JP2016086326A - Piezoelectric device - Google Patents

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晴史 乾條
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device capable of maintaining the air tightness of a piezoelectric element and stably outputting an oscillation frequency of the piezoelectric element.SOLUTION: A piezoelectric device includes: a rectangular substrate 110 having a piezoelectric element mounting region X and an integrated circuit element mounting region Y; a piezoelectric element 120 mounted on the upper face of the piezoelectric element mounting region X; a lid 130 including a sealing base 130a and a sealing frame 130b provided to an outer peripheral edge of the lower face of the sealing base 130a; a joining member 150 provided between the lower face of the sealing frame 130b and the upper face of the piezoelectric element mounting region X of the substrate; an integrated circuit element 160 mounted on the upper face of the integrated circuit element mounting region Y of the substrate 110 and electrically connected to the piezoelectric element 120; and an insulating resin 180 provided to cover the upper faces of the piezoelectric element mounting region X and the integrated circuit element mounting region Y and the integrated circuit element 160.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、例えば電子機器等に用いられる圧電デバイスに関するものである。   The present invention relates to a piezoelectric device used in, for example, electronic equipment.

圧電デバイスは、圧電素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。基板と、この基板の主面に設けられる枠体と、基板と枠体とで設けられた凹部と、凹部内に実装された圧電素子と、枠体と隣接するようにして基板に実装された集積回路素子と、凹部を気密封止する蓋体と、を備えた圧電デバイスが提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。   A piezoelectric device generates a specific frequency using the piezoelectric effect of a piezoelectric element. Mounted on the substrate so as to be adjacent to the substrate, a frame provided on the main surface of the substrate, a recess provided by the substrate and the frame, a piezoelectric element mounted in the recess, and the frame A piezoelectric device including an integrated circuit element and a lid that hermetically seals a recess has been proposed (see, for example, Patent Document 1 below).

特開２００８−３０１１９６号公報JP 2008-301196 A

上述した圧電デバイスは、集積回路素子が基板に導電性接合材を介して実装されている。このような圧電デバイスを電子機器等の実装基板上に実装した際に、基板に反りが生じてしまい、導電性接合材に応力がかかることで亀裂が生じることで、集積回路素子と導電性接合材との界面が剥がれ、集積回路素子の導通不良を起こしてしまう虞があった。   In the piezoelectric device described above, an integrated circuit element is mounted on a substrate via a conductive bonding material. When such a piezoelectric device is mounted on a mounting substrate such as an electronic device, the substrate is warped, and a stress is applied to the conductive bonding material to cause a crack, so that the integrated circuit element and the conductive bonding are connected. There is a risk that the interface with the material may be peeled off, resulting in poor conduction of the integrated circuit element.

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、導電性接合材にかかる応力を緩和し、集積回路素子の導通不良を低減することが可能な圧電デバイスを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a piezoelectric device that can relieve stress applied to a conductive bonding material and reduce conduction failure of an integrated circuit element.

本発明の一つの態様による圧電デバイスは、圧電素子実装領域と集積回路素子実装領域とを有する矩形状の基板と、圧電素子実装領域の上面に実装された圧電素子と、封止基部と、封止基部の下面の外周縁に設けられている封止枠部とからなる蓋体と、封止枠部の下面と基板の圧電素子実装領域の上面との間に設けられている接合部材と、基板の集積回路素子実装領域の上面に実装され、圧電素子と電気的に接続されている集積回路素子と、圧電素子実装領域及び集積回路素子実装領域の上面及び集積回路素子を覆うようにして設けられている絶縁性樹脂と、を備えている。   A piezoelectric device according to an aspect of the present invention includes a rectangular substrate having a piezoelectric element mounting area and an integrated circuit element mounting area, a piezoelectric element mounted on the upper surface of the piezoelectric element mounting area, a sealing base, and a sealing base. A lid formed of a sealing frame portion provided on the outer peripheral edge of the lower surface of the stop base portion, a bonding member provided between the lower surface of the sealing frame portion and the upper surface of the piezoelectric element mounting region of the substrate, An integrated circuit element mounted on the upper surface of the integrated circuit element mounting area of the substrate and electrically connected to the piezoelectric element, and provided so as to cover the piezoelectric element mounting area, the upper surface of the integrated circuit element mounting area, and the integrated circuit element An insulating resin.

本発明の一つの態様による圧電デバイスは、圧電素子実装領域と集積回路素子実装領域とを有する矩形状の基板と、圧電素子実装領域の上面に実装された圧電素子と、封止基部と、封止基部の下面の外周縁に設けられている封止枠部とからなる蓋体と、封止枠部の下面と基板の圧電素子実装領域の上面との間に設けられている接合部材と、基板の集積回路素子実装領域の上面に実装され、圧電素子と電気的に接続されている集積回路素子と、圧電素子実装領域及び集積回路素子実装領域の上面及び集積回路素子を覆うようにして設けられている絶縁性樹脂と、を備えている。このような圧電デバイスを電子機器等の実装基板上に実装した際に、仮に基板に応力がかかってしまっても、絶縁性樹脂が圧電素子実装領域及び集積回路素子実装領域の上面及び集積回路素子を覆うようにして設けられていることにより、絶縁性樹脂によって応力が分散されるため、導電性接合材にのみ応力が加わることを緩和することができるため、集積回路素子と導電性接合材との界面が剥がれてしまうことを抑えつつ、集積回路素子の導通不良を低減することができる。   A piezoelectric device according to an aspect of the present invention includes a rectangular substrate having a piezoelectric element mounting area and an integrated circuit element mounting area, a piezoelectric element mounted on the upper surface of the piezoelectric element mounting area, a sealing base, and a sealing base. A lid formed of a sealing frame portion provided on the outer peripheral edge of the lower surface of the stop base portion, a bonding member provided between the lower surface of the sealing frame portion and the upper surface of the piezoelectric element mounting region of the substrate, An integrated circuit element mounted on the upper surface of the integrated circuit element mounting area of the substrate and electrically connected to the piezoelectric element, and provided so as to cover the piezoelectric element mounting area, the upper surface of the integrated circuit element mounting area, and the integrated circuit element An insulating resin. When such a piezoelectric device is mounted on a mounting substrate such as an electronic device, even if stress is applied to the substrate, the insulating resin remains on the upper surface of the piezoelectric element mounting region, the integrated circuit element mounting region, and the integrated circuit element. Since the stress is dispersed by the insulating resin, the stress applied only to the conductive bonding material can be mitigated, so that the integrated circuit element and the conductive bonding material It is possible to reduce the conduction failure of the integrated circuit element while suppressing the peeling of the interface.

