JP2016149380A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】高い信頼性を図ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、矩形状の基板１１の積層面に、ｎ型層、発光層およびｐ型層が積層されたフリップチップ型の発光ダイオードである。発光素子１０は、積層面と反対側となる天面１１１に、高位置面と低位置面とが形成されている。高位置面と低位置面とによる段差部が天面１１１の角縁部１１３に位置している。この段差部は、エッチングした際に、基板１１の天面１１１がエッチングされて微細凹凸面となった低位置面と、結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域を角縁部に位置させているため、エッチングされずに残存した高位置面とによるものである。段差部が基板１１の角縁部１１３に位置しているためコレットにより吸着しても、段差部がコレットに接触することを回避させることができるため、段差部にクラックや欠けが発生してしまうことを防止することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体層が積層された基板の第１の面とは反対側となる第２の面に段差部が形成された発光素子に関するものである。

発光素子を搬送するときには、コレットと称される搬送治具により行われる。

例えば、特許文献１に記載の「発光素子及び発光素子の製造方法」では、サファイア基板の一方の主面（第１の面）に半導体層が積層され、他方の主面（第２の面）に、アルミニウムを含有する酸化膜で、Ｃｕ、Ｓｎ又はＺｎを含有する透光性膜が設けられていることで、コレットで搬送してフリップチップ実装する際に剥がれ難いことが記載されている。

特開２０１０−２２６０７０号公報

しかし、コレットが当接する基板の第２の面（天面）に段差部があると、段差部が出っ張りとなってコレットの先端に接触することで、段差部の位置から積層面側に渡って、基板にクラックが発生したり、欠けが発生したりする。

クラックが半導体層にまで至った場合には、ｎ型層とｐ型層とが部分的に短絡することで輝度が低下する。また、電流がリークすることで高熱が発生して劣化の進行が早くなり、徐々に輝度が低下してしまう。従って、クラックが発生したり、欠けが発生したりすることを防止して、高い信頼性を図ることが重要である。

そこで本発明は、高い信頼性を図ることができる発光素子を提供することを目的とする。

本発明の発光素子は、多角形状の基板の第１の面に、ｎ型層、発光層およびｐ型層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、前記第１の面と反対側となる第２の面に高位置面と低位置面とが形成され、前記高位置面と低位置面とによる段差部が前記第２の面の角縁部に位置していることを特徴とする。

本発明の発光素子によれば、段差部にコレットが接触して、クラックが発生したり、欠けが発生したりすることを防止することができるので、信頼性の低下を防止することができる。

本発明の実施の形態１に係る発光素子の平面図 図１に示す発光素子の断面図 図１に示す発光素子の基板をダイシングする前の状態の原基板の図 （Ａ）〜（Ｆ）は、図１に示す発光素子の製造工程を説明するための断面図 （Ａ）は欠陥集中領域が局在した基板の表面を説明する模式図、（Ｂ）は（Ａ）をエッチングした状態を示す模式図 従来の発光素子をコレットにより吸着した状態の図、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図 従来の発光素子の基板をダイシングする前の状態の原基板の図 図１に示す発光素子をコレットにより吸着した状態の平面図 従来の発光素子の基板の欠陥集中領域が粗大化した状態を示す平面図 従来の他の発光素子を高温高湿通電試験したときの基板状態を示す写真 図１に示す発光素子を高温高湿通電試験したときの基板状態を示す写真 本発明の実施の形態２に係る発光素子の平面図 （Ａ）〜（Ｆ）は、図１２に示す発光素子の製造工程を説明するための断面図 本発明の実施の形態３に係る発光素子の平面図 図１４に示す発光素子の基板をダイシングする前の状態の原基板の図 発光素子の基板が不等辺三角形である場合を説明するための原基板の図

本発明の第１の発明は、基板の第１の面に、ｎ型層、発光層およびｐ型層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、第１の面と反対側となる第２の面に高位置面と低位置面とが形成され、高位置面と低位置面とによる段差部が第２の面の縁部に位置していることを特徴とした発光素子である。

