JP2016143721A - 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
<ヘテロ接合型バックコンタクトセルの構造>
図1に、実施形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルの裏面の端部の模式的な拡大平面図を示す。図1に示す平面視においては、第1方向31に延在するライン状の第1導電型非晶質半導体膜5と、第1方向31に延在するライン状の第2導電型非晶質半導体膜3とが第2方向32に交互に配置されている。
以下、図4〜図9の模式的断面図を参照して、実施形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明する。
実施形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルにおいては、第2導電型領域52に設けられた複数のドット状の開口部9において、第1導電型領域51の第1導電型非晶質半導体膜5と第1導電型の半導体基板1とを電気的に接続している。これにより、実施形態1においては、半導体基板1の第2の面1b上に設けられる第2導電型領域52の形成面積を特許文献1と比べて大きくすることができる。これにより、実施形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルにおいては、特許文献1と比べて、第2導電型領域52上の第2電極7の形成面積を大きくすることができ、ひいては特許文献1に記載の裏面接合型太陽電池と比べて電流収集量を多くすることが可能となる。
図10に、実施形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルの裏面の模式的な拡大平面図を示す。実施形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、複数のドット状の開口部9のそれぞれの内側にアイランド状の第1導電型非晶質半導体膜5が設けられており、第1導電型非晶質半導体膜5のそれぞれの表面の内側にアイランド状の第1電極8が設けられていることを特徴としている。
図13に、実施形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルの裏面の模式的な拡大平面図を示す。実施形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、複数のドット状の開口部9のそれぞれの内側にアイランド状の第1導電型非晶質半導体膜5が設けられており、アイランド状の第1導電型非晶質半導体膜5の複数を電気的に接続するように、第1方向31に延在するライン状の第1電極8が設けられていることを特徴としている。また、実施形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、第1方向31に延在する第2電極7の側面が、複数の開口部9のそれぞれの周縁の一部を取り囲む形状の凹部7aと、隣り合う2つの開口部9の間の間隙に向かって突出する凸部7bとを交互に備えることも特徴としている。
図16に、実施形態4のヘテロ接合型バックコンタクトセルの裏面の模式的な拡大平面図を示す。実施形態4のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、複数のドット状の開口部9のそれぞれの内側にアイランド状の第1導電型非晶質半導体膜5が設けられており、第1導電型非晶質半導体膜5のそれぞれの表面の内側にアイランド状の第1電極8が設けられていることを特徴としている。また、実施形態4のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、第1方向31に延在する第2電極7の側面が、複数の開口部9のそれぞれの周縁の一部を取り囲む形状の凹部7aと、隣り合う2つの開口部9の間の間隙に向かって突出する凸部7bとを交互に備えることも特徴としている。
(1)ここで開示された実施形態は、第1導電型の半導体基板と、半導体基板上の第1導電型非晶質半導体膜と第2導電型非晶質半導体膜とを備え、第2導電型非晶質半導体膜に互いに間隔を空けて設けられた複数の開口部において、第1導電型非晶質半導体膜が半導体基板と電気的に接続されている光電変換素子である。この場合には、特許文献1に記載の裏面接合型太陽電池と比べて電流収集量を多くすることが可能となる。
Claims (5)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上の第1導電型非晶質半導体膜と第2導電型非晶質半導体膜とを備え、
前記第2導電型非晶質半導体膜に互いに間隔を空けて設けられた複数の開口部において、前記第1導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続されている、光電変換素子。 - 前記複数の開口部はそれぞれドット状である、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記複数の開口部は第1方向に並んでいる、請求項1または請求項2に記載の光電変換素子。
- 前記第2導電型非晶質半導体膜の前記複数の開口部以外の領域の少なくとも一部に前記第1導電型非晶質半導体膜が位置する、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 第1導電型の半導体基板上に第2導電型非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第2導電型非晶質半導体膜に互いに間隔を空けて複数の開口部を形成する工程と、
前記第2導電型非晶質半導体膜および前記複数の開口部に第1導電型非晶質半導体膜を形成する工程と、を含み、
前記第1導電型非晶質半導体膜を形成する工程において、前記第1導電型非晶質半導体膜は前記半導体基板と電気的に接続される、光電変換素子の製造方法。
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