本実施形態における圧電デバイスを示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the piezoelectric device in this embodiment. （ａ）図１に示された圧電デバイスのＡ−Ａにおける断面図であり、（ｂ）図１に示された圧電デバイスのＢ−Ｂにおける断面図である。(A) It is sectional drawing in AA of the piezoelectric device shown by FIG. 1, (b) It is sectional drawing in BB of the piezoelectric device shown by FIG. （ａ）本実施形態における圧電デバイスを構成する基板を上面から見た平面図であり、（ｂ）本実施形態における圧電デバイスを構成する基板の下面から見た平面図である。(A) It is the top view which looked at the board | substrate which comprises the piezoelectric device in this embodiment from the upper surface, (b) It is the top view seen from the lower surface of the board | substrate which comprises the piezoelectric device in this embodiment. 本実施形態における圧電デバイスの蓋体を外した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which removed the cover body of the piezoelectric device in this embodiment. 本実施形態の第一変形例における圧電デバイスの蓋体を外した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which removed the cover body of the piezoelectric device in the 1st modification of this embodiment. 本実施形態の第一変形例における圧電デバイスを構成する基板を上面から見た平面図である。It is the top view which looked at the board | substrate which comprises the piezoelectric device in the 1st modification of this embodiment from the upper surface. 本実施形態の第二変形例における圧電デバイスにおける圧電素子実装領域側を切断した断面図であり、（ｂ）本実施形態の第二変形例における圧電デバイスにおける集積回路素子実装領域側を切断した断面図であるIt is sectional drawing which cut | disconnected the piezoelectric element mounting area | region side in the piezoelectric device in the 2nd modification of this embodiment, (b) The cross section which cut | disconnected the integrated circuit element mounting area | region side in the piezoelectric device in the 2nd modification of this embodiment It is a figure 本実施形態の第三変形例における圧電デバイスを示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the piezoelectric device in the 3rd modification of this embodiment.

本実施形態における圧電デバイスは、図１〜図４に示されているように、基板１１０と、基板１１０の上面に実装された圧電素子１２０及び集積回路素子１６０と、圧電素子１２０を気密封止するための蓋体１３０と、を含んでいる。このような圧電デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。   As shown in FIGS. 1 to 4, the piezoelectric device according to the present embodiment hermetically seals the substrate 110, the piezoelectric element 120 and the integrated circuit element 160 mounted on the upper surface of the substrate 110, and the piezoelectric element 120. And a lid 130 for carrying out the operation. Such a piezoelectric device is used to output a reference signal used in an electronic device or the like.

基板１１０は、矩形状であり、上面で実装された圧電素子１２０及び集積回路素子１６０を実装するための実装部材として機能するものである。基板１１０には、図３及び図４に示されているように、圧電素子１２０を実装するための圧電素子実装領域Ｘと、集積回路素子１６０を実装するための集積回路素子実装領域Ｙが設けられている。圧電素子実装領域Ｘ及び集積回路素子実装領域Ｙは、矩形状であり、隣接するようにして形成されている。圧電素子実装領域Ｘ内には、基板１１０の一辺に沿って、圧電素子１２０を接合するための一対の電極パッド１１１が隣接するようにして設けられている。一対の電極パッド１１１は、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂとで構成されている。基板１１０の下には、六つの外部端子１１２が設けられている。また、六つの外部端子１１２の内の二つである第三外部端子１１２ｃ及び第四外部端子１１２ｄは、圧電素子１２０と電気的に接続されて、圧電素子１２０の入出力端子として用いられる。   The substrate 110 has a rectangular shape and functions as a mounting member for mounting the piezoelectric element 120 and the integrated circuit element 160 mounted on the upper surface. 3 and 4, the substrate 110 is provided with a piezoelectric element mounting region X for mounting the piezoelectric element 120 and an integrated circuit element mounting region Y for mounting the integrated circuit element 160. It has been. The piezoelectric element mounting area X and the integrated circuit element mounting area Y are rectangular and are formed adjacent to each other. In the piezoelectric element mounting region X, a pair of electrode pads 111 for bonding the piezoelectric element 120 are provided along one side of the substrate 110 so as to be adjacent to each other. The pair of electrode pads 111 includes a first electrode pad 111a and a second electrode pad 111b. Under the substrate 110, six external terminals 112 are provided. Further, two of the six external terminals 112, the third external terminal 112c and the fourth external terminal 112d, are electrically connected to the piezoelectric element 120 and used as input / output terminals of the piezoelectric element 120.

圧電素子実装領域Ｘは、図３及び図４に示されているように、基板１１０の短辺と、基板の長辺１１０及び架空線Ｌによって、囲まれている領域である。また、集積回路素子実装領域は、基板１１０の短辺と向かい合う位置にある短辺と、基板の長辺１１０及び架空線Ｌによって、囲まれている領域である。集積回路素子実装領域Ｙ内の中央付近には、集積回路素子１６０を接合するための一対の接続パッド１１５が設けられている。接続パッド１１５は、第一接続パッド１１５ａと第二接続パッド１１５ｂによって構成されている。また、六つの外部端子１１２の内の残りの四つである第一外部端子１１２ａ、第二外部端子１１２ｂ、第五外部端子１１２ｅ及び第六外部端子１１２ｆは、集積回路素子１６０と電気的に接続されている。   The piezoelectric element mounting region X is a region surrounded by the short side of the substrate 110, the long side 110 of the substrate, and the overhead line L, as shown in FIGS. 3 and 4. The integrated circuit element mounting region is a region surrounded by the short side facing the short side of the substrate 110, the long side 110 of the substrate, and the overhead line L. Near the center in the integrated circuit element mounting region Y, a pair of connection pads 115 for bonding the integrated circuit element 160 is provided. The connection pad 115 includes a first connection pad 115a and a second connection pad 115b. The remaining four of the six external terminals 112, the first external terminal 112a, the second external terminal 112b, the fifth external terminal 112e, and the sixth external terminal 112f, are electrically connected to the integrated circuit element 160. Has been.

