to form the 2nd uneven | corrugated | grooved part 31 in 10A of 1st main surfaces before mounting the electronic components 1-4, it forms in 10A of 1st main surfaces after mounting the electronic components 1-4. May be.

壁部２１を形成する工程は、たとえば第１フィン２０を形成する工程（Ｓ３０）と同時に実施し得る。具体的には、上記モールド成型用金型には、ベース体１０に形成された個々の第１凹凸部３０を内部に含む複数のキャビティの他、第２凹凸部３１を内部に含むキャビティが形成されている。このような金型の内部に加熱溶融させた熱可塑性樹脂を射出し、冷却する。このようにして、第１フィン２０と同時に壁部２１を形成することができる。   The step of forming the wall portion 21 can be performed simultaneously with the step of forming the first fin 20 (S30), for example. Specifically, in the mold for molding, a plurality of cavities including the first concavo-convex portions 30 formed in the base body 10 and cavities including the second concavo-convex portions 31 are formed. Has been. The thermoplastic resin heated and melted is injected into such a mold and cooled. In this way, the wall portion 21 can be formed simultaneously with the first fin 20.

また、壁部２１を形成する方法は上記方法に限られるものではない。たとえば、まず射出成形により壁部２１を成形したのち、成形された壁部２１をモールド成形によりベース体１０の第１主面１０Ａの第２凹凸部３１に接続させてもよい。このようにすれば、上記方法と比べて壁部２１の成形性を向上することができる。   Moreover, the method of forming the wall part 21 is not restricted to the said method. For example, first, the wall portion 21 may be formed by injection molding, and then the formed wall portion 21 may be connected to the second uneven portion 31 of the first main surface 10A of the base body 10 by molding. If it does in this way, the moldability of the wall part 21 can be improved compared with the said method.

また、壁部２１を形成した後、壁部２１の内部に配置されている電子部品１〜４を封止するための封止体を形成してもよい。   Moreover, after forming the wall part 21, you may form the sealing body for sealing the electronic components 1-4 arrange | positioned inside the wall part 21. FIG.

次に、実施の形態２に係る放熱構造体１００の作用効果について説明する。実施の形態２に係る放熱構造体１００は、実施の形態１に係る放熱構造体１００と基本的に同様の構成を備えるため、実施の形態１に係る放熱構造体１００と同様の作用効果を奏することができる。   Next, the function and effect of the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 2 will be described. The heat dissipation structure 100 according to the second embodiment has basically the same configuration as the heat dissipation structure 100 according to the first embodiment, and therefore has the same effects as the heat dissipation structure 100 according to the first embodiment. be able to.

さらに、実施の形態２に係る放熱構造体１００は、第１主面１０Ａに接続されており、かつ発熱体としての電子部品１〜４を囲むように形成されている壁部２１を備え、ベース体１０の第１主面１０Ａは凹凸が形成された第２凹凸部３１を含み、第１主面１０Ａにおいて壁部２１と接続されている領域は第２凹凸部３１を含んでいる。   Furthermore, the heat dissipation structure 100 according to the second embodiment includes a wall portion 21 that is connected to the first main surface 10A and is formed so as to surround the electronic components 1 to 4 as heating elements. The first main surface 10 </ b> A of the body 10 includes a second uneven portion 31 in which unevenness is formed, and the region connected to the wall portion 21 in the first main surface 10 </ b> A includes the second uneven portion 31.

これにより、主な構成材料が樹脂である壁部２１は、構成材料が金属であり電子部品１〜４が搭載されたベース体１０の第２凹凸部３１上に樹脂成形により容易に形成され得る。   Thereby, the wall part 21 whose main constituent material is resin can be easily formed by resin molding on the second concavo-convex part 31 of the base body 10 on which the constituent material is metal and the electronic components 1 to 4 are mounted. .

また、ベース体１０と壁部２１とが接続されている領域において、少なくとも壁部２１と第２凹凸部３１の上記凹凸とが噛み合わされている部分は、空隙の形成が抑制されている。そのため、壁部２１を形成した後、壁部２１の内部に配置されている電子部品１〜４を封止するための封止体を形成する場合には、加熱溶融された封止体となるべき樹脂材料が壁部２１の外部に流出することを抑制することができる。その結果、実施の形態２に係る放熱構造体１００は、ねじなどを用いることなくベース体１０をパッケージ化することができるため、従来のパッケージ化された放熱基板と比べて、放熱性を向上させることができるとともに小型化することができる。   Further, in the region where the base body 10 and the wall portion 21 are connected, the formation of voids is suppressed at least in the portion where the wall portion 21 and the second uneven portion 31 are engaged with the uneven portion. Therefore, after forming the wall part 21, when forming the sealing body for sealing the electronic components 1-4 arrange | positioned inside the wall part 21, it becomes a heat-melted sealing body. It is possible to prevent the resin material to flow out of the wall portion 21. As a result, the heat dissipating structure 100 according to the second embodiment can package the base body 10 without using screws or the like, and thus improves heat dissipation as compared with a conventional packaged heat dissipating substrate. And can be miniaturized.

また、ベース体１０は熱伝導率が高いため、電子部品１〜４により生じた熱はベース体１０を介して壁部２１に伝熱される。そのため、電子部品１〜４により生じた熱を、壁部２１によっても放熱することができる。また、壁部２１を構成する材料が、第１フィン２０と同一の材料であれば、壁部２１の外周面２１Ｃ，２１Ｄのより広い領域を放熱面として作用させることができ、放熱構造体１００の放熱性をより向上することができる。   Further, since the base body 10 has high thermal conductivity, the heat generated by the electronic components 1 to 4 is transferred to the wall portion 21 through the base body 10. Therefore, the heat generated by the electronic components 1 to 4 can be radiated also by the wall portion 21. Moreover, if the material which comprises the wall part 21 is the same material as the 1st fin 20, the wider area | region of the outer peripheral surfaces 21C and 21D of the wall part 21 can be made to act as a thermal radiation surface, and the thermal radiation structure 100 is obtained. The heat dissipation can be further improved.

なお、壁部２１は、第１主面１０Ａの外周部に沿って電子部品１〜４を囲むように形成されているが、これに限られるものではない。壁部２１は、第１主面１０Ａの外周部の一部に沿って形成されていてもよく、たとえば電子部品１〜４において特に放熱性を向上させたい電子部品の近くにのみ壁部２１を形成してもよい。このようにしても、実施の形態１に係る放熱構造体１００と同様の作用効果を奏することができるとともに、壁部２１を放熱面とすることができることにより放熱構造体１００の放熱性をより向上することができる。   In addition, although the wall part 21 is formed so that the electronic components 1-4 may be enclosed along the outer peripheral part of 10 A of 1st main surfaces, it is not restricted to this. The wall portion 21 may be formed along a part of the outer peripheral portion of the first main surface 10A. For example, in the electronic components 1 to 4, the wall portion 21 is provided only in the vicinity of the electronic component whose heat dissipation is to be improved. It may be formed. Even if it does in this way, while having the same effect as the heat dissipation structure 100 which concerns on Embodiment 1, it can improve the heat dissipation of the heat dissipation structure 100 by making the wall part 21 into a heat dissipation surface. can do.

（実施の形態３）
図７〜図９を参照して、実施の形態３に係る放熱構造体１００について説明する。実施の形態３に係る放熱構造体１００は、基本的には実施の形態２に係る放熱構造体１００と同様の構成を備えるが、壁部２１の外周面２１Ｃ，２１Ｄに接続されている少なくとも１つの第２フィン２２，２３を備える点で異なる。 (Embodiment 3)
With reference to FIGS. 7-9, the thermal radiation structure 100 which concerns on Embodiment 3 is demonstrated. The heat dissipation structure 100 according to the third embodiment basically includes the same configuration as the heat dissipation structure 100 according to the second embodiment, but at least one connected to the outer peripheral surfaces 21C and 21D of the wall portion 21. The difference is that two second fins 22 and 23 are provided.

第２フィン２２は、第１フィン２０の延在方向（上記１つの方向）に延びる外周面２１Ｃに接続されている。第２フィン２２は、外周面２１Ｃに対して垂直に、かつ第１主面１０Ａと平行な方向に延びるように突出している。第２フィン２２は、上記１つの方向において壁部２１（外周面２１Ｃ）の一方の端部から他方の端部まで延びるように形成されている。   The second fin 22 is connected to an outer peripheral surface 21 </ b> C extending in the extending direction of the first fin 20 (the one direction described above). The second fin 22 protrudes so as to extend perpendicular to the outer peripheral surface 21C and in a direction parallel to the first main surface 10A. The second fin 22 is formed so as to extend from one end of the wall 21 (outer peripheral surface 21C) to the other end in the one direction.

