JP2016089674A - イグナイタおよび車両 - Google Patents
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Abstract
【課題】小さな回路規模でソフトシャットオフが可能なイグナイタを提供する。【解決手段】電圧コンパレータ302は、点火信号IGTに応じた電圧VINを基準電圧VREFと比較し、判定信号SDETを生成する。過電圧保護素子206は、パワートランジスタ204のゲートエミッタ間に設けられる。ソフトシャットオフ回路320は、判定信号SDETがアサートレベルである状態が、所定の通電保護時間TPにわたり持続するとイネーブル状態となり、イネーブル状態において、駆動ステージ300Bの出力をハイインピーダンスとするとともに、パワートランジスタ204のゲートに補正電流ICMPを供給する。【選択図】図4
Description
本発明は、エンジンの点火プラグと接続されるイグニッションコイルを制御するイグナイタに関する。
図1は、ガソリンエンジン車(以下、単に車両ともいう)100のエンジンルーム101の斜視図である。エンジンルーム101には、エンジン110、吸気マニホールド112、エアクリーナ113、ラジエータ114、バッテリ102などが収容される。図1には4気筒エンジンが示される。
エンジン110には、気筒ごとにプラグホール(不図示)が設けられ、プラグホールには、点火プラグ(不図示)が挿入される。エンジン110の各気筒には、エアクリーナ113、吸気マニホールド112を経由した空気と、図示しない燃料タンクからの燃料との混合気体が供給される。点火プラグを適切なタイミングで点火(スパーク)させることで、エンジンが始動、回転する。
図2は、車両100rの電気系統の一部のブロック図である。車両100rの電気系統は、バッテリ102、イグニッションコイル104、点火プラグ106、ECU108、イグナイタ200を備える。ECU108は、点火プラグ106の点火タイミングを指示する点火信号IGTを、エンジン110の回転と同期して周期的に発生する。イグニッションコイル104の2次コイルL2は点火プラグ106と接続される。イグナイタ200は、点火信号IGTに応じてイグニッションコイル104の1次コイルL1の電流を制御することにより、2次コイルL2に数十kVもの高電圧を発生させ、点火プラグ106を放電させて、エンジン110内の混合気を爆発させる。
イグナイタ200は、スイッチ素子202およびスイッチ制御装置300rを備える。スイッチ素子202はたとえばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であり、そのコレクタは1次コイルL1と接続され、そのエミッタは接地される。スイッチ制御装置300rは、点火信号IGTに応じてスイッチ素子202の制御端子(ゲート)の電圧を制御し、スイッチ素子202のオン、オフを制御する。具体的にはスイッチ制御装置300rは、点火信号IGTがハイレベルの期間、スイッチ素子202をオン状態とする。スイッチ素子202がオンすると、1次コイルL1の両端間にバッテリ電圧VBATが印加され、1次コイルL1に流れる電流が時間とともに増大する。点火信号IGTがローレベルに遷移すると、スイッチ制御装置300rはスイッチ素子202を瞬時にターンオフさせ、1次コイルL1の電流IL1を遮断する。このとき1次コイルL1には、電流IL1の時間微分に比例した数百Vもの1次電圧VL1(=L・dIL1/dt)が発生する。このとき2次コイルL2には、1次電圧VL1に巻線比を乗じた数十kVもの2次電圧VSが発生する。
スイッチ制御装置300rは、主として判定ステージ300Aと、駆動ステージ300Bを備える。判定ステージ300Aは、ECU108からの点火信号IGTを受け、そのレベル(ハイ・ロー)を判定する。たとえば判定ステージ300Aは、入力ライン301の電圧VINを所定の基準電圧VREFと比較し、ハイ・ロー2値の判定信号SDETを生成する電圧コンパレータ302を含む。
駆動ステージ300Bは、判定信号SDETに応じて、スイッチ素子202のオン、オフを切りかえる。遅延回路304は、判定信号SDETに所定の遅延を与える。この遅延量は、点火信号IGTの遷移と点火プラグの放電の時間の時間差(遅れ)が所定値となるように設定される。プリドライバ306およびゲートドライバ308は、遅延回路304の出力に応じてスイッチ素子202のゲート電圧を制御する。
ECU108が正常動作する際には、点火信号IGTは、ハイレベルとなった後、適切な時間の経過後にローレベルに遷移し、点火プラグ106が点火する。ところがECU108に何らかの異常が生ずると、点火信号IGTがローレベルに遷移せずにハイレベルを維持し続け、スイッチ素子202がオンし続ける。これにより、スイッチ素子202の発熱が大きくなったり、イグニッションコイル104の1次コイルL1に大電流が流れるといった問題が生じうる。
この問題を解決するために、通電保護回路310が設けられる。通電保護回路310は、点火信号IGTがハイレベルに遷移してから所定の通電保護時間TPが経過すると強制的にスイッチ素子202をオフし、点火プラグ106を点火させるものである。図3(a)は、通電保護回路310の動作を説明する波形図である。点火信号IGTがハイレベルに遷移するとスイッチ素子202がターンオンし、コイル電流(IGBTのコレクタ電流)ICが増大する。通電保護回路310にはタイマーが内蔵され、タイマーは、点火信号IGT(判定信号SDET)がハイレベルである時間を測定する。そしてタイマーのカウント値が通電保護時間TPに対応する設定値(##)に達すると、スイッチ素子202を強制オフし、コイル電流ICを遮断する。この場合、コイル電流ICの強制遮断により、イグニッションコイル104の2次コイルL2の電圧(2次電圧VS)が大きく変化し、点火プラグ106が点火することとなる。
エンジンやECUの種類によっては、スイッチ素子202の強制オフにともなう点火プラグ106の点火が好ましくない場合がある。この場合、図3(b)に示すように、通電保護時間TPの経過後にスイッチ素子202を緩やかにオフさせ、コイル電流ICを緩やかに減少させるソフトシャットオフ機能が要求される。
通電保護にともなうスイッチ素子202のターンオフによる点火を防止するためには、コイル電流ICを数十ms〜数百msもの長い時間スケールTSSOで減少させる必要があり、そのためにはスイッチ素子202のゲート電圧を、ハイレベル電圧(たとえば5V)からローレベル電圧(0V)まで、数十ms〜数百msの時間スケールで低下させる必要がある。
ところが、このような長い時定数を生成するためには、数十MΩもの高抵抗が必要であり、あるいは数nFものキャパシタが必要となる。これらの素子はスイッチ制御装置300rの半導体チップに集積化することはサイズの観点から現実的でなく、外付けの追加のチップ部品が必要となり、コスト増加、面積増加の要因となる。
本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、小さな回路規模でソフトシャットオフが可能なイグナイタの提供にある。