基板１１０は、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板１１０は、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０の上面には、上面に設けられた一対の電極パッド１１１ａ、１１１ｂと下面の第三外部端子１１２ｃ、第四外部端子１１２ｄとを電気的に接続するための配線パターン１１３がそれぞれ設けられている。基板１１０の下面には、上面に設けられた一対の電極パッド１１１ａ、１１１ｂと下面の第三外部端子１１２ｃ、第四外部端子１１２ｄとを電気的に接続するための接続パターン１１６がそれぞれ設けられている。   The substrate 110 is made of an insulating layer made of a ceramic material such as alumina ceramic or glass-ceramic. The substrate 110 may be one using an insulating layer or may be a laminate of a plurality of insulating layers. A wiring pattern 113 is provided on the upper surface of the substrate 110 to electrically connect the pair of electrode pads 111a and 111b provided on the upper surface to the third external terminal 112c and the fourth external terminal 112d on the lower surface. Yes. A connection pattern 116 is provided on the lower surface of the substrate 110 to electrically connect the pair of electrode pads 111a and 111b provided on the upper surface to the third external terminal 112c and the fourth external terminal 112d on the lower surface. Yes.

基板１１０の第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂは、図１〜図４に示すように、圧電素子１２０を実装するために用いられている。第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂは、図３に示すように、圧電素子実装領域Ｘ内で、基板１１０の一辺に沿って設けられている。また、電極パッド１１１は、基板１１０の上面に設けられた配線パターン１１３と、基板内に設けられた導体部１１４及び基板１１０の下面に設けられた接続パターン１１６を介して、外部端子１１２と電気的に接続されている。外部端子１１２は、基板１１０の下面の外周縁に沿って設けられている。   The first electrode pad 111a and the second electrode pad 111b of the substrate 110 are used for mounting the piezoelectric element 120 as shown in FIGS. As shown in FIG. 3, the first electrode pad 111 a and the second electrode pad 111 b are provided along one side of the substrate 110 in the piezoelectric element mounting region X. The electrode pad 111 is electrically connected to the external terminal 112 via a wiring pattern 113 provided on the upper surface of the substrate 110, a conductor portion 114 provided in the substrate, and a connection pattern 116 provided on the lower surface of the substrate 110. Connected. The external terminal 112 is provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate 110.

電極パッド１１１は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示されているように、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂによって構成されている。また、外部端子１１２は、図３に示されているように第一外部端子１１２ａ、第二外部端子１１２ｂ、第三外部端子１１２ｃ、第四外部端子１１２ｄ、第五外部端子１１２ｅ及び第六外部端子１１２ｆによって構成されている。配線パターン１１３は、図３（ａ）に示されているように、第一配線パターン１１３ａ、第二配線パターン１１３ｂ、第三配線パターン１１３ｃ、第四配線パターン１１３ｄ及び第五配線パターン１１３ｅ、第六配線パターン１１３ｆ、第七配線パターン１１３ｇ及び第八配線パターン１１３ｈによって構成されている。導体部１１４は、図３に示されているように、第一導体部１１４ａ、第二導体部１１４ｂ、第三導体部１１４ｃ、第四導体部１１４ｄ、第五導体部１１４ｅ及び第六導体部１１４ｆによって構成されている。接続パッド１１５は、図３（ａ）に示されているように、第一接続パッド１１５ａ、第二接続パッド１１５ｂ、第三接続パッド１１５ｃ、第四接続パッド１１５ｄ、第五接続パッド１１５ｅ及び第六接続パッド１１５ｆによって構成されている。また、接続パターン１１６は、図３（ｂ）に示されているように、第一接続パターン１１６ａ及び第二接続パターン１１６ｂによって構成されている。   As shown in FIG. 3A and FIG. 3B, the electrode pad 111 includes a first electrode pad 111a and a second electrode pad 111b. As shown in FIG. 3, the external terminal 112 includes a first external terminal 112a, a second external terminal 112b, a third external terminal 112c, a fourth external terminal 112d, a fifth external terminal 112e, and a sixth external terminal. 112f. As shown in FIG. 3A, the wiring pattern 113 includes a first wiring pattern 113a, a second wiring pattern 113b, a third wiring pattern 113c, a fourth wiring pattern 113d, a fifth wiring pattern 113e, and a sixth wiring pattern 113a. The wiring pattern 113f, the seventh wiring pattern 113g, and the eighth wiring pattern 113h are configured. As shown in FIG. 3, the conductor 114 includes a first conductor 114a, a second conductor 114b, a third conductor 114c, a fourth conductor 114d, a fifth conductor 114e, and a sixth conductor 114f. It is constituted by. As shown in FIG. 3A, the connection pad 115 includes a first connection pad 115a, a second connection pad 115b, a third connection pad 115c, a fourth connection pad 115d, a fifth connection pad 115e, and a sixth connection pad. The connection pad 115f is used. Further, as shown in FIG. 3B, the connection pattern 116 includes a first connection pattern 116a and a second connection pattern 116b.

第一電極パッド１１１ａは、図３に示されているように、基板１１０の上面に設けられている第四配線パターン１１３ｄの一端と接続されている。基板１１０の上面に設けられた第四配線パターン１１３ｄの他端は、第四接続パッド１１５ｄと接続されている。第六配線パターン１１３ｆの一端は、第四配線パターン１１３ｄと電気的に接続されており、第六配線パターン１１３ｆの他端は、第四導体部１１４ｄを介して第四外部端子１１２ｄと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド１１１ａは、第四外部端子１１２ｄと電気的に接続されている。また、第二電極パッド１１１ｂは、基板１１０の上面に設けられている第三配線パターン１１３ｃの一端と接続されている。基板１１０の上面に設けられた第三配線パターン１１３ｃの他端は、第三接続パッド１１５ｃと接続されている。第五配線パターン１１３ｅの一端は、第三配線パターン１１３ｃと電気的に接続されており、第五配線パターン１１３ｅの他端は、第三導体部１１４ｃを介して第三外部端子１１２ｃと電気的に接続されている。よって、第二電極パッド１１１ｂは、第三外部端子１１２ｃと電気的に接続されている。   As shown in FIG. 3, the first electrode pad 111 a is connected to one end of a fourth wiring pattern 113 d provided on the upper surface of the substrate 110. The other end of the fourth wiring pattern 113d provided on the upper surface of the substrate 110 is connected to the fourth connection pad 115d. One end of the sixth wiring pattern 113f is electrically connected to the fourth wiring pattern 113d, and the other end of the sixth wiring pattern 113f is electrically connected to the fourth external terminal 112d via the fourth conductor portion 114d. It is connected. Therefore, the first electrode pad 111a is electrically connected to the fourth external terminal 112d. The second electrode pad 111 b is connected to one end of a third wiring pattern 113 c provided on the upper surface of the substrate 110. The other end of the third wiring pattern 113c provided on the upper surface of the substrate 110 is connected to the third connection pad 115c. One end of the fifth wiring pattern 113e is electrically connected to the third wiring pattern 113c, and the other end of the fifth wiring pattern 113e is electrically connected to the third external terminal 112c via the third conductor portion 114c. It is connected. Therefore, the second electrode pad 111b is electrically connected to the third external terminal 112c.

