JP2016091942A - 表示装置とその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 39
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 430
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 124
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 46
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 46
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 40
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 perylene compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- AWOORJZBKBDNCP-UHFFFAOYSA-N molybdenum;oxotungsten Chemical compound [Mo].[W]=O AWOORJZBKBDNCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
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Abstract
【課題】製造過程において隔壁の上面が変形して凹形状になることを防止することで、隔壁の上面が平面形状または凸形状である表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置１は、基板１１と、隙間２５を空けて設けられた第１下部電極２１および第２下部電極２２と、樹脂材料で構成された第１隔壁４１と、第１有機機能層７１および第２有機機能層７２と、上部電極８２と、を備える。第１隔壁４１の底面４１ａは、第１部分４１ａ１と、第２部分４１ａ２とを有する。第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さは、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第１隔壁４１の上面４１ｂの最高点４１ｂ２までの高さに対して、３０％以下である。第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅は、第１隔壁４１の幅に対して、それぞれ２０％以下である。
【選択図】図１
【解決手段】表示装置１は、基板１１と、隙間２５を空けて設けられた第１下部電極２１および第２下部電極２２と、樹脂材料で構成された第１隔壁４１と、第１有機機能層７１および第２有機機能層７２と、上部電極８２と、を備える。第１隔壁４１の底面４１ａは、第１部分４１ａ１と、第２部分４１ａ２とを有する。第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さは、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第１隔壁４１の上面４１ｂの最高点４１ｂ２までの高さに対して、３０％以下である。第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅は、第１隔壁４１の幅に対して、それぞれ２０％以下である。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機ＥＬ表示パネルなどの表示装置、およびその製造方法に関する。
有機ＥＬ表示パネルなどの表示装置は、基板と、サブピクセルごとに設けられた複数の下部電極と、各下部電極上に設けられ有機発光材料で構成された複数の発光層と、上部電極とが順に積層されて構成されている。また、表示装置は、必要に応じて、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層、封止層等を備える。表示装置が上部電極側から光を出射するトップエミッション型である場合、下部電極の材料はアルミニウム（Ａｌ）等の光反射性材料とし、上部電極の材料はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）のような透明材料とすればよい。また、表示装置が基板側から光を出射するボトムエミッション型である場合、下部電極の材料は透明材料とし、上部電極の材料は光反射性材料とすればよい。
ところで、表示装置における発光層の製造方法には、有機発光材料を真空蒸着する真空蒸着法と、有機発光材料を溶媒に溶解した有機材料インクを用いる印刷法とがある（特許文献１）。Ｒ（赤：Ｒｅｄ）、Ｇ（緑：Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（青：Ｂｌｕｅ）と異なる発光色の有機発光材料を用いる場合、真空蒸着法では、各色のサブピクセルに対応する位置に開口を設けたマスクが３枚必要である。各色の有機材料インクは、マスクの上方から吹き付けられ、その結果、下部電極上とマスク上とに有機発光材料が付着する。このとき、マスクに付着した有機発光材料は無駄になる。一方、印刷法では、目的の下部電極上のみに有機材料インクを塗布することができるので、真空蒸着法よりも有機発光材料の無駄を低減できる。なお、印刷法では、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機材料インクが互いに混ざらないように、隣り合う下部電極の隙間に隔壁を形成することが一般的である。また、隔壁は隣り合う下部電極の隙間の幅よりも大きい幅を有し、隔壁の一部は当該隙間に設けられ、隔壁の残部は下部電極を被覆する。残部が下部電極を被覆する隔壁を採用することで、下部電極をパターニングする際の誤差により、隔壁を形成する時のアライメントがずれたとしても、下部電極の隙間に隔壁を形成することができる。
また、下部電極が形成された基板に隔壁を製造する工程として、例えば、以下の工程を用いることができる。まず、一部が隣り合う下部電極の隙間に設けられ、残部が下部電極を被覆するように、感光性を有する樹脂材料と溶媒とを混合した隔壁材料を配置する。さらに、隔壁材料を焼成することにより、樹脂材料に含まれる溶媒を蒸発させる。
ところで、上記製造方法により隔壁を形成すると、隔壁の上面が意図せず凹形状となることがあることが判明した。一方、隣り合う隔壁に挟まれた領域にインクを塗布する際に、高精細化のため、インクが隔壁の上面にまで濡れ拡がることがある。このとき隔壁の上面が凹形状である場合、隔壁の上面が中央に向かうほど低くなるため、両インクが隔壁の中央に向かって濡れ拡がることがある。その結果、発光色が異なるインク同士が隔壁上で接触してしまい、インクの混色が生じるおそれがある。
上記課題に鑑み、本発明は、製造過程において隔壁の上面が変形して凹形状になることを防止することで、隔壁の上面が平面形状または凸形状である表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置は、基板と、前記基板上に、互いに隙間を空けて設けられた第１下部電極および第２下部電極と、前記第１下部電極および前記第２下部電極の間の隙間の幅よりも大きな幅を有し、一部が前記基板上の前記隙間に対応する部分を被覆し、且つ、残部が前記第１下部電極上の一部および前記第２下部電極上の一部を被覆し、樹脂材料で構成された隔壁と、前記第１下部電極の前記隔壁に被覆された領域以外の領域上方および前記第２下部電極の前記隔壁に被覆された領域以外の領域上方にそれぞれ設けられ、発光層をそれぞれ含む第１有機機能層および第２有機機能層と、前記第１有機機能層および前記第２有機機能層の上方に設けられた上部電極と、を備え、前記隔壁の底面は、前記基板上の前記隙間に対応する部分に位置する第１部分と、前記第１下部電極上および前記第２下部電極上にそれぞれ位置する第２部分とを有し、前記第２部分の前記基板の上面からの高さは、前記第１部分の前記基板の上面からの高さよりも高く、前記隔壁の上面は、前記基板の上面からの高さが最も高い最高点を含み、前記隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さは、前記隔壁の底面の第１部分から前記隔壁の上面の最高点までの高さに対して、３０％以下であり、前記隔壁の底面の第２部分の幅は、前記隔壁の幅に対して、それぞれ２０％以下である。
また、上記表示装置において、前記隔壁の幅は、１０μｍ以下であってもよい。
また、上記表示装置において、前記隔壁の底面の第２部分の幅は、それぞれ１．０μｍ以上であってもよい。
また、上記表示装置において、前記隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さは、それぞれ０．４μｍ以下であり、前記隔壁の底面の第１部分から前記隔壁の上面の最高点までの高さは、１．４μｍ以上であってもよい。
また、上記表示装置において、前記隔壁の底面の第２部分の幅は、それぞれ１．０μｍ以上であってもよい。
また、上記表示装置において、前記隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さは、それぞれ０．４μｍ以下であり、前記隔壁の底面の第１部分から前記隔壁の上面の最高点までの高さは、１．４μｍ以上であってもよい。
また、上記表示装置において、前記隔壁の上面は、前記隔壁の幅方向の両端からそれぞれ斜めに立ち上がる２つの斜面部と、当該２つの斜面部の間に位置する中間部とを有し、前記隔壁の上面の２つの斜面部の前記基板の上面に平行な方向における幅は、前記隔壁の底面の第２部分の幅と同じまたは当該第２部分の幅よりも大きくてもよい。
