JP2016108412A - 半導体ナノ粒子蛍光体、波長変換部および発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】封止樹脂中に良好に分散し、発光効率に優れた半導体ナノ粒子蛍光体、該半導体ナノ粒子蛍光体を含む波長変換部および発光装置を提供する。【解決手段】第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを含む半導体ナノ粒子と、前記第1の非金属原子N1に結合する金属脂肪酸塩と、前記第1の金属原子M1に結合する、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物とを備える、半導体ナノ粒子蛍光体である。【選択図】図2
Description
本発明は、半導体ナノ粒子蛍光体、該半導体ナノ粒子蛍光体を含む波長変換部および発光装置に関する。
半導体ナノ粒子のサイズを励起子ボーア半径程度に小さくすると、量子サイズ効果を示すことが知られている。量子サイズ効果とは、物質の大きさが小さくなると該物質の中の電子は自由に運動できなくなり、該電子のエネルギーは任意ではなく特定の値しか取り得なくなることである。また、電子を閉じ込めている半導体ナノ粒子のサイズが変化することで電子のエネルギー状態も変化し、半導体ナノ粒子から発生する光の波長は寸法が小さくなるほど短波長になることが知られている。このような量子サイズ効果を示す半導体ナノ粒子は、蛍光体としての用途が着目され、研究が進められている。
量子サイズ効果を示す半導体ナノ粒子は、平均粒子径が100nm以下と小さいために比表面積が大きい。このため、半導体ナノ粒子の表面が酸化などの影響を受けると、半導体ナノ粒子全体の化学的安定性を損なってしまい、蛍光体の発光強度に大きな影響を与える。また、半導体ナノ粒子は表面活性が高いことから、溶液中で凝集しやすい。
そこで、半導体ナノ粒子の化学的安定性を向上し、半導体ナノ粒子同士の凝集を防ぐために、半導体ナノ粒子の表面にたとえばトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)などの表面修飾分子を結合させることにより、半導体ナノ粒子を保護する技術が提案されている。
半導体ナノ粒子からなる蛍光体を、発光装置の波長変換部に用いる場合は、通常、樹脂などの固体層に分散させる必要がある。しかし、表面修飾分子を有する半導体ナノ粒子が樹脂と接触すると、半導体ナノ粒子の表面状態が変化し、凝集が生じてしまう。このため、半導体ナノ粒子を含む蛍光体の発光効率が低下するという問題があった。
そこで、特許文献1(国際公開第2011/081037号パンフレット)には、半導体ナノ粒子表面を金属アルコキシドの加水分解物で被覆する技術が提案されている。
特許文献1の技術では、半導体ナノ粒子の表面に金属アルコキシドを付着させるために、半導体ナノ粒子の表面に存在する表面修飾分子を金属アルコキシドに置換している。置換反応の際に、半導体ナノ粒子表面の一部において、表面修飾分子が剥れたものの、金属アルコキシドが付着しない箇所が発生する可能性がある。これにより半導体ナノ粒子の表面に欠陥が生じ、半導体ナノ粒子蛍光体の発光効率が低下するおそれがある。
そこで、本発明は、封止樹脂中に良好に分散し、発光効率に優れた半導体ナノ粒子蛍光体、該半導体ナノ粒子蛍光体を含む波長変換部および発光装置を提供することを目的とする。
(1)本発明は、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを含む半導体ナノ粒子と、前記第1の非金属原子N1に結合する金属脂肪酸塩と、前記第1の金属原子M1に結合する、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物とを備える、半導体ナノ粒子蛍光体である。
(2)本発明にかかる半導体ナノ粒子蛍光体において好ましくは、前記第1の金属原子M1と、前記金属脂肪酸塩に含まれる第2の金属原子M2とが同一元素である。
(3)本発明にかかる半導体ナノ粒子蛍光体において好ましくは、前記半導体ナノ粒子は、半導体コアと、前記半導体コアを被覆するシェル層とを含み、前記シェル層は、前記第1の非金属原子N1および前記第1の金属原子M1とを含む。
(4)本発明は、上記(1)から(3)のいずれかに記載の半導体ナノ粒子蛍光体と、アクリル樹脂とを備え、前記半導体ナノ粒子は前記アクリル樹脂中に封止される、波長変換部である。
(5)本発明は、上記(4)に記載の波長変換部と、励起光源とを備える、発光装置である。
本発明によれば、封止樹脂中に良好に分散し、発光効率に優れた半導体ナノ粒子蛍光体、該半導体ナノ粒子蛍光体を含む波長変換部および発光装置を提供することができる。
[実施の形態1]
<半導体ナノ粒子蛍光体>
本発明の一実施の形態における半導体ナノ粒子蛍光体について、図1および図2を用いて説明する。
<半導体ナノ粒子蛍光体>
本発明の一実施の形態における半導体ナノ粒子蛍光体について、図1および図2を用いて説明する。
図1および図2に示されるように、半導体ナノ粒子蛍光体10は、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを含む半導体ナノ粒子1と、前記第1の非金属原子N1に結合する金属脂肪酸塩2と、前記第1の金属原子M1に結合する、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物3(以下、ヘテロ原子含有有機化合物とも記す)とを備える。