第２フィン２３は、上記延在方向に垂直な方向に延びる外周面２１Ｄに接続されている。第２フィン２３は、外周面２１Ｄに対して垂直に、かつ第１主面１０Ａと垂直な方向に延びるように突出している。   The second fins 23 are connected to an outer peripheral surface 21D that extends in a direction perpendicular to the extending direction. The second fin 23 protrudes so as to extend perpendicular to the outer peripheral surface 21D and in a direction perpendicular to the first main surface 10A.

第２フィン２３は、第１主面１０Ａに垂直な方向において、壁部２１（外周面２１Ｄ）の上方端部（ベース体１０と接続されている端部の反対側に位置する端部）から下方端部（ベース体１０と接続されている端部）まで延びるように形成されている。好ましくは、第２フィン２３は、壁部２１の上方端部から第１フィン２０の下方端部まで延びるように形成されており、かつ第２主面１０Ｂよりも下方において第１フィン２０と接続されている。   From the upper end of the wall 21 (outer peripheral surface 21D) (the end located on the opposite side of the end connected to the base body 10) in the direction perpendicular to the first main surface 10A. It is formed so as to extend to the lower end (end connected to the base body 10). Preferably, the second fin 23 is formed so as to extend from the upper end portion of the wall portion 21 to the lower end portion of the first fin 20, and is connected to the first fin 20 below the second main surface 10B. Has been.

言い換えると、第２フィン２３は、外周面２１Ｄだけでなく、当該外周面２１Ｄに連なるベース体１０の外周面１０Ｄおよび第１フィン２０の外周面に接続されているのが好ましい。ベース体１０の外周面１０Ｄにおいて第２フィン２３と接続される領域は、凹凸が形成された凹凸部を含んでいてもよい。   In other words, it is preferable that the second fins 23 are connected not only to the outer peripheral surface 21D but also to the outer peripheral surface 10D of the base body 10 and the outer peripheral surface of the first fin 20 connected to the outer peripheral surface 21D. A region connected to the second fins 23 on the outer peripheral surface 10D of the base body 10 may include a concavo-convex portion in which a concavo-convex portion is formed.

第２フィン２２は、壁部２１の外周面２１Ｃ上に複数形成されている。第２フィン２２を構成する材料は、たとえば壁部２１を構成する材料と同一の材料である。第２フィン２２は、その主な構成材料である樹脂より高い熱伝導性を有する金属材料からなるフィラーを含んでいてもよい。   A plurality of second fins 22 are formed on the outer peripheral surface 21 </ b> C of the wall portion 21. The material which comprises the 2nd fin 22 is the same material as the material which comprises the wall part 21, for example. The 2nd fin 22 may contain the filler which consists of a metal material which has higher heat conductivity than resin which is the main constituent material.

実施の形態３に係る放熱構造体１００の製造方法は、基本的には実施の形態２に係る放熱構造体１００の製造方法と同様の構成を備えるが、第２フィン２２を形成する工程をさらに備える点で異なる。   The manufacturing method of the heat dissipation structure 100 according to the third embodiment basically includes the same configuration as the manufacturing method of the heat dissipation structure 100 according to the second embodiment, but further includes the step of forming the second fins 22. It differs in the point to prepare.

第２フィン２２は、たとえば第１フィン２０および壁部２１と同時に形成し得る。具体的には、上記モールド成型用金型には、ベース体１０に形成された個々の第１凹凸部３０を１つずつ内部に含む複数のキャビティと、第２凹凸部３１を内部に含むキャビティとが形成されている。このような金型の内部に加熱溶融させた熱可塑性樹脂を射出し、冷却する。このようにして、第２フィン２２を第１フィン２０および壁部２１と同時にベース体１０上に形成することができる。   The second fin 22 can be formed simultaneously with the first fin 20 and the wall portion 21, for example. Specifically, the mold for molding includes a plurality of cavities each including the first concavo-convex portions 30 formed in the base body 10 and cavities including the second concavo-convex portions 31 therein. And are formed. The thermoplastic resin heated and melted is injected into such a mold and cooled. In this way, the second fins 22 can be formed on the base body 10 simultaneously with the first fins 20 and the wall portions 21.

また、第２フィン２２を形成する方法は上記方法に限られるものではない。たとえば、まず射出成形により第１フィン２０、壁部２１、および第２フィン２２をそれぞれ別体として成形する。その後、これらの成形体と電子部品１〜４を搭載したベース体１０とをモールド成形することにより、第１フィン２０を第１凹凸部３０に、壁部２１を第２凹凸部３１に、第２フィン２２をベース体１０、第１フィン２０および壁部２１にそれぞれ同時に接続させてもよい。また、射出成形により第１フィン２０および第２フィン２２の一体物、または壁部２１および第２フィン２２の一体物を成形したのち、成形された当該一体物をモールド成形により第１凹凸部３０または第２凹凸部３１に接続させてもよい。このようにすれば、上記のようなモールド成形法により第２フィン２２を形成する場合と比べて第２フィン２２の成形性を向上することができる。   Further, the method of forming the second fin 22 is not limited to the above method. For example, the first fin 20, the wall portion 21, and the second fin 22 are first formed as separate bodies by injection molding. After that, by molding these molded bodies and the base body 10 on which the electronic components 1 to 4 are mounted, the first fins 20 are changed to the first uneven portions 30, the wall portions 21 are changed to the second uneven portions 31, The two fins 22 may be simultaneously connected to the base body 10, the first fin 20, and the wall portion 21. In addition, after forming an integrated body of the first fin 20 and the second fin 22 or an integrated body of the wall portion 21 and the second fin 22 by injection molding, the molded body is molded into the first uneven portion 30 by molding. Alternatively, the second uneven portion 31 may be connected. If it does in this way, the moldability of the 2nd fin 22 can be improved compared with the case where the 2nd fin 22 is formed by the above molding methods.

次に、実施の形態３に係る放熱構造体１００の作用効果について説明する。実施の形態３に係る放熱構造体１００は、実施の形態２に係る放熱構造体１００と基本的に同様の構成を備えるため、実施の形態２に係る放熱構造体１００と同様の作用効果を奏することができる。   Next, the function and effect of the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 3 will be described. The heat dissipation structure 100 according to the third embodiment has basically the same configuration as the heat dissipation structure 100 according to the second embodiment, and therefore has the same operational effects as the heat dissipation structure 100 according to the second embodiment. be able to.

さらに、実施の形態３に係る放熱構造体１００は、壁部２１の外周面２１Ｃ，２１Ｄに接続されている少なくとも１つの第２フィン２２を備え、第２フィン２２を主に構成する材料は樹脂である。   Furthermore, the heat dissipation structure 100 according to the third embodiment includes at least one second fin 22 connected to the outer peripheral surfaces 21C and 21D of the wall portion 21, and a material mainly constituting the second fin 22 is a resin. It is.

そのため、第２フィン２２，２３は、樹脂成形により第１フィン２０および壁部２１の少なくとも一方と同時に形成することができるため、実施の形態３に係る放熱構造体１００は容易に製造され得る。   Therefore, since the 2nd fins 22 and 23 can be formed simultaneously with at least one of the 1st fin 20 and wall part 21 by resin fabrication, heat dissipation structure 100 concerning Embodiment 3 can be manufactured easily.

また、第２フィン２２，２３は壁部２１を介してベース体１０と接続されているため、第２フィン２２，２３の表面は壁部２１の外周面２１Ｃ，２１Ｄと同様に放熱面として作用することができる。言い換えると、第２フィン２２，２３は、第１主面１０Ａに沿った方向においてベース体１０から突出するように形成されていることから、第２フィン２２，２３の表面積（ベース体１０への投影面積）を大きくすることにより、放熱面を大きく形成することができる。そのため、実施の形態３に係る放熱構造体１００は、放熱性がより向上されている。   Moreover, since the 2nd fins 22 and 23 are connected with the base body 10 via the wall part 21, the surface of the 2nd fins 22 and 23 acts as a heat radiating surface similarly to the outer peripheral surfaces 21C and 21D of the wall part 21. can do. In other words, since the second fins 22 and 23 are formed so as to protrude from the base body 10 in the direction along the first main surface 10A, the surface area of the second fins 22 and 23 (to the base body 10). By increasing the (projected area), the heat radiation surface can be made larger. Therefore, the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 3 is further improved in heat dissipation.