第１の発明によれば、段差部が第２の面の縁部に位置しているため、第２の面に当接して吸着するコレットの当接面より、段差部を外側に位置させることができる。従って、段差部にコレットが接触してクラックが発生したり、欠けが発生したりすることを防止することができる。

本発明の第２の発明は、第１の発明において、基板は多角形状に形成され、段差部は、基板の角縁部に形成されていることを特徴とした発光素子である。

第２の発明によれば、基板が多角形状に形成されていれば、段差部を角縁部に位置させることができ、基板中心より離れた位置に形成することができるため、よりコレットとの接触を回避することができる。

本発明の第３の発明は、第１または２の発明において、低位置面は、エッチングにより厚み方向に一部が除去された面であり、高位置面は、エッチングでの残存面であることを特徴とした発光素子である。

第３の発明によれば、第２の面をエッチングしたときに、除去された面を低位置面とすることができ、除去されずに残った面を高位置面とすることができる。

本発明の第４の発明は、第３の発明において、高位置面は、他の領域よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域によるものであることを特徴とした発光素子である。

第４の発明によれば、欠陥集中領域がエッチングの際に除去されずに残存して、高位置面となってしまうため、欠陥集中領域を基板の角縁部に位置させることで、第２の面に当接して吸着するコレットの当接面より、段差部を外側に位置させることができる。

本発明の第５の発明は、第４の発明において、欠陥集中領域の位置に対応させて、少なくとも１つのｎ側端子が形成されていることを特徴とした発光素子である。

第５の発明によれば、少なくとも１つのｎ側端子が欠陥集中領域の位置に対応していれば、発光領域の減少を抑えることができるため、高輝度な発光素子とすることができる。

本発明の第６の発明は、第４または第５の発明において、欠陥集中領域は、基板を原基板から分割して形成する際に、隣接する基板同士で跨る位置にあることを特徴とした発光素子である。

第６の発明によれば、欠陥集中領域が隣接する基板同士で跨る位置にあるため、隣接する基板と欠陥集中領域を分け合うことにより、それぞれの基板の角縁部に位置する欠陥集中領域を、更に、小さくすることができる。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る発光装置を、図面に基づいて説明する。

図１および図２に示す発光素子１０は、フリップチップ型の発光ダイオードである。発光素子１０は、基板１１と、半導体層１２と、ｎ側端子１３と、ｐ側端子１４とを備えている。基板１１は、半導体層１２を保持する役目を負う。基板１１は、半導体層１２が積層された面とは反対側となる面が、光を出射する発光面となる。

以下、半導体層１２が積層された基板１１の第１の面を積層面、また、積層面と反対側となる第２の面を天面と称す。

基板の材質としては、ＧａＮを採用することができる。矩形状の基板１１の天面１１１は、エッチング加工やブラスト加工、レーザーやダイシングブレードによる加工などにより微小な凹凸とした粗面とすることによりマイクロテクスチャ構造を有している。本実施の形態では、基板１１の天面１１１を、ＫＯＨによるケミカルエッチングにより微細凹凸面にしている。基板１１の天面１１１をマイクロテクスチャ構造とすることで、フリップチップ実装した際に、基板１１から出射する光が界面にて全反射して戻り光となってしまうことを少なくすることができるので、光取り出し効率を高めることができる。

半導体層１２は、ｎ型層１２ａと、発光層１２ｂと、ｐ型層１２ｃとを基板１１上に順次積層したものである。これらの半導体層１２の材質は、窒化ガリウム系化合物が好ましい。具体的には、それぞれ、ｎ型層１２ａをＧａＮ、発光層１２ｂをＩｎＧａＮ、ｐ型層１２ｃをＧａＮとするなどである。なお、ｎ型層１２ａやｐ型層１２ｃとしては、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｎ系を用いることもできる。また、ｎ型層１２ａと基板１１との間に、ＧａＮやＩｎＧａＮで形成したバッファ層を形成することも可能である。更に、例えば、発光層１２ｂは、ＩｎＧａＮとＧａＮとを交互に積層した多層構造（量子井戸構造）とすることもできる。