半導体ナノ粒子1は、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを含む。第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とは、半導体ナノ粒子1の表面に存在し、半導体ナノ粒子1の外部に存在する化合物と結合することができる。
第1の非金属原子N1としては、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)などのハロゲンや、酸素(O)、硫黄(S)、セレン(Se)、テルル(Te)などのカルコゲンや、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)などのプニクトゲンなどが挙げられる。
第1の金属原子M1としては、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)などが挙げられる。
半導体ナノ粒子1としては、たとえば、InP、InN、InAs、InSb、InBi、ZnO、In2O3、Ga2O3、ZrO2、In2S3、Ga2S3、In2Se3、Ga2Se3、In2Te3、Ga2Te3、CdSe、CdTe、CdSなどの1種類の半導体結晶からなる半導体ナノ粒子を用いることができる。このような組成の半導体は、波長380nm〜780nmの可視光を発光するバンドギャップエネルギーを有している。したがって、半導体ナノ粒子の粒子径およびその混晶比を制御することにより、任意の可視発光が可能な半導体ナノ粒子を形成することができる。
半導体ナノ粒子1を構成する半導体として、InNまたはInPを用いることが好ましい。理由としては、InNおよびInPは、構成する材料が少ないため作製がし易い上、高い量子収率を示す材料であり、LEDの光を照射した際、高い発光効率を示すからである。ここでの量子収率とは、吸収した光子数に対する蛍光として発光した光子数の割合のことである。
半導体ナノ粒子1の粒径は、0.1nm〜100nmの範囲であることが好ましく、0.5nm〜50nmの範囲がより好ましく、1〜20nmの範囲が更に好ましい。
該粒径が励起子ボーア半径の2倍以下では、発光強度が極端に向上する。ボーア半径とは、励起子の存在確率の広がりを示すもので、下記の数式(1)で表わされる。たとえば、GaNの励起子ボーア半径は3nm程度、InNの励起子ボーア半径は7nm程度である。
y=4πεh2・me2 数式(1)
(数式(1)中、yはボーア半径、εは誘電率、hはプランク定数、mは有効質量、eは電荷素量である。)
半導体ナノ粒子1の表面には、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1のダングリングボンド(未結合手)に由来する表面欠陥が存在する。該表面欠陥により、半導体ナノ粒子の発光効率が低下してしまう。
(数式(1)中、yはボーア半径、εは誘電率、hはプランク定数、mは有効質量、eは電荷素量である。)
半導体ナノ粒子1の表面には、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1のダングリングボンド(未結合手)に由来する表面欠陥が存在する。該表面欠陥により、半導体ナノ粒子の発光効率が低下してしまう。
本実施の形態の半導体ナノ粒子蛍光体10では、半導体ナノ粒子1の表面に存在する第1の非金属原子N1の少なくとも一部は、第2の金属原子M2を含む金属脂肪酸塩2と結合している。具体的には、半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の非金属原子N1と、金属脂肪酸塩2の末端に存在する第2の金属原子M2とが、強固に結合している。これにより、第1の非金属原子N1のダングリングボンドはキャッピングされ、半導体ナノ粒子1の表面欠陥が抑制される。したがって、半導体ナノ粒子1の発光効率の低下を抑制することができる。
金属脂肪酸塩2としては、たとえば、ステアリン酸ガリウム、ステアリン酸インジウム、ステアリン酸亜鉛、パルチミン酸ガリウム、パルチミン酸インジウム、パルチミン酸亜鉛、ミリスチン酸ガリウム、ミリスチン酸インジウム、ミリスチン酸亜鉛、ラウリン酸ガリウム、ラウリン酸インジウム、ラウリン酸亜鉛、ウンデシレン酸ガリウム、ウンデシレン酸インジウム、ウンデシレン酸亜鉛、ステアリル硫酸ガリウム、ステアリル硫酸インジウム、パルチミル硫酸ガリウム、パルチミル硫酸インジウム、パルチミル硫酸亜鉛、ステアリル硫酸亜鉛、ミリスチル硫酸ガリウム、ミリスチル硫酸インジウム、ミリスチル硫酸亜鉛、ラウリル硫酸ガリウム、ラウリル硫酸インジウム、ラウリル硫酸亜鉛、ステアリルリン酸ガリウム、ステアリルリン酸インジウム、ステアリルリン酸亜鉛、パルチミルリン酸ガリウム、パルチミルリン酸インジウム、パルチミルリン酸亜鉛、ミリスチルリン酸ガリウム、ミリスチルリン酸インジウム、ミリスチルリン酸亜鉛、ラウリルリン酸ガリウム、ラウリルリン酸インジウム、ラウリルリン酸亜鉛を用いることができる。
金属脂肪酸塩2に含まれる第2の金属原子M2は、半導体ナノ粒子1の表面に存在する第1の金属原子M1と同一の元素であることが好ましい。たとえば、半導体ナノ粒子1としてInPナノ粒子を用いる場合は、金属脂肪酸塩2に含まれる第2の金属原子M2はインジウム(In)であることが好ましい。この理由を以下に説明する。