（実施の形態４）
図１０〜図１２を参照して、実施の形態４に係る放熱構造体１００について説明する。実施の形態４に係る放熱構造体１００は、基本的には実施の形態３に係る放熱構造体１００と同様の構成を備えるが、第２フィン２２，２３が、放熱構造体１００を側面視したときに、発熱体（電子部品１〜４のうちの半導体モジュール１および電解コンデンサ４）と重なる外周面２１Ｃ，２１Ｄ上の領域に接続されており、また、第１フィン２０が、放熱構造体１００を平面視したときに、発熱体（電子部品１〜４のうちの半導体モジュール１および電解コンデンサ４）と重なる第２主面１０Ｂ上の領域に接続されている点で異なる。 (Embodiment 4)
With reference to FIGS. 10-12, the thermal radiation structure 100 which concerns on Embodiment 4 is demonstrated. The heat dissipation structure 100 according to the fourth embodiment basically has the same configuration as the heat dissipation structure 100 according to the third embodiment, but the second fins 22 and 23 are viewed from the side of the heat dissipation structure 100. In some cases, the heat generating elements (the semiconductor module 1 and the electrolytic capacitor 4 of the electronic components 1 to 4) are connected to regions on the outer peripheral surfaces 21 </ b> C and 21 </ b> D, and the first fin 20 is connected to the heat dissipation structure 100. When viewed from above, the heating element (the semiconductor module 1 and the electrolytic capacitor 4 of the electronic components 1 to 4) is connected to a region on the second main surface 10 </ b> B that overlaps the heating element.

実施の形態４における発熱体とは、実施の形態１における発熱体と異なり、電子部品である半導体モジュール１、端子台２、抵抗体３、および電解コンデンサ４のうち、発熱量が多いなどの理由により特に放熱が必要な電子部品をいう。図１０〜図１２に示す構成例では、半導体モジュール１および電解コンデンサ４である。   The heating element in the fourth embodiment is different from the heating element in the first embodiment because of the large amount of heat generated in the semiconductor module 1, the terminal block 2, the resistor 3, and the electrolytic capacitor 4 which are electronic components. In particular, it refers to electronic components that require heat dissipation. In the configuration example shown in FIGS. 10 to 12, the semiconductor module 1 and the electrolytic capacitor 4 are provided.

放熱構造体１００を側面視したときとは、壁部２１の外周面２１Ｃを側面視したとき、および外周面２１Ｄを側面視したときの少なくともいずれか一方を含む。   The side view of the heat dissipation structure 100 includes at least one of the side view of the outer peripheral surface 21C of the wall 21 and the side view of the outer peripheral surface 21D.

第１フィン２０は、放熱構造体１００を平面視したときに、半導体モジュール１および電解コンデンサ４と重なる第２主面１０Ｂ上の領域、および当該領域の周囲に位置する領域に接続されている。つまり、図１１および図１２に示されるように、第１フィン２０は、上記１つの方向に沿ってベース体１０の一方の端部から他方の端部まで延びるように形成されていなくてもよく、当該１つの方向およびこれに垂直な方向において部分的に形成されていてもよい。   The first fin 20 is connected to a region on the second main surface 10B that overlaps the semiconductor module 1 and the electrolytic capacitor 4 and a region located around the region when the heat dissipation structure 100 is viewed in plan. That is, as shown in FIGS. 11 and 12, the first fin 20 may not be formed so as to extend from one end of the base body 10 to the other end along the one direction. , And may be partially formed in the one direction and a direction perpendicular thereto.

第２フィン２２は、壁部２１の外周面２１Ｃを側面視したとき、半導体モジュール１に近い外周面２１Ｃ上において半導体モジュール１と重なる領域および当該領域の周囲に位置する領域に接続されており、かつ電解コンデンサ４に近い外周面２１Ｃ上において、電解コンデンサ４と重なる領域および当該領域の周囲に位置する領域に接続されている。   The second fin 22 is connected to a region overlapping the semiconductor module 1 on the outer peripheral surface 21C close to the semiconductor module 1 and a region located around the region when the outer peripheral surface 21C of the wall portion 21 is viewed from the side. On the outer peripheral surface 21 </ b> C close to the electrolytic capacitor 4, it is connected to a region overlapping with the electrolytic capacitor 4 and a region located around the region.

第２フィン２３は、壁部２１の外周面２１Ｄを側面視したとき、半導体モジュール１に近い外周面２１Ｄ上において半導体モジュール１と重なる領域および当該領域の周囲に位置する領域に接続されている。   When the outer peripheral surface 21D of the wall 21 is viewed from the side, the second fin 23 is connected to a region overlapping the semiconductor module 1 on the outer peripheral surface 21D close to the semiconductor module 1 and a region located around the region.

言い換えると、第１フィン２０は、ベース体１０の第２主面１０Ｂの全面に渡って形成されているのではなく、上記平面視したときに第２主面１０Ｂ上において放熱が不要な電子部品（たとえば抵抗体３）と重なる領域には接続されていない。また、第２フィン２２，２３は、壁部２１の外周面２１Ｃ，２１Ｄの全面に渡って形成されているのではなく、上記側面視したときに外周面２１Ｃ，２１Ｄ上において放熱が不要な電子部品（たとえば抵抗体３）と重なる領域には接続されていない。   In other words, the first fin 20 is not formed over the entire surface of the second main surface 10B of the base body 10, but an electronic component that does not require heat dissipation on the second main surface 10B when viewed in plan. It is not connected to a region overlapping (for example, the resistor 3). Further, the second fins 22 and 23 are not formed over the entire outer peripheral surfaces 21C and 21D of the wall portion 21, but are electrons that do not require heat dissipation on the outer peripheral surfaces 21C and 21D when viewed from the side. It is not connected to a region overlapping with a component (for example, resistor 3).

実施の形態４に係る放熱構造体１００の製造方法は、実施の形態３に係る放熱構造体１００と同様に実施視し得る。   The manufacturing method of the heat dissipation structure 100 according to the fourth embodiment can be implemented in the same manner as the heat dissipation structure 100 according to the third embodiment.

次に、実施の形態４に係る放熱構造体１００の作用効果について説明する。実施の形態４に係る放熱構造体１００は、実施の形態３に係る放熱構造体１００と基本的に同様の構成を備えるため、実施の形態３に係る放熱構造体１００と同様の作用効果を奏することができる。   Next, functions and effects of the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 4 will be described. The heat dissipation structure 100 according to the fourth embodiment has basically the same configuration as the heat dissipation structure 100 according to the third embodiment, and therefore has the same effects as the heat dissipation structure 100 according to the third embodiment. be able to.

さらに、第２フィン２２，２３は、放熱構造体１００を側面視したときに発熱体と重なる外周面２１Ｃ，２１Ｄ上の領域に接続されている。第１フィン２０は、放熱構造体１００を平面視したときに発熱体と重なる第２主面１０Ｂ上の領域に接続されている。   Furthermore, the 2nd fins 22 and 23 are connected to the area | region on the outer peripheral surfaces 21C and 21D which overlap with a heat generating body when the heat radiating structure 100 is seen by the side view. The first fin 20 is connected to a region on the second main surface 10B that overlaps the heat generator when the heat dissipation structure 100 is viewed in plan.

そのため、実施の形態４に係る放熱構造体１００は、第１フィン２０および第２フィン２２，２３が部分的に設けられているため、実施の形態３に係る放熱構造体１００と比べて軽量化することができる。   Therefore, the heat dissipation structure 100 according to the fourth embodiment is lighter than the heat dissipation structure 100 according to the third embodiment because the first fin 20 and the second fins 22 and 23 are partially provided. can do.