本発明のある態様は、イグナイタに関する。イグナイタは、イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じてスイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、を備える。スイッチ素子は、パワートランジスタと、パワートランジスタのゲートエミッタ間に設けられた過電圧保護素子と、を含む。スイッチ制御装置は、点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、判定信号がスイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、判定信号がスイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、判定信号がアサートレベルである状態が、所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、イネーブル状態において、駆動ステージの出力をハイインピーダンスとするとともに、パワートランジスタのゲートに補正電流を供給するソフトシャットオフ回路と、を含む。
この態様によると、過電圧保護素子のリーク電流によってゲート容量(寄生容量)を放電することにより、大容量キャパシタや高抵抗を外付けすることなく小さな回路規模で、十分に長い時定数でゲート電圧を低下させることができ、点火を伴わないソフトシャットオフを実現できる。また実効的な放電電流は、リーク電流と補正電流の差分となるため、補正電流により時定数を調節できる。
ゲート、エミッタ、コレクタは便宜的な名称であり、パワートランジスタの種類に応じて、それぞれベース、ソース、ドレインと読み替えればよい。
ゲート、エミッタ、コレクタは便宜的な名称であり、パワートランジスタの種類に応じて、それぞれベース、ソース、ドレインと読み替えればよい。
過電圧保護素子は、逆直列接続されたダイオードペア(Anti-Series Diode Pair)を含んでもよい。
これにより、パワートランジスタのゲートソース間のサージ耐圧を、正、負両方に関して高めることができる。
過電圧保護素子は、直列に接続される複数のダイオードペアを含んでもよい。
これにより、パワートランジスタのゲートソース間のサージ耐圧を、正、負両方に関して高めることができる。
過電圧保護素子は、直列に接続される複数のダイオードペアを含んでもよい。
ソフトシャットオフ回路は、イネーブル状態においてオン状態となり、オン状態において補正電流をパワートランジスタのゲートに供給する電流源を含んでもよい。
補正電流は、イグニッションコイルに供給されるバッテリ電圧が大きいほど、大きくてもよい。バッテリ電圧が高いほど、パワートランジスタの発熱量が増加し、パワートランジスタの温度が上昇する。保護素子のリーク電流は正の温度特性を有するため、温度上昇にともない補正電流を増大させることで、時定数のばらつきを抑えることができる。
補正電流は、イグナイタの周囲温度が高いほど、大きくてもよい。イグナイタの周囲温度が高いほど、パワートランジスタの温度のベースラインも高くなる。保護素子のリーク電流は正の温度特性を有するため、温度が高いほど補正電流を増大させることで、時定数のばらつきを抑えることができる。
駆動ステージは、電源ラインと接地ラインの間に直列に設けられたハイサイドトランジスタおよびローサイドトランジスタを含むゲートドライバと、判定信号に応じてハイサイドトランジスタおよびローサイドトランジスタのオン、オフを制御するプリドライバと、を含んでもよい。ソフトシャットオフ回路は、イネーブル状態において、ハイサイドトランジスタを利用して補正電流を供給してもよい。
この場合、ハイサイドトランジスタを補正電流を生成する電流源として利用できるため、回路規模を小さくできる。
この場合、ハイサイドトランジスタを補正電流を生成する電流源として利用できるため、回路規模を小さくできる。
イグナイタは、パワートランジスタに流れるコイル電流に応じた検出電圧を生成する電流検出回路をさらに備えてもよい。スイッチ制御装置は、検出電圧が所定のしきい値電圧を超えないようにパワートランジスタのゲート電圧を調節する過電流保護回路をさらに含んでもよい。過電流保護回路は、ソフトシャットオフ回路のイネーブル状態において、無効化されてもよい。
過電流保護回路を設けることにより、スイッチ素子のオンが長時間持続した場合に、コイル電流(パワートランジスタのコレクタ電流)を所定レベルでクランプし、上昇し続けるのを防止できる。また過電流保護回路を、ソフトシャットオフ回路がイネーブル状態の間、無効化することで、過電流保護回路によってゲート電圧が調節されて放電の時定数が変化するのを防止できる。
過電流保護回路を設けることにより、スイッチ素子のオンが長時間持続した場合に、コイル電流(パワートランジスタのコレクタ電流)を所定レベルでクランプし、上昇し続けるのを防止できる。また過電流保護回路を、ソフトシャットオフ回路がイネーブル状態の間、無効化することで、過電流保護回路によってゲート電圧が調節されて放電の時定数が変化するのを防止できる。
電流検出回路は、パワートランジスタのエミッタと接地ラインの間に設けられた電流検出抵抗を含み、電流検出抵抗の電圧降下が検出電圧であってもよい。過電流保護回路は、電流検出抵抗と並列に設けられ、ソフトシャットオフ回路のイネーブル状態においてオン、ディセーブル状態でオフとなる第1トランジスタを含んでもよい。
これにより、ソフトシャットオフ回路のイネーブル状態では、第1トランジスタをオンすることで電流検出抵抗の電圧降下に対応する検出値が実質的にゼロとなるため、過電流保護を無効化できる。また電流検出抵抗をバイパスすることで、電流検出抵抗が時定数に影響を及ぼすのを防止できる。
これにより、ソフトシャットオフ回路のイネーブル状態では、第1トランジスタをオンすることで電流検出抵抗の電圧降下に対応する検出値が実質的にゼロとなるため、過電流保護を無効化できる。また電流検出抵抗をバイパスすることで、電流検出抵抗が時定数に影響を及ぼすのを防止できる。
電流検出抵抗は、チップ部品であってもよいし、ボンディングワイヤの抵抗成分であってもよいし、スイッチ制御装置のICに集積化された抵抗であってもよい。
過電流保護回路は、パワートランジスタのゲートと接地ラインの間に設けられた第2トランジスタと、検出電圧をしきい値電圧と比較し、検出電圧がしきい値電圧を超えると第2トランジスタをオンするコンパレータと、を含んでもよい。
この態様によれば、コイル電流があるしきい値レベルを超えると、第2トランジスタがオンし、ゲート電圧を低下させてコイル電流を減少させることができる。
この態様によれば、コイル電流があるしきい値レベルを超えると、第2トランジスタがオンし、ゲート電圧を低下させてコイル電流を減少させることができる。
ソフトシャットオフ回路は、判定信号がネゲートレベルに遷移するとディセーブル状態となってもよい。これにより、通常動作時には補正電流をゼロとして無駄な消費電力を低減できる。