半導体ナノ粒子1の結晶中には、第1の金属原子M1と第1の非金属原子N1との結合(以下、M1−N1結合とも記す)が存在する。半導体ナノ粒子1の表面には、第2の非金属原子N1と金属脂肪酸塩に含まれる第2の金属原子M2との結合(以下、N1−M2結合とも記す)が存在する。第1の金属原子M1と、第2の金属原子M2とが同一の元素であると、半導体ナノ粒子1の表面に存在する第2の非金属原子N1と、金属脂肪酸塩に含まれる第2の金属原子M2とが効率的に結合するため、半導体ナノ粒子1の表面を効率的に保護することができる。また、半導体ナノ粒子1の結晶中に存在するM1−N1結合と、半導体ナノ粒子1の表面に存在するN1−M2結合との区別がなくなり、ダングリングボンドや欠陥などを抑制することができる。
本実施の形態の半導体ナノ粒子蛍光体10では、半導体ナノ粒子1の表面に存在する第1の金属原子M1の少なくとも一部は、一方の末端にヘテロ原子を有する官能基X1を含み、他方の末端にヘテロ原子を有する第2の官能基X2を含むヘテロ原子含有有機化合物3と結合している。ここで、ヘテロ原子とは水素原子と炭素原子を除くすべての原子のことを意味する。ヘテロ原子含有有機化合物3は、末端に存在する官能基がヘテロ原子を含むため、非共有電子対または電気的な偏りが生じている。このため、半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の金属原子M1と、ヘテロ原子含有有機化合物3の一方の末端に存在する第1の官能基X1とが、強固に結合している。これにより、第1の金属原子M1のダングリングボンドはキャッピングされ、半導体ナノ粒子1の表面欠陥が抑制される。したがって、半導体ナノ粒子1の発光効率の低下を抑制することができる。なお、図1および図2では、第1の官能基X1が第1の金属原子M1と結合しているが、第2の官能基X2が第1の金属原子M1と結合していてもよい。
両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物3としては、たとえば、ジチオール化合物、ジアミン化合物、チオカルボン酸、アミノチオール化合物を用いることができる。より具体的には、1,6−へキサンジアミン、1,5−ジアミノペンタン、1,7−ジアミノヘプタン、1,6−ヘキサンジチオール、1,8−オクタンジチオール、1,4−ベンゼンジチオール、1,2−エタンジチオール、1,3−プロパンジチオール、システアミンなどを用いることができる。
半導体ナノ粒子1は、表面欠陥が、金属脂肪酸塩2およびヘテロ原子含有有機化合物3により保護されて、表面欠陥が抑制されている。したがって、半導体ナノ粒子蛍光体10は励起エネルギーの失活を抑制でき、優れた発光効率を有する。
また、半導体ナノ粒子は、表面に金属脂肪酸塩2およびヘテロ原子含有有機化合物3が結合している。これにより、半導体ナノ粒子蛍光体10同士が隔離され易くなり、よって、半導体ナノ粒子蛍光体10の分散性が高くなる。したがって、半導体ナノ粒子蛍光体10の凝集を防止することができる。
半導体ナノ粒子蛍光体の構造は、TEM(Transmission Electron Microscopy:透過電子顕微鏡法)、TEM−EDX(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy:エネルギー分散型X線分光法)などの構造観察、XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy:X線光電子分光法)、IR(Infrared Spectroscopy:赤外分光法)などの構造・組成分析によって観察することができる。
<半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法>
実施の形態1の半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法の一例について説明する。半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法は、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを含む半導体ナノ粒子を得る工程と、前記半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の非金属原子N1に、金属脂肪酸塩を結合させる工程と、前記半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の金属原子M1に、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物を結合させる工程とを含む。
実施の形態1の半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法の一例について説明する。半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法は、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを含む半導体ナノ粒子を得る工程と、前記半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の非金属原子N1に、金属脂肪酸塩を結合させる工程と、前記半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の金属原子M1に、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物を結合させる工程とを含む。