さらに、図１２に示されるように、第２フィン２２は、図９に示される実施の形態３における第２フィン２２よりも上記１つの方向において短く形成されている。そのため、実施の形態４に係る放熱構造体２００は、第２フィン２２の近くに発生する温度境界層を実施の形態３における第２フィン２２の近くに発生する温度境界層よりも薄くすることができる。その結果、実施の形態４に係る放熱構造体１００は、第２フィン２２の熱伝導率を向上させることができるため、放熱性を損なわずに軽量化されている。なお、第１フィン２０および第２フィン２２，２３のうち、少なくともいずれか１つが部分的に設けられていても、放熱性を損なわずに実施の形態３に係る放熱構造体１００と比べて軽量化することができる。   Furthermore, as shown in FIG. 12, the second fin 22 is formed shorter in the one direction than the second fin 22 in the third embodiment shown in FIG. Therefore, in heat dissipation structure 200 according to Embodiment 4, the temperature boundary layer generated near second fin 22 can be made thinner than the temperature boundary layer generated near second fin 22 in Embodiment 3. it can. As a result, since the heat dissipation structure 100 according to Embodiment 4 can improve the thermal conductivity of the second fins 22, it is reduced in weight without impairing heat dissipation. In addition, even if at least any one of the first fins 20 and the second fins 22 and 23 is partially provided, it is lighter than the heat dissipation structure 100 according to the third embodiment without impairing heat dissipation. Can be

また、実施の形態４に係る放熱構造体１００では、第１フィン２０および第２フィン２２，２３が接続されている領域が部分的であり、さらにそれにより第１凹凸部３０が形成される領域も部分的であるため、該放熱構造体１００は容易に製造され得る。   In the heat dissipation structure 100 according to the fourth embodiment, the region where the first fin 20 and the second fins 22 and 23 are connected is partial, and further, the region where the first uneven portion 30 is formed. Is also partially, the heat dissipation structure 100 can be easily manufactured.

（実施の形態５）
図１３〜図１５を参照して、実施の形態５に係る放熱構造体２００について説明する。実施の形態５に係る放熱構造体２００は、基本的には実施の形態１に係る放熱構造体１００と同様の構成を備えるが、複数のベース体１３，１４，１５を備え、第１フィン２０は、隣り合う複数のベース体１３，１４，１５に跨って、それぞれの第２主面１０Ｂと接続されている点で異なる。 (Embodiment 5)
With reference to FIGS. 13-15, the thermal radiation structure 200 which concerns on Embodiment 5 is demonstrated. The heat dissipation structure 200 according to the fifth embodiment basically includes the same configuration as the heat dissipation structure 100 according to the first embodiment, but includes a plurality of base bodies 13, 14, 15, and the first fin 20. Are different from each other in that they are connected to the respective second main surfaces 10B across a plurality of adjacent base bodies 13, 14, and 15.

複数のベース体１３，１４，１５はリードフレームとして構成されている。ベース体１３，１４，１５を構成する材料は、たとえばＣｕである。   The plurality of base bodies 13, 14, and 15 are configured as lead frames. The material constituting the base bodies 13, 14, and 15 is, for example, Cu.

ベース体１３の第１主面１３Ａ上には、発熱体としての電子部品５（半導体素子）が形成されている。電子部品５は、任意の半導体素子であればよいが、たとえばＭＯＳＦＥＴである。ＭＯＳＦＥＴ５は、ドレインがベース体１３の第１主面１３Ａとはんだ接合されており、ソースがベース体１４の第１主面１４Ａとワイヤ６によりボンディングされており、ゲートがベース体１５の第１主面１５Ａとワイヤ７によりボンディングされている。   On the first main surface 13A of the base body 13, an electronic component 5 (semiconductor element) as a heating element is formed. The electronic component 5 may be any semiconductor element, but is a MOSFET, for example. MOSFET 5 has a drain soldered to first main surface 13A of base body 13, a source bonded to first main surface 14A of base body 14 by wire 6, and a gate having a first main surface of base body 15. Bonded by the surface 15A and the wire 7.

複数のベース体１３，１４，１５、ＭＯＳＦＥＴ５、およびワイヤ６，７は、封止体５０により封止されている。封止体５０を構成する材料は、たとえばエポキシ樹脂である。つまり、実施の形態５に係る放熱構造体２００は、半導体モジュールとして構成されている。放熱構造体２００は、たとえば電力変換装置（図示しない）などに搭載され、電流や電圧をオン・オフすることで電力を直流から交流に変換したり、交流から直流に変換したりする。   The plurality of base bodies 13, 14, 15, MOSFET 5, and wires 6, 7 are sealed with a sealing body 50. The material which comprises the sealing body 50 is an epoxy resin, for example. That is, the heat dissipation structure 200 according to Embodiment 5 is configured as a semiconductor module. The heat dissipating structure 200 is mounted on, for example, a power converter (not shown) or the like, and converts power from direct current to alternating current, or converts alternating current to direct current by turning on and off current and voltage.

複数のベース体１３，１４，１５は、それぞれ封止体５０の外部に表出して電力変換装置のターミナルなどに接続可能に設けられている端子を有している。ベース体１３はドレイン端子４１，４４を、ベース体１４はソース端子４２，４５を、ベース体１５はゲート端子４３をそれぞれ有している。   Each of the plurality of base bodies 13, 14, 15 has a terminal provided so as to be exposed to the outside of the sealing body 50 and connectable to a terminal of the power converter. The base body 13 has drain terminals 41 and 44, the base body 14 has source terminals 42 and 45, and the base body 15 has a gate terminal 43.

なお、放熱構造体２００がインバータの上アームを構成する場合にはドレイン端子が直流の正極端子、ソース端子が交流端子に接続され、放熱構造体１００がインバータの下アームを構成する場合にはドレイン端子が交流端子、ソース端子が直流の負極端子にそれぞれ接続される。オン・オフの制御はゲート端子４３に入力されるゲート信号により行われる。ゲート信号はゲート端子に接続した制御基板（図示しない）により生成される。この放熱構造体２００では、制御基板でドレイン及びソースの電圧をモニタするため、制御用のドレイン端子４４及びソース端子４５を設けている。   When the heat dissipating structure 200 constitutes the upper arm of the inverter, the drain terminal is connected to the DC positive terminal and the source terminal is connected to the AC terminal, and when the heat dissipating structure 100 constitutes the lower arm of the inverter, the drain terminal is connected. A terminal is connected to an AC terminal and a source terminal is connected to a DC negative terminal. On / off control is performed by a gate signal input to the gate terminal 43. The gate signal is generated by a control board (not shown) connected to the gate terminal. In the heat dissipation structure 200, a drain terminal 44 and a source terminal 45 for control are provided in order to monitor the drain and source voltages on the control board.

複数のベース体１３，１４，１５は、互いに間隔を隔てて、それぞれの第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂが同じ側を向いて隣り合うように配置されている。複数のベース体１３，１４，１５の第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂには、それぞれ第１凹凸部３０が形成されている。複数のベース体１３，１４，１５に形成されている第１凹凸部３０は、基本的には実施の形態１における第１凹凸部３０と同様の構成を備えている。複数のベース体１３，１４，１５のそれぞれに形成されている第１凹凸部３０は、複数のベース体１３，１４，１５を所定の位置関係で配置し放熱構造体２００としたときに、任意の方向に連なるように形成されている。   The plurality of base bodies 13, 14, and 15 are arranged so that the second main surfaces 13 </ b> B, 14 </ b> B, and 15 </ b> B are adjacent to each other with a space therebetween facing the same side. A first uneven portion 30 is formed on each of the second main surfaces 13B, 14B, and 15B of the plurality of base bodies 13, 14, and 15. The first uneven portion 30 formed on the plurality of base bodies 13, 14, 15 basically has the same configuration as the first uneven portion 30 in the first embodiment. The first concavo-convex portion 30 formed on each of the plurality of base bodies 13, 14, 15 is arbitrary when the plurality of base bodies 13, 14, 15 are arranged in a predetermined positional relationship to form the heat dissipation structure 200. It is formed so as to continue in the direction.

複数の第１フィン２０は、複数のベース体１３，１４，１５のうちの少なくとも２つのベース体に跨って、それぞれの第２主面１０Ｂと接続されている。言い換えると、複数の第１フィン２０は、ベース体１３，１４，１５の第２主面１０Ｂに接続されている部分と、封止体５０に接続されている部分とを有している。第１フィン２０においてベース体１３，１４，１５の第２主面１０Ｂに接続されている部分の少なくとも一部は、第１凹凸部３０と噛み合されている。言い換えると、複数のベース体１３，１４，１５のそれぞれの第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂにおいて第１フィン２０と接続されている領域は第１凹凸部３０を含んでいる。   The plurality of first fins 20 are connected to the respective second main surfaces 10 </ b> B across at least two of the plurality of base bodies 13, 14, 15. In other words, the plurality of first fins 20 have a portion connected to the second main surface 10 </ b> B of the base bodies 13, 14, 15 and a portion connected to the sealing body 50. At least a part of the portion of the first fin 20 connected to the second main surface 10 </ b> B of the base bodies 13, 14, 15 is engaged with the first uneven portion 30. In other words, the region connected to the first fin 20 on each of the second main surfaces 13B, 14B, 15B of the plurality of base bodies 13, 14, 15 includes the first uneven portion 30.