ソフトシャットオフ回路は、判定信号がアサートレベルに遷移するとカウント動作を開始するカウンタを含み、カウンタのカウント値が通電保護時間に対応する設定値となると、イネーブル状態となってもよい。
本発明の別の態様もまた、イグナイタに関する。このイグナイタは、イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じてスイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、を備える。スイッチ素子は、パワートランジスタと、パワートランジスタのゲートエミッタ間に逆直列接続されたダイオードペアと、を含む。スイッチ制御装置は、点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、判定信号がスイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、判定信号がスイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、判定信号がアサートレベルである状態が所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、イネーブル状態において駆動ステージの出力をハイインピーダンスとするとともに、パワートランジスタのゲートの電荷を、ダイオードペアを介して放電することにより、パワートランジスタのゲート電圧を緩やかに低下せしめるソフトシャットオフ回路と、を備える。
本発明のさらに別の態様もまた、イグナイタに関する。このイグナイタは、イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じてスイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、を備える。スイッチ素子は、パワートランジスタと、パワートランジスタのゲートエミッタ間に逆直列接続されたダイオードペアと、を含む。スイッチ制御装置は、点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、判定信号がスイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、判定信号がスイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、判定信号がアサートレベルである状態が所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、イネーブル状態において駆動ステージからパワートランジスタのゲートに補正電流を供給することにより、パワートランジスタのゲートの電荷を、ダイオードペアのリーク電流と補正電流との差分電流で放電することにより、パワートランジスタのゲート電圧を緩やかに低下せしめるソフトシャットオフ回路と、を備える。
スイッチ制御装置は、ひとつの半導体基板に一体集積化されてもよい。
「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。
「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。
本発明の別の態様は、車両に関する。車両は、ガソリンエンジンと、点火プラグと、1次コイルと、点火プラグと接続される2次コイルと、を有するイグニッションコイルと、点火プラグの点火を指示する点火信号を生成するECUと、点火信号に応じてイグニッションコイルを駆動する上述のいずれかのイグナイタと、を備えてもよい。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや、本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明のある態様によれば、小さな回路規模でソフトシャットオフを実現できる。
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
本明細書において、「部材Aと部材Bが接続」された状態とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合や、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
図4は、実施の形態に係るイグナイタ200の回路図である。イグナイタ200は、その入力端子INにECU108からの点火信号IGTを受け、点火信号IGTに応じて、その出力端子OUTに接続されるイグニッションコイル104の1次コイルL1の電流(コイル電流、あるいはコレクタ電流という)を制御する。
イグナイタ200は、スイッチ素子202およびスイッチ制御装置300を備え、モジュール化されてひとつのパッケージに収容される。スイッチ制御装置300の基本構成は図1のそれと同じであり、判定ステージ300A、駆動ステージ300Bを備え、ひとつの半導体基板に一体集積化された機能ICである。
スイッチ素子202は、パワートランジスタ204、保護素子206、208を備え、高耐圧プロセスで製造されるひとつの半導体基板に集積化されている。パワートランジスタ204は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)である。パワートランジスタ204のコレクタCはOUT端子と接続され、そのエミッタEはGND(接地)端子と接続される。なおパワートランジスタ204としてMOSFETを用いてもよく、この場合、エミッタをソース、コレクタをドレインと読み替えればよい。
保護素子206は、過電圧保護を目的としてパワートランジスタ204のゲートエミッタ間に設けられる。たとえば保護素子206は、パワートランジスタ204のゲートエミッタ間に逆直列接続されたダイオードペアD1、D2を含んでもよい。この場合、ゲートエミッタ間に正の過電圧(サージノイズ)が印加された場合、ゲートエミッタ間電圧VGEは、BV+VFにてクランプされる。またゲートエミッタ間に負の過電圧が印加された場合、ゲートエミッタ間電圧VGEは、−BV−VFにてクランプされる。BVはダイオードの逆降伏電圧であり、VFは順方向電圧である。
スイッチ制御装置300は、判定ステージ300A、駆動ステージ300Bおよびソフトシャットオフ回路320を備えて、ひとつの半導体基板に集積化された機能ICである。
判定ステージ300Aは、電圧コンパレータ302を備える。入力ライン301には、ECU108からの点火信号IGTが入力される。電圧コンパレータ302の前段には、入力ライン301の高周波ノイズを除去する高周波フィルタが挿入されてもよい。
電圧コンパレータ302は、入力ライン301の電圧VINを基準電圧VREFと比較し、判定信号SDETを生成する。本実施の形態ではVIN>VREFの状態が、スイッチ素子202のオンに、VIN<VREFの状態が、スイッチ素子202のオフに対応づけられる。また、判定信号SDETは、VIN>VREFのとき、ハイレベル(アサート)、VIN<VREFのときローレベル(ネゲート)であり、したがって、判定信号SDETのハイレベルは、スイッチ素子202のオンに対応するアサートレベルであり、判定信号SDETのローレベルは、スイッチ素子202のオフに対応するネゲートレベルである。なお、ハイレベル、ローレベルとアサート、ネゲートの割り当ては設計事項であり、入れかえてもよい。