ｎ側端子１３は、基板１１上に積層したｎ型層１２ａと発光層１２ｂとｐ型層１２ｃの一部から、発光層１２ｂとｐ型層１２ｃを除去し、ｎ型層１２ａを露出させ、この露出させたｎ型層１２ａ上に形成された端子である。ｎ側端子１３は、基板１１の４つの角部１１２に略扇状に形成されている。

ｐ側端子１４は、ｐ型層１２ｃ上に形成されている。ｐ側端子１４は発光層１２ｂで発した光を基板１１の側に反射するために反射率の高いＡｇやＡｌ、仕事関数の高いＣ、
Ｎｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ａｇ等の組み合わせにより形成された端子である。ｐ側端子１４は、ｎ側端子１３が形成された領域の残余部分に形成されている。

ここで、本発明の実施の形態に係る発光素子１０の製造方法について図面に基づいて説明する。

まず、基板１１に内在する結晶欠陥について、図面に基づいて説明する。

基板１１は大判の原基板からダイシングされて個片化されたものであるが、図３に示すように、原基板２０では、結晶欠陥の密度を高めて局在させた欠陥集中領域Ｓが、等間隔で縦列および横列に配列されている。

この原基板２０の欠陥集中領域Ｓの中に仮想格子線Ｇの交点があり、仮想格子線Ｇに沿って分割して個片化したときの基板１１の角縁部１１３に欠陥集中領域Ｓ１が形成され、これに対応させて、原基板２０に半導体層１２（図２参照）を積層している。仮想的な格子（仮想格子線Ｇ）がスクライブラインＬとなる。

次に、この原基板２０に半導体層１２を積層して個片化する各工程を説明する。

半導体層１２の積層は、まず、図４（Ａ）に示す原基板２０全体にｎ型層１２０ａを積層する（図４（Ｂ）参照）。そして、ｎ型層１２０ａに、発光層１２０ｂ、ｐ型層１２０ｃを順次、積層する（図４（Ｃ）参照）。次に、欠陥集中領域Ｓの位置に対応する領域をエッチングして、ｐ型層１２０ｃと発光層１２０ｂとｎ型層１２０ａの一部とを除去する（図４（Ｄ）参照）。

次に、エッチングにより露出したｎ型層１２０ａ上にｎ側端子１３を形成し、ｐ型層１２０ｃ上にｐ側端子１４を形成する（図４（Ｅ）参照）。

次に、個片化したときに、基板１１の主光取り出し面として機能する天面１１１となる原基板２０の裏面側を、ＫＯＨによるエッチングにより微細凹凸面に形成する。

そして、欠陥集中領域Ｓを交点とした格子状のスクライブラインＬに沿ってダイサーＪによりダイシングして個片化して、それぞれの発光素子１０に分割する（図４（Ｆ）参照）。この個片化によりそれぞれの基板１１の４つの角縁部１１３には、隣接する基板１１同士の間で欠陥集中領域Ｓが４分割された欠陥集中領域Ｓ１（図１参照）が内在することになる。

基板１１の天面１１１をＫＯＨによるエッチングにより厚み方向に一部を除去して微細凹凸面に形成したときに、角縁部１１３に位置する欠陥集中領域Ｓ１上は、平坦面として残存する。

これは、原基板２０がＧａＮであれば、図５（Ａ）に示すように、欠陥集中領域Ｓは、搭載面が窒素面（Ｎ面）であり、反対となる天面１１１がガリウム面（Ｇａ面）であるためで、ＫＯＨによるエッチングを天面１１１に施すと、図５（Ｂ）に示すように、欠陥集中領域Ｓ以外の領域の窒素面（Ｎ面）は微細凹凸面となるが、欠陥集中領域Ｓのガリウム面（Ｇａ面）は、ＫＯＨではエッチングされないため平坦面のままである。

従って、原基板２０の厚み方向にエッチングされて微細凹凸面となった窒素面が低位置面となるのに対して、エッチングの残存面であるガリウム面は平坦面のままであるため、低位置面より高い位置にある高位置面となる。この高位置面となる欠陥集中領域Ｓと低位置面となる欠陥集中領域Ｓ以外の領域との境界には段差部ができる。

