JP6089306B2 - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、以下の実施形態に限定されない。また、実施形態において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された構成要素の寸法比率などは、現物と異なる場合がある。具体的な寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
図1は、太陽電池10を裏面側から見た平面図である。図2は、図1のA1‐A1線断面の一部を示す図であって、フィンガー部41,51の幅方向に沿って太陽電池10を厚み方向に切断した断面を示す。図3〜図5は、マークセット70を拡大して示す図(図3,5;平面図、図4;断面図)である。図6,7は、マークセット80を拡大して示す図(図6;平面図、図7;断面図)である。
まず、図13に示すように、基板21の受光面21a上にi型非晶質半導体層22、n型非晶質半導体層23、及び保護層24を順に形成すると共に、裏面21b上にn型領域25(i型非晶質半導体層27及びn型非晶質半導体層28)、及び絶縁層31を順に形成する。この工程では、例えば、清浄な基板21を真空チャンバ内に設置して、CVDやスパッタリング法により各層を形成する。また、この工程では、例えば、裏面21b上の端縁領域を除く全域にn型領域25及び絶縁層31を形成する。
Claims (9)
- 複数のフィンガー部と、複数の前記フィンガー部を接続するバスバー部と、をそれぞれ有するn側電極及びp側電極が形成される半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1パターニング層と、
前記半導体基板上及び前記第1パターニング層上の少なくとも一方に形成された第2パターニング層と、
前記第1パターニング層と前記第2パターニング層との位置ずれを判定するための第1のマークセット及び第2のマークセットと、
を備え、
前記第1のマークセット及び前記第2のマークセットは、前記半導体基板上の前記バスバー部が形成される領域に設けられ、
前記第1のマークセットは、
前記第1パターニング層に凹状部を設けて、又は該層を島状に残して形成された第1マークと、
前記第2パターニング層に凹状部を設けて、又は該層を島状に残して前記第1マーク内に収まるように形成された第2マークと、
を含み、前記第1マークの第1輪郭線と前記第2マークの第2輪郭線との間には、第1の間隔が設けられ、
前記第2のマークセットは、
前記第1パターニング層に凹状部を設けて、又は該層を島状に残して形成された第3マークと、
前記第2パターニング層に凹状部を設けて、又は該層を島状に残して前記第3マーク内に収まるように形成された第4マークと、
を含み、前記第3マークの第3輪郭線と前記第4マークの第4輪郭線との間には、前記第1の間隔と異なる距離の第2の間隔が設けられる、太陽電池。 - 請求項1に記載の太陽電池であって、
前記第1マーク及び前記第2マークは互いに平面視における形状が異なり、
前記間隔は、前記第1マークの中心を通る一の方向と、該一の方向に直交する他の方向とで異なる太陽電池。 - 請求項1又は2に記載の太陽電池であって、
少なくとも前記第2マークは、平面視において円形状を呈する太陽電池。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の太陽電池であって、
前記マークセットは、複数形成され、
前記マークセットの各々は、平面視において同心円上に配置されている太陽電池。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の太陽電池であって、
前記第1パターニング層は、第1導電型非晶質半導体層であり、
前記第2パターニング層は、第2導電型非晶質半導体層である太陽電池。 - 請求項5に記載の太陽電池であって、
第3パターニング層として、第1導電型非晶質半導体層上及び第2導電型非晶質半導体層上に形成された電極層を備え、
前記マークセットは、前記電極層に凹状部を設けて、又は該層を島状に残して前記第2マーク内に収まるように形成された第3マークを含む太陽電池。 - 複数のフィンガー部と、複数の前記フィンガー部を接続するバスバー部と、をそれぞれ有するn側電極及びp側電極と、第1パターニング層と第2パターニング層との位置ずれを判定するための第1のマークセット及び第2のマークセットと、を備えた太陽電池の製造方法であって、
半導体基板上に前記第1パターニング層を形成し、前記第1パターニング層に凹状部を設けて、又は該層を島状に残して前記第1のマークセット及び第2のマークセットのそれぞれを構成する第1マーク及び第3マークを形成する第1工程と、
前記半導体基板上及び前記第1パターニング層上の少なくとも一方に前記第2パターニング層を形成し、前記第2パターニング層に凹状部を設けて、又は該層を島状に残して前記マークセット第1のマークセット及び第2のマークセットのぞれぞれを構成する第2マーク及び第4マークを形成する第2工程と、
前記第2マークが前記第1マークからはみ出すことなく該マーク内に位置するか否か、または前記第4マークが前記第3マークからはみ出すことなく該マーク内に位置するか否かを確認して前記位置ずれを判定する第3工程と、
前記第1のマークセット及び前記第2のマークセットは、前記半導体基板上の前記バスバー部が形成される領域に設けられ、
を備え、前記第3マークの第3輪郭線と前記第4マークの第4輪郭線との間の距離は、前記第1マークの第1輪郭線と前記第2マークの第2輪郭線との間の距離と異なる太陽電池の製造方法。 - 請求項7に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記第3工程では、前記第1マークの前記第1輪郭線と前記第2マークの前記第2輪郭線との接触の有無を確認して、前記接触が確認できない場合に、前記第3マークの前記第3輪郭線と前記第4マークの前記第4輪郭線との接触の有無を確認する太陽電池の製造方法。 - 請求項7又は8記載の太陽電池の製造方法であって、
前記第1マークの中心と前記第2マークの中心とが平面視において一致する状態で、前記中心を通る一の方向と、該一の方向に直交する他の方向とで前記間隔が異なるように、前記第1マーク及び前記第2マークを互いに異なる形状で形成する太陽電池の製造方法。
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