本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板上に、互いに隙間を空けて設けられる第１下部電極および第２下部電極を形成する工程と、前記第１下部電極および前記第２下部電極の間の隙間の幅よりも大きな幅を有し、一部が前記基板上の前記隙間に対応する部分を被覆し、且つ、残部が前記第１下部電極上の一部および前記第２下部電極上の一部を被覆し、樹脂材料を含む隔壁材料を配置する工程と、前記隔壁材料を焼成することにより、隔壁を形成する工程と、前記第１下部電極の前記隔壁に被覆された領域以外の領域上方および前記第２下部電極の前記隔壁に被覆された領域以外の領域上方にそれぞれインクを塗布し、当該インクを乾燥させることで、第１有機機能層および第２有機機能層を形成する工程と、前記第１有機機能層および第２有機機能層の上方に上部電極を形成する工程と、を含み、前記隔壁の底面は、前記基板上の前記隙間に対応する部分に位置する第１部分と、前記第１下部電極上および前記第２下部電極上にそれぞれ位置する第２部分とを有し、前記第２部分の前記基板の上面からの高さは、前記第１部分の前記基板の上面からの高さよりも高く、前記隔壁の上面は、前記基板の上面からの高さが最も高い最高点を含み、前記隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さは、前記隔壁の底面の第１部分から前記隔壁の上面の最高点までの高さに対して、３０％以下であり、前記隔壁の底面の第２部分の幅は、前記隔壁の幅に対して、それぞれ２０％以下である。
本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板上に、互いに隙間を空けて設けられる第１下部電極および第２下部電極を形成する工程と、前記第１下部電極および前記第２下部電極の間の隙間の幅よりも大きな幅を有し、一部が前記基板上の前記隙間に対応する部分を被覆し、且つ、残部が前記第１下部電極上の一部および前記第２下部電極上の一部を被覆し、樹脂材料を含む隔壁材料を配置する工程と、前記隔壁材料を焼成することにより、隔壁を形成する工程と、前記第１下部電極の前記隔壁に被覆された領域以外の領域上方および前記第２下部電極の前記隔壁に被覆された領域以外の領域上方にそれぞれインクを塗布し、当該インクを乾燥させることで、第１有機機能層および第２有機機能層を形成する工程と、前記第１有機機能層および第２有機機能層の上方に上部電極を形成する工程と、を含み、前記隔壁の底面は、前記基板上の前記隙間に対応する部分に位置する第１部分と、前記第１下部電極上および前記第２下部電極上にそれぞれ位置する第２部分とを有し、前記第２部分の前記基板の上面からの高さは、前記第１部分の前記基板の上面からの高さよりも高く、前記隔壁の上面は、前記基板の上面からの高さが最も高い最高点を含み、前記隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さは、前記隔壁の底面の第１部分から前記隔壁の上面の最高点までの高さに対して、３０％以下であり、前記隔壁の底面の第２部分の幅は、前記隔壁の幅に対して、それぞれ２０％以下である。
本発明の一態様に係る表示装置において、隔壁の底面の第２部分の幅は、隔壁の幅に対してそれぞれ２０％以下である。この場合、隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さが、隔壁の底面の第１部分から、隔壁の上面の最高点までの高さの３０％以下であれば、隔壁の上面の凹部が５０ｎｍ以内の平面形状、または、隔壁の上面が凸形状となることが実験により判明した。
このように、製造過程において隔壁の上面が変形して凹形状になることを防止することで、隔壁の上面が平面形状または凸形状である表示装置を提供することができる。
本発明を実施するための形態を、図面を参照して詳細に説明する。なお、表示装置として有機ＥＬ表示パネルを例示する。
＜実施の形態＞
１．表示装置の構成
図１は、表示装置１の模式断面図である。同図には、２つのサブピクセルが現れている。表示装置１は、基板１１と、第１下部電極２１および第２下部電極２２と、ホール注入層３１と、第１隔壁４１、第２隔壁４２および第３隔壁４３と、第１有機機能層７１および第２有機機能層７２と、電子注入層８１と、上部電極８２と、封止層９１とを備える。本実施の形態では、第１有機機能層７１はホール輸送層５１と第１発光層６１とで構成され、第２有機機能層７２はホール輸送層５２と第２発光層６２とで構成されている。例えば、第１発光層６１の発光色は緑色であり、第２発光層６２の発光色は青色である。また、表示装置１は上方から光を出射するトップエミッション型である。以下、各構成要素について詳細に説明する。
＜実施の形態＞
１．表示装置の構成
図１は、表示装置１の模式断面図である。同図には、２つのサブピクセルが現れている。表示装置１は、基板１１と、第１下部電極２１および第２下部電極２２と、ホール注入層３１と、第１隔壁４１、第２隔壁４２および第３隔壁４３と、第１有機機能層７１および第２有機機能層７２と、電子注入層８１と、上部電極８２と、封止層９１とを備える。本実施の形態では、第１有機機能層７１はホール輸送層５１と第１発光層６１とで構成され、第２有機機能層７２はホール輸送層５２と第２発光層６２とで構成されている。例えば、第１発光層６１の発光色は緑色であり、第２発光層６２の発光色は青色である。また、表示装置１は上方から光を出射するトップエミッション型である。以下、各構成要素について詳細に説明する。
（１）基板
基板１１は、例えば、ＴＦＴ基板上に、層間絶縁膜が積層されたものである。ＴＦＴ基板は、例えば、プラスチック基板とその上に形成されたＴＦＴおよび配線とを有する。ＴＦＴ基板上に層間絶縁膜を配置することにより、基板１１の上面は平坦化される。層間絶縁膜を構成する材料は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料である。
基板１１は、例えば、ＴＦＴ基板上に、層間絶縁膜が積層されたものである。ＴＦＴ基板は、例えば、プラスチック基板とその上に形成されたＴＦＴおよび配線とを有する。ＴＦＴ基板上に層間絶縁膜を配置することにより、基板１１の上面は平坦化される。層間絶縁膜を構成する材料は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料である。
（２）下部電極
第１下部電極２１および第２下部電極２２は、サブピクセルごとに設けられている。具体的には、第１下部電極２１および第２下部電極２２は、互いに隙間２５を空けて基板１１上に配されている。第１下部電極２１および第２下部電極２２の厚みは、例えば、４００ｎｍ以下である。表示装置１は上方から光を出射するトップエミッション型であるため、第１下部電極２１および第２下部電極２２は光を反射する必要がある。そのため、第１下部電極２１および第２下部電極２２を構成する材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムを含有する合金、銀（Ａｇ）、銀合金である。なお、この断面図では現れていないが、第１下部電極２１および第２下部電極２２に加えて、第３下部電極も存在する。第３下部電極については、後述する。
第１下部電極２１および第２下部電極２２は、サブピクセルごとに設けられている。具体的には、第１下部電極２１および第２下部電極２２は、互いに隙間２５を空けて基板１１上に配されている。第１下部電極２１および第２下部電極２２の厚みは、例えば、４００ｎｍ以下である。表示装置１は上方から光を出射するトップエミッション型であるため、第１下部電極２１および第２下部電極２２は光を反射する必要がある。そのため、第１下部電極２１および第２下部電極２２を構成する材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムを含有する合金、銀（Ａｇ）、銀合金である。なお、この断面図では現れていないが、第１下部電極２１および第２下部電極２２に加えて、第３下部電極も存在する。第３下部電極については、後述する。
（３）ホール注入層
ホール注入層３１は、第１下部電極２１から第１発光層６１、および第２下部電極２２から第２発光層６２へのホールの注入性を向上させる機能を有する。本実施形態では、ホール注入層３１はパターニングされておらず、第１下部電極２１、第２下部電極２２および基板１１上のうち隙間２５に位置する部分を覆う。ホール注入層３１の厚みは、例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍである。ホール注入層３１を構成する材料は、例えば、酸化タングステン（ＷＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、モリブデンタングステン酸化物（ＭｏＷＯｘ）である。
ホール注入層３１は、第１下部電極２１から第１発光層６１、および第２下部電極２２から第２発光層６２へのホールの注入性を向上させる機能を有する。本実施形態では、ホール注入層３１はパターニングされておらず、第１下部電極２１、第２下部電極２２および基板１１上のうち隙間２５に位置する部分を覆う。ホール注入層３１の厚みは、例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍである。ホール注入層３１を構成する材料は、例えば、酸化タングステン（ＷＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、モリブデンタングステン酸化物（ＭｏＷＯｘ）である。
（４）隔壁
第１隔壁４１は、ホール注入層３１上に設けられている。第１隔壁４１の幅は、隙間２５の幅よりも広い。第１隔壁４１の一部は基板１１の上面における隙間２５に対応する部分を被覆しており、第１隔壁４１の残部は第１下部電極２１の一部および第２下部電極２２の一部を被覆している。
第１隔壁４１は、ホール注入層３１上に設けられている。第１隔壁４１の幅は、隙間２５の幅よりも広い。第１隔壁４１の一部は基板１１の上面における隙間２５に対応する部分を被覆しており、第１隔壁４１の残部は第１下部電極２１の一部および第２下部電極２２の一部を被覆している。
第１隔壁４１は、底面４１ａと上面４１ｂを有する。第１隔壁４１の底面４１aは、基板１１上の隙間に対応する部分に位置する第１部分４１ａ１と、第１下部電極２１および第２下部電極２２の上に位置する第２部分４１ａ２とを有する。上述のように、第１下部電極２１と第２下部電極２２とは、互いに隙間２５を空けて基板１１上に設けられている。そのため、基板１１の上面における隙間２５に対応する部分と、第１下部電極２１および第２下部電極２２の上面とで段差が生じる。ここで、ホール注入層３１の厚みは、当該段差の高さよりも小さく、且つ、どの位置でも概ね均一である。そのため、ホール注入層３１が当該段差を埋めることは無い。その結果、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１と第２部分４１ａ２とで、段差が生じることとなる。第２部分４１ａ２の基板１１の上面からの高さは、第１部分４１ａ１の基板１１の上面からの高さよりも、第１下部電極２１および第２下部電極２２の厚みに相当する分だけ高い。