例えば、図６（Ａ）および（Ｂ）に示す従来の発光素子１００では、基板１０１の角部に形成されるｎ側端子１０２の位置に合わせて、欠陥集中領域Ｓが配置されていた。これは、ｎ側端子１０２が形成される領域であれば、欠陥集中領域Ｓが位置していても発光層１０３への影響が無いため、発光面積の減少を防止することができるからである。

従って、従来の発光素子１００では、図７に示すように、原基板２０から個々の基板１０１を個片化するときに、欠陥集中領域Ｓをｎ側端子１０２が形成される位置となるように、仮想格子線Ｇを設定する。そうすることで、ｎ側端子１０２が形成された位置の基板１０１の角部に欠陥集中領域Ｓが配置される。そのため、基板１０１の天面をテクスチャー構造とするためにエッチングを施すと、欠陥集中領域Ｓ以外の領域は微細凹凸面となるが、欠陥集中領域Ｓ上の基板１０１の角部にエッチングされずに平坦面１０４が残った状態である（図６（Ｂ）参照）。

この平坦面１０４を含む天面にコレットＣを当接させて吸着させようとすると、高位置面である平坦面１０４と欠陥集中領域Ｓ以外の領域の微細凹凸面とによる段差部に、コレットＣが接触して段差部から積層面側に渡ってクラックが発生することがある。

しかし、本実施の形態１に係る発光素子１０では、図８に示すように、欠陥集中領域Ｓ１を基板１１の角縁部に位置させたので、平坦面は、コレットＣの先端が当接する範囲（以下、当接範囲Ｑと称す。）より外側に位置している。そのため、発光素子１０をフリップチップ実装する際に光取り出し効率を高めるために、基板１１の天面１１１にエッチングによる微細凹凸面を形成することで段差部ができても、コレットＣの先端が段差部に掛かることがないので、段差部にクラックが発生することを防止することができる。従って、発光素子１０によれば、段差部にコレットが接触して、クラックが発生したり、欠けが発生したりすることが防止できるので、信頼性の低下を防止することができる。

特に、本実施の形態では、欠陥集中領域Ｓ１を基板１１の角縁部１１３に位置させたので、基板１１と同心に配置されるコレットＣの当接範囲Ｑより離れた位置に段差部を形成することができるため、よりコレットＣとの接触を回避することができる。

また、欠陥集中領域Ｓ１を基板１１の角縁部１１３に位置させただけでなく、図３に示すように、原基板２０での状態で、欠陥集中領域ＳをスクライブラインＬ上に位置させているため、スクライブラインＬとして欠陥集中領域Ｓが切削されることで基板１１に内在する欠陥集中領域Ｓ１を小さくすることができる。

また、原基板２０での状態で、欠陥集中領域Ｓが、隣接する基板１１同士で跨る位置であるため、基板１１が隣接する基板１１と欠陥集中領域Ｓを分け合うことにより、それぞれの基板１１の角縁部１１３に位置する欠陥集中領域Ｓ１を、更に、小さくすることができる。

従って、原基板２０での状態では大きな面積の欠陥集中領域Ｓであっても、欠陥集中領域Ｓが分割されて小さな欠陥集中領域Ｓ１となり、コレットＣの当接範囲Ｑに欠陥集中領域Ｓ１が掛からないようにすることができるため、クラックの発生を更に防止することができる。

図１および図２に示すように、欠陥集中領域Ｓ１を基板１１の角縁部１１３に形成し、角縁部１１３の一部を含む角部１１２にｎ側端子１３を割り当てることで、発光層１２ｂに欠陥集中領域Ｓ１が存在しないため、欠陥集中領域Ｓ１が発光層１２ｂに何ら影響を与えない。従って、欠陥集中領域Ｓ１による発光面積の減少を抑えることができるので、高輝度な発光素子１０とすることができる。

また、図９に示す従来の発光素子１００は、欠陥集中領域Ｓが粗大化して欠陥領域Ｓ３となり、発光層１０３（図６（Ｂ）参照）の領域まで延びると、リークにより歩留まりが低下する。従来の発光素子１００では、欠陥集中領域Ｓが粗大化しても発光層１０３の領域までに至らないように、ｎ側端子１０２を大きく形成することが考えられるが、ｎ側端子１０２を大きくすれば、結果として発光層１０３が狭くなってしまうため、発光面積が減少してしまう。