第１フィン２０において封止体５０に接続されている部分は、ベース体１３，１４，１５間に位置し、かつ第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂと連なるように形成されている封止体５０の下端面に接続されている部分と、ベース体１３，１４，１５よりも外側に位置し、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂと連なるように形成されている封止体５０の下端面に接続されている部分とを有している。   A portion of the first fin 20 connected to the sealing body 50 is located between the base bodies 13, 14, 15 and formed so as to be continuous with the second main surfaces 13 B, 14 B, 15 B. 50 and the lower end surface of the sealing body 50 which is located outside the base bodies 13, 14, 15 and is connected to the second main surfaces 13 B, 14 B, 15 B. And a portion connected to.

第１フィン２０を構成する材料は、封止体５０を構成する材料と同一であってもよいし、封止体５０を構成する材料よりも熱伝導率の高い材料であってもよい。放熱構造体２００の動作時におけるベース体１３，１４，１５の電位がそれぞれ異なる場合など、ベース体１３，１４，１５間が互いに電気的に絶縁されている必要がある場合には、第１フィン２０を構成する材料は電気的絶縁性を有する材料である。   The material constituting the first fin 20 may be the same as the material constituting the sealing body 50, or may be a material having a higher thermal conductivity than the material constituting the sealing body 50. When the base bodies 13, 14, 15 need to be electrically insulated from each other, such as when the potentials of the base bodies 13, 14, 15 are different during operation of the heat dissipation structure 200, the first fin The material which comprises 20 is a material which has electrical insulation.

次に、実施の形態５に係る放熱構造体２００の製造方法について説明する。実施の形態５に係る放熱構造体２００の製造方法は、基本的には実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法と同様の構成を備える。第１フィン２０は、封止体５０を形成する際にこれと同時に形成され得る。このようにすれば、第１フィン２０を備えていない従来の半導体モジュールと比べて工数の増大を招くことなく、放熱性を向上させることができる。また、第１フィン２０は、封止体５０を形成した後に、形成され得る。このようにすれば、第１フィン２０を構成する材料を封止体５０を構成する材料よりも高い熱伝導率を有する材料とすることができ、放熱性をより向上させることができる。   Next, a method for manufacturing the heat dissipation structure 200 according to Embodiment 5 will be described. The manufacturing method of heat dissipation structure 200 according to Embodiment 5 basically includes the same configuration as the manufacturing method of heat dissipation structure 100 according to Embodiment 1. The first fins 20 can be formed simultaneously with the formation of the sealing body 50. In this way, heat dissipation can be improved without increasing the number of man-hours compared to a conventional semiconductor module that does not include the first fin 20. The first fin 20 can be formed after the sealing body 50 is formed. If it does in this way, the material which comprises the 1st fin 20 can be made into the material which has higher thermal conductivity than the material which comprises the sealing body 50, and can improve heat dissipation.

次に、実施の形態５に係る放熱構造体２００の作用効果について説明する。実施の形態５に係る放熱構造体２００は、実施の形態１に係る放熱構造体１００と基本的に同様の構成を備えるため、実施の形態１に係る放熱構造体１００と同様の作用効果を奏することができる。つまり、半導体モジュールとしての実施の形態５に係る放熱構造体２００は、従来の半導体モジュールと比べて電子部品に生じた熱を効果的に放熱することができる。また、放熱構造体２００は、ベース体１３，１４，１５の第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂに第１フィン２０が直接接続されているため、大型化することなく放熱面の面積を大きくすることができる。   Next, functions and effects of the heat dissipation structure 200 according to Embodiment 5 will be described. The heat dissipation structure 200 according to the fifth embodiment has basically the same configuration as the heat dissipation structure 100 according to the first embodiment, and therefore has the same effects as the heat dissipation structure 100 according to the first embodiment. be able to. That is, the heat dissipation structure 200 according to the fifth embodiment as a semiconductor module can effectively dissipate heat generated in the electronic component as compared with the conventional semiconductor module. Moreover, since the 1st fin 20 is directly connected to the 2nd main surface 13B, 14B, 15B of the base bodies 13,14,15, the thermal radiation structure 200 enlarges the area of a thermal radiation surface, without enlarging. be able to.

また、従来の半導体モジュールは、フィンを備えたヒートシンクと接続される。このとき、半導体素子が搭載されているベース金属（ベース体）とヒートシンクとが接続されるが、一般にそれぞれの接続面には凹凸や反りが存在するため、接続時には両者の間に空隙が生じる。空隙は両者の間での伝熱を妨げる。そこで、従来の半導体モジュールでは、該空隙の発生を抑制するため、グリース、接着剤、または伝熱シートなどからなる接着層を介してベース金属とヒートシンクとを接続することが行われている。しかし、グリース、接着剤、または伝熱シートなどの熱伝導率はベース金属およびヒートシンクを構成する材料（たとえばＣｕまたはＡｌ）と比べて１桁〜２桁低いため、このような半導体モジュールでは上記接着層が熱抵抗として作用して、ベース金属とヒートシンクとの間で温度上昇を招いていた。   The conventional semiconductor module is connected to a heat sink having fins. At this time, the base metal (base body) on which the semiconductor element is mounted is connected to the heat sink, but generally, since there are irregularities and warpages on each connection surface, a gap is generated between the two at the time of connection. The air gap prevents heat transfer between the two. Therefore, in the conventional semiconductor module, in order to suppress the generation of the gap, the base metal and the heat sink are connected through an adhesive layer made of grease, an adhesive, or a heat transfer sheet. However, since the thermal conductivity of grease, adhesive, or heat transfer sheet is 1 to 2 digits lower than the base metal and the material constituting the heat sink (for example, Cu or Al), such a semiconductor module has the above adhesion. The layer acted as a thermal resistance, causing a temperature rise between the base metal and the heat sink.

これに対し、放熱構造体２００は、リードフレームとしてのベース体１３，１４，１５の第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂに第１フィン２０が直接接続されており、かつ、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂにおいて第１フィン２０と接続されている領域は第１凹凸部３０を含んでいる。そのため、ベース体１３，１４，１５と第１フィン２０との接続部において、少なくとも第１フィン２０と第１凹凸部３０の上記凹凸とが直接噛み合わされている部分には空隙の発生が抑制されている。つまり、放熱構造体２００では、空隙を抑制するためにベース体１３，１４，１５と第１フィン２０との間に熱抵抗を高めるような部材を用いる必要が無いため、これらの間での温度上昇を実質的にゼロとすることができる。   In contrast, in the heat dissipation structure 200, the first fin 20 is directly connected to the second main surfaces 13B, 14B, and 15B of the base bodies 13, 14, and 15 as lead frames, and the second main surface 13B. , 14B, and 15B include the first uneven portion 30 in the region connected to the first fin 20. Therefore, in the connection portion between the base bodies 13, 14, 15 and the first fin 20, the generation of voids is suppressed at least in a portion where the first fin 20 and the first uneven portion 30 are directly meshed with the uneven portion. ing. That is, in the heat dissipation structure 200, there is no need to use a member that increases the thermal resistance between the base bodies 13, 14, 15 and the first fin 20 in order to suppress the air gap. The rise can be substantially zero.

（実施の形態６）
図１６および図１７を参照して、実施の形態６に係る放熱構造体２００について説明する。実施の形態６に係る放熱構造体２００は、基本的には実施の形態５に係る放熱構造体２００と同様の構成を備えるが、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂ上において第１フィン２０が形成されていない全領域を覆う第２絶縁層１６を備える点で異なる。 (Embodiment 6)
With reference to FIG. 16 and FIG. 17, the thermal radiation structure 200 which concerns on Embodiment 6 is demonstrated. The heat dissipation structure 200 according to the sixth embodiment basically includes the same configuration as the heat dissipation structure 200 according to the fifth embodiment, but the first fins 20 are provided on the second main surfaces 13B, 14B, and 15B. The difference is that a second insulating layer 16 is provided to cover the entire area where no region is formed.

第２絶縁層１６を構成する材料は、電気的絶縁性を有する任意の材料で構成されていればよく、好ましくは第１フィン２０を構成する材料と同一の材料で構成されている。第２絶縁層１６の膜厚は、第１フィン２０の放熱面を狭めることなく、かつ樹脂成形が可能な膜厚であればよく、１ｍｍ以下であるのが好ましい。   The material constituting the second insulating layer 16 may be any material having electrical insulation, and is preferably composed of the same material as that constituting the first fin 20. The film thickness of the second insulating layer 16 may be any film thickness that does not narrow the heat dissipation surface of the first fin 20 and can be resin-molded, and is preferably 1 mm or less.