第１隔壁４１の上面４１ｂは、第１隔壁４１の幅方向の両端４１ｂｐからそれぞれ斜めに立ち上がる２つの斜面部４１ｂ１と、これらの斜面部４１ｂの間に位置する中間部４１ｂ２とを有する。中間部４１ｂ２は、平坦（基板１１上面に略並行）な場合もあるし、わずかに凹曲面となる場合もある。いずれにしても、第１隔壁４１の上面４１ｂの基板１１の上面１１ａからの高さは、第１隔壁３１の幅方向に端部４１ｂｐから中央部に向かうにつれて高くなり、ある位置でピーク位置４１ｐｐ（基板１１の上面１１ａに対する傾斜がゼロ）を迎える。このピーク位置４１ｐｐを斜面部４１ｂ１と中間部４１ｂ２との境界とする。なお、第１隔壁４１、第２隔壁４２および第３隔壁４３（以下、区別の必要がない場合まとめて「隔壁４０」と称する）は、いずれも同じ形状である。隔壁４０の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等を用いることができる。
（５）ホール輸送層
ホール輸送層５１，５２は、第１下部電極２１、第２下部電極２２から注入されたホールを、第１発光層６１、第２発光層６２にそれぞれに輸送する機能を有する。ホール輸送層５１，５２は、ホール注入層３１を挟んで、第１下部電極２１および第２下部電極２２の上方にそれぞれ設けられている。ホール輸送層５１，５２の厚みは、例えば、１０ｎｍ〜５０ｎｍである。ホール輸送層５１，５２の材料としては、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等を用いることができる。
ホール輸送層５１，５２は、第１下部電極２１、第２下部電極２２から注入されたホールを、第１発光層６１、第２発光層６２にそれぞれに輸送する機能を有する。ホール輸送層５１，５２は、ホール注入層３１を挟んで、第１下部電極２１および第２下部電極２２の上方にそれぞれ設けられている。ホール輸送層５１，５２の厚みは、例えば、１０ｎｍ〜５０ｎｍである。ホール輸送層５１，５２の材料としては、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等を用いることができる。
（６）発光層
第１発光層６１、第２発光層６２は、ホールと電子とが注入されて再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。第１発光層６１は、第１下部電極２１の上方のうち、第１隔壁４１および第２隔壁４２に被覆された領域以外に設けられている。同様に、第２発光層６２は、第２下部電極２２の第１隔壁４１および第３隔壁４３に被覆された領域以外の領域上方に設けられている。なお、この断面図では現れていないが、第１発光層６１および第２発光層６２に加えて、第３発光層６３も存在する。第１発光層６１および第２発光層６２の材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物等を用いることができる。
第１発光層６１、第２発光層６２は、ホールと電子とが注入されて再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。第１発光層６１は、第１下部電極２１の上方のうち、第１隔壁４１および第２隔壁４２に被覆された領域以外に設けられている。同様に、第２発光層６２は、第２下部電極２２の第１隔壁４１および第３隔壁４３に被覆された領域以外の領域上方に設けられている。なお、この断面図では現れていないが、第１発光層６１および第２発光層６２に加えて、第３発光層６３も存在する。第１発光層６１および第２発光層６２の材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物等を用いることができる。
（７）電子注入層
電子注入層８１は、上部電極８２から第１発光層６１、第２発光層６２側への電子注入性を向上するために設けられている。電子注入層８１は、隔壁４０、第１発光層６１、第２発光層６２、第３発光層６３を覆う。電子注入層８１の厚みは、例えば、１０ｎｍである。電子注入層８１の材料としては、例えば、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）を用いることができる。
電子注入層８１は、上部電極８２から第１発光層６１、第２発光層６２側への電子注入性を向上するために設けられている。電子注入層８１は、隔壁４０、第１発光層６１、第２発光層６２、第３発光層６３を覆う。電子注入層８１の厚みは、例えば、１０ｎｍである。電子注入層８１の材料としては、例えば、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）を用いることができる。
（８）上部電極
上部電極８２は、電子注入層８１上に設けられている。上部電極８２の厚みは、例えば、１００ｎｍである。表示装置１は上方から光を出射するトップエミッション型であるため、上部電極８２は光を透過する必要がある。そのため、上部電極３６の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。
上部電極８２は、電子注入層８１上に設けられている。上部電極８２の厚みは、例えば、１００ｎｍである。表示装置１は上方から光を出射するトップエミッション型であるため、上部電極８２は光を透過する必要がある。そのため、上部電極３６の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。
（９）封止層
封止層９１は、上方から発光層への水分や酸素等の侵入に対するバリア層として機能する。封止層９１は、上部電極８２上に配置される。封止層９１の材料としては、例えば、ＣＶＤ法で作製された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等を用いることができる。
封止層９１は、上方から発光層への水分や酸素等の侵入に対するバリア層として機能する。封止層９１は、上部電極８２上に配置される。封止層９１の材料としては、例えば、ＣＶＤ法で作製された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等を用いることができる。
２．下部電極と隔壁との形状および配置位置
次に、下部電極と隔壁との形状および配置位置について、図２の平面図を用いて説明する。なお、図１は、図２の平面図のＡ−Ａ´断面図である。第１下部電極２１、第２下部電極２２、および第３下部電極２３（以下、区別の必要が無いときには「下部電極２０」と総称する。）は、例えば、マトリクス状に配置されている。各下部電極２０の形状は、それぞれ等しく、例えば、長方形状である。各下部電極２０は、隙間２５を空けて設けられている。各下部電極２０は、平行に並んでいる。隔壁４０は、ライン状に形成されＹ軸方向に平行に並んだ、いわゆるラインバンクである。隔壁４０をＸ軸方向に横切るように、サブ隔壁４５が形成されている。各サブ隔壁４５は、ライン状に形成されＸ軸方向に平行に並んでいる。サブ隔壁４５は、例えば、基板１１と下部電極２０との段差の上方において、上部電極８２が切断されたり上部電極８２の厚みが極端に薄くなったりすることを抑制するために設けられている。なお、図示はしていないが、第１発光層６１、第２発光層６２、および第３発光層は、それぞれ第１下部電極２１、第２下部電極２２、および第３下部電極２３の上方に配置されている。第３発光層の発光色は、赤色である。
次に、下部電極と隔壁との形状および配置位置について、図２の平面図を用いて説明する。なお、図１は、図２の平面図のＡ−Ａ´断面図である。第１下部電極２１、第２下部電極２２、および第３下部電極２３（以下、区別の必要が無いときには「下部電極２０」と総称する。）は、例えば、マトリクス状に配置されている。各下部電極２０の形状は、それぞれ等しく、例えば、長方形状である。各下部電極２０は、隙間２５を空けて設けられている。各下部電極２０は、平行に並んでいる。隔壁４０は、ライン状に形成されＹ軸方向に平行に並んだ、いわゆるラインバンクである。隔壁４０をＸ軸方向に横切るように、サブ隔壁４５が形成されている。各サブ隔壁４５は、ライン状に形成されＸ軸方向に平行に並んでいる。サブ隔壁４５は、例えば、基板１１と下部電極２０との段差の上方において、上部電極８２が切断されたり上部電極８２の厚みが極端に薄くなったりすることを抑制するために設けられている。なお、図示はしていないが、第１発光層６１、第２発光層６２、および第３発光層は、それぞれ第１下部電極２１、第２下部電極２２、および第３下部電極２３の上方に配置されている。第３発光層の発光色は、赤色である。
ところで、隔壁４０は同じ幅で均一に伸びており、下部電極２０の隙間２５も同じ幅で均一に延びている。そのため、第１下部電極２１および第２下部電極２２を通過しＸ軸方向に平行な断面で視ると、表示装置１の断面形状はすべて等しくなる。すなわち、当該Ｘ軸方向に平行な断面では、図１の断面図に示した断面形状となる。
３．隔壁の形状および寸法
さらに、第１隔壁４１の形状および寸法について、図３の模式断面図を用いて詳しく説明する。
３．隔壁の形状および寸法
さらに、第１隔壁４１の形状および寸法について、図３の模式断面図を用いて詳しく説明する。
第１隔壁４１の上面４１ｂのうち、基板１１の上面１１ａからの高さが最も高い点は、上面４１ｂの中間部４１ｂ２上に複数存在する。ここでは、当該最も高い点のうちの一点を４１ｐ１として示す。第１隔壁４１の厚み、すなわち、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第１隔壁４１の最高点４１ｐ１までの高さａは、例えば、１．４μｍである。上述のように、第１下部電極２１の厚みおよび第２下部電極２２の厚みは、例えば、４００ｎｍ以下である。また、ホール注入層３１の厚みは上述のように均一である。具体的には、ホール注入層３１はパターニングされておらず、第１下部電極２１および第２下部電極２２の上面だけでなく、基板１１上の隙間２５に対応する部分にも設けられている。そのため、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂは、第１下部電極２１および第２下部電極２２の厚みと略同じである。従って、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂは、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第１隔壁４１の最高点４１ｐ１までの高さａに対して３０％であるとみなすことができる。なお、これに限らず、ホール注入層３１がパターニングされて、第１下部電極２１および第２下部電極２２の上面には設けられるが、基板１１上の隙間２５に対応する部分には設けられないこととしてもよい。この場合、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さは、第１下部電極２１および第１下部電極２２の厚みとホール注入層３１の厚みとの合計と略同じになる。