外部端子１１２は、外部の電子機器等を構成する実装基板上に実装するために用いられている。外部端子１１２は、基板１１０の下面の外周縁に沿って六つ設けられている。外部端子１１２の六つの内の二つの端子は、基板１１０の上面に設けられた一対の電極パッド１１１とそれぞれ電気的に接続されている。また、第三外部端子１１２ｃ及び第四外部端子１１２ｄは、圧電素子１２０の特性を測定するために用いる圧電素子用測定端子として用いられる。   The external terminal 112 is used for mounting on a mounting board constituting an external electronic device or the like. Six external terminals 112 are provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate 110. Two of the six external terminals 112 are electrically connected to a pair of electrode pads 111 provided on the upper surface of the substrate 110, respectively. The third external terminal 112c and the fourth external terminal 112d are used as piezoelectric element measurement terminals used for measuring the characteristics of the piezoelectric element 120.

配線パターン１１３は、基板１１０の上面に設けられ、電極パッド１１１及び外部端子１１２から近傍の導体部１１４に向けて引き出されている。また、配線パターン１１３は、図３に示すように、第一配線パターン１１３ａ、第二配線パターン１１３ｂ、第三配線パターン１１３ｃ、第四配線パターン１１に３ｄ、第五配線パターン１１３ｅ、第六配線パターン１１３ｆ、第七配線パターン１１３ｇ及び第八配線パターン１１３ｈによって構成されている。   The wiring pattern 113 is provided on the upper surface of the substrate 110, and is drawn from the electrode pad 111 and the external terminal 112 toward the nearby conductor portion 114. Further, as shown in FIG. 3, the wiring pattern 113 includes a first wiring pattern 113a, a second wiring pattern 113b, a third wiring pattern 113c, a third wiring pattern 11d, a fifth wiring pattern 113e, and a sixth wiring pattern. 113f, a seventh wiring pattern 113g, and an eighth wiring pattern 113h.

導体部１１４は、基板１１０の内部に設けられ、その両端は、外部端子１１２、配線パターン１１３又は接続パターン１１５と電気的に接続されている。導体部１１４は、基板１１０に設けられた貫通孔の内部に導体を充填することで設けられている。また、導体部１１４は、図３に示すように、第一導体部１１４ａ、第二導体部１１４ｂ、第三導体部１１４ｃ、第四導体部１１４ｄ、第五導体部１１４ｅ及び第六導体部１１４ｆによって構成されている。   The conductor portion 114 is provided inside the substrate 110, and both ends thereof are electrically connected to the external terminal 112, the wiring pattern 113, or the connection pattern 115. The conductor portion 114 is provided by filling a conductor in a through hole provided in the substrate 110. Further, as shown in FIG. 3, the conductor portion 114 includes a first conductor portion 114a, a second conductor portion 114b, a third conductor portion 114c, a fourth conductor portion 114d, a fifth conductor portion 114e, and a sixth conductor portion 114f. It is configured.

接続パッド１１５は、集積回路素子１６０を実装するためのものである。また、接続パッド１１５は、図３に示すように、第一接続パッド１１５ａ、第二接続パッド１１５ｂ、第三接続パッド１１５ｃ、第四接続パッド１１５ｄ、第五接続パッド１１５ｅ及び第六接続パッド１１５ｆによって構成されている。また、接続パッド１１５は、基板１１０の上面に設けられた配線パターン１１３と、基板１１０内に設けられた導体部１１４及び基板１１０の下面に設けられた接続パターン１１６を介して、外部端子１１２と電気的に接続されている。   The connection pad 115 is for mounting the integrated circuit element 160. Further, as shown in FIG. 3, the connection pad 115 includes a first connection pad 115a, a second connection pad 115b, a third connection pad 115c, a fourth connection pad 115d, a fifth connection pad 115e, and a sixth connection pad 115f. It is configured. The connection pad 115 is connected to the external terminal 112 via a wiring pattern 113 provided on the upper surface of the substrate 110, a conductor portion 114 provided in the substrate 110, and a connection pattern 116 provided on the lower surface of the substrate 110. Electrically connected.

第一接続パッド１１５ａは、図３に示されているように、基板１１０の上面に設けられている第一配線パターン１１３ａの一端と接続されている。基板１１０の上面に設けられた第一配線パターン１１３ａの他端は、第一導体部１１４ａを介して、基板１１０の下面に設けられた第一外部端子１１２ａと接続されている。第二接続パッド１１５ｂは、図３に示されているように、基板１１０の上面に設けられている第二配線パターン１１３ｂの一端と接続されている。基板１１０の上面に設けられた第二配線パターン１１３ｂの他端は、第二導体部１１４ｂを介して、基板１１０の下面に設けられた第二外部端子１１２ｂと接続されている。第五接続パッド１１５ｅは、図３に示されているように、基板１１０の上面に設けられている第七配線パターン１１３ｇの一端と接続されている。基板１１０の上面に設けられた第七配線パターン１１３ｇの他端は、第五導体部１１４ｅを介して、基板の下面に設けられた第一接続パターン１１６ａの一端と接続されている。基板１１０の下面に設けられた第一接続パターン１１６ａの他端は、図３に示されているように、第五外部端子１１２ｅと電気的に接続されている。よって、第五接続パッド１１５ｅは、第五外部端子１１２ｅと電気的に接続されている。また、第六接続パッド１１５ｆは、図３に示されているように、基板１１０の上面に設けられている第八配線パターン１１３ｈの一端と接続されている。基板１１０の上面に設けられた第八配線パターン１１３ｈの他端は、第六導体部１１４ｆを介して、基板の下面に設けられた第二接続パターン１１６ｂの一端と接続されている。基板１１０の下面に設けられた第二接続パターン１１６ｂの他端は、図３に示されているように、第六外部端子１１２ｆと電気的に接続されている。よって、第六接続パッド１１５ｆは、第六外部端子１１２ｆと電気的に接続されている。   As shown in FIG. 3, the first connection pad 115 a is connected to one end of a first wiring pattern 113 a provided on the upper surface of the substrate 110. The other end of the first wiring pattern 113a provided on the upper surface of the substrate 110 is connected to the first external terminal 112a provided on the lower surface of the substrate 110 via the first conductor portion 114a. As shown in FIG. 3, the second connection pad 115 b is connected to one end of the second wiring pattern 113 b provided on the upper surface of the substrate 110. The other end of the second wiring pattern 113b provided on the upper surface of the substrate 110 is connected to a second external terminal 112b provided on the lower surface of the substrate 110 via the second conductor portion 114b. As shown in FIG. 3, the fifth connection pad 115 e is connected to one end of a seventh wiring pattern 113 g provided on the upper surface of the substrate 110. The other end of the seventh wiring pattern 113g provided on the upper surface of the substrate 110 is connected to one end of the first connection pattern 116a provided on the lower surface of the substrate via the fifth conductor portion 114e. The other end of the first connection pattern 116a provided on the lower surface of the substrate 110 is electrically connected to the fifth external terminal 112e as shown in FIG. Therefore, the fifth connection pad 115e is electrically connected to the fifth external terminal 112e. Further, as shown in FIG. 3, the sixth connection pad 115 f is connected to one end of an eighth wiring pattern 113 h provided on the upper surface of the substrate 110. The other end of the eighth wiring pattern 113h provided on the upper surface of the substrate 110 is connected to one end of a second connection pattern 116b provided on the lower surface of the substrate via a sixth conductor portion 114f. The other end of the second connection pattern 116b provided on the lower surface of the substrate 110 is electrically connected to the sixth external terminal 112f as shown in FIG. Therefore, the sixth connection pad 115f is electrically connected to the sixth external terminal 112f.