本実施の形態１に係る発光素子１０では、図１に示すように、基板１１の角縁部１１３に位置させた欠陥集中領域Ｓ１は、面積を小さくすることができ、角縁部１１３はｐ側端子１４から離れているので、欠陥集中領域Ｓ１が粗大化しても、発光層１２ｂの領域まで延びにくい。そのため、欠陥集中領域Ｓ１が粗大化しても、ｎ側端子１３の面積を大きくしなくてもよいため、発光面積の減少を抑止することができる。また、発光層１２ｂの領域まで延びにくいため、リークの発生が抑止できるので、歩留まりの低下を抑止することができる。

従来の他の発光素子の写真を図１０に示す。図１０に示す従来の他の発光素子は、基板が矩形状に形成され、４つの角部にそれぞれｎ側端子が形成されており、その１つの角部に、欠陥集中領域が位置している。

この写真は、信頼性試験として、従来の他の発光素子に対して１０００時間の高温高湿通電試験を行った後に、基板を研磨して薄くして天面側から撮影したものである。高温高湿通電試験は、雰囲気の温度を６５℃から８５℃、湿度を８５％から９５％に設定して直流電流を流して耐力を検査した。

図１０からも判るように、欠陥集中領域が位置するｎ側端子以外の他のｎ側端子に面したｐ側端子の縁部に変色部分が発生した。これはｐ側端子を形成するＡｇ膜の変形によるものである。

次に、本実施の形態１に係る発光素子１０に対して、同じ高温高湿通電試験を行った。図１１からも判るように、ｐ側端子１４に変色部分が発生しなかった。これは、すべてのｎ側端子１３に対応する位置に欠陥集中領域Ｓ１が配置されているためである。欠陥集中領域Ｓ１は、熱伝導率が高く、良好な導電性を有しているため、Ａｇ膜に熱負荷が掛かり難いためである。

なお、本実施の形態１では、欠陥集中領域Ｓ１を基板１１の角縁部１１３に位置させていたが、コレットＣの当接範囲Ｑから外すことができれば、基板１１の縁部であれば角でなくてもよい。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る発光素子を図面に基づいて説明する。なお、図１２においては図１と、図１３においては図４と、同じ構成のものは同符号を付して説明を省略する。

図１２に示す本実施の形態２に係る発光素子１０ｘは、ｎ側端子１３が、矩形状の基板１１の対角位置に形成されている。この発光素子１０ｘは、図１３に示す各工程にて製造することができる。図１３（Ａ）から同図（Ｄ）までは、図４（Ａ）から同図（Ｄ）にて示す実施の形態１に係る発光素子の製造方法の各工程と同じである。

実施の形態２に係る発光素子１０ｘが、実施の形態１に係る発光素子１０と異なるところは、図１３（Ｅ）において、ｎ側端子１３が形成されない角部が、ｐ型層１２０ｃ、発光層１２０ｂおよびｎ型層１２０ａの一部がエッチングされ、ｎ型層１２０ａが露出した状態のままである点である。

このように発光素子１０ｘが形成されていることで、欠陥集中領域Ｓ１の積層方向に発光層１２０ｂが無いため、欠陥集中領域Ｓ１からの影響がｎ型層１２０ａを介して発光層１２０ｂに及ぼさないようにすることができる。

基板１１のそれぞれの角縁部１１３に、欠陥集中領域Ｓ１が位置しており、ｎ側端子１３が４つの角部１１２のうち、２つの角部１１２にしか形成されておらず、他の２つの角部はｐ側端子１４が位置していても、図３に示すように、欠陥集中領域Ｓ１が、スクライブラインＬとして切削されることで基板１１に内在する欠陥集中領域Ｓ１を小さくすることができるので、発光面積の減少を抑えることができる。

また、基板１１が隣接する基板１１と欠陥集中領域Ｓを分け合うことにより、それぞれの基板１１の角縁部１１３に位置する欠陥集中領域Ｓ１を、更に、小さくすることができるので、発光面積の減少を、更に抑えることができる。