また、第１隔壁４１の底面４１ｂの第２部分４１ｂ２の幅ｃ、ｃ´は、いずれも１．０μｍ以上であることが好ましい。第１隔壁４１の幅ｅは１０μｍ以下であることが好ましい。また、第１隔壁４１の底面４１ｂの第２部分４１ｂ２の幅ｃは、第１隔壁４１の幅ｅの２０％以下であることが好ましい。なお、各寸法が上述した数値範囲に含まれることが好ましいという理由については後述する。
第１隔壁４１の上面４１ｂの２つの斜面部４１ｂ１の基板１１の上面１１ａに平行な方向における幅ｆは、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃよりもそれぞれ大きい。すなわち、第１隔壁の上面４１ｂのピーク位置４１ｐｐは、第１下部電極２１および第２下部電極２２の隙間２５を臨む端部２１ａ、２１ｂに対して、Ｘ軸方向で内側に存在する。
４．有機ＥＬ表示パネルの製造工程
以下、図４〜図６の断面図を参照して、表示装置１の製造工程を説明する。図２〜図４では、時系列にしたがって工程手順図を並べている。
図４（ａ）に示すように、基板１１を準備した後、図４（ｂ）に示すように、基板１１上に第１下部電極２１と第２下部電極２２とホール注入層３１とを形成する。具体的には、まず、基板１１をスパッタ成膜装置の成膜容器内に載置する。次に、成膜容器内に所定のスパッタガスを導入し、反応性スパッタリング法により金属膜を成膜する。さらに、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いて、金属膜をパターニングすることで、第１下部電極２１と第２下部電極２２を形成する。さらに、反応性スパッタリング法によりホール注入層３１を全面に成膜する。なお、金属膜は、例えば、２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚で成膜する。これは、その後の工程（第１隔壁４１、第２隔壁４２、および第３隔壁４３等のパターニング工程等）によりホール注入層３１の膜厚が減少するためである。金属膜を２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚で成膜することで、ホール注入層３１の完成時の膜厚を５ｎｍ〜２０ｎｍとすることができる。
以下、図４〜図６の断面図を参照して、表示装置１の製造工程を説明する。図２〜図４では、時系列にしたがって工程手順図を並べている。
図４（ａ）に示すように、基板１１を準備した後、図４（ｂ）に示すように、基板１１上に第１下部電極２１と第２下部電極２２とホール注入層３１とを形成する。具体的には、まず、基板１１をスパッタ成膜装置の成膜容器内に載置する。次に、成膜容器内に所定のスパッタガスを導入し、反応性スパッタリング法により金属膜を成膜する。さらに、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いて、金属膜をパターニングすることで、第１下部電極２１と第２下部電極２２を形成する。さらに、反応性スパッタリング法によりホール注入層３１を全面に成膜する。なお、金属膜は、例えば、２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚で成膜する。これは、その後の工程（第１隔壁４１、第２隔壁４２、および第３隔壁４３等のパターニング工程等）によりホール注入層３１の膜厚が減少するためである。金属膜を２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚で成膜することで、ホール注入層３１の完成時の膜厚を５ｎｍ〜２０ｎｍとすることができる。
図４（ｃ）に示すように、ホール注入層３１上に、隔壁材料４０ａを成膜する。具体的には、まずネガ型感光性樹脂材料と溶媒とを含む隔壁材料を塗布した後、８０℃〜１１０℃で２分間〜３分間加熱することにより、隔壁材料４０ａの成膜がなされる。
図５（ａ）に示すように、隔壁材料４０ａの上方に、開口４５ａが設けられたマスク４５を配置し、マスク４５の上方から黒矢印で示すように光を照射する。具体的には、マスクとしてハードマスク等を用いることができる。照射する光は、例えば、紫外線である。紫外線を照射することにより隔壁材料４０ａは光硬化する、すなわち隔壁材料４０ａの露光を行うことができる。
図５（ａ）に示すように、隔壁材料４０ａの上方に、開口４５ａが設けられたマスク４５を配置し、マスク４５の上方から黒矢印で示すように光を照射する。具体的には、マスクとしてハードマスク等を用いることができる。照射する光は、例えば、紫外線である。紫外線を照射することにより隔壁材料４０ａは光硬化する、すなわち隔壁材料４０ａの露光を行うことができる。
その後、硬化した隔壁材料４０ａを溶媒で洗うことにより、隔壁材料４０ａのうち未硬化の部分を洗い流す、すなわち隔壁材料４０ａの現像を行う。さらに、２００℃〜２３０℃で３０分間〜１２０分間焼成することにより、図５（ｂ）に示すように、第１隔壁４１、第２隔壁４２、および第３隔壁４３を形成することができる。
次に、図５（ｃ）に示すように、第１下部電極２１上および第２下部電極２２上に、それぞれホール輸送層５１，５２を形成する。具体的には、第１隔壁４１と第２隔壁４２とで挟まれた領域、および第１隔壁４１と第３隔壁４３とで挟まれた領域に、印刷法を用いてホール輸送層材料を塗布し、その後乾燥させることで、ホール輸送層５１，５２が形成される。ホール輸送層５１，５２の厚みは、１０ｎｍ〜５０ｎｍである。
次に、図５（ｃ）に示すように、第１下部電極２１上および第２下部電極２２上に、それぞれホール輸送層５１，５２を形成する。具体的には、第１隔壁４１と第２隔壁４２とで挟まれた領域、および第１隔壁４１と第３隔壁４３とで挟まれた領域に、印刷法を用いてホール輸送層材料を塗布し、その後乾燥させることで、ホール輸送層５１，５２が形成される。ホール輸送層５１，５２の厚みは、１０ｎｍ〜５０ｎｍである。
図６（ａ）に示すように、第１隔壁４１と第２隔壁４２とで挟まれた領域、および第１隔壁４１と第３隔壁４３とで挟まれた領域に、印刷法を用いて、それぞれ第１インク６１Ｉおよび第２インク６２Ｉを塗布する。この断面では現れていないが、第２隔壁４２と第３隔壁４３とで挟まれた領域には、第３インクが塗布される。なお、第１インク６１Ｉ、第２インク６２Ｉ、および第３インクは、それぞれ発光色が緑色、青色、赤色である有機発光材料と溶媒とを混合して構成されたインクである。
第１インク６１Ｉおよび第２インク６２Ｉを乾燥させることにより、図６（ｂ）に示すように、第１発光層６１および第２発光層６２を形成することができる。
図６（ｃ）に示すように、第１発光層６１および第２発光層６２および隔壁４０の上面を全面に覆うように、電子注入層８１、上部電極８２、封止層９１を順に成膜する。具体的には、電子注入層８１および上部電極８２および封止層９１は、スパッタリング法を用いて順に成膜される。
図６（ｃ）に示すように、第１発光層６１および第２発光層６２および隔壁４０の上面を全面に覆うように、電子注入層８１、上部電極８２、封止層９１を順に成膜する。具体的には、電子注入層８１および上部電極８２および封止層９１は、スパッタリング法を用いて順に成膜される。
これらの工程により、表示装置１を形成することができる。
５．検討
上述したように表示装置１では、隔壁の上面は中間部を有する平面形状であった。一方、表示装置の構成によっては、隔壁の上面の形状が凹形状となることで、発光層を印刷法で形成する過程において、有機発光材料を含むインクの混色が生じるという問題が生じるおそれがあった。
５．検討
上述したように表示装置１では、隔壁の上面は中間部を有する平面形状であった。一方、表示装置の構成によっては、隔壁の上面の形状が凹形状となることで、発光層を印刷法で形成する過程において、有機発光材料を含むインクの混色が生じるという問題が生じるおそれがあった。
（１）隔壁の上面が凹形状である場合の問題点
まず、隔壁の上面の形状が凹形状である場合に、インクの混色が生じるメカニズムについて図７を用いて説明する。図７（ａ）の比較例に示すように、第１隔壁９４１の上面９４１ｂが凹形状の場合には、上面９４１ｂは曲面部９４１ｂ３を有する。一方、高精細化などにより、第１インク９６１Ｉおよび第２インク９６２Ｉが第１隔壁９４１の上面９４１ｂにまで濡れ拡がることがある。このとき、第１インク９６１Ｉは、第１隔壁９４１の上面９４１ｂの曲面部９４１ｂ３に沿って、第１隔壁９４１の上面９４１ｂの中央９６１ｂ４に向かって拡がる。同様に、第２インク９６２Ｉも、そのまま第１隔壁９４１の上面９４１ｂの曲面部９４１ｂ３に沿って、第１隔壁９４１の上面９４１ｂの中央９６１ｂ４に向かって拡がる。その結果、図７（ｂ）に示すように、第１インク９６１Ｉおよび第２インク９６２Ｉが接触し、インクの混色が生じてしまう。
まず、隔壁の上面の形状が凹形状である場合に、インクの混色が生じるメカニズムについて図７を用いて説明する。図７（ａ）の比較例に示すように、第１隔壁９４１の上面９４１ｂが凹形状の場合には、上面９４１ｂは曲面部９４１ｂ３を有する。一方、高精細化などにより、第１インク９６１Ｉおよび第２インク９６２Ｉが第１隔壁９４１の上面９４１ｂにまで濡れ拡がることがある。このとき、第１インク９６１Ｉは、第１隔壁９４１の上面９４１ｂの曲面部９４１ｂ３に沿って、第１隔壁９４１の上面９４１ｂの中央９６１ｂ４に向かって拡がる。同様に、第２インク９６２Ｉも、そのまま第１隔壁９４１の上面９４１ｂの曲面部９４１ｂ３に沿って、第１隔壁９４１の上面９４１ｂの中央９６１ｂ４に向かって拡がる。その結果、図７（ｂ）に示すように、第１インク９６１Ｉおよび第２インク９６２Ｉが接触し、インクの混色が生じてしまう。
これに対して、表示装置１のように、第１隔壁４１の上面４１ｂの形状が平面形状であれば、インクの混色が生じることを抑制することができる。
（２）ｃ寸法とｅ寸法との比率ｃ／ｅに対する隔壁の上面の形状