接続パターン１１６は、基板１１０の下面に設けられ、外部端子１１２から基板１１０の導体部１１４に向けて引き出されている。接続パターン１１６は、図３に示すように、第一接続パターン１１６ａ及び第二接続パターン１１６ｂによって構成されている。   The connection pattern 116 is provided on the lower surface of the substrate 110 and is drawn from the external terminal 112 toward the conductor portion 114 of the substrate 110. As shown in FIG. 3, the connection pattern 116 includes a first connection pattern 116a and a second connection pattern 116b.

ここで、基板１１０の作製方法について説明する。基板１１０がアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、電極パッド１１１、外部端子１１２、配線パターン１１３、導体部１１４、接続パッド１１５及び接続パターン１１６となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。   Here, a method for manufacturing the substrate 110 is described. When the substrate 110 is made of alumina ceramic, first, a plurality of ceramic green sheets obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent or the like to a predetermined ceramic material powder is prepared. In addition, a predetermined conductor paste is applied to the surface of the ceramic green sheet or a through-hole previously punched by punching the ceramic green sheet by screen printing or the like. Further, these green sheets are laminated and press-molded and fired at a high temperature. Finally, nickel plating, gold plating, silver palladium, or the like is applied to a predetermined portion of the conductor pattern, specifically, the electrode pad 111, the external terminal 112, the wiring pattern 113, the conductor portion 114, the connection pad 115, and the connection pattern 116. It is produced by giving. Moreover, the conductor paste is comprised from the sintered compact etc. of metal powders, such as tungsten, molybdenum, copper, silver, or silver palladium, for example.

圧電素子１２０は、図１及び図２に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。圧電素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the piezoelectric element 120 is bonded onto the electrode pad 111 via a conductive adhesive 140. The piezoelectric element 120 plays a role of oscillating a reference signal of an electronic device or the like by stable mechanical vibration and a piezoelectric effect.

また、圧電素子１２０は、図１及び図２に示されているように、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに励振用電極１２２及び引き出し電極１２３を被着させた構造を有している。励振用電極１２２は、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極１２２は、上面に第一励振用電極１２２ａと、下面に第二励振用電極１２２ｂを備えている。引き出し電極１２３は、励振用電極１２２から水晶素板１２１の一辺に向かってそれぞれ延出されている。引き出し電極１２３は、上面に第一引き出し電極１２３ａと、下面に第二引き出し電極１２３ｂとを備えている。第一引き出し電極１２３ａは、第一励振用電極１２２ａから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極１２３ｂは、第二励振用電極１２２ｂから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。つまり、引き出し電極１２３は、水晶素板１２１の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。また、本実施形態においては、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂと接続されている圧電素子１２０の一端を基板１１０の上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０の上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて圧電素子１２０が基板１１０上に固定されている。   Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the piezoelectric element 120 has a structure in which an excitation electrode 122 and an extraction electrode 123 are attached to the upper surface and the lower surface of the crystal base plate 121, respectively. . The excitation electrode 122 is formed by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on each of the upper surface and the lower surface of the quartz base plate 121. The excitation electrode 122 includes a first excitation electrode 122a on the upper surface and a second excitation electrode 122b on the lower surface. The extraction electrode 123 extends from the excitation electrode 122 toward one side of the crystal base plate 121. The extraction electrode 123 includes a first extraction electrode 123a on the upper surface and a second extraction electrode 123b on the lower surface. The first extraction electrode 123 a is extracted from the first excitation electrode 122 a and is provided so as to extend toward one side of the crystal base plate 121. The second extraction electrode 123 b is extracted from the second excitation electrode 122 b and is provided so as to extend toward one side of the crystal base plate 121. That is, the extraction electrode 123 is provided in a shape along the long side or the short side of the quartz base plate 121. In the present embodiment, one end of the piezoelectric element 120 connected to the first electrode pad 111a and the second electrode pad 111b is a fixed end connected to the upper surface of the substrate 110, and the other end is between the upper surface of the substrate 110. The piezoelectric element 120 is fixed on the substrate 110 with a cantilevered support structure having a free end with a gap.

ここで、圧電素子１２０の動作について説明する。圧電素子１２０は、外部からの交番電圧が引き出し電極１２３から励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。   Here, the operation of the piezoelectric element 120 will be described. In the piezoelectric element 120, when an alternating voltage from the outside is applied from the extraction electrode 123 to the crystal base plate 121 via the excitation electrode 122, the crystal base plate 121 is excited in a predetermined vibration mode and frequency. ing.

ここで、圧電素子１２０の作製方法について説明する。まず、圧電素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、圧電素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２、引き出し電極１２３を形成することにより作製される。   Here, a method for manufacturing the piezoelectric element 120 will be described. First, the piezoelectric element 120 is cut from the artificial crystalline lens at a predetermined cut angle to reduce the thickness of the outer periphery of the crystal base plate 121, and the central portion of the crystal base plate 121 is thicker than the outer peripheral portion of the crystal base plate 121. The bevel processing provided is performed. The piezoelectric element 120 is manufactured by forming the excitation electrode 122 and the extraction electrode 123 by depositing a metal film on both main surfaces of the quartz base plate 121 by photolithography, vapor deposition, or sputtering. Is done.