駆動ステージ300Bは、判定ステージ300Aにより生成された判定信号SDETに応じて、スイッチ素子202のオン、オフを制御する。駆動ステージ300Bは判定信号SDETがスイッチ素子202のオンに対応するアサートレベル(ハイレベル)であるとき、パワートランジスタ204のゲートGにハイレベル電圧VHを印加し、判定信号SDETがスイッチ素子202のオフに対応するネゲートレベル(ローレベル)であるとき、パワートランジスタ204のゲートGにローレベル電圧VLを印加する。ハイレベル電圧VHは、たとえば5V、ローレベル電圧VLは接地電圧VGND(=0V)である。スイッチ制御装置300は、バッテリ電圧VBATを受け、安定化してハイレベル電圧VHを生成するレギュレータを含んでもよい。
駆動ステージ300Bは、遅延回路304、プリドライバ306、ゲートドライバ308を含む。遅延回路304は、判定信号SDETに所定の遅延を与える。この遅延量は、点火信号IGTの遷移と点火プラグの放電の時間の時間差(遅れ)が所定値となるように設定される。ゲートドライバ308は、GATE端子を介して、パワートランジスタ204のゲートGにハイレベル電圧VHを出力する状態φH、ローレベル電圧VLを出力する状態φLが切りかえ可能となっている。プリドライバ306は、遅延された判定信号SDET’に応じて、ゲートドライバ308の状態を制御する。ゲートドライバ308は、上記の2つの状態φH、φLに加えて、その出力がハイインピーダンスとなる状態(ハイインピーダンス状態という)φHZが切りかえ可能に構成される。
ソフトシャットオフ回路320は、判定信号SDETがアサートレベルである状態が、所定の通電保護時間TPにわたり持続するとイネーブル状態となる。ソフトシャットオフ回路320はイネーブル状態において、ゲートドライバ308を状態φHからハイインピーダンス状態φZに切りかえ、駆動ステージ300Bの出力をハイインピーダンスとする。またソフトシャットオフ回路320は、イネーブル状態において、パワートランジスタ204のゲートGに補正電流ICMPを供給する。
たとえばソフトシャットオフ回路320は、判定信号SDETのポジティブエッジを契機として時間測定を開始するタイマー回路を含み、タイマー回路で計測した時間が通電保護時間TPに達すると、イネーブル状態となってもよい。タイマー回路は、アナログ回路であるとデジタル回路であるとを問わない。
またソフトシャットオフ回路320は、判定信号SDETがネゲートレベルに遷移するとディセーブル状態となってもよい。これにより、通常動作時には補正電流ICMPをゼロとして無駄な消費電力を低減できる。
図5(a)〜(d)は、スイッチ素子202の構成例を示す回路図である。上述のように、パワートランジスタ204のゲートエミッタ間、ゲートコレクタ間には保護素子206、208が設けられ、保護素子206、208はそれぞれ、逆直列接続されたダイオードペアD1、D2(Dpとも示す)を含む。ダイオードペアD1、D2は、図4に示すようにカソードコモンであってもよいし、図5(a)に示すようにアノードコモンであってもよい。保護素子206、208の一方をカソードコモンのダイオードペア、他方をアノードコモンのダイオードペアで構成してもよい。
また保護素子206、208はそれぞれ、直列にスタックされる複数のダイオードペアDpを含んでもよい。図5(b)には、アノードコモンのダイオードペアDpが複数個、スタックされる構成が示され、図5(c)には、カソードコモンのダイオードペアDpが複数個、スタックされる構成が示される。
ダイオードペアDp、1段当たりの耐圧(Vf+BV)は半導体プロセスにも依存するが典型的には数Vである。たとえばダイオードペアDpの耐圧を7Vとし、パワートランジスタ204のゲートエミッタ間電圧、ゲートコレクタ間電圧を420V以下にクランプしたい場合には、60段(=420/7)のダイオードペアDpをスタックすればよい。
図5(d)に示すように、図4のダイオードD1、D2それぞれを、複数のダイオードを直列接続して構成してもよい。同様に図5(a)のダイオードD1、D2それぞれを、複数のダイオードを直列接続して構成してもよい。ダイオードD1、D2はツェナーダイオードであってもよい。
以上がイグナイタ200の基本構成である。続いてその動作を説明する。
図6は、図4のイグナイタ200の動作波形図である。
時刻t0より前に、点火信号IGTはローレベルであり、ゲートドライバ(DR)308は状態φLであり、パワートランジスタ204のゲート電圧VGはローレベル電圧VLである。時刻t1に点火信号IGTがハイレベルに遷移し、続いて時刻t2に入力電圧VINが基準電圧VREFを超えると判定信号SDETがハイレベルとなる。これにより、ゲートドライバ308は状態φ2に切りかえられ、パワートランジスタ204がオンし、コイル電流ICが増大していく。
図6は、図4のイグナイタ200の動作波形図である。
時刻t0より前に、点火信号IGTはローレベルであり、ゲートドライバ(DR)308は状態φLであり、パワートランジスタ204のゲート電圧VGはローレベル電圧VLである。時刻t1に点火信号IGTがハイレベルに遷移し、続いて時刻t2に入力電圧VINが基準電圧VREFを超えると判定信号SDETがハイレベルとなる。これにより、ゲートドライバ308は状態φ2に切りかえられ、パワートランジスタ204がオンし、コイル電流ICが増大していく。
ソフトシャットオフ回路320は判定信号SDETがハイレベルとなると、時間測定を開始する。通電保護時間TPが経過するとイネーブル状態となる(t2)。図6においてSSOはソフトシャットオフ回路320の状態を示す。ソフトシャットオフ回路320がイネーブル状態となると、ゲートドライバ308はハイインピーダンス状態φHZとなる。またソフトシャットオフ回路320は、パワートランジスタ204のゲートに補正電流ICMPを供給する。
図7は、ソフトシャットオフ回路320がイネーブル状態であるときのイグナイタ200の等価回路図である。パワートランジスタ204のゲートエミッタ間、ゲートコレクタ間には、寄生容量(ゲート入力容量)が存在する。この寄生容量をCiで示す。VH<BV+VFであるから、保護素子206のダイオードD2はブレークダウンせず、保護素子206には、微小なリーク電流ILEAKが流れる。
この状態では、パワートランジスタ204の寄生容量Ciは、保護素子206のリーク電流ILEAKにより放電される。それと同時に、ゲート容量Ciはソフトシャットオフ回路320からの補正電流ICMPで充電される。したがってゲート容量Ciは、放電電流IDIS=ILEAK−ICMPで放電される。
時刻t2において、ゲート容量Ciに蓄えられている電荷量Qは、式(1)で与えられる。
Q=Ci×VH …(1)
Q=Ci×VH …(1)
放電電流IDISである時間Tにわたり容量Ciを放電したときの電荷量は、式(2)で与えられる。