ベース体１３，１４，１５の第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの第１凹凸部３０は、少なくとも第１フィン２０と接続されている領域に形成されていればよいが、第２絶縁層１６と接続されている領域にも形成されていてもよい。たとえば、第１凹凸部３０は、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの全面に形成されていてもよい。   The first concavo-convex portions 30 of the second main surfaces 13B, 14B, and 15B of the base bodies 13, 14, and 15 may be formed at least in a region connected to the first fin 20, but the second insulating layer 16 It may also be formed in a region connected to. For example, the 1st uneven | corrugated | grooved part 30 may be formed in the whole surface of 2nd main surface 13B, 14B, 15B.

実施の形態６に係る放熱構造体２００の製造方法は、基本的には実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法と同様の構成を備える。第２絶縁層１６は、第１フィン２０および封止体５０を形成する際にこれらと同時に形成され得る。また、第２絶縁層１６は、封止体５０を形成した後に、第１フィン２０と同時に形成され得る。   The manufacturing method of heat dissipation structure 200 according to Embodiment 6 basically includes the same configuration as the manufacturing method of heat dissipation structure 100 according to Embodiment 1. The second insulating layer 16 can be formed simultaneously with the formation of the first fin 20 and the sealing body 50. Further, the second insulating layer 16 may be formed at the same time as the first fin 20 after the sealing body 50 is formed.

次に、実施の形態６に係る放熱構造体２００の作用効果について説明する。実施の形態６に係る放熱構造体２００は、実施の形態５に係る放熱構造体２００と基本的に同様の構成を備えるため、実施の形態５に係る放熱構造体２００と同様の作用効果を奏することができる。   Next, functions and effects of the heat dissipation structure 200 according to Embodiment 6 will be described. The heat dissipation structure 200 according to the sixth embodiment has basically the same configuration as the heat dissipation structure 200 according to the fifth embodiment, and therefore has the same effects as the heat dissipation structure 200 according to the fifth embodiment. be able to.

さらに、第２絶縁層１６により、放熱構造体２００においてベース体１３，１４，１５の第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂが露出していないため、放熱構造体２００の絶縁性を高めることができる。   Furthermore, since the second main surfaces 13B, 14B, and 15B of the base bodies 13, 14, and 15 are not exposed in the heat dissipation structure 200 by the second insulating layer 16, the insulation of the heat dissipation structure 200 can be improved. .

（実施の形態７）
図１８を参照して、実施の形態７に係る放熱構造体２００について説明する。実施の形態７に係る放熱構造体２００は、基本的には実施の形態５に係る放熱構造体１００と同様の構成を備えるが、複数のベース体１３，１４，１５はそれぞれ異なる第１フィン２０と接続されており、複数のベース体１３，１４，１５のうち、１つのベース体の第１フィン２０は他のベース体の第１フィン２０と間隔を隔てて形成されている点で異なる。 (Embodiment 7)
A heat dissipation structure 200 according to Embodiment 7 will be described with reference to FIG. The heat dissipation structure 200 according to the seventh embodiment basically has the same configuration as that of the heat dissipation structure 100 according to the fifth embodiment, but the plurality of base bodies 13, 14, and 15 are different from each other in the first fin 20. And the first fin 20 of one base body is different from the first fins 20 of the other base bodies in that the base fins are formed at intervals.

第１フィン２０を構成する材料は、実施の形態５に係る放熱構造体２００と異なり、放熱構造体２００の動作時におけるベース体１３，１４，１５の電位がそれぞれ異なる場合であっても、導電性材料とすることができる。つまり、第１フィン２０は、たとえば主な構成材料が樹脂であって、該樹脂よりも高い熱伝導性を有する金属材料からなるフィラーを含んでいてもよい。   Unlike the heat dissipation structure 200 according to the fifth embodiment, the material constituting the first fin 20 is conductive even when the potentials of the base bodies 13, 14, and 15 during operation of the heat dissipation structure 200 are different from each other. Material. That is, the first fin 20 may include, for example, a filler made of a metal material whose main constituent material is a resin and has higher thermal conductivity than the resin.

これにより、実施の形態７に係る放熱構造体２００は、第１フィン２０の熱伝導率を高めることができるため、半導体素子５に生じた熱をより効果的に放熱することができる。   Thereby, since the heat dissipation structure 200 according to the seventh embodiment can increase the thermal conductivity of the first fin 20, the heat generated in the semiconductor element 5 can be radiated more effectively.

また、これにより、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂに垂直な方向における第１フィン２０の長さを長く（第１フィン２０の放熱面を広く）しても、第１フィン２０による高い放熱効率を実現でき、放熱性を向上することができる。   Moreover, even if the length of the 1st fin 20 in the direction perpendicular | vertical to 2nd main surface 13B, 14B, 15B is lengthened by this (the heat dissipation surface of the 1st fin 20 is widened), the high heat dissipation by the 1st fin 20 is carried out. Efficiency can be realized and heat dissipation can be improved.

また、第１フィン２０は、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂ上にそれぞれ分離して形成されている。そのため、実施の形態７に係る放熱構造体２００は、第１フィン２０の近くに発生する温度境界層を実施の形態５における第１フィン２０の近くに発生する温度境界層よりも薄くすることができ、第１フィン２０の熱伝導率を向上させることができる。   The first fins 20 are separately formed on the second main surfaces 13B, 14B, and 15B. Therefore, in heat dissipation structure 200 according to Embodiment 7, the temperature boundary layer generated near first fin 20 can be made thinner than the temperature boundary layer generated near first fin 20 in Embodiment 5. In addition, the thermal conductivity of the first fin 20 can be improved.

なお、実施の形態７に係る放熱構造体２００は、実施の形態５に係る放熱構造体と同様に製造することができる。   The heat dissipation structure 200 according to the seventh embodiment can be manufactured in the same manner as the heat dissipation structure according to the fifth embodiment.

図１〜図１８に示される実施の形態１〜実施の形態７に係る放熱構造体１００，２００において、第１フィン２０は板状に形成されているが、これに限られるものでない。   In the heat dissipation structures 100 and 200 according to the first to seventh embodiments shown in FIGS. 1 to 18, the first fins 20 are formed in a plate shape, but are not limited thereto.

図１９（ａ）に示されるように、第１フィン２０には、第２主面１０Ｂに沿った方向に延びるように形成されている少なくとも１つの空洞２４が形成されていてもよい。このようにすれば、空洞２４を風洞とすることができ、空洞２４内を気体が流通することにより放熱性を向上することができる。また、空洞２４を液体からなる放熱媒体の流通路とすることも可能であり、このようにしても放熱性を向上することができる。   As shown in FIG. 19A, the first fin 20 may be formed with at least one cavity 24 formed so as to extend in a direction along the second main surface 10B. If it does in this way, the cavity 24 can be made into a wind tunnel and heat dissipation can be improved by gas flowing through the cavity 24. Further, the cavity 24 can be used as a flow path for a heat radiating medium made of liquid, and in this way, the heat dissipation can be improved.

図１９（ｂ）に示されるように、第１フィン２０には、複数の空洞２４が形成されており、空洞２４が延びる方向に垂直な断面において、複数の空洞２４は格子状に配置されていてもよい。ここで、空洞２４が延びる方向とは、第２主面１０Ｂに沿った任意の方向である。このようにすれば、空洞２４の内周面の面積を大きくすることができるため、空洞２４に起因する放熱性向上の効果をより高めることができる。また、図１９（ｂ）に示される第１フィン２０は、図１９（ａ）に示される第１フィン２０の空洞２４が空洞２４の延在方向に垂直かつ第２主面１０Ｂに沿った方向に延びる部分によって分割されている構造を有している。そのため、図１９（ｂ）に示される第１フィン２０は、図１９（ａ）に示される第１フィン２０と比べて、空洞２４の延在方向に垂直かつ第２主面１０Ｂに沿った方向において高強度とすることができる。図１９（ａ）および（ｂ）に示される第１フィン２０は、樹脂成形により成形可能である。   As shown in FIG. 19B, a plurality of cavities 24 are formed in the first fin 20, and the plurality of cavities 24 are arranged in a lattice shape in a cross section perpendicular to the direction in which the cavities 24 extend. May be. Here, the direction in which the cavity 24 extends is an arbitrary direction along the second main surface 10B. In this way, since the area of the inner peripheral surface of the cavity 24 can be increased, the effect of improving the heat dissipation due to the cavity 24 can be further enhanced. Further, the first fin 20 shown in FIG. 19B is a direction in which the cavity 24 of the first fin 20 shown in FIG. 19A is perpendicular to the extending direction of the cavity 24 and along the second main surface 10B. It has the structure divided | segmented by the part extended in. Therefore, the first fin 20 shown in FIG. 19B is perpendicular to the extending direction of the cavity 24 and along the second main surface 10B, as compared with the first fin 20 shown in FIG. The strength can be increased. The first fins 20 shown in FIGS. 19A and 19B can be molded by resin molding.