圧電素子１２０の基板１１０への接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂ上に塗布される。圧電素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送され、導電性接着剤１４０上に載置される。そして導電性接着剤１４０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。圧電素子１２０は、電極パッド１１１に接合される。つまり、圧電素子１２０の第一引き出し電極１２３ａは、第二電極パッド１１１ｂと接合され、第二引き出し電極１２３ｂは、第一電極パッド１１１ａと接合される。これによって、第二外部端子１１２ｂと第四外部端子１１２ｄが圧電素子１２０と電気的に接続されることになる。   A method for bonding the piezoelectric element 120 to the substrate 110 will be described. First, the conductive adhesive 140 is applied onto the first electrode pad 111a and the second electrode pad 111b by a dispenser, for example. The piezoelectric element 120 is transported on the conductive adhesive 140 and placed on the conductive adhesive 140. The conductive adhesive 140 is cured and contracted by being heated and cured. The piezoelectric element 120 is bonded to the electrode pad 111. That is, the first lead electrode 123a of the piezoelectric element 120 is joined to the second electrode pad 111b, and the second lead electrode 123b is joined to the first electrode pad 111a. As a result, the second external terminal 112b and the fourth external terminal 112d are electrically connected to the piezoelectric element 120.

導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。   The conductive adhesive 140 contains conductive powder as a conductive filler in a binder such as silicone resin, and the conductive powder includes aluminum, molybdenum, tungsten, platinum, palladium, silver, titanium, One containing either nickel or nickel iron, or a combination thereof is used. Moreover, as a binder, a silicone resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or a bismaleimide resin is used, for example.

集積回路素子１６０は、例えば、複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型集積回路素子が用いられ、その回路形成面（上面）には、周囲の温度状態を検知する温度センサー、圧電素子１２０の温度特性を補償する温度補償データを格納するための記憶素子部、温度補償データに基づいて圧電素子１２０の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路部、その温度補償回路部に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路部が設けられている。この発振回路部で生成された出力信号は、基板１１０の下面に設けられた第一外部端子１１２ａを介して圧電デバイスの外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。   As the integrated circuit element 160, for example, a rectangular flip-chip type integrated circuit element having a plurality of connection pads is used, and a temperature sensor for detecting an ambient temperature state and a piezoelectric element are provided on the circuit formation surface (upper surface). Storage element unit for storing temperature compensation data for compensating temperature characteristic of element 120, temperature compensation circuit unit for correcting vibration characteristic of piezoelectric element 120 according to temperature change based on temperature compensation data, and temperature compensation circuit unit thereof And an oscillation circuit unit that generates a predetermined oscillation output. The output signal generated by the oscillation circuit unit is output to the outside of the piezoelectric device via the first external terminal 112a provided on the lower surface of the substrate 110, and is used as a reference signal such as a clock signal.

記憶素子部は、ＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭにより構成されている。温度補償関数である下記に示す三次関数のもととなるパラメータ、例えば三次成分調整値α、一次成分調整値β、０次成分調整値γの各値の温度補償用制御データが第五外部端子１１２ｅである書込読込端子から入力され保存される。記憶素子部には、レジスタマップが記憶されている。レジスタマップとは、各アドレスデータに制御データを入力した場合、制御部がそのデータを読み取り、信号を出力し、どのような動作を行なうかを示したものである。   The storage element unit is composed of PROM or EEPROM. The temperature compensation control data for the following third-order function, which is the temperature compensation function, for example, the third-order component adjustment value α, the first-order component adjustment value β, and the zero-order component adjustment value γ are temperature compensation control data. It is inputted from the writing / reading terminal 112e and stored. A register map is stored in the storage element section. The register map indicates what operation is performed when the control data is input to each address data and the control section reads the data and outputs a signal.

温度補償回路部は、三次関数発生回路や五次関数発生回路等によって構成されている。例えば、三次関数発生回路の場合は、その記憶素子部に入力された温度補償用制御データを読出して、温度補償用制御データから各温度に対して三次関数で導き出された電圧を発生させる。尚、この時の外部の周囲温度は、集積回路素子１６０内の温度センサーより得られる。温度補償回路部は、可変容量ダイオードのカソードと接続されており、温度補償回路部からの電圧が印加される。このように、可変容量ダイオードに温度補償回路部からの電圧を印加することよって、圧電素子１２０の周波数温度特性を補正することにより、周波数温度特性が平坦化される。   The temperature compensation circuit unit includes a cubic function generating circuit, a quintic function generating circuit, and the like. For example, in the case of a cubic function generation circuit, the temperature compensation control data input to the storage element section is read, and a voltage derived from the temperature compensation control data with a cubic function is generated for each temperature. The external ambient temperature at this time is obtained from a temperature sensor in the integrated circuit element 160. The temperature compensation circuit unit is connected to the cathode of the variable capacitance diode, and a voltage is applied from the temperature compensation circuit unit. As described above, by applying the voltage from the temperature compensation circuit unit to the variable capacitance diode, the frequency temperature characteristic of the piezoelectric element 120 is corrected, thereby flattening the frequency temperature characteristic.

集積回路素子１６０は、図２（ｂ）に示すように、基板１１０の上面に設けられた接続パッド１１５に半田等の導電性接合材１７０を介して実装されている。また、集積回路素子１６０の接続端子１６１は、接続パッド１１５に接続されている。接続パッド１１５は、配線パターン１１３、導体部１１４及び接続パターン１１６を介して外部端子１１２と電気的に接続されている。この第二外部端子１１２ｂは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。よって、集積回路素子１６０の接続端子１６１の内の一つは、基準電位であるグランドに接続されることになる。   As shown in FIG. 2B, the integrated circuit element 160 is mounted on a connection pad 115 provided on the upper surface of the substrate 110 via a conductive bonding material 170 such as solder. Further, the connection terminal 161 of the integrated circuit element 160 is connected to the connection pad 115. The connection pad 115 is electrically connected to the external terminal 112 through the wiring pattern 113, the conductor portion 114, and the connection pattern 116. The second external terminal 112b serves as a ground terminal by being connected to a mounting pad that is connected to a ground that is a reference potential on a mounting substrate of an electronic device or the like. Therefore, one of the connection terminals 161 of the integrated circuit element 160 is connected to the ground that is the reference potential.

集積回路素子１６０の基板１１０への接合方法について説明する。まず、導電性接合材１７０は、例えばディスペンサによって接続パッド１１５に塗布される。集積回路素子１６０は、導電性接合材１７０上に載置される。そして導電性接合材１７０は、加熱させることによって溶融接合される。よって、集積回路素子１６０は、接続パッド１１５に接合される。   A method for bonding the integrated circuit element 160 to the substrate 110 will be described. First, the conductive bonding material 170 is applied to the connection pad 115 by a dispenser, for example. The integrated circuit element 160 is placed on the conductive bonding material 170. The conductive bonding material 170 is melt bonded by heating. Therefore, the integrated circuit element 160 is bonded to the connection pad 115.