半導体ナノ粒子を得る工程は、特に制限されず、公知の半導体ナノ粒子の製造方法を用いることができる。手法が簡便であり、且つ、低コストであるという観点では、化学合成法を用いることが好ましい。化学合成法では、生成物質の構成元素を含む複数の出発物質を媒体に分散させた上で、これらを反応させることにより目的の生成物質を得ることができる。このような化学合成法としては、たとえば、ゾルゲル法(コロイド法)、ホットソープ法、逆ミセル法、ソルボサーマル法、分子プレカーサ法、水熱合成法、または、フラックス法などが挙げられる。化合物半導体材料からなる半導体ナノ粒子を好適に製造できるという観点では、ホットソープ法を用いることが好ましい。以下では、ホットソープ法による半導体ナノ粒子の製造方法の一例を示す。
まず、半導体ナノ粒子を液相合成する。たとえばInNからなる半導体ナノ粒子を製造する場合、フラスコなどに1−オクタデセン(合成用溶媒)を満たし、ミリスチン酸インジウムとナトリウムアミドとを混合する。この混合液を十分に攪拌した後、180〜280℃で反応させる。これにより、InNからなる半導体ナノ粒子が得られる。
ホットソープ法に用いられる合成用溶媒は、炭素原子および水素原子からなる化合物溶液(以下、炭化水素系溶媒とも記す)であることが好ましい。これにより、合成用溶媒への水または酸素の混入が防止されるので、半導体ナノ粒子の酸化が防止される。炭化水素系溶媒は、たとえば、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、ベンゼン、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、または、p−キシレンなどであることが好ましい。
ホットソープ法では、原理的には、反応時間が長いほど半導体ナノ粒子の粒子径が大きくなる。よって、フォトルミネッセンス、または、光吸収などにより粒子径をモニタしながら液相合成することにより、半導体ナノ粒子のサイズを所望のサイズに制御することができる。
続いて、半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の非金属原子N1に、金属脂肪酸塩を結合させる。金属脂肪酸塩は、半導体ナノ粒子の形成時に結合させるか、後から結合させる方法であっても良い。たとえばInNからなる半導体ナノ粒子にミリスチン酸インジウム結合させる場合、フラスコなどに1−オクタデセン(合成用溶媒)を満たし、ミリスチン酸インジウムとナトリウムアミドとを混合することで、InNからなる半導体ナノ粒子蛍光体が作製できる。このとき、InNからなる半導体ナノ粒子の表面に存在する窒素原子に、ミリスチン酸インジウムのインジウム元素が結合したInNからなる半導体ナノ粒子蛍光体が作製できる。
続いて、半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の金属原子M1に、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物を結合させる。たとえば、InNからなる半導体ナノ粒子蛍光体に両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物を結合させる場合、上記方法で作製したミリスチン酸インジウムが結合したInNからなる半導体ナノ粒子の溶液に、1,6−へキサンジアミンを混合することにより、InNからなる半導体ナノ粒子の表面に存在するインジウム元素に1,6−へキサンジアミンの窒素元素が結合したInNからなる半導体ナノ粒子蛍光体が作製できる。
本実施の形態の半導体ナノ粒子の製造方法では、半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の非金属原子N1に金属脂肪酸塩を結合させ、その後、金属脂肪酸塩が結合していない半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の金属原子M1に、ヘテロ原子含有有機化合物を結合させている。したがって、半導体ナノ粒子の表面にヘテロ原子含有有機化合物を結合させる際に、第1の非金属原子N1からの金属脂肪酸塩の剥離は生じず、第1の非金属原子N1と金属脂肪酸塩との結合は維持される。よって、半導体ナノ粒子蛍光体には表面欠陥が発生せず、半導体ナノ粒子蛍光体は優れた発光効率を有する。
[実施の形態2]
本発明の一実施の形態における半導体ナノ粒子蛍光体について、図3を用いて説明する。実施の形態2の半導体ナノ粒子蛍光体20は、半導体ナノ粒子として、半導体コア22と前記半導体コアを被覆するシェル層23とを含むコア/シェル構造の半導体ナノ粒子21を用いている。前記シェル層23は、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを含み、前記第1の非金属原子N1には金属脂肪酸塩2が結合し、前記第1の金属原子M1には、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物3が結合している。
本発明の一実施の形態における半導体ナノ粒子蛍光体について、図3を用いて説明する。実施の形態2の半導体ナノ粒子蛍光体20は、半導体ナノ粒子として、半導体コア22と前記半導体コアを被覆するシェル層23とを含むコア/シェル構造の半導体ナノ粒子21を用いている。前記シェル層23は、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを含み、前記第1の非金属原子N1には金属脂肪酸塩2が結合し、前記第1の金属原子M1には、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物3が結合している。