Q=∫0 TIDIS(t)dt …(2)
説明の簡潔化と理解の容易化のため、リーク電流ILEAK、補正電流ICMPが時間によらず一定であるとする。このとき放電電流IDISも一定となり、式(3)を得る。
Q=T×IDIS …(3)
Q=∫0 TIDIS(t)dt …(2)
説明の簡潔化と理解の容易化のため、リーク電流ILEAK、補正電流ICMPが時間によらず一定であるとする。このとき放電電流IDISも一定となり、式(3)を得る。
Q=T×IDIS …(3)
式(1)と(3)から、式(4)を得る。式(4)は、ゲート容量Ciの電荷をある時間(ソフトシャットオフ時間という)TSSOで完全に放電するために必要な電流量IDISを示す。
IDIS=Ci×VH/TSSO …(4)
IDIS=Ci×VH/TSSO …(4)
ソフトシャットオフ時間TSSOは、点火プラグ106がスパークしない程度に長くなければならない。たとえばTSSO=50ms、VH=5V、Ci=2nFであるとすれば、要求される放電電流IDISは、IDIS=200nA(=0.2μA)となる。たとえばデバイスの典型的なジャンクション温度TJにおけるリーク電流ILEAKが1.6μAであるとすれば、補正電流ICMPの典型値を、IDIS−ILEAK=1.4μAとすればよい。
図6に戻る。時刻t2にゲートドライバ308の出力がハイインピーダンスとなると、ゲート容量Ciが放電電流IDISで放電され、ゲート電圧VGは放電時間(ソフトシャットオフ時間)TSSOに応じた時定数で十分長い時間をかけて低下していく。その結果、コイル電流ICも緩やかに減少させることができ、2次電圧VSの変動を抑制し、点火プラグ106をスパークを防止できる。
以上がイグナイタ200の動作である。
このように、イグナイタ200によれば、パワートランジスタ204の保護素子206の微小なリーク電流ILEAKを利用して、ゲート電圧を緩やかに低下させることにより、ソフトシャットオフを実現できる。保護素子206は、パワートランジスタ204を過電圧から保護するという別の機能を有するため、保護素子206を追加したことによる回路面積の増加は本質的ではない。
このように、イグナイタ200によれば、パワートランジスタ204の保護素子206の微小なリーク電流ILEAKを利用して、ゲート電圧を緩やかに低下させることにより、ソフトシャットオフを実現できる。保護素子206は、パワートランジスタ204を過電圧から保護するという別の機能を有するため、保護素子206を追加したことによる回路面積の増加は本質的ではない。
また回路構成としては、従来のイグナイタ200rに加えて、ゲートドライバ308をハイインピーダンス状態φHZに切りかえるための回路と、補正電流ICMPを生成するための回路のみを追加すればよく、長い時定数を実現するために大容量キャパシタや高抵抗が不要であるため、小さな回路規模でソフトシャットオフが実現できる。
本発明は、図4のブロック図・回路図として把握され、あるいは上述の説明から導かれるさまざまな回路に及ぶものであり、特定の回路構成に限定されるものではないが、以下では、その具体的な構成を説明する。
図8は、スイッチ制御装置300の第1の構成例を示す回路図である。
ソフトシャットオフ回路320は、イネーブル状態においてオン状態となる電流源322を含む。電流源322は、オン状態において補正電流ICMPをパワートランジスタのゲートGATEに供給する。スイッチ324は、電流源322のオン、オフを切りかえるために設けられる。なおスイッチ324の位置は特に限定されず、補正電流ICMPのオン、オフが切りかえ可能であればどこに配置してもよい。たとえばスイッチ324に相当するトランジスタが、電流源322の内部に設けられてもよい。
ソフトシャットオフ回路320は、イネーブル状態においてオン状態となる電流源322を含む。電流源322は、オン状態において補正電流ICMPをパワートランジスタのゲートGATEに供給する。スイッチ324は、電流源322のオン、オフを切りかえるために設けられる。なおスイッチ324の位置は特に限定されず、補正電流ICMPのオン、オフが切りかえ可能であればどこに配置してもよい。たとえばスイッチ324に相当するトランジスタが、電流源322の内部に設けられてもよい。
ソフトシャットオフ回路320は、カウンタ326を含む。カウンタ326は、通電保護時間TPを測定する上述のタイマーであり、判定信号SDETがアサートレベルに遷移するとクロック信号CLKのカウントを開始する。ロジック回路328は、カウンタ326のカウント値が通電保護時間TPに対応する設定値に達すると、イネーブル信号ENをアサートし、ソフトシャットオフ回路320をイネーブル状態とする。またロジック回路328は、判定信号SDETのネガティブエッジを検出すると、イネーブル信号ENをネゲートし、ソフトシャットオフ回路320をディセーブル状態とする。
ゲートドライバ308は、電源ラインVHと接地ラインVLの間に直列に設けられたハイサイドトランジスタM1、ローサイドトランジスタM2を含む。またゲート電圧VGのスルーレート(傾き)を最適化するために、抵抗R1、R2が挿入されてもよい。
プリドライバ306はイネーブル信号ENを受ける。プリドライバ306は、イネーブル信号ENがネゲート(つまりソフトシャットオフ回路320がディセーブル状態)のとき、判定信号SDET’に応じてトランジスタM1、M2のゲート電圧を制御する。またプリドライバ306は、イネーブル信号ENがアサート(つまりソフトシャットオフ回路320がイネーブル状態)のとき、判定信号SDET’にかかわらず、トランジスタM1、M2をオフ状態とし、ゲートドライバ308の出力をハイインピーダンスとする。
図9は、スイッチ制御装置300の第2の構成例を示す回路図である。このスイッチ制御装置300は、過電流保護機能を備える。具体的にはイグナイタ200は、電流検出回路210をさらに備える。電流検出回路210は、パワートランジスタ204に流れるコイル電流ICを検出する。たとえば電流検出回路210は、パワートランジスタ204のエミッタEと接地ラインの間に設けられた電流検出抵抗RCSを含み、電流検出抵抗RCSの電圧降下を電流検出値VCSとして出力してもよい。電流検出値VCSは、スイッチ制御装置300のCS(電流検出)端子に入力される。電流検出抵抗RCSは、チップ部品であってもよいし、ボンディングワイヤの抵抗成分であってもよいし、スイッチ制御装置のICに集積化された抵抗であってもよい。
スイッチ制御装置300は、過電流保護回路330をさらに備える。過電流保護回路330は、コイル電流ICの検出値VCSが所定のしきい値電圧VTHを超えないようにパワートランジスタ204のゲート電圧VGを調節する。過電流保護回路330は、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態において無効化され、ゲート電圧VGの調節を行なわない。