また、集積回路素子１６０は、図１及び図２に示すように、矩形状であり、その下面に六つの接続端子１６１が設けられている。接続端子１６１は、一辺に沿って三つ設けられており、その一辺と向かい合う一辺に沿って三つ設けられている。集積回路素子１６０の長辺の長さは、０．５〜１．２ｍｍであり、短辺の長さは、０．３〜１．０ｍｍとなっている。集積回路素子１６０の厚み方向の長さは、０．１〜０．３ｍｍとなっている。   The integrated circuit element 160 has a rectangular shape as shown in FIGS. 1 and 2, and six connection terminals 161 are provided on the lower surface thereof. Three connection terminals 161 are provided along one side, and three are provided along one side facing the one side. The long side length of the integrated circuit element 160 is 0.5 to 1.2 mm, and the short side length is 0.3 to 1.0 mm. The length of the integrated circuit element 160 in the thickness direction is 0.1 to 0.3 mm.

導電性接合材１７０は、例えば、銀ペースト又は鉛フリー半田により構成されている。また、導電性接合材１７０には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が９５〜９７．５％、銀が２〜４％、銅が０．５〜１．０％のものが使用されている。   The conductive bonding material 170 is made of, for example, silver paste or lead-free solder. In addition, the conductive bonding material 170 contains an added solvent for adjusting the viscosity to be easily applied. The component ratio of the lead-free solder is 95 to 97.5% for tin, 2 to 4% for silver, and 0.5 to 1.0% for copper.

導電性接合材１７０は、例えば、銀ペースト又は鉛フリー半田により構成されている。また、導電性接合材１７０には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が９５〜９８％、銀が２〜４％、銅が０〜１．０％のものが使用されている。   The conductive bonding material 170 is made of, for example, silver paste or lead-free solder. In addition, the conductive bonding material 170 contains an added solvent for adjusting the viscosity to be easily applied. The component ratio of the lead-free solder is 95 to 98% for tin, 2 to 4% for silver, and 0 to 1.0% for copper.

蓋体１３０は、矩形状の封止基部１３０ａと、封止基部１３０ａの下面の外周縁に沿って設けられている封止枠部１３０ｂとで構成されており、封止基部１３０ａの下面と封止枠部１３０ｂの内側側面とで収容空間Ｋが形成されている。封止枠部１３０ｂは、封止基部１３０ａの下面に収容空間Ｋを形成するためのものである。封止枠部１３０ｂは、封止基部１３０ａの下面の外縁に沿って設けられている。   The lid 130 includes a rectangular sealing base portion 130a and a sealing frame portion 130b provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the sealing base portion 130a. An accommodation space K is formed with the inner side surface of the retaining frame portion 130b. The sealing frame part 130b is for forming the accommodation space K on the lower surface of the sealing base part 130a. The sealing frame part 130b is provided along the outer edge of the lower surface of the sealing base part 130a.

封止基部１３０ａ及び封止枠部１３０ｂは、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、一体的に形成されている。このような蓋体１３０は、真空状態にある収容空間Ｋ又は窒素ガスなどが充填された収容空間Ｋを気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、基板１１０の上面に載置され、基板１１０の上面と封止枠部１３０ｂの下面との間に設けられた接合部材１５０とが熱が印加されることで、溶融接合される。   The sealing base portion 130a and the sealing frame portion 130b are made of, for example, an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt, and are integrally formed. Such a lid 130 is for hermetically sealing the accommodation space K in a vacuum state or the accommodation space K filled with nitrogen gas or the like. Specifically, the lid 130 is placed on the upper surface of the substrate 110 in a predetermined atmosphere, and heat is applied to the bonding member 150 provided between the upper surface of the substrate 110 and the lower surface of the sealing frame portion 130b. As a result, fusion bonding is performed.

接合部材１５０は、蓋体１３０の下面と基板１１０の上面の外周縁とを接合するために用いられている。接合部材１５０は、図２に示すように、封止枠部１３０ｂの下面から基板１１０上の外周縁上にかけて設けられている。また、接合部材１５０は、平面視して、基板１１０の圧電素子実装領域Ｘ上に設けられた第四配線パターン１１３ｄの外周縁に沿って設けられている。このようにすることによって、接合部材１５０が、第四配線パターン１１３ｄの段差により基板１１０の外周縁に留められるため、圧電素子１２０の固定端側から圧電素子実装領域Ｘの中心方向に向かって入り込むことを低減することができる。このように、圧電素子実装領域Ｘに向かって入り込むことを低減することで、圧電素子１２０に接合部材１５０が付着することを少しでも抑えることが可能となる   The joining member 150 is used to join the lower surface of the lid 130 and the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate 110. As shown in FIG. 2, the bonding member 150 is provided from the lower surface of the sealing frame portion 130 b to the outer peripheral edge on the substrate 110. In addition, the bonding member 150 is provided along the outer peripheral edge of the fourth wiring pattern 113d provided on the piezoelectric element mounting region X of the substrate 110 in plan view. By doing in this way, since the joining member 150 is fastened to the outer peripheral edge of the substrate 110 by the step of the fourth wiring pattern 113d, it enters from the fixed end side of the piezoelectric element 120 toward the center direction of the piezoelectric element mounting region X. This can be reduced. In this way, by reducing entry into the piezoelectric element mounting region X, it is possible to suppress the bonding member 150 from adhering to the piezoelectric element 120 even a little.

接合部材１５０は、３００℃〜４００℃で溶融するガラスである例えばバナジウムを含有した低融点ガラス又は酸化鉛系ガラスから構成されている。ガラスは、バインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。接合部材１５０は、例えば、ガラスフリットペーストをスクリーン印刷法で封止枠部１３０ｂの下面に沿って環状に塗布され乾燥することで設けられる。また、この酸化鉛系ガラスの組成は、酸化鉛、フッ化鉛、二酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化亜鉛、酸化第二鉄、酸化銅及び酸化カルシウムとから構成されている。   The joining member 150 is made of, for example, low melting glass or lead oxide glass containing vanadium which is a glass that melts at 300 ° C. to 400 ° C. Glass is pasty with a binder and a solvent added, and is melted and then solidified to adhere to other members. The joining member 150 is provided by, for example, applying glass frit paste in an annular shape along the lower surface of the sealing frame portion 130b by screen printing and drying. The composition of the lead oxide glass is composed of lead oxide, lead fluoride, titanium dioxide, niobium oxide, bismuth oxide, boron oxide, zinc oxide, ferric oxide, copper oxide and calcium oxide.