本実施の形態では、半導体ナノ粒子コア22がシェル層23によって保護されているため、半導体ナノ粒子コアはダングリングボンドや欠陥の発生が抑制されている。したがって、励起エネルギーの失活を抑制でき、半導体ナノ粒子コア21の発光効率が向上する。さらに、シェル層23の表面に存在する第1の非金属原子N1の少なくとも一部は、金属脂肪酸塩2と結合しており、第1の金属原子M1の少なくとも一部は、ヘテロ原子含有有機化合物3と結合している。これにより、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1のダングリングボンドはキャッピングされ、シェル層23の表面欠陥が抑制され、半導体ナノ粒子21の発光効率が向上する。
半導体コア22は、第2の非金属原子N2および第3の金属原子M3を含むことが好ましい。半導体コア22としては、たとえば、InP、InN、InAs、InSb、InBi、CdSe、CdS、CdTe、ZnO、In2O3、Ga2O3、CdO、ZrO2、In2S3、Ga2S3、In2Se3、Ga2Se3、In2Te3、Ga2Te3などの1種類の半導体結晶を用いることができる。このような組成の半導体は、波長380nm〜780nmの可視光を発光するバンドギャップエネルギーを有している。したがって、半導体ナノ粒子コアの粒子径およびその混晶比を制御することにより、任意の可視発光が可能な半導体ナノ粒子コアを形成することができる。
シェル層23は、前記第1の非金属原子N1および前記第1の金属原子M1を含む。ここで、第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1は、実施の形態1と同様のものを用いることができる。シェル層23としては、たとえば、InP、InN、InAs、InSb、InBi、ZnO、In2O3、Ga2O3、ZrO2、In2S3、Ga2S3、In2Se3、Ga2Se3、In2Te3、Ga2Te3、CdSe、CdTe、CdS、ZnSなどの1種類の半導体結晶を用いることができる。シェル層の厚さは約0.1nm〜10nmが好ましい。
半導体コア22とシェル層23との組み合わせとしては(以下、本段落において、A/Bは、Aがコアを示し、Bがシェルを示す)、たとえば、InP/GaP、InN/GaN、InN/ZnS、InP/ZnS、InN/ZnO、InP/ZnO、InN/In2O3、InP/In2O3を用いることができる。
金属脂肪酸塩2およびヘテロ原子含有有機化合物3は、実施の形態1と同様のものを用いることができる。
<半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法>
実施の形態2の半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法について説明する。半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法は、半導体コアと、前記半導体コアを被覆する第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを有するシェル層を含む半導体ナノ粒子を得る工程と、前記半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の非金属原子N1に、金属脂肪酸塩を結合させる工程と、前記半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の金属原子M1に、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物を結合させる工程とを含む。実施の形態2の半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法は、半導体ナノ粒子を得る工程において、コア/シェル構造の半導体ナノ粒子を作製する点以外は、実施の形態1と同様である。したがって、以下では、コア/シェル構造の半導体ナノ粒子を得る工程について説明する。
実施の形態2の半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法について説明する。半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法は、半導体コアと、前記半導体コアを被覆する第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを有するシェル層を含む半導体ナノ粒子を得る工程と、前記半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の非金属原子N1に、金属脂肪酸塩を結合させる工程と、前記半導体ナノ粒子の表面に存在する第1の金属原子M1に、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物を結合させる工程とを含む。実施の形態2の半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法は、半導体ナノ粒子を得る工程において、コア/シェル構造の半導体ナノ粒子を作製する点以外は、実施の形態1と同様である。したがって、以下では、コア/シェル構造の半導体ナノ粒子を得る工程について説明する。
コア/シェル構造の半導体ナノ粒子を得る方法は、特に制限されず、ゾルゲル法(コロイド法)、ホットソープ法、逆ミセル法、ソルボサーマル法、分子プレカーサ法、水熱合成法、または、フラックス法などを用いることができる。化合物半導体材料からなるコア/シェル構造の半導体ナノ粒子を好適に製造できるという観点では、ホットソープ法を用いることが好ましい。以下では、ホットソープ法によるコア/シェル構造の半導体ナノ粒子の製造方法の一例を示す。