過電流保護回路330を設けることにより、スイッチ素子202のオンが長時間持続した場合に、コイル電流IC(パワートランジスタのコレクタ電流)を所定レベルでクランプし、上昇し続けるのを防止できる。また過電流保護回路330を、ソフトシャットオフ回路320がイネーブル状態の間、無効化することで、過電流保護回路330によってゲート電圧VGが調節されて放電の時定数が変化するのを防止できる。
過電流保護回路330は、電流検出抵抗RCSと並列に設けられ、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態においてオン、ディセーブル状態でオフとなる第1トランジスタ332を含む。過電流保護回路330は、電流検出抵抗RCSの電圧降下に応じた検出値VCSが所定のしきい値電圧VTHを超えないようにパワートランジスタ204のゲート電圧VGを調節してもよい。
これにより、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態では、第1トランジスタ332をオンすることで電流検出抵抗RCSの電圧降下に対応する検出値VCSが実質的にゼロとなり、VCS<VTHとなるため過電流保護を無効化できる。また電流検出抵抗RCSをバイパスすることで、電流検出抵抗RCSが時定数に影響を及ぼすのを防止できる。
過電流保護回路330は、パワートランジスタ204のゲートと接地ラインの間に設けられた第2トランジスタ336と、検出電圧VCSをしきい値電圧VTHと比較し、VCS>VTHのとき第2トランジスタ336をオンするコンパレータ334と、を含む。これにより、コイル電流ICがあるしきい値レベルを超えると、第2トランジスタ336がオンし、ゲート電圧VGを低下させてコイル電流ICを減少させることができる。
以上がスイッチ制御装置300の第2の構成例である。このスイッチ制御装置300によればソフトシャットオフを邪魔することなく、過電流保護を行なうことができる。
続いて、補正電流ICMPについて説明する。イグナイタ200の放熱性能によっては、デバイス(パワートランジスタ204)のジャンクション温度TJが、イグナイタ200の周囲温度Taや、パワートランジスタ204の自己発熱の影響で大きく変化する場合がある。保護素子206をダイオードで構成する場合、そのリーク電流ILEAKは、ジャンクション温度TJに依存して変化し、具体的には、ジャンクション温度TJが高いほど、リーク電流ILEAKは大きくなる。したがって、ジャンクション温度TJの変動による、ゲート容量Ciの放電時間の変動を抑制するためには、ジャンクション温度TJに応じて、補正電流ICMPを変化させ、放電電流IDISを一定に保つことが望ましい。
ここでスイッチ制御装置300とスイッチ素子202が別々の半導体チップに集積化される場合、補正電流ICMPを生成するスイッチ制御装置300側において、パワートランジスタ204のジャンクション温度TJを直接知ることは難しい。そこでソフトシャットオフ回路320は、以下のようにして、補正電流ICMPを変化させてもよい。
図10(a)、(b)は、パワートランジスタ204のジャンクション温度TJの時間変化を示す図である。図10(a)には、周囲温度Taの依存性が示される。ジャンクション温度TJは、周囲温度Taを始点として、コイル電流ICとパワートランジスタ204のコレクタエミッタ間電圧VCEの積である消費電力Pに応じた傾きで増大していく。したがって周囲温度Taが高いほどジャンクション温度TJは高くなり、リーク電流ILEAKの時間積分値(放電電荷量)も大きくなる。そこで、ソフトシャットオフ回路320は、周囲温度Taが高いほど補正電流ICMPを大きくすることにより、放電電流IDIS(=ILEAK−ICMP)の変動を抑えてもよい。
図10(b)には、パワートランジスタ204の自己発熱の依存性が示される。スイッチ制御装置300に過電流保護回路330が設けられる場合、コイル電流ICは実質的に一定とみなすことができる。一方、パワートランジスタ204のコレクタエミッタ間電圧は、バッテリ電圧VBATが高いほど、大きくなるから、パワートランジスタ204の自己発熱量(つまりジャンクション温度TJの傾き)は、バッテリ電圧VBATが高いほど大きくなる。したがってバッテリ電圧VBATが高いほどジャンクション温度TJは高くなり、リーク電流ILEAKの時間積分値(放電電荷量)も大きくなる。そこで、ソフトシャットオフ回路320は、バッテリ電圧VBATが高いほど補正電流ICMPを大きくすることにより、放電電流IDIS(=ILEAK−ICMP)の変動を抑えてもよい。
図11は、補正電流ISの周囲温度Taの依存性およびバッテリ電圧VBATの依存性の一例を示す図である。
正の温度特性を有する電流を生成する回路は公知であり、ソフトシャットオフ回路320の電流源は、こうした公知技術を用いて構成できる。たとえば正の温度特性を有する電流源としては、ポリシリコン抵抗、拡散抵抗、ウェル抵抗の温度依存性を利用したもの、サーミスタを利用したもの、バイポーラトランジスタのベースエミッタ間電圧(PN接合の順方向電圧)の温度依存性を利用したもの、熱電圧VTを利用したもの等が例示されるが、その構成は特に限定されない。
任意の電圧に応じた電流を生成する電流源も公知であり、ソフトシャットオフ回路320の電流源は、こうした公知技術を用いて構成できる。たとえばソフトシャットオフ回路320は、電圧/電流変換回路、gmアンプ等を用いて構成することができる。
当業者によれば、正の温度特性を有し、および/または、バッテリ電圧VBATに対して正の依存性を有する補正電流ICMPを生成するための電流源にさまざまなバリエーションが存在しうること、それらのバリエーションが本発明の範囲に含まれることが理解される。
実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例を説明する。
(第1変形例)
実施の形態では、ソフトシャットオフ回路320が補正電流ICMPを生成する電流源322を含む場合を説明したが、本発明はそれに限定されない。パワートランジスタ204のゲート容量Ciの容量値、ハイレベル電圧VHおよびリーク電流ILEAKの電流量の組み合わせによっては、補正電流ICMPを供給しなくても、適切な10〜100ms程度の適切な放電時間が得られる場合もあり得る。この場合、電流源322は省略し、補正電流ICMPは供給しなくてもよい。
実施の形態では、ソフトシャットオフ回路320が補正電流ICMPを生成する電流源322を含む場合を説明したが、本発明はそれに限定されない。パワートランジスタ204のゲート容量Ciの容量値、ハイレベル電圧VHおよびリーク電流ILEAKの電流量の組み合わせによっては、補正電流ICMPを供給しなくても、適切な10〜100ms程度の適切な放電時間が得られる場合もあり得る。この場合、電流源322は省略し、補正電流ICMPは供給しなくてもよい。
(第2変形例)
実施の形態では、ソフトシャットオフ回路320が補正電流ICMPを生成する電流源322を含み、バッテリ電圧VBATや周囲温度Taに応じて補正電流ICMPを変化させる場合を説明したが本発明はそれに限定されない。イグナイタ200が搭載されるプラットフォームによっては、ソフトシャットオフにより点火プラグ106のスパークを防止できれば十分であり、ソフトシャットオフ時間TSSOが変動することが許容される場合もある。この場合、補正電流ICMPを一定としてもよいし、周囲温度Taのみに依存して変化させてもよいし、あるいはバッテリ電圧VBATのみに依存して変化させてもよい。