一方、発明者らの検討の結果、隔壁の上面の形状を平面形状として設計した場合でも、隔壁の製造過程において意図せず隔壁の上面の形状が凹形状になることがあることが判明した。その原因を鋭意検討した結果、露光後の隔壁材料の焼成の際に隔壁材料が収縮することで、隔壁の上面の形状が凹形状になることが考えられた。さらなる検討の結果、発明者らは、隔壁の上面の形状が、隔壁の底面の第１部分の幅と隔壁の幅との比率に対して変化すると考えた。以下、この仮説について図８を用いて詳しく説明する。なお、焼成前の隔壁材料と焼成後の隔壁とでは、隔壁の底面の第１部分の幅ｃ、ｃ´および隔壁の幅ｅは変化しないものとする。また、隔壁の底面の第１部分の幅ｃ、ｃ´は等しいものとする。ホール注入層は、簡単のために図中では示していない。
（２）ｃ寸法とｅ寸法との比率ｃ／ｅに対する隔壁の上面の形状
一方、発明者らの検討の結果、隔壁の上面の形状を平面形状として設計した場合でも、隔壁の製造過程において意図せず隔壁の上面の形状が凹形状になることがあることが判明した。その原因を鋭意検討した結果、露光後の隔壁材料の焼成の際に隔壁材料が収縮することで、隔壁の上面の形状が凹形状になることが考えられた。さらなる検討の結果、発明者らは、隔壁の上面の形状が、隔壁の底面の第１部分の幅と隔壁の幅との比率に対して変化すると考えた。以下、この仮説について図８を用いて詳しく説明する。なお、焼成前の隔壁材料と焼成後の隔壁とでは、隔壁の底面の第１部分の幅ｃ、ｃ´および隔壁の幅ｅは変化しないものとする。また、隔壁の底面の第１部分の幅ｃ、ｃ´は等しいものとする。ホール注入層は、簡単のために図中では示していない。
図８は、焼成する前の隔壁材料４０ａを示す模式断面図である。図８（ａ）は隔壁材料の底面の第２部分の幅ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅが大きい例を示し、図８（ｂ）は隔壁材料の底面の第２部分の幅ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅが小さい例を示す。基板１１上に配置された隔壁材料４０ａは、隔壁材料４０ａの底面の第１部分の幅ｄに対応する部分Ａｄと、隔壁材料４０ａの底面の第１部分の幅ｃに対応する部分Ａｃとを有する。一方、隔壁材料４０ａの焼成は、隔壁材料４０ａに含まれる溶媒を完全に除去できるように時間をかけて行う。そのため、隔壁材料４０ａに含まれる感光性樹脂材料の分布が均一であれば、隔壁材料４０ａの焼成による収縮率は、いずれの箇所においても均一であると考えられる。また、隔壁材料４０ａの部分Ａｃの厚みは、部分Ａｄの厚みよりも小さい。部分Ａｃおよび部分Ａｄにおける収縮量は、焼成前の部分Ａｃの厚みおよび焼成前における部分Ａｄの厚みに収縮率をそれぞれ乗じることで得られる。そのため、隔壁材料４０ａの部分Ａｃの収縮量は、部分Ａｄで収縮量よりも小さくなる。
図８（ａ）のように、隔壁材料４０ａの底面の第２部分の幅ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅが大きいと、隔壁材料４０ａの部分Ａｃと、隔壁材料４０ａの部分Ａｄとで、隔壁の厚みの差が顕著になる。例えば、隔壁材料４０ａの底面の第２部分の幅ｃが、隔壁材料４０ａの幅ｅの３０％である場合を考える。この場合、隔壁材料４０ａの部分Ａｃの幅および隔壁材料４０ａの部分Ａｄの幅は、それぞれ３０％、４０％となる。この場合、隔壁材料４０ａを焼成すると、両端３０％の収縮量が小さく、中央４０％の収縮量が大きいため、第１隔壁の上面が凹形状となる。
一方、図８（ｂ）に示すように、隔壁材料４０ａの底面の第２部分の幅ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅが小さいと、隔壁材料４０ａの部分Ａｃと、隔壁材料４０ａの部分Ａｄとで、隔壁の厚みの差が目立たない。例えば、隔壁材料４０ａの底面の第２部分の幅ｃが、隔壁材料４０ａの幅ｅの１０％である場合を考える。この場合、隔壁材料４０ａの部分Ａｃの幅、隔壁材料４０ａの部分Ａｄの幅は、それぞれ１０％、８０％となる。この場合、隔壁材料４０ａを焼成すると、両端１０％の収縮量が小さく、中央８０％の収縮量が大きい。そして、収縮量が大きい中央部分が隔壁の大部分（８０％）を占めるため、隔壁材料４０ａの部分Ａｃと、隔壁材料４０ａの部分Ａｄとで、隔壁材料４０ａの収縮量の差が目立たなくなる。これにより、第１隔壁の上面が平面部を有することになる。
このようなメカニズムにより、隔壁の底面の第２部分の幅ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅが大きくなると、隔壁の上面の凹みが大きくなると考えられる。
上述した仮説に鑑みて、隔壁の底面の第２部分の幅が異なるサンプルを作成し、隔壁の形状を観察した。図９は、隔壁の断面をＳＥＭで撮影した写真である。図９（ａ）〜図９（ｃ）は、それぞれサンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣに対応する。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いてサンプルＡ〜Ｃの隔壁をそれぞれ測定した結果を示す図であり、下側の図は上側の図の拡大図に相当する。図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いてサンプルＤ〜Ｆの隔壁の隔壁をそれぞれ測定した結果を示す図である。サンプルＡ〜Ｆはいずれも、第１隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さｂはそれぞれ３５０ｎｍである。また、基板の上面から第１隔壁の上面の最高点までの高さが１．３５μｍとなるよう設計している。なお、実際に完成した第１隔壁について、下部電極の上面から第１隔壁の上面の最高点までの高さは、サンプルＡ〜Ｆにおいていずれも１．０μｍ〜１．１μｍである。そのため、第１隔壁の底面の第１部分から第１隔壁の上面の最高点までの高さａは、１．３５μｍ〜１．４５μｍであり、サンプルごとの高さａのマージンは約７％以内であった。そのため、サンプルＡ〜Ｆにおいていずれにおいても、第１隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さｂと第１隔壁の底面の第１部分から第１隔壁の上面の最高点までの高さａとの比率は、３０％であるといってよい。さらに、サンプルＡ〜Ｆはいずれも、隔壁の底面の第２部分の幅ｃが第１下部電極側と第２下部電極側とでそれぞれ等しい。サンプルＡ〜Ｃ、Ｆについて、第１隔壁の幅ｅはいずれも１０μｍである。サンプルＥ、Ｆについて、第１隔壁の幅ｅはそれぞれ１２μｍ、１４μｍである。
上述した仮説に鑑みて、隔壁の底面の第２部分の幅が異なるサンプルを作成し、隔壁の形状を観察した。図９は、隔壁の断面をＳＥＭで撮影した写真である。図９（ａ）〜図９（ｃ）は、それぞれサンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣに対応する。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いてサンプルＡ〜Ｃの隔壁をそれぞれ測定した結果を示す図であり、下側の図は上側の図の拡大図に相当する。図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いてサンプルＤ〜Ｆの隔壁の隔壁をそれぞれ測定した結果を示す図である。サンプルＡ〜Ｆはいずれも、第１隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さｂはそれぞれ３５０ｎｍである。また、基板の上面から第１隔壁の上面の最高点までの高さが１．３５μｍとなるよう設計している。なお、実際に完成した第１隔壁について、下部電極の上面から第１隔壁の上面の最高点までの高さは、サンプルＡ〜Ｆにおいていずれも１．０μｍ〜１．１μｍである。そのため、第１隔壁の底面の第１部分から第１隔壁の上面の最高点までの高さａは、１．３５μｍ〜１．４５μｍであり、サンプルごとの高さａのマージンは約７％以内であった。そのため、サンプルＡ〜Ｆにおいていずれにおいても、第１隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さｂと第１隔壁の底面の第１部分から第１隔壁の上面の最高点までの高さａとの比率は、３０％であるといってよい。さらに、サンプルＡ〜Ｆはいずれも、隔壁の底面の第２部分の幅ｃが第１下部電極側と第２下部電極側とでそれぞれ等しい。サンプルＡ〜Ｃ、Ｆについて、第１隔壁の幅ｅはいずれも１０μｍである。サンプルＥ、Ｆについて、第１隔壁の幅ｅはそれぞれ１２μｍ、１４μｍである。
サンプルＡでは、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃが１．５μｍである。すなわち、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃと第１隔壁４１の幅ｅとの比率ｃ／ｅが１５％である。この場合、図１０（ａ）の下側の図に示すように、第１隔壁４１の上面４１ｂの凹みｆは、１０ｎｍである。なお、ピーク位置４１ｐｐは、下部電極の隙間を臨む端部の延長線ｌよりも内側に位置する。
サンプルＢでは、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃが２．０μｍである。すなわち、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃと第１隔壁４１の幅ｅとの比率ｃ／ｅが２０％である。この場合、図１０（ｂ）の下側の図に示すように、第１隔壁４１の上面４１ｂの凹みｆは、２０ｎｍである。なお、ピーク位置４１ｐｐは、下部電極の隙間を臨む端部の延長線ｌ上に位置する。
サンプルＣでは、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃが３．０μｍである。すなわち、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃと第１隔壁４１の幅ｅとの比率ｃ／ｅは３０％である。この場合、図１０（ｃ）の下側の図に示すように、第１隔壁４１の上面４１ｂの凹みｆは、５０ｎｍである。なお、ピーク位置４１ｐｐは、下部電極の隙間を臨む端部の延長線ｌよりも外側に位置する。
図１１（ａ）に示すように、サンプルＤでは、第１隔壁４１の幅ｅは１２μｍであり、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃが４．０μｍである。すなわち、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃと第１隔壁４１の幅ｄとの比率ｃ／ｅが３３％である。この場合、第１隔壁４１の上面の凹みｆは１００ｎｍである。なお、ピーク位置４１ｐｐは、下部電極の隙間を臨む端部の延長線ｌよりも外側に位置する。