図１９（ｃ）に示されるように、第１フィン２０は、第２主面１０Ｂに交差する方向（たとえば垂直な方向）に延びるように形成されている芯部２５と、芯部２５の少なくとも一部周囲に形成されている被覆部２６とを含んでいてもよい。   As shown in FIG. 19C, the first fin 20 has a core portion 25 formed so as to extend in a direction intersecting the second main surface 10 </ b> B (for example, a vertical direction), and at least the core portion 25. It may include a covering portion 26 formed around a part thereof.

被覆部２６を構成する材料は、上述した第１フィン２０を主に構成する樹脂材料と同一であればよい。芯部２５を構成する材料は、被覆部２６を構成する材料よりも高い熱伝導率を有する金属材料であり、たとえばＡｌまたはＣｕである。この場合、第１フィン２０は、被覆部２６を樹脂成形する際に芯部２５をインサート成形することにより形成され、かつ第２主面１０Ｂに接続され得る。このとき、第１凹凸部３０は、第２主面１０Ｂにおいて被覆部２６と接続される部分に含まれるように形成されていればよい。また、芯部２５において被覆部２６と接続される領域には、第１凹凸部３０と同様の凹凸が形成されていてもよい。   The material which comprises the coating | coated part 26 should just be the same as the resin material which mainly comprises the 1st fin 20 mentioned above. The material constituting the core portion 25 is a metal material having a higher thermal conductivity than the material constituting the covering portion 26, and is, for example, Al or Cu. In this case, the first fin 20 is formed by insert-molding the core portion 25 when the covering portion 26 is resin-molded, and can be connected to the second main surface 10B. At this time, the 1st uneven | corrugated | grooved part 30 should just be formed so that it may be contained in the part connected with the coating | coated part 26 in the 2nd main surface 10B. Further, in the core portion 25, the same unevenness as that of the first uneven portion 30 may be formed in the region connected to the covering portion 26.

芯部２５は、任意の形状を有していればよく、たとえば板状である。被覆部２６は、芯部２５において、第２主面１０Ｂと接続される部分を除く全周囲を囲うように形成されていてもよい。   The core part 25 should just have arbitrary shapes, for example, is plate shape. The covering portion 26 may be formed in the core portion 25 so as to surround the entire periphery except for the portion connected to the second main surface 10B.

このようにすれば、芯部２５は被覆部２６よりも高い熱伝導率を有しているため、第２主面１０Ｂに垂直な方向において第２主面１０Ｂと接続されていないける第１フィン２０の下方端部まで素早く伝熱させることができる。そのため、当該垂直な方向における第１フィン２０の長さを長くすることにより放熱面を増大させることができ、第１フィン２０の放熱性を向上させることができる。   In this way, since the core portion 25 has a higher thermal conductivity than the covering portion 26, the first fin is not connected to the second main surface 10B in the direction perpendicular to the second main surface 10B. Heat can be transferred quickly to the lower end of the 20. Therefore, the heat radiation surface can be increased by increasing the length of the first fin 20 in the vertical direction, and the heat radiation performance of the first fin 20 can be improved.

また、図２０および図２１に示されるように、実施の形態１〜実施の形態７に係る放熱構造体１００，２００は、上述した第１フィン２０の側壁２０Ｅと第２主面１０Ｂとを接続するように配置された補強部２７を備えていてもよい。補強部２７を主に構成する材料は、樹脂であり、たとえば第１フィン２０を主に構成する材料と同一である。補強部２７は、第１フィン２０の側壁２０Ｅの少なくとも一方と第２主面１０Ｂとを接続するように配置されていればよい。補強部２７は、１つの第１フィン２０の側壁２０Ｅに沿って、互いに間隔を隔てて複数形成されていてもよい。   20 and 21, the heat dissipation structures 100 and 200 according to the first to seventh embodiments connect the side wall 20E of the first fin 20 and the second main surface 10B described above. The reinforcement part 27 arrange | positioned so may be provided. The material mainly constituting the reinforcing portion 27 is resin, and is the same as the material mainly constituting the first fin 20, for example. The reinforcement part 27 should just be arrange | positioned so that at least one of the side walls 20E of the 1st fin 20 and the 2nd main surface 10B may be connected. A plurality of reinforcing portions 27 may be formed along the side wall 20 </ b> E of one first fin 20 at intervals.

図２０（ａ）および（ｂ）に示されるように、補強部２７は、第１フィン２０を挟んで互いに対向するように形成されているのが好ましい。補強部２７が対向する方向は、たとえば第１フィン２０が板状に形成されている場合には、第１フィン２０における第２主面１０Ｂとの接続面での短手方向である。   As shown in FIGS. 20A and 20B, the reinforcing portion 27 is preferably formed to face each other with the first fin 20 interposed therebetween. For example, when the first fin 20 is formed in a plate shape, the direction in which the reinforcing portion 27 faces is the short direction at the connection surface of the first fin 20 with the second main surface 10B.

また、図２１（ａ）および（ｂ）に示されるように、補強部２７は、隣り合う第１フィン２０の間を接続するように形成されていてもよい。言い換えると、放熱構造体１００，２００を平面視したときに、第１フィン２０と交差する方向に延びるように形成されていてもよい。   Further, as shown in FIGS. 21A and 21B, the reinforcing portion 27 may be formed so as to connect the adjacent first fins 20. In other words, it may be formed to extend in a direction intersecting the first fin 20 when the heat dissipation structures 100 and 200 are viewed in plan.

このようにすれば、第１フィン２０は、上記接続面での短手方向における強度を高めることができ、当該短手方向の力を受けたときにも、第２主面１０Ｂとの接続状態を維持しやすくすることができる。   In this way, the first fin 20 can increase the strength in the short direction on the connection surface, and the connection state with the second main surface 10B even when receiving the force in the short direction. Can be easily maintained.

この場合、第２主面１０Ｂにおいて補強部２７と接続されている領域は上述した第１凹凸部３０と同様の凹凸が形成された第３凹凸部３２を含んでいてもよい。このようにすれば、ベース体１０と補強部２７との間で空隙の発生を抑制することができ、ベース体１０と補強部２７との接続強度を高めることができるとともに補強部２７の放熱性を向上させることができる。   In this case, the region connected to the reinforcing portion 27 in the second main surface 10B may include the third uneven portion 32 in which the same unevenness as the first uneven portion 30 described above is formed. In this way, it is possible to suppress the generation of a gap between the base body 10 and the reinforcing portion 27, to increase the connection strength between the base body 10 and the reinforcing portion 27, and to dissipate heat from the reinforcing portion 27. Can be improved.

補強部２７は、任意の方法により成形され、かつ第２主面１０Ｂに接続されればよい。補強部２７は、たとえば第１フィン２０と同時に成形し、かつ第２主面１０Ｂに接続されてもよいし、第１フィン２０を射出成形により成形した後、第２主面１０Ｂに接続する際の樹脂成形により成形、接続されてもよい。   The reinforcement part 27 should just be shape | molded by arbitrary methods and connected to the 2nd main surface 10B. For example, the reinforcing portion 27 may be formed at the same time as the first fin 20 and connected to the second main surface 10B, or when the first fin 20 is formed by injection molding and then connected to the second main surface 10B. It may be formed and connected by resin molding.

また、図２１（ａ）および（ｂ）に示されるような補強部２７とすることにより、補強部２７を樹脂成形する際に、金型内に配置されたベース体１０に対し、加熱溶融された樹脂材料を補強部２７が延在する方向に沿って第１フィン２０を横断するように流すことができる。これにより、図２０に示される補強部２７を成形するための金型と比べて、図２１に示される補強部２７を成形するための上記金型は樹脂注入口を削減することができる。   Further, by using the reinforcing portion 27 as shown in FIGS. 21A and 21B, when the reinforcing portion 27 is resin-molded, the base body 10 disposed in the mold is heated and melted. The resin material can be caused to flow across the first fin 20 along the direction in which the reinforcing portion 27 extends. Thereby, compared with the metal mold | die for shape | molding the reinforcement part 27 shown by FIG. 20, the said metal mold | die for shape | molding the reinforcement part 27 shown by FIG. 21 can reduce the resin injection port.