まず、半導体ナノ粒子コアを液相合成する。たとえばInNからなる半導体ナノ粒子コアを製造する場合、フラスコなどに1−オクタデセン(合成用溶媒)を満たし、ミリスチン酸インジウムとナトリウムアミドとを混合する。この混合液を十分に攪拌した後、180〜280℃で反応させる。これにより、InNからなる半導体ナノ粒子コアが得られる。
次に、半導体ナノ粒子コアを含む溶液に、シェル層の原材料である反応試薬を加え、加熱反応させる。これにより、半導体ナノ粒子コアの外表面がシェル層で被覆された半導体ナノ粒子が得られる。
[実施の形態3]
<波長変換部>
本発明の一実施の形態における波長変換部について、図4を用いて説明する。波長変換部は、実施の形態1または実施の形態2に記載された半導体ナノ粒子蛍光体と、アクリル樹脂とを備え、前記半導体ナノ粒子は前記アクリル樹脂中に封止される。
<波長変換部>
本発明の一実施の形態における波長変換部について、図4を用いて説明する。波長変換部は、実施の形態1または実施の形態2に記載された半導体ナノ粒子蛍光体と、アクリル樹脂とを備え、前記半導体ナノ粒子は前記アクリル樹脂中に封止される。
図4は、波長変換部中の半導体ナノ粒子蛍光体とアクリル樹脂とを示す模式図である。半導体ナノ粒子蛍光体20には、一方の末端にヘテロ原子を有する第1の官能基X1を含み、他方の末端にヘテロ原子を有する第2の官能基X2を含むヘテロ原子含有有機化合物3が存在している。第1の官能基X1は半導体ナノ粒子と結合しており、第2の官能基X2は半導体ナノ粒子と結合していない。アクリル樹脂は、−C(=O)−O−で示されるエステル結合を含む。アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体を分散させると、アクリル樹脂のエステル結合と、半導体ナノ粒子蛍光体に存在する第2の官能基X2とが結合する。したがって、半導体ナノ粒子蛍光体をアクリル樹脂で封止した際に、半導体ナノ粒子蛍光体がアクリル樹脂中で相分離や凝集することなく安定に分散することができる。したがって、半導体ナノ粒子蛍光体の発光効率の低下を抑制することができる。
アクリル樹脂としては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸イソブチルなどを用いることができる。
アクリル樹脂に対する半導体ナノ粒子蛍光体の体積比は、波長変換部の用途に応じた値を用いることができ、0.000001以上10以下であることが好ましい。該体積比が、0.000001以上10以下である場合には、半導体ナノ粒子蛍光体はより凝集しにくく、アクリル樹脂中により均一に分散しやすい。また、波長変換部の透明性を重視する場合には、アクリル樹脂に対する半導体ナノ粒子蛍光体の体積比が0.2以下であることが好ましく、0.1以下であることがさらに好ましい。該体積比が0.2以下であれば、高い透明性を持った波長変換部とすることができ、0.1以下であればさらに高い透明性を持った波長変換部とすることができる。また、波長変換部の発光量を重視する場合には、アクリル樹脂に対する半導体ナノ粒子蛍光体の体積比が0.00001以上であることが好ましい。該体積比が0.00001以上であれば、発光量が大きな波長変換部とすることができる。
<波長変換部の製造方法>
実施の形態3の波長変換部の製造方法について説明する。はじめに、実施の形態1または実施の形態2の半導体ナノ粒子蛍光体を準備する。次に、アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体を分散させた後に、アクリル樹脂を硬化するプロセスを行う。アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体を分散させる方法は、アクリル樹脂と半導体ナノ粒子蛍光体とを混合した溶液を撹拌すること等で行うことができる。硬化の方法は、紫外線を当てて硬化させる光硬化法や、熱を加えて硬化させる熱硬化法を用いることができる。
実施の形態3の波長変換部の製造方法について説明する。はじめに、実施の形態1または実施の形態2の半導体ナノ粒子蛍光体を準備する。次に、アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体を分散させた後に、アクリル樹脂を硬化するプロセスを行う。アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体を分散させる方法は、アクリル樹脂と半導体ナノ粒子蛍光体とを混合した溶液を撹拌すること等で行うことができる。硬化の方法は、紫外線を当てて硬化させる光硬化法や、熱を加えて硬化させる熱硬化法を用いることができる。
[実施の形態4]
本発明の一実施の形態における発光装置について、図5〜図7を用いて説明する。
本発明の一実施の形態における発光装置について、図5〜図7を用いて説明する。
図5に示されるように、発光装置50は、励起光源5と、前記励起光源5の表面の少なくとも一部を覆う波長変換部4とを備える。励起光源5から発せられた励起光により、波長変換部4に含まれる半導体ナノ粒子蛍光体が励起され、半導体ナノ粒子蛍光体は励起光とは異なる波長の蛍光を発する。励起光源5の発する励起光の波長と、半導体ナノ粒子蛍光体の発する蛍光の波長とを組み合わせることで、所望の発光スペクトルを有する発光装置を得ることができる。
波長変換部4は、複数の層を含むことができる。この場合、複数の層の各々は、異なる半導体ナノ粒子蛍光体を含むことができる。また、複数の層の各々は、半導体ナノ粒子蛍光体を異なる濃度で含むことができる。