実施の形態では、ソフトシャットオフ回路320が補正電流ICMPを生成する電流源322を含み、バッテリ電圧VBATや周囲温度Taに応じて補正電流ICMPを変化させる場合を説明したが本発明はそれに限定されない。イグナイタ200が搭載されるプラットフォームによっては、ソフトシャットオフにより点火プラグ106のスパークを防止できれば十分であり、ソフトシャットオフ時間TSSOが変動することが許容される場合もある。この場合、補正電流ICMPを一定としてもよいし、周囲温度Taのみに依存して変化させてもよいし、あるいはバッテリ電圧VBATのみに依存して変化させてもよい。
(第3変形例)
ソフトシャットオフ回路320は、ゲートドライバ308を利用して補正電流ICMPを生成してもよい。図12(a)、(b)は、ソフトシャットオフ回路320およびゲートドライバ308の変形例を示す回路図である。図12(a)に示すように、ゲートドライバ308のハイサイドトランジスタM1を、NチャンネルMOSFETで構成してもよい。プリドライバ306は、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態において、ローサイドトランジスタM2をオフする。またソフトシャットオフ回路320はイネーブル状態において、ハイサイドトランジスタM1のゲートに、適切なゲート電圧VG1を与えることにより、ハイサイドトランジスタM1に補正電流ICMPを発生させる。図12(a)において、トランジスタM1はPチャンネルMOSFETであってもよい。あるいは、トランジスタM1、M2をバイポーラトランジスタで構成してもよい。
ソフトシャットオフ回路320は、ゲートドライバ308を利用して補正電流ICMPを生成してもよい。図12(a)、(b)は、ソフトシャットオフ回路320およびゲートドライバ308の変形例を示す回路図である。図12(a)に示すように、ゲートドライバ308のハイサイドトランジスタM1を、NチャンネルMOSFETで構成してもよい。プリドライバ306は、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態において、ローサイドトランジスタM2をオフする。またソフトシャットオフ回路320はイネーブル状態において、ハイサイドトランジスタM1のゲートに、適切なゲート電圧VG1を与えることにより、ハイサイドトランジスタM1に補正電流ICMPを発生させる。図12(a)において、トランジスタM1はPチャンネルMOSFETであってもよい。あるいは、トランジスタM1、M2をバイポーラトランジスタで構成してもよい。
図12(b)に示すように、ソフトシャットオフ回路320は、トランジスタM3と電流源CS1を含んでもよい。トランジスタM3は、ハイサイドトランジスタM1と同型であり、ハイサイドトランジスタM1とともにカレントミラー回路を形成する。電流源CS1は、ソフトシャットオフ回路320のイネーブル状態においてオンとなり、補正電流ICMPを指示する電流を生成し、カレントミラー回路の入力側トランジスタM3に供給する。図12(b)において、トランジスタM1〜M3はバイポーラトランジスタであってもよい。
(第4変形例)
図9のイグナイタ200において、電流検出回路210を電流検出抵抗RCSで構成したが本発明はそれに限定されない。コイル電流ICを検出する手段としては、パワートランジスタ204に流れる電流をカレントミラー回路によりコピーし、コピーされた電流を検出してもよいし、パワートランジスタ204のオン抵抗を利用してコイル電流を検出してもよい。あるいは、イグニッションコイル104に補助巻線を追加し、補助巻線に流れる電流にもとづいてコイル電流ICを推定してもよい。
図9のイグナイタ200において、電流検出回路210を電流検出抵抗RCSで構成したが本発明はそれに限定されない。コイル電流ICを検出する手段としては、パワートランジスタ204に流れる電流をカレントミラー回路によりコピーし、コピーされた電流を検出してもよいし、パワートランジスタ204のオン抵抗を利用してコイル電流を検出してもよい。あるいは、イグニッションコイル104に補助巻線を追加し、補助巻線に流れる電流にもとづいてコイル電流ICを推定してもよい。
実施の形態にもとづき本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎないことはいうまでもなく、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められることはいうまでもない。
100…車両、102…バッテリ、104…イグニッションコイル、L1…1次コイル、L2…2次コイル、106…点火プラグ、108…ECU、110…エンジン、112…吸気マニホールド、113…エアクリーナ、114…ラジエータ、200…イグナイタ、202…スイッチ素子、204…パワートランジスタ、206…保護素子、210…電流検出回路、300…スイッチ制御装置、300A…判定ステージ、300B…駆動ステージ、301…入力ライン、302…電圧コンパレータ、304…遅延回路、306…プリドライバ、308…ゲートドライバ、310…通電保護回路、320…ソフトシャットオフ回路、322…電流源、324…スイッチ、326…カウンタ、328…ロジック回路、RCS…電流検出抵抗、330…過電流保護回路、332…第1トランジスタ、334…コンパレータ、336…第2トランジスタ。
Claims (15)
- イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、
ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じて前記スイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、
を備え、
前記スイッチ素子は、
パワートランジスタと、
前記パワートランジスタのゲートエミッタ間に設けられた過電圧保護素子と、
を含み、
前記スイッチ制御装置は、
前記点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、
前記判定信号が前記スイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、前記判定信号が前記スイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、
前記判定信号が前記アサートレベルである状態が、所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、前記イネーブル状態において、前記駆動ステージの出力をハイインピーダンスとするとともに、前記パワートランジスタのゲートに補正電流を供給するソフトシャットオフ回路と、