図１１（ｂ）に示すように、サンプルＥでは、第１隔壁４１の幅ｅは１４μｍであり、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃが５．０μｍである。すなわち、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃと第１隔壁４１の幅ｅとの比率ｃ／ｅが３６％である。この場合、第１隔壁４１の上面の凹みｆは１００ｎｍである。なお、ピーク位置４１ｐｐは、下部電極の隙間を臨む端部の延長線ｌよりも外側に位置する。
図１１（ｃ）に示すように、サンプルＦでは、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃが４．０μｍである。すなわち、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃと第１隔壁４１の幅ｄとの比率ｃ／ｅが４０％である。この場合、第１隔壁４１の上面の凹みｆは１００ｎｍである。なお、ピーク位置４１ｐｐは、下部電極の隙間を臨む端部の延長線ｌよりも外側に位置する。
サンプルＡ〜Ｆにより、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃが大きくなると、第１隔壁４１の上面４１ｂの凹みｆが大きくなることが判明した。また、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃと第１隔壁４１の幅ｅとの比率ｃ／ｅが１５％、２０％であれば、第１隔壁４１の上面４１ｂの凹みｆが５０ｎｍ未満となり、第１隔壁４１の上面４１ｂが平面形状といえることが判明した。
（３）ｂ寸法とａ寸法との比率ｂ／ａと隔壁の形状
さらなる検討の結果、発明者は、「隔壁の底面の第１部分の幅ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅ」以外にも、隔壁の上面の形状は、隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さｂと隔壁の底面の第１部分から隔壁の上面の最高点までの高さａとの比率ｂ／ａに関係して変化すると考えた。なお、第１下部電極および第２下部電極の厚みではなく第１隔壁の底面から第２部分までの高さｂを用いる理由は、第１下部電極および第２下部電極を直接被覆するように第１隔壁が形成される場合のみならず、第１下部電極および第２下部電極と第１隔壁との間にホール注入層が介挿される場合も考慮しているためである。
以下、この仮説について図１２を用いて説明する。図１２は、焼成前の隔壁材料の形状を示す模式断面図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）との相違点は、第１隔壁４１の底面の第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂの違いのみである
図１２（ａ）に示すように、第１隔壁４１の底面の第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂが大きいと、隔壁材料４０ａの部分Ａｃにおける収縮量と、隔壁材料４０ａの部分Ａｄにおける収縮量との差が大きくなる。一方、図１２（ｂ）に示すように、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂが小さいと、隔壁材料４０ａの部分Ａｃにおける収縮量と、隔壁材料４０ａの部分Ａｄにおける収縮量との差が小さくなる。このように、隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さｂと隔壁の底面の第１部分から隔壁の上面の最高点までの高さａとの比率ｂ／ａが小さいほど、第１隔壁４１の上面が凹形状になりにくくなる。
さらなる検討の結果、発明者は、「隔壁の底面の第１部分の幅ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅ」以外にも、隔壁の上面の形状は、隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さｂと隔壁の底面の第１部分から隔壁の上面の最高点までの高さａとの比率ｂ／ａに関係して変化すると考えた。なお、第１下部電極および第２下部電極の厚みではなく第１隔壁の底面から第２部分までの高さｂを用いる理由は、第１下部電極および第２下部電極を直接被覆するように第１隔壁が形成される場合のみならず、第１下部電極および第２下部電極と第１隔壁との間にホール注入層が介挿される場合も考慮しているためである。
以下、この仮説について図１２を用いて説明する。図１２は、焼成前の隔壁材料の形状を示す模式断面図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）との相違点は、第１隔壁４１の底面の第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂの違いのみである
図１２（ａ）に示すように、第１隔壁４１の底面の第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂが大きいと、隔壁材料４０ａの部分Ａｃにおける収縮量と、隔壁材料４０ａの部分Ａｄにおける収縮量との差が大きくなる。一方、図１２（ｂ）に示すように、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂが小さいと、隔壁材料４０ａの部分Ａｃにおける収縮量と、隔壁材料４０ａの部分Ａｄにおける収縮量との差が小さくなる。このように、隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さｂと隔壁の底面の第１部分から隔壁の上面の最高点までの高さａとの比率ｂ／ａが小さいほど、第１隔壁４１の上面が凹形状になりにくくなる。
（４）第１隔壁の寸法条件
これらを踏まえて、第１隔壁の寸法条件を検討した。図１３は、第１隔壁の寸法関係を示すグラフである。グラフの横軸は、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂと第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第１隔壁４１の上面の最高点までの高さａとの比率ｂ／ａを示す。グラフの縦軸は、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃと第１隔壁４１の幅ｅとの比率ｃ／ｅを示す。各プロットは、図１０、図１１で示したサンプルＡ〜Ｆに対応している。上述したように、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂと第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第１隔壁４１の上面の最高点までの高さａとの比率ｂ／ａは、サンプルＡ〜Ｆに関していずれも３０％である。また、隔壁の底面の第２部分の幅ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅは、サンプルＡ〜Ｆに関してそれぞれ、１５％、２０％、３０％、３３％、３６％、４０％である。
これらを踏まえて、第１隔壁の寸法条件を検討した。図１３は、第１隔壁の寸法関係を示すグラフである。グラフの横軸は、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂと第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第１隔壁４１の上面の最高点までの高さａとの比率ｂ／ａを示す。グラフの縦軸は、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃと第１隔壁４１の幅ｅとの比率ｃ／ｅを示す。各プロットは、図１０、図１１で示したサンプルＡ〜Ｆに対応している。上述したように、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂと第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第１隔壁４１の上面の最高点までの高さａとの比率ｂ／ａは、サンプルＡ〜Ｆに関していずれも３０％である。また、隔壁の底面の第２部分の幅ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅは、サンプルＡ〜Ｆに関してそれぞれ、１５％、２０％、３０％、３３％、３６％、４０％である。
サンプルＡ、Ｂは第１隔壁の上面の凹みが５０ｎｍ未満であるため、第１隔壁の上面が平面形状であるとみなすことができる。一方、サンプルＣ〜Ｆは第１隔壁の上面の凹みが５０ｎｍ以上であるため、第１隔壁の上面が平面形状であるとみなすことができない。また、図８を用いて説明したように、第１隔壁４１の底面の第２部分の幅ｃの第１隔壁４１の幅ｅに対する比率が大きくなると、第１隔壁４１の上面の凹みが大きくなる傾向がある。この傾向と、サンプルＢのｃ／ｅが２０％であることとを考慮すると、第１隔壁４１の寸法条件の第１要件は、グラフの領域Ａ１で示される範囲である「ｃ／ｅが２０％以下」となる。
一方、図１４を用いて説明したように、第１隔壁４１の底面の第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂが小さいほど、第１隔壁４１の上面が凹形状になりにくくなるという傾向がある。そのため、グラフのサンプルＡ，Ｂを繋いだ直線よりも左側の領域である領域Ａ２では、ｃ／ｅが等しければ、ｂ／ａが小さくなるほど第１隔壁４１の上面が凹形状になりにくくなるという傾向がある。この傾向と、サンプルＡ，Ｂのｂ／ａが３０％であることとを考慮すると、第１隔壁の寸法条件の第２要件は、「ｂ／ａが３０％以下」となる。従って、第１要件と第２要件とを兼ね備えた領域Ａ３で示す「ｃ／ｅが２０％以下である」且つ「ｂ／ａが３０％以下である」を満たせば、第１隔壁の上面４１は平面形状となる。
このように、第１隔壁４１の底面４１ａの第２部分４１ａ２の幅ｃは、第１隔壁４１の幅ｅに対してそれぞれ２０％以下であり、且つ、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第２部分４１ａ２までの高さｂが、第１隔壁４１の底面４１ａの第１部分４１ａ１から第１隔壁４１の上面４１ｂの最高点４１ｐまでの高さａに対して３０％以下である。これにより、第１隔壁４１の上面４１ｂの凹みが５０ｎｍ以内となり、第１隔壁４１の上面４１ｂが平面形状とみなせた。