図6は、発光装置の他の形態を示す模式的断面図である。図6に示されるように、発光装置60では、励起光源5と波長変換部4との間に透明部材6が配置されており、励起光源5と波長変換部4とは接していない。これにより、励起光源5からの熱が、波長変換部4に与える影響を緩和することができる。したがって、発光装置は長時間にわたって、安定した色温度および輝度を有することができる。
また、図7に示されるように、発光装置70は、波長変換部4の表面上に透明な無機物層7を有していてもよい。これによると、発光装置70のガスバリア性が向上し、発光装置は長時間にわたって、安定した色温度および輝度を有することができる。無機物層7としては、テトラメトキシシラン(TMOS)、テトラエトキシシラン(TEOS)、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等のガラス材料を用いることができる。
本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。ただし、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。
[実施例1]
(半導体ナノ粒子蛍光体の製造)
1mmolのミリスチン酸インジウム、及び10mmolのナトリウムアミドを、1−オクタデセンと混合し、200℃で熱分解反応を行って、InNからなる半導体ナノ粒子を調製した(粒径3nm)。次に、InNからなる半導体ナノ粒子を含む液に、1mmolのミリスチン酸ガリウムを添加し、150℃で反応させることにより、InNからなる半導体ナノ粒子の表面にミリスチン酸ガリウムが結合した半導体ナノ粒子蛍光体を得た。
(半導体ナノ粒子蛍光体の製造)
1mmolのミリスチン酸インジウム、及び10mmolのナトリウムアミドを、1−オクタデセンと混合し、200℃で熱分解反応を行って、InNからなる半導体ナノ粒子を調製した(粒径3nm)。次に、InNからなる半導体ナノ粒子を含む液に、1mmolのミリスチン酸ガリウムを添加し、150℃で反応させることにより、InNからなる半導体ナノ粒子の表面にミリスチン酸ガリウムが結合した半導体ナノ粒子蛍光体を得た。
(発光装置の製造)
得られた半導体ナノ粒子蛍光体を用いて、図5に示す発光装置を作製した。励起光源としては、波長450nmのLED素子を用いた。得られた半導体ナノ粒子蛍光体をアクリル樹脂中に分散させ、硬化処理を行うことで、アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体が分散された波長変換部を作製した。半導体ナノ粒子蛍光体とアクリル樹脂とは、体積比で5:10000の割合で混合した。
得られた半導体ナノ粒子蛍光体を用いて、図5に示す発光装置を作製した。励起光源としては、波長450nmのLED素子を用いた。得られた半導体ナノ粒子蛍光体をアクリル樹脂中に分散させ、硬化処理を行うことで、アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体が分散された波長変換部を作製した。半導体ナノ粒子蛍光体とアクリル樹脂とは、体積比で5:10000の割合で混合した。
(性能評価)
得られた半導体ナノ粒子蛍光体に対して波長450nmの励起光を吸収させたとき発した蛍光の発光強度を測定し、吸収フォトン数に対する発光フォトン数の比を発光効率とした。
得られた半導体ナノ粒子蛍光体に対して波長450nmの励起光を吸収させたとき発した蛍光の発光強度を測定し、吸収フォトン数に対する発光フォトン数の比を発光効率とした。
(評価結果)
実施例1の半導体ナノ粒子蛍光体は、優れた発光効率を有していた。
実施例1の半導体ナノ粒子蛍光体は、優れた発光効率を有していた。
[実施例2]
(半導体ナノ粒子蛍光体の製造)
1mmolのミリスチン酸インジウム、及び10mmolのナトリウムアミドを、1−オクタデセンと混合し、200℃で熱分解反応を行って、InNからなる半導体ナノ粒子の表面にステアリン酸インジウムが結合した半導体ナノ粒子蛍光体を調製した(粒径3nm)。
(半導体ナノ粒子蛍光体の製造)
1mmolのミリスチン酸インジウム、及び10mmolのナトリウムアミドを、1−オクタデセンと混合し、200℃で熱分解反応を行って、InNからなる半導体ナノ粒子の表面にステアリン酸インジウムが結合した半導体ナノ粒子蛍光体を調製した(粒径3nm)。
(発光素子の製造)
この半導体ナノ粒子蛍光体をアクリル樹脂中に分散させ、硬化処理を行うことで、アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体が分散された波長変換部を作製した。半導体ナノ粒子蛍光体とアクリル樹脂とは、体積比で5:10000の割合で混合した。
この半導体ナノ粒子蛍光体をアクリル樹脂中に分散させ、硬化処理を行うことで、アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体が分散された波長変換部を作製した。半導体ナノ粒子蛍光体とアクリル樹脂とは、体積比で5:10000の割合で混合した。
(性能評価)
得られた半導体ナノ粒子蛍光体に対して波長450nmの励起光を吸収させたとき発した蛍光の発光強度を測定し、吸収フォトン数に対する発光フォトン数の比を発光効率とした。
得られた半導体ナノ粒子蛍光体に対して波長450nmの励起光を吸収させたとき発した蛍光の発光強度を測定し、吸収フォトン数に対する発光フォトン数の比を発光効率とした。
(評価結果)