を含むことを特徴とするイグナイタ。 - 前記過電圧保護素子は、逆直列接続されたダイオードペアを含むことを特徴とする請求項1に記載のイグナイタ。
- 前記ソフトシャットオフ回路は、
前記イネーブル状態においてオン状態となり、前記オン状態において前記補正電流を前記パワートランジスタのゲートに供給する電流源を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のイグナイタ。 - 前記補正電流は、前記イグニッションコイルに供給されるバッテリ電圧が大きいほど、大きいことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のイグナイタ。
- 前記補正電流は、前記イグナイタの周囲温度が高いほど、大きいことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のイグナイタ。
- 前記駆動ステージは、
電源ラインと接地ラインの間に直列に設けられたハイサイドトランジスタおよびローサイドトランジスタを含むゲートドライバと、
前記判定信号に応じて前記ハイサイドトランジスタおよび前記ローサイドトランジスタのオン、オフを制御するプリドライバと、
を含み、
前記ソフトシャットオフ回路は、前記イネーブル状態において、前記ハイサイドトランジスタを利用して前記補正電流を供給することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のイグナイタ。 - 前記パワートランジスタに流れるコイル電流に応じた検出電圧を生成する電流検出回路をさらに備え、
前記スイッチ制御装置は、前記検出電圧が所定のしきい値電圧を超えないように前記パワートランジスタのゲート電圧を調節する過電流保護回路をさらに含み、
前記過電流保護回路は、前記ソフトシャットオフ回路のイネーブル状態において、無効化されることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のイグナイタ。 - 前記電流検出回路は、前記パワートランジスタのエミッタと接地ラインの間に設けられた電流検出抵抗を含み、前記電流検出抵抗の電圧降下が前記検出電圧であり、
前記過電流保護回路は、前記電流検出抵抗と並列に設けられ、前記ソフトシャットオフ回路の前記イネーブル状態においてオン、ディセーブル状態でオフとなる第1トランジスタを含むことを特徴とする請求項7に記載のイグナイタ。 - 前記過電流保護回路は、
前記パワートランジスタのゲートと接地ラインの間に設けられた第2トランジスタと、
前記検出電圧を前記しきい値電圧と比較し、前記検出電圧が前記しきい値電圧を超えると前記第2トランジスタをオンするコンパレータと、
を含むことを特徴とする請求項7または8に記載のイグナイタ。 - 前記ソフトシャットオフ回路は、前記判定信号がネゲートレベルに遷移するとディセーブル状態となることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のイグナイタ。
- 前記ソフトシャットオフ回路は、前記判定信号が前記アサートレベルに遷移するとカウント動作を開始するカウンタを含み、前記カウンタのカウント値が前記通電保護時間に対応する設定値となると、前記イネーブル状態となることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載のイグナイタ。
- イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、
ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じて前記スイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、
を備え、
前記スイッチ素子は、
パワートランジスタと、
前記パワートランジスタのゲートエミッタ間に逆直列接続されたダイオードペアと、
を含み、
前記スイッチ制御装置は、
前記点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、
前記判定信号が前記スイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、前記判定信号が前記スイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、
前記判定信号が前記アサートレベルである状態が所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、前記イネーブル状態において前記駆動ステージの出力をハイインピーダンスとするとともに、前記パワートランジスタのゲートの電荷を、前記ダイオードペアを介して放電することにより、前記パワートランジスタのゲート電圧を緩やかに低下せしめるソフトシャットオフ回路と、
を備えることを特徴とするイグナイタ。 - イグニッションコイルの1次コイルと接続されるスイッチ素子と、
ECU(Engine Control Unit)からの点火信号に応じて前記スイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、
を備え、
前記スイッチ素子は、
パワートランジスタと、
前記パワートランジスタのゲートエミッタ間に逆直列接続されたダイオードペアと、
を含み、
前記スイッチ制御装置は、
前記点火信号に応じた電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する電圧コンパレータと、
前記判定信号が前記スイッチ素子のオンに対応するアサートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにハイレベル電圧を印加し、前記判定信号が前記スイッチ素子のオフに対応するネゲートレベルであるとき、前記パワートランジスタのゲートにローレベル電圧を印加する駆動ステージと、
前記判定信号が前記アサートレベルである状態が所定の通電保護時間にわたり持続するとイネーブル状態となり、前記イネーブル状態において前記駆動ステージから前記パワートランジスタのゲートに補正電流を供給することにより、前記パワートランジスタのゲートの電荷を、前記ダイオードペアのリーク電流と前記補正電流との差分電流で放電することにより、前記パワートランジスタのゲート電圧を緩やかに低下せしめるソフトシャットオフ回路と、
を備えることを特徴とするイグナイタ。 - 前記スイッチ制御装置は、ひとつの半導体基板に一体集積化されることを特徴とする請求項1から13のいずれかに記載のイグナイタ。
- ガソリンエンジンと、
点火プラグと、
1次コイルと、前記点火プラグと接続される2次コイルと、を有するイグニッションコイルと、
前記点火プラグの点火を指示する点火信号を生成するECUと、
前記点火信号に応じて前記イグニッションコイルを駆動する請求項1から14のいずれかに記載のイグナイタと、
を備えることを特徴とする車両。
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