（５）ｅ寸法と隔壁の上面の形状
発明者らはさらなる検討の結果、隔壁の底面の第２部分ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅを固定した場合であっても、隔壁の幅ｅに関係して、隔壁の上面の形状が変化すると考えた。以下、この仮説について図１４を用いて説明する。図１４の左側の図は、焼成前の隔壁材料の形状を示し、図１４の右側の図は、焼成後の第１隔壁の形状を示す。また、図１４（ａ）は第１隔壁の幅ｅが大きい例を示し、図１４（ｂ）は第１隔壁の幅ｅが小さい例を示す。なお、図１４（ａ）と図１４（ｂ）とでは、第１隔壁の底面の第２部分の幅ｃと第１隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅは同じとする。
発明者らはさらなる検討の結果、隔壁の底面の第２部分ｃと隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅを固定した場合であっても、隔壁の幅ｅに関係して、隔壁の上面の形状が変化すると考えた。以下、この仮説について図１４を用いて説明する。図１４の左側の図は、焼成前の隔壁材料の形状を示し、図１４の右側の図は、焼成後の第１隔壁の形状を示す。また、図１４（ａ）は第１隔壁の幅ｅが大きい例を示し、図１４（ｂ）は第１隔壁の幅ｅが小さい例を示す。なお、図１４（ａ）と図１４（ｂ）とでは、第１隔壁の底面の第２部分の幅ｃと第１隔壁の幅ｅとの比率ｃ／ｅは同じとする。
比率ｃ／ｅが一定であり隔壁材料４０ａの幅ｅが大きい場合（図１４（ａ））、比率ｃ／ｅが一定であり隔壁材料４０ａの幅ｅが小さい場合（図１４（ｂ））よりも第１部分の幅ｄが大きくなる。これにより、図１４（ａ）に示すように、比率ｃ／ｅが一定であり隔壁材料４０ａの幅ｅが大きい場合、第１隔壁４１の上面４１ｂが凹形状となる。なお、第１隔壁４１の上面４１ｂの凹部４１ｂ４の半分ｇ１は、曲面部ｇ２と中間部ｇ３とで構成される。一方、隔壁材料４０ａの幅ｅが小さい図１４（ｂ）では、第１部分の幅ｄが図１４（ａ）と比べて小さい。そのため、第１隔壁４１の上面４１ｂにおける凹部４１ｂ４の幅が小さくなり、凹部４１ｂ４の半分ｇ１´は、曲面部のみで構成される。なお、ｇ１´の幅はｇ２の幅よりも小さい。その結果、第１隔壁４１の上面４１ｂの凹部４１ｂ４の中央位置４１ｂ５が、図１４（ａ）と比べて高くなる。これにより、図１４（ｂ）では、第１隔壁４１の上面の凹みが目立たなくなる。従って、比率ｃ／ｅが一定であれば、第１隔壁４１の幅ｅが小さくなるほど第１隔壁４１の上面４１ｂの凹みが目立たなくなると考えられる。
上述の第１要件および第２要件を満たしたサンプルＡ、Ｂでは、第１隔壁の幅ｅが１０μｍであり、第１隔壁４１の上面４１ｂの形状は平面形状である。サンプルＡ、Ｂの第１隔壁の幅ｅと、第１隔壁の幅ｅが小さくなるほど第１隔壁４１の上面４１ｂの凹みが目立たなくなるという仮説とを踏まえると、第１隔壁４１の幅ｅは、１０μｍ以下であれば、第１隔壁４１の上面の凹みがより目立たなくなると考えられる。そのため、第１隔壁４１の幅ｅは、１０μｍ以下であることが好ましい。
＜変形例＞
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。なお、上記示した各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。なお、上記示した各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
１．第１隔壁の上面の形状
上記実施の形態では、第１隔壁の上面は平面形状であった。しかしながら、これに限らず、第１隔壁の上面は凸形状であってもよい。このような形状であれば、第１隔壁の上面が第１隔壁の中央が低いような曲面を有さないので、第１下部電極、第２下部電極の上方に塗布したそれぞれインクが第１隔壁の上面上で接触することを抑制できる。その結果、隣り合うインクの混色を抑制することができる。以下、第１隔壁の上面が凸形状である変形例を説明する。
上記実施の形態では、第１隔壁の上面は平面形状であった。しかしながら、これに限らず、第１隔壁の上面は凸形状であってもよい。このような形状であれば、第１隔壁の上面が第１隔壁の中央が低いような曲面を有さないので、第１下部電極、第２下部電極の上方に塗布したそれぞれインクが第１隔壁の上面上で接触することを抑制できる。その結果、隣り合うインクの混色を抑制することができる。以下、第１隔壁の上面が凸形状である変形例を説明する。
図１５は、変形例に係る表示装置１０１の模式断面図である。第１隔壁１４１の上面１４１ｂは、平面部を有さず、２つの斜面部１４１ｂ２で構成されている。その結果、第１隔壁１４１の上面１４１ｂは、全体として凸形状である。第１隔壁１４１の最高点１４１ｐ１は、第１隔壁１４１の上面１４１ｂのうち略中央部分に位置する。
仮に、実施の形態１で示した表示装置１における第１隔壁４１の幅を小さくしても、斜面部の形状は変化しないと考えられる。そのため、第１隔壁４１の幅を徐々に小さくすると、第１隔壁４１の中間部の幅は小さくなり、やがて中間部はゼロとなる。そして、サンプルＡ，Ｂで得られた斜面部の形状を考慮すると、第１隔壁１４１の幅eを３μｍ〜５μｍとすれば、中間部がゼロとなると考えられる。従って、第１隔壁１４１の底面１４１ａの第１部分１４１ａ１から第１隔壁１４１の上面１４１ｂの最高点１４１ｐ１までの高さａが１．４μｍ以下である場合、第１隔壁１４１の幅ｅを３μｍ〜５μｍとすることで実現することで、第１隔壁の上面の形状を凸形状とすることができる。
仮に、実施の形態１で示した表示装置１における第１隔壁４１の幅を小さくしても、斜面部の形状は変化しないと考えられる。そのため、第１隔壁４１の幅を徐々に小さくすると、第１隔壁４１の中間部の幅は小さくなり、やがて中間部はゼロとなる。そして、サンプルＡ，Ｂで得られた斜面部の形状を考慮すると、第１隔壁１４１の幅eを３μｍ〜５μｍとすれば、中間部がゼロとなると考えられる。従って、第１隔壁１４１の底面１４１ａの第１部分１４１ａ１から第１隔壁１４１の上面１４１ｂの最高点１４１ｐ１までの高さａが１．４μｍ以下である場合、第１隔壁１４１の幅ｅを３μｍ〜５μｍとすることで実現することで、第１隔壁の上面の形状を凸形状とすることができる。
２．陽極およびホール注入層
上記実施の形態等では、ホール注入層は、パターニングされておらず、第１下部電極、第２下部電極、および基板上のうち隙間に位置する部分を覆っていた。しかしながら、これに限らず、ホール注入層は、第１下部電極および第２下部電極と同時にパターニングされていてもよい。以下、この変形例について、図１６、図１７を用いて説明する。
上記実施の形態等では、ホール注入層は、パターニングされておらず、第１下部電極、第２下部電極、および基板上のうち隙間に位置する部分を覆っていた。しかしながら、これに限らず、ホール注入層は、第１下部電極および第２下部電極と同時にパターニングされていてもよい。以下、この変形例について、図１６、図１７を用いて説明する。
図１６は、変形例に係る表示装置２０１の模式断面図である。ホール注入層２３１は、第１下部電極２１および第２下部電極２２をそれぞれ覆うように形成されている。この場合も、第１隔壁４１の底面２４１ａは、基板１１の隙間２５に対応する部分に位置する第１部分２４１ａ１と、第１下部電極２１および第２下部電極２２の上に位置する第２部分２４１ａ２とを有する。第１部分２４１ａ１は、基板１１を直接覆っている。そのため、第１隔壁４１の底面２４１ａの第１部分２４１ａ１から第２部分２４１ａ２までの高さは、第１下部電極２１の厚みにホール注入層２３１の厚みを加算した値、および、第２下部電極２２の厚みにホール注入層２３１の厚みを加算した値である。
ホール注入層２３１は、図１７に示す製造方法で形成することができる。まず、図１７（ａ）に示すように、基板１１上に下部電極材料膜２０ａおよび金属膜２３１ａを成膜する。さらに、フォトリソグラフィ―法およびエッチング法を用いることで、下部電極材料膜２０ａおよび金属膜２３１ａをパターニングすることにより、図１７（ｂ）に示すように、第１下部電極２１、第２下部電極２２、およびホール注入層２３１を形成することができる。金属膜２３１ａをエッチングする際には、例えば、ドライエッチング法を用いる。また、下部電極材料膜２０ａをエッチングする際には、立てば、ウェットエッチング法を用いる。
また、上記実施の形態等では、下部電極をアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムを含有する合金、銀（Ａｇ）、銀合金などで構成される一層で形成していた。しかしながら、これに限らず、例えば、アルミニウムを含有する合金で構成される層を、タングステンで構成されるバリア層を二層用いて挟む構成としてもよい。この場合、バリア層のエッチングの際には、ドライエッチング法を用いる。
３．有機機能層
上記実施の形態等では、有機機能層をホール輸送層と発光層とで構成した。しかしながら、これに限らず、有機機能層を発光層のみで構成してもよいし、有機機能層をホール輸送層および発光層に電子ブロック層やバッファ層を追加して構成してもよい。
上述した第１要件および第２要件を満たす構成では、有機機能層をホール輸送層と発光層とで構成し、且つ、インクを用いた印刷法でホール輸送層を形成する場合、例えば、第１下部電極の上方に塗布したインクおよび第２下部電極上方に塗布したインクが、第１隔壁上で接触することを抑制できる。これは、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれのサブピクセルに対応させてホール輸送層の厚みを変化させたい場合に有用である。なお、発光層が印刷法で形成されない場合でも、インク有機機能層のうち少なくとも１層が印刷法で形成されていれば、本発明の効果を奏することができる。
上記実施の形態等では、有機機能層をホール輸送層と発光層とで構成した。しかしながら、これに限らず、有機機能層を発光層のみで構成してもよいし、有機機能層をホール輸送層および発光層に電子ブロック層やバッファ層を追加して構成してもよい。