なお、本実施の形態２に係る発光素子１０ｘでは、２つのｎ側発光素子１３が欠陥集中領域Ｓ１の位置に対応させて角部に形成されているが、少なくとも１つのｎ側発光素子１３が欠陥集中領域Ｓ１の位置に対応して形成されていればよい。

（実施の形態３）
本発明の実施の形態３に係る発光素子を図面に基づいて説明する。

発光素子の基板は多角形状であればよい。実施の形態１および２では基板１１が矩形状に形成されていたが、本実施の形態３に係る発光素子は、基板が三角形状に形成されている。

図１４に示す発光素子１０ｙの基板１１ｙは、正三角形状に形成されている。この基板１１ｙには、一辺の両端に欠陥集中領域Ｓ２が位置していると共に、全部の角部にｎ側端子１３ｙが位置している。また、角部に形成されたｎ側端子１３ｙと三角形状を成すｐ側端子１４ｙが、基板１１ｙの中央部に位置している。

基板１１ｙは、図１５（Ａ）に示す原基板２０の斜めの位置関係にある欠陥集中領域Ｓ同士を結ぶ仮想直線Ｌ１と、横列に並ぶ欠陥集中領域Ｓ同士を結ぶ仮想直線Ｌ２と、２本のＬ２の中間に位置し平行な仮想直線Ｌ３とにより囲まれた三角形Ｔ１の１つとすることができる。

この仮想直線Ｌ１〜Ｌ３がスクライブラインＬｙとなる。

原基板２０を個片化すると、一辺の両端に欠陥集中領域Ｓ２が位置する基板１１ｙ（三角形Ｔ１）と、１つの角縁部に欠陥集中領域Ｓ２が位置する基板１１ｚ（三角形Ｔ２）とができる。

このように基板１１ｙが三角形状であっても、欠陥集中領域ＳをスクライブラインＬｙ上に位置させると共に、隣接する基板１１ｙに跨るように位置させる。そうすることで、隣接する基板１１同士の間で欠陥集中領域Ｓが分割されると共に、欠陥集中領域ＳがスクライブラインＬｙで切削されるため、欠陥集中領域Ｓ２を小さいものとすることができる。また、欠陥集中領域Ｓ２を基板１１ｙの角縁部１１３に形成し、角縁部１１３の一部を含む角部にｎ側端子を割り当てることで、欠陥集中領域Ｓ２に対応する位置に発光層が無いため、欠陥集中領域Ｓ２が発光層に影響を与えない。従って、欠陥集中領域Ｓ２による発光面積の減少を抑えることができる。

図１５（Ａ）では、三角形状の基板１１ｙの２つの角縁部、または基板１１ｚの１つの角縁部に、欠陥集中領域Ｓ２が位置しているが、図１５（Ｂ）に示す原基板２１を用いると、三角形状の基板１１ｚの３つの角縁部全部に欠陥集中領域Ｓ２が位置するようになる。

図１５（Ｂ）に示す原基板２１では、横列に並ぶ欠陥集中領域Ｓが、一列毎に欠陥集中領域Ｓの間隔の１／２ずれて配置されている。

このような原基板２１で、基板１１ｗは、原基板２１の斜めの位置関係にある欠陥集中領域Ｓ同士を結ぶ仮想直線Ｌ４と、横列に並ぶ欠陥集中領域Ｓ同士を結ぶ仮想直線Ｌ５とにより囲まれた三角形Ｔ３の１つとすることができる。そうすることで、基板１１ｚの３つの角縁部全部に欠陥集中領域Ｓ２を位置させることができる。

なお、図１４に示す本実施の形態３に係る発光素子１０ｙでは、三角形状の基板１１ｙが、正三角形状であったが、二等辺三角形としても、不等辺三角形としてもよい。また、基板の形状を二等辺三角形や不等辺三角形とした場合に、欠陥集中領域を、基板の１つから３つのそれぞれの角縁部に選択的に位置させることができる。