実施例2の半導体ナノ粒子蛍光体は、優れた発光効率を有していた。
実施例2の半導体ナノ粒子蛍光体は、優れた発光効率を有していた。
[実施例3]
(半導体ナノ粒子蛍光体の製造)
1mmolのミリスチン酸インジウム、及び10mmolのナトリウムアミドを、1−オクタデセンと混合し、200℃で熱分解反応を行って、InNからなる半導体ナノ粒子を調製した(粒径3nm)。上記のナノ粒子コアを含む溶液に、シェル層の原料として、2mmolのステアリン酸亜鉛、及び2mmolの硫黄元素を混合し、200℃で熱分解反応を行って、InN/ZnSからなるコア/シェル構造の半導体ナノ粒子を調製した(シェル厚2nm)。
(半導体ナノ粒子蛍光体の製造)
1mmolのミリスチン酸インジウム、及び10mmolのナトリウムアミドを、1−オクタデセンと混合し、200℃で熱分解反応を行って、InNからなる半導体ナノ粒子を調製した(粒径3nm)。上記のナノ粒子コアを含む溶液に、シェル層の原料として、2mmolのステアリン酸亜鉛、及び2mmolの硫黄元素を混合し、200℃で熱分解反応を行って、InN/ZnSからなるコア/シェル構造の半導体ナノ粒子を調製した(シェル厚2nm)。
(発光素子の製造)
この半導体ナノ粒子蛍光体をアクリル樹脂中に分散させ、硬化処理を行うことで、アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体が分散された波長変換部を作製した。半導体ナノ粒子蛍光体とアクリル樹脂とは、体積比で5:10000の割合で混合した。
この半導体ナノ粒子蛍光体をアクリル樹脂中に分散させ、硬化処理を行うことで、アクリル樹脂中に半導体ナノ粒子蛍光体が分散された波長変換部を作製した。半導体ナノ粒子蛍光体とアクリル樹脂とは、体積比で5:10000の割合で混合した。
(性能評価)
得られた半導体ナノ粒子蛍光体に対して波長450nmの励起光を吸収させたとき発した蛍光の発光強度を測定し、吸収フォトン数に対する発光フォトン数の比を発光効率とした。
得られた半導体ナノ粒子蛍光体に対して波長450nmの励起光を吸収させたとき発した蛍光の発光強度を測定し、吸収フォトン数に対する発光フォトン数の比を発光効率とした。
(評価結果)
実施例3の半導体ナノ粒子蛍光体は、優れた発光効率を有していた。
実施例3の半導体ナノ粒子蛍光体は、優れた発光効率を有していた。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の半導体ナノ粒子蛍光体は、ディスプレイのバックライトや照明デバイス等に用いることができる。
1,21 半導体ナノ粒子
2 金属脂肪酸塩
3 ヘテロ原子含有有機化合物
4 波長変換部
5 励起光源
6 透明部材
10,20 半導体ナノ粒子蛍光体
22 半導体ナノ粒子コア
23 シェル層
50,60,70 発光装置
2 金属脂肪酸塩
3 ヘテロ原子含有有機化合物
4 波長変換部
5 励起光源
6 透明部材
10,20 半導体ナノ粒子蛍光体
22 半導体ナノ粒子コア
23 シェル層
50,60,70 発光装置
Claims (5)
- 第1の非金属原子N1および第1の金属原子M1とを含む半導体ナノ粒子と、
前記第1の非金属原子N1に結合する金属脂肪酸塩と、
前記第1の金属原子M1に結合する、両末端にヘテロ原子を有する官能基を含む有機化合物とを備える、
半導体ナノ粒子蛍光体。 - 前記第1の金属原子M1と、前記金属脂肪酸塩に含まれる第2の金属原子M2とが同一元素である、
請求項1に記載の半導体ナノ粒子蛍光体。 - 前記半導体ナノ粒子は、半導体コアと、前記半導体コアを被覆するシェル層とを含み、
前記シェル層は、前記第1の非金属原子N1および前記第1の金属原子M1とを含む、
請求項1または請求項2に記載の半導体ナノ粒子蛍光体。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体ナノ粒子蛍光体と、アクリル樹脂とを備え、
前記半導体ナノ粒子は前記アクリル樹脂中に封止される、
波長変換部。 - 請求項4に記載の波長変換部と、励起光源とを備える、
発光装置。
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JP2019186305A (ja) * | 2018-04-04 | 2019-10-24 | シャープ株式会社 | 発光装置および製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002510866A (ja) * | 1998-04-01 | 2002-04-09 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | 量子ドット白色及び着色発光ダイオード |
JP2002525394A (ja) * | 1998-09-18 | 2002-08-13 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 水溶性蛍光半導体ナノ結晶 |
WO2006103908A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体ナノクリスタル用有機配位子 |
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-
2014
- 2014-12-04 JP JP2014245801A patent/JP2016108412A/ja active Pending
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