JP2016111111A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1による半導体装置の構成を示す図であり、図1(a)は側面断面図、図1(b)は上面図である。図2は、本発明の実施の形態1による半導体装置のダイボンドプロセスの概念図である。図2(a)のように、10mm×10mm×1mmのCu製ヒートスプレッダ2上に、エポキシ樹脂製の突起4(直径0.5mm、高さ0.2mm)を、ディスペンサー供給したのち加熱硬化させて2か所に形成する。次に図1(b)のように、例えば5mm×5mm×厚さ0.2mmのはんだリボン31(Sn−Ag−Cu共晶:融点217℃)を配置し、7mm×7mm×厚さ0.2mmのパワー半導体素子1(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor、裏面メタライズ層:Al
/Ni/Au、表面メタライズ層:AlSi/Ni/Au)を搭載する。最後に図2(c)のように、リフロー炉にて加熱し、はんだを溶融させてはんだダイボンド部32を形成する。はんだダイボンド部32は、突起4のある辺では厚さが0.2mm程度となり、突起のない辺では厚さが0.05mm程度となる。すなわち、半導体素子の辺長7mmでダイボンド部32の厚さが150μm異なるよう、基板であるヒートスプレッダ2の基板固着面201に対し、半導体素子1の素子固着面101が傾いて、すなわち両固着面の距離が、一方向に漸次増大するように固着されている。なお、上記の寸法は、典型的な一例であり、それらの寸法に限らず、使用される半導体素子などにより種々の寸法の半導体装置に本発明を適用できるのは言うまでもない。図1(a)では縦方向、すなわち厚み方向と
横方向の寸法比は、実際の寸法比で示されておらず、本発明の特徴を示すため、厚み方向を横方向に比較して拡大して示している。以後の図面も同様、厚み方向の寸法は、横方向に比較して拡大して示す。
図7(a)および図7(b)は、それぞれ本発明の実施の形態2による半導体装置の構成を示す側面断面図および上面図である。本実施の形態2では一つの基板に複数の半導体素子を固着する場合の実施の形態である。例えば図7に示すように、パワー半導体素子であるIGBT11と対で使用することで1in1パッケージを構成するパワー半導体素子であるダイオード12をヒートスプレッダ2に並べてダイボンドする場合がある。この場合、突起4をそれぞれ外側に形成することで、はんだダイボンド部32の厚い部分をそれぞれの外側にする。このように配置することでボイドが抜ける方向を、隣り合う半導体素子に対して反対側に制御することが可能となり、ボイドが弾ける際のはんだ飛散による、隣り合う半導体素子上へのはんだ付着を防止することが可能となる。
図9は本発明の実施の形態3による半導体装置の構成を示す側面断面図、図10は実施の形態3による半導体装置のダイボンドプロセスの概念図である。図10(a)に示すように、10mm×10mm×1mmのCu製ヒートスプレッダ2上に、エポキシ樹脂製の突起4(例えば直径0.5mm、高さ0.2mm)を、ディスペンサー供給したのち加熱硬化させて2か所に形成する。次に図10(b)のように、5mm×5mm×厚さ0.2mmのはんだリボン31(Sn−Ag−Cu共晶:融点217℃)を配置し、回路面(上面)に凸のそりを付与した、7mm×7mm×厚さ0.2mmのパワー半導体素子13(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor、裏面メタライズ層:Al/Ni/Au、表面メタライズ層:AlSi/Ni/Au)を搭載する。最後に図10(c)のように、リフロー炉にて加熱し、はんだを溶融させてはんだダイボンド部32を形成する。はんだダイボンド部32は、突起4のある辺では厚さが0.2mm程度となり、突起のない辺では厚さが0.05mm程度となる。この際、減圧リフロー炉を用いることで、復圧時にボイドが小さくなることはもちろん、減圧時にボイドが大きくなることで上記の移動が容易となる。
図12は本発明の実施の形態4による半導体装置の詳細な構成を示す側面断面図である。10mm×10mm×1mmのCu製ヒートスプレッダ2上に、エポキシ樹脂製の突起4(直径0.5mm、高さ0.2mm)を、ディスペンサー供給したのち加熱硬化させて2か所に形成する。次に、5mm×5mm×厚さ0.2mmのはんだリボン31(Sn−Ag−Cu共晶:融点217℃)を配置し、素子固着面101側に凸となるようそりを付与した、7mm×7mm×厚さ0.2mmのパワー半導体素子13(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor、裏面メタライズ層:Al/Ni/Au、表面メタライズ層:AlSi/Ni/Au)を搭載する。最後に、リフロー炉にて加熱し、はんだを溶融させてはんだダイボンド部32を形成する。はんだダイボンド部32は、突起4のある辺では厚さが0.2mm程度となり、突起のない辺では厚さが0.05mm程度となる。この際、減圧リフロー炉を用いることで、復圧時にボイドが小さくなることはもちろん、減圧時にボイドが大きくなることで上記の移動が容易となる。
Claims (9)
- 半導体素子の一面である素子固着面が基板の一面である基板固着面にはんだにより固着された半導体装置において、
前記素子固着面と前記基板固着面との距離が、一方向に漸次増大していることを特徴とする半導体装置。 - 前記素子固着面と前記基板固着面との間であって、前記素子固着面の中央から偏った位置に、前記素子固着面と前記基板固着面との距離を保つ離隔部材を設けたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記離隔部材は、前記基板固着面に形成された突起であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記離隔部材は、前記素子固着面と前記基板固着面との間に設置されたスペーサであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記基板の一面に、複数の半導体素子が固着されており、一の半導体素子の素子固着面と前記基板固着面との距離が漸次増大する方向には、隣り合う半導体素子が存在しないことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子が、前記素子固着面側が凹または凸となるよう湾曲していることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記素子固着面と前記基板固着面との距離の変化率が小さい側であって、前記半導体素子の前記素子固着面と反対側の面にワイヤボンド接続部が配置されたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 一面に半導体素子が固着された基板の他面とベース基板の一面がはんだにより固着された半導体装置において、
前記基板の他面と前記ベース基板の一面との距離が、一方向に漸次増大していることを特徴とする半導体装置。 - 前記基板の他面と前記ベース基板の一面との間であって、前記基板の他面の中央から偏った位置に、前記基板の他面と前記ベース基板の一面との距離を保つ離隔部材を設けたことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
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