例えば、図１６（Ａ）に示すように、原基板２２では、斜めの位置関係にある欠陥集中領域Ｓ同士を結ぶ仮想直線Ｌ６と、横列に並ぶ欠陥集中領域Ｓ同士を結ぶ仮想直線Ｌ７と、２本のＬ７の中間に位置し平行な仮想直線Ｌ８とにより囲まれた三角形Ｔ４、Ｔ５の１つを個片化したときの基板とすることができる。

この図１６（Ａ）に示す原基板２２では、斜めの位置関係にある欠陥集中領域Ｓ同士を結ぶ仮想直線Ｌ６と、横列に並ぶ欠陥集中領域Ｓ同士を結ぶ仮想直線Ｌ７と、２本のＬ７の間に位置し平行な仮想直線Ｌ８とにより囲まれた三角形Ｔ４、Ｔ５の１つとすることができる。図１５（Ａ）に示す原基板２０と比較して判るように、縦列の位置関係にある欠陥集中領域Ｓ同士がずれているため、三角形Ｔ４、Ｔ５は３辺の長さが等しくならない不等辺三角形である。

原基板２２を用いると、不等辺三角形に形成され、欠陥集中領域が２つの角縁部に形成されていたり、１つの角縁部に形成されていたりする基板となる三角形Ｔ４、Ｔ５を得ることができる。

また、図１６（Ｂ）に示すように原基板２３では、横列に並ぶ欠陥集中領域Ｓが、一列毎に欠陥集中領域Ｓの間隔の１／２ではない距離にずれて配置されている。

このような原基板２３では、斜めの位置関係にある欠陥集中領域Ｓ同士を結ぶ仮想直線Ｌ９と、横列に並ぶ欠陥集中領域Ｓ同士を結ぶ仮想直線Ｌ１０とにより囲まれた三角形Ｔ６の１つとすることができる。

原基板２３を用いると、不等辺三角形に形成され、欠陥集中領域が３つの角縁部に形成された基板となる三角形Ｔ６を得ることができる。

なお、原基板２０、２１、２２、２３の欠陥集中領域Ｓは、原基板２０、２１、２２、２３製作時に任意で配置が可能である。

本発明は、高い信頼性を図ることができるので、半導体層が積層された基板の第１の面とは反対側となる第２の面に段差部が形成された発光素子に好適である。

１０，１０ｘ，１０ｙ 発光素子
１１，１１ｙ，１１ｚ，１１ｗ 基板
１２ 半導体層
１２ａ，１２０ａ ｎ型層
１２ｂ，１２０ｂ 発光層
１２ｃ，１２０ｃ ｐ型層
１３，１３ｙ ｎ側端子
１４ ｐ側端子
２０，２１，２２，２３ 原基板
１００ 従来の発光素子
１０１ 基板
１０２ ｎ側端子
１０３ 発光層
１０４ 平坦面
１１１ 天面
１１２ 角部
１１３ 角縁部
Ｃ コレット
Ｇ 仮想格子線
Ｌ，Ｌｙ スクライブライン
Ｌ１〜Ｌ５ 仮想直線
Ｑ 当接範囲
Ｓ，Ｓ１，Ｓ２ 欠陥集中領域

Claims (6)

1. 基板の第１の面に、ｎ型層、発光層およびｐ型層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、
   前記第１の面と反対側となる第２の面に高位置面と低位置面とが形成され、
   前記高位置面と低位置面とによる段差部が前記第２の面の縁部に位置していることを特徴とする発光素子。
2. 前記基板は多角形状に形成され、
   前記段差部は、前記基板の角縁部に形成されている請求項１記載の発光素子。
3. 前記低位置面は、エッチングにより厚み方向に一部が除去された面であり、
   前記高位置面は、エッチングでの残存面である請求項１または２記載の発光素子。
4. 前記高位置面は、他の領域よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域によるものである請求項３記載の発光素子。
5. 前記欠陥集中領域の位置に対応させて、少なくとも１つのｎ側端子が形成されている請求項４記載の発光素子。
6. 前記欠陥集中領域は、前記基板を原基板から分割して形成する際に、隣接する基板同士で跨る位置である請求項４または５記載の発光素子。