以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲のすべての変更が含まれることが意図される。   Although the embodiment of the present invention has been described as above, the embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

１ 半導体モジュール（電子部品）、２ 端子台（電子部品）、３ 抵抗体（電子部品）、４ 電解コンデンサ（電子部品）、５ ＭＯＳＦＥＴ（電子部品）、６，７ ワイヤ、１０，１３，１４，１５ ベース体、１０Ａ，１３Ａ，１４Ａ，１５Ａ 第１主面、１０Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂ 第２主面、１０Ｄ，２１Ｃ，２１Ｄ 外周面、１１ 第１絶縁層、１２ 導電層、１６ 第２絶縁層、２０ 第１フィン、２０Ｅ 側壁、２１ 壁部、２２，２３ 第２フィン、２４ 空洞、２５ 芯部、２６ 被覆部、２７ 補強部、３０ 第１凹凸部、３１ 第２凹凸部、３２ 第３凹凸部、４１，４４ ドレイン端子、４２，４５ ソース端子、４３ ゲート端子、５０ 封止体、１００，２００ 放熱構造体。   1 semiconductor module (electronic component), 2 terminal block (electronic component), 3 resistor (electronic component), 4 electrolytic capacitor (electronic component), 5 MOSFET (electronic component), 6,7 wire, 10, 13, 14, 15 Base body, 10A, 13A, 14A, 15A First main surface, 10B, 13B, 14B, 15B Second main surface, 10D, 21C, 21D Outer peripheral surface, 11 First insulating layer, 12 Conductive layer, 16 Second insulating Layer, 20 first fin, 20E side wall, 21 wall portion, 22, 23 second fin, 24 cavity, 25 core portion, 26 covering portion, 27 reinforcing portion, 30 first uneven portion, 31 second uneven portion, 32 second 3 uneven portions, 41, 44 drain terminal, 42, 45 source terminal, 43 gate terminal, 50 sealing body, 100, 200 heat dissipation structure.

Claims (15)

少なくとも１つの発熱体と、
第１主面と前記第１主面の反対側に位置する第２主面とを有し、前記第１主面上に前記発熱体を搭載している少なくとも１つのベース体と、
前記第２主面に接続されている少なくとも１つの第１フィンとを備え、
前記ベース体を構成する材料は金属を含み、
前記第１フィンを主に構成する材料は樹脂であり、
前記ベース体の前記第２主面は、凹凸が形成された第１凹凸部を含み、
前記第２主面において前記第１フィンと接続されている領域は前記第１凹凸部を含んでいる、放熱構造体。 At least one heating element;
At least one base body having a first main surface and a second main surface located on the opposite side of the first main surface, wherein the heating element is mounted on the first main surface;
And at least one first fin connected to the second main surface,
The material constituting the base body includes a metal,
The material mainly constituting the first fin is a resin,
The second main surface of the base body includes a first uneven portion in which unevenness is formed,
A region of the second main surface connected to the first fin includes the first concavo-convex portion. 複数の前記ベース体を備え、
複数の前記ベース体は、それぞれの前記第２主面が同じ側を向いて隣り合うように配置されており、
前記第１フィンは、隣り合う複数の前記ベース体に跨って、それぞれの前記第２主面と接続されている、請求項１に記載の放熱構造体。 A plurality of the base bodies;
The plurality of base bodies are arranged such that each of the second main surfaces is adjacent to each other facing the same side,
The heat dissipation structure according to claim 1, wherein the first fin is connected to each of the second main surfaces across a plurality of adjacent base bodies. 複数の前記ベース体と、
複数の前記第１フィンとを備え、
複数の前記ベース体は、互いに間隔を隔てて配置されており、かつ、それぞれ異なる前記第１フィンと接続されており、
複数の前記ベース体のうち、１つの前記ベース体の前記第１フィンは他の前記ベース体の前記第１フィンと間隔を隔てて形成されている、請求項１に記載の放熱構造体。 A plurality of said base bodies;
A plurality of the first fins;
The plurality of base bodies are arranged at intervals from each other, and are connected to different first fins, respectively.
2. The heat dissipation structure according to claim 1, wherein, among the plurality of base bodies, the first fin of one of the base bodies is formed at a distance from the first fin of the other base body. 前記第１主面に接続されており、かつ前記発熱体を囲むように形成されている壁部を備え、
前記ベース体の前記第１主面は凹凸が形成された第２凹凸部を含み、
前記第１主面において前記壁部と接続されている領域は前記第２凹凸部を含んでいる、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の放熱構造体。 A wall portion connected to the first main surface and formed so as to surround the heating element;
The first main surface of the base body includes a second uneven portion formed with unevenness,
The area | region connected with the said wall part in the said 1st main surface is a thermal radiation structure of any one of Claims 1-3 containing the said 2nd uneven | corrugated | grooved part. 前記壁部の外周面に接続されている少なくとも１つの第２フィンを備え、
前記第２フィンを主に構成する材料は樹脂である、請求項４に記載の放熱構造体。 Comprising at least one second fin connected to the outer peripheral surface of the wall,
The heat dissipation structure according to claim 4, wherein a material mainly constituting the second fin is a resin. 前記第２フィンは、前記放熱構造体を側面視したときに、前記発熱体と重なる前記外周面上の領域に接続されている、請求項５に記載の放熱構造体。   The heat dissipation structure according to claim 5, wherein the second fin is connected to a region on the outer peripheral surface that overlaps the heating element when the heat dissipation structure is viewed from the side. 前記第１フィンは、前記放熱構造体を平面視したときに、前記発熱体と重なる前記第２主面上の領域に接続されている、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の放熱構造体。   The said 1st fin is connected to the area | region on the said 2nd main surface which overlaps with the said heat generating body, when the said heat radiating structure is planarly viewed, The any one of Claims 1-6. Heat dissipation structure. 前記第１フィンには、前記第２主面に沿った方向に延びるように形成されている少なくとも１つの空洞が形成されている、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の放熱構造体。   The heat dissipation according to any one of claims 1 to 7, wherein at least one cavity is formed in the first fin so as to extend in a direction along the second main surface. Structure. 前記第１フィンには、複数の前記空洞が形成されており、
前記空洞が延びる方向に垂直な断面において、複数の前記空洞は格子状に配置されている、請求項８に記載の放熱構造体。 A plurality of the cavities are formed in the first fin,
The heat dissipation structure according to claim 8, wherein a plurality of the cavities are arranged in a lattice shape in a cross section perpendicular to a direction in which the cavities extend. 前記第１フィンは、前記第２主面に交差する方向に延びるように形成されている芯部と、前記芯部の少なくとも一部周囲に形成されている被覆部とを含む、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の放熱構造体。   The first fin includes a core portion formed so as to extend in a direction intersecting the second main surface, and a covering portion formed around at least a part of the core portion. The heat dissipation structure according to claim 9. 前記第１凹凸部が形成されている領域は、前記第２主面において前記第１フィンと接続されている領域よりも狭い、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の放熱構造体。   11. The heat dissipation structure according to claim 1, wherein a region where the first uneven portion is formed is narrower than a region connected to the first fin on the second main surface. body. 前記第１フィンの側壁と前記第２主面とを接続するように配置された補強部を備え、
前記補強部を主に構成する材料は樹脂である、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の放熱構造体。 A reinforcing portion arranged to connect the side wall of the first fin and the second main surface;
The heat dissipation structure according to any one of claims 1 to 11, wherein a material that mainly constitutes the reinforcing portion is a resin. 前記第１主面上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上の導電層とを備え、
前記発熱体は前記導電層上に配置されている、請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の放熱構造体。 A first insulating layer on the first main surface;
A conductive layer on the first insulating layer;
The heat dissipation structure according to any one of claims 1 to 12, wherein the heating element is disposed on the conductive layer. 前記第２主面上において前記第１フィンが形成されていない全領域を覆う第２絶縁層を備える、請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の放熱構造体。   The heat dissipation structure according to any one of claims 1 to 13, further comprising a second insulating layer that covers an entire region where the first fin is not formed on the second main surface. 前記第１凹凸部は、前記ベース体に対するエッチング処理により形成されている、請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載の放熱構造体。
The heat dissipation structure according to any one of claims 1 to 14, wherein the first uneven portion is formed by an etching process on the base body.
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