上述した第１要件および第２要件を満たす構成では、有機機能層をホール輸送層と発光層とで構成し、且つ、インクを用いた印刷法でホール輸送層を形成する場合、例えば、第１下部電極の上方に塗布したインクおよび第２下部電極上方に塗布したインクが、第１隔壁上で接触することを抑制できる。これは、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれのサブピクセルに対応させてホール輸送層の厚みを変化させたい場合に有用である。なお、発光層が印刷法で形成されない場合でも、インク有機機能層のうち少なくとも１層が印刷法で形成されていれば、本発明の効果を奏することができる。
本発明は、表示装置、例えば、有機ＥＬ表示パネルとして利用することができる。
１ 表示装置
１１ 基板
２１ 第１下部電極
２２ 第２下部電極
３１ ホール注入層
４０ 隔壁
４１ 第１隔壁
４１ａ 底面
４１ａ１ 第１部分
４１ａ２ 第２部分
４１ｂ 上面
４１ｐ１ 最高点
４２ 第２隔壁
４３ 第３隔壁
５１ ホール輸送層
６１ 第１発光層
６２ 第２発光層
７１ 第１有機機能層
７２ 第２有機機能層
８１ 電子注入層
８２ 上部電極
９１ 封止層
１１ 基板
２１ 第１下部電極
２２ 第２下部電極
３１ ホール注入層
４０ 隔壁
４１ 第１隔壁
４１ａ 底面
４１ａ１ 第１部分
４１ａ２ 第２部分
４１ｂ 上面
４１ｐ１ 最高点
４２ 第２隔壁
４３ 第３隔壁
５１ ホール輸送層
６１ 第１発光層
６２ 第２発光層
７１ 第１有機機能層
７２ 第２有機機能層
８１ 電子注入層
８２ 上部電極
９１ 封止層
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に、互いに隙間を空けて設けられた第１下部電極および第２下部電極と、
前記第１下部電極および前記第２下部電極の間の隙間の幅よりも大きな幅を有し、一部が前記基板上の前記隙間に対応する部分を被覆し、且つ、残部が前記第１下部電極上の一部および前記第２下部電極上の一部を被覆し、樹脂材料で構成された隔壁と、
前記第１下部電極の前記隔壁に被覆された領域以外の領域上方および前記第２下部電極の前記隔壁に被覆された領域以外の領域上方にそれぞれ設けられ、発光層をそれぞれ含む第１有機機能層および第２有機機能層と、
前記第１有機機能層および前記第２有機機能層の上方に設けられた上部電極と、
を備え、
前記隔壁の底面は、前記基板上の前記隙間に対応する部分に位置する第１部分と、前記第１下部電極上および前記第２下部電極上にそれぞれ位置する第２部分とを有し、
前記第２部分の前記基板の上面からの高さは、前記第１部分の前記基板の上面からの高さよりも高く、
前記隔壁の上面は、前記基板の上面からの高さが最も高い最高点を含み、
前記隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さは、前記隔壁の底面の第１部分から前記隔壁の上面の最高点までの高さに対して、３０％以下であり、
前記隔壁の底面の第２部分の幅は、前記隔壁の幅に対して、それぞれ２０％以下である、
表示装置。 - 前記隔壁の幅は、１０μｍ以下である、
請求項１に記載の表示装置。 - 前記隔壁の底面の第２部分の幅は、それぞれ１．０μｍ以上である、
請求項２に記載の表示装置。 - 前記隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さは、それぞれ０．４μｍ以下であり、
前記隔壁の底面の第１部分から前記隔壁の上面の最高点までの高さは、１．４μｍ以上である、
請求項１に記載の表示装置。 - 前記隔壁の上面は、前記隔壁の幅方向の両端からそれぞれ斜めに立ち上がる２つの斜面部と、当該２つの斜面部の間に位置する中間部とを有し、
前記隔壁の上面の２つの斜面部の前記基板の上面に平行な方向における幅は、前記隔壁の底面の第２部分の幅と同じまたは当該第２部分の幅よりも大きい、
請求項１に記載の表示装置。 - 基板を準備する工程と、
前記基板上に、互いに隙間を空けて設けられる第１下部電極および第２下部電極を形成する工程と、
前記第１下部電極および前記第２下部電極の間の隙間の幅よりも大きな幅を有し、一部が前記基板上の前記隙間に対応する部分を被覆し、且つ、残部が前記第１下部電極上の一部および前記第２下部電極上の一部を被覆し、樹脂材料を含む隔壁材料を配置する工程と、
前記隔壁材料を焼成することにより、隔壁を形成する工程と、
前記第１下部電極の前記隔壁に被覆された領域以外の領域上方および前記第２下部電極の前記隔壁に被覆された領域以外の領域上方にそれぞれインクを塗布し、当該インクを乾燥させることで、第１有機機能層および第２有機機能層を形成する工程と、
前記第１有機機能層および第２有機機能層の上方に上部電極を形成する工程と、
を含み、
前記隔壁の底面は、前記基板上の前記隙間に対応する部分に位置する第１部分と、前記第１下部電極上および前記第２下部電極上にそれぞれ位置する第２部分とを有し、
前記第２部分の前記基板の上面からの高さは、前記第１部分の前記基板の上面からの高さよりも高く、
前記隔壁の上面は、前記基板の上面からの高さが最も高い最高点を含み、
前記隔壁の底面の第１部分から第２部分までの高さは、前記隔壁の底面の第１部分から前記隔壁の上面の最高点までの高さに対して、３０％以下であり、
前記隔壁の底面の第２部分の幅は、前記隔壁の幅に対して、それぞれ２０％以下である、
表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014228164A JP2016091942A (ja) | 2014-11-10 | 2014-11-10 | 表示装置とその製造方法 |
| US14/935,508 US20160133869A1 (en) | 2014-11-10 | 2015-11-09 | Display device and manufacturing method for the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2014228164A JP2016091942A (ja) | 2014-11-10 | 2014-11-10 | 表示装置とその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016091942A true JP2016091942A (ja) | 2016-05-23 |
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ID=55912962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014228164A Pending JP2016091942A (ja) | 2014-11-10 | 2014-11-10 | 表示装置とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160133869A1 (ja) |
| JP (1) | JP2016091942A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022074713A1 (ja) * | 2020-10-05 | 2022-04-14 | シャープ株式会社 | 表示装置、及び、その製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102601128B1 (ko) | 2016-09-29 | 2023-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| JP2019046599A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2391686B (en) * | 2002-07-31 | 2006-03-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Electroluminescent display and process for producing the same |
| KR100508002B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2005-08-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 노즐코팅을 이용한 유기 전계 발광 소자 제조 방법 |
| US7910271B2 (en) * | 2004-10-13 | 2011-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Functional substrate |
| US8183766B2 (en) * | 2007-03-07 | 2012-05-22 | Au Optronics Corp. | Pixel structure of organic electroluminescent display panel and method of making the same |
| JP4888346B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2012-02-29 | セイコーエプソン株式会社 | 液状体の塗布方法、有機ｅｌ素子の製造方法 |
| CN102960067B (zh) * | 2010-10-15 | 2016-03-09 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机发光面板及其制造方法以及有机显示装置 |
| WO2013190847A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子およびその製造方法 |
-
2014
- 2014-11-10 JP JP2014228164A patent/JP2016091942A/ja active Pending
-
2015
- 2015-11-09 US US14/935,508 patent/US20160133869A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2022074713A1 (ja) * | 2020-10-05 | 2022-04-14 | シャープ株式会社 | 表示装置、及び、その製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20160133869A1 (en) | 2016-05-12 |
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