絶縁性樹脂１８０は、集積回路素子１６０と基板１１０ａの下面との接着強度を高めると共に、電子機器等の実装基板上に実装する際に用いる半田等が、集積回路素子１６０に被着することを抑えつつ、その半田等が集積回路素子１６０の接続端子１６１間に付着することを抑えるためのものである。絶縁性樹脂１８０は、図２及び図４に示すように、集積回路素子１６０を被覆すると共に、集積回路素子１６０と基板１１０との間、基板１１０の圧電素子実装領域Ｘの上面及び集積回路素子実装領域Ｙの上面に設けられている。絶縁性樹脂１８０は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。絶縁性樹脂１８０の弾性率は、例えば、エポキシ樹脂の場合には、１〜３ＧＰａである。   The insulating resin 180 increases the adhesive strength between the integrated circuit element 160 and the lower surface of the substrate 110a, and also prevents the solder used when mounting on the mounting substrate of an electronic device or the like from being attached to the integrated circuit element 160. This is to prevent the solder or the like from adhering between the connection terminals 161 of the integrated circuit element 160 while suppressing it. As shown in FIGS. 2 and 4, the insulating resin 180 covers the integrated circuit element 160, between the integrated circuit element 160 and the substrate 110, the upper surface of the piezoelectric element mounting region X of the substrate 110, and the integrated circuit element. It is provided on the upper surface of the mounting area Y. As the insulating resin 180, for example, a silicone resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or a bismaleimide resin is used. The elastic modulus of the insulating resin 180 is, for example, 1 to 3 GPa in the case of an epoxy resin.

また、絶縁性樹脂１８０は、蓋体１３０の封止枠体１３０ｂと接合されている。このようにすることで、仮に圧電デバイスが電子機器等の実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して基板１１０の上面に接合されている集積回路素子１５０に伝わったとしても、その熱が絶縁性樹脂１８０から蓋体１３０に伝わることになる。最後に、熱が絶縁性樹脂１８０から大気中に放出されると共に、絶縁性樹脂１８０から蓋体１３０に熱の一部が伝わり、蓋体１３０からも熱が大気中に放出される。このようにすることで、基板１１０ａに実装された集積回路素子１６０に対して熱の影響をさらに緩和することができる。   The insulating resin 180 is bonded to the sealing frame body 130b of the lid body 130. In this way, if the piezoelectric device is mounted on a mounting board such as an electronic device, electronic components such as other power amplifiers mounted on the mounting board generate heat, and the heat is generated by the mounting board. Even if the heat is transmitted to the integrated circuit element 150 bonded to the upper surface of the substrate 110 through the heat, the heat is transmitted from the insulating resin 180 to the lid 130. Finally, heat is released from the insulating resin 180 to the atmosphere, part of the heat is transferred from the insulating resin 180 to the lid 130, and heat is also released from the lid 130 to the atmosphere. By doing so, it is possible to further reduce the influence of heat on the integrated circuit element 160 mounted on the substrate 110a.

また、絶縁性樹脂１８０が、蓋体１３０を囲むようにして封止枠部１３０ｂと接合されている。このようにすることにより、絶縁性樹脂１８０にて、蓋体１３０と基板１１０との界面である封止部材１５０の周囲を保護することができるため、気密性を向上させることができる。また、このようにすることで、仮に圧電デバイスに衝撃が加わったとしても、絶縁性樹脂１８０が蓋体１３０を囲むように形成されているため、絶縁性樹脂１８０により衝撃を吸収し、圧電素子１２０に衝撃が加わることを抑えるため、電極パッド１１１から圧電素子１２０が剥がれてしまうことを抑えることができる。   Further, the insulating resin 180 is joined to the sealing frame portion 130 b so as to surround the lid body 130. By doing so, the insulating resin 180 can protect the periphery of the sealing member 150 that is the interface between the lid 130 and the substrate 110, and thus the airtightness can be improved. Further, in this way, even if an impact is applied to the piezoelectric device, since the insulating resin 180 is formed so as to surround the lid body 130, the impact is absorbed by the insulating resin 180, and the piezoelectric element In order to suppress an impact from being applied to 120, it is possible to prevent the piezoelectric element 120 from peeling off from the electrode pad 111.

また、絶縁性樹脂１８０と蓋体１３０の側面とが接合している部分の上下方向の高さが、蓋体１３０の上下方向の高さより低くなるようにして設けられていることが望ましい。例えば、絶縁性樹脂１８０と蓋体１３０の封止枠部１３０ｂの側面とが接着している部分の上下方向の高さは、蓋体１３０の封止枠部１３０ｂの上下方向の高さの１０％の高さより高く、蓋体１３０の上下方向の高さの９０％の高さより低くなっている。仮に蓋体１３０に接着している絶縁性樹脂１８０の高さが、蓋体１３０の上下方向の高さの１０％より低い場合には、蓋体１３０と集積回路素子１５０との間であって基板１１０の上面に存在する絶縁性樹脂１８０の量が少なくなるため、基板１１０の剛性が低くなり、外力による基板１１０の歪みの量が大きくなってしまうことがある。また、蓋体１３０に接合している絶縁性樹脂１８０の高さが、蓋体１３０の上下方向の高さの９０％より高い場合には、絶縁性樹脂１８０を塗布したときに、蓋体１３０の上面に絶縁性樹脂１８０が付着し、絶縁性樹脂１８０が硬化するときに蓋体１３０が変形してしまう虞がある。よって、絶縁性樹脂１８０と蓋体１３０の側面とが接着している部分の上下方向の高さを、蓋体１３０の上下方向の高さの１０％〜９０％となるようにすることで、外力により基板１１０に生じる歪みの量を抑えつつ、絶縁性樹脂１８０により蓋体１３０が変形してしまうことを低減させることが可能となる。例えば、蓋体１３０の上下方向の高さが１．０ｍｍの場合、蓋体１３０と絶縁性樹脂１８０とが接着している部分の高さは、０．１ｍｍ以上でかつ０．９ｍｍ以下となっていることが望ましく、例えば、０．７ｍｍの高さとなっている。   In addition, it is desirable that the height in the vertical direction of the portion where the insulating resin 180 and the side surface of the lid 130 are joined is set to be lower than the height in the vertical direction of the lid 130. For example, the vertical height of the portion where the insulating resin 180 and the side surface of the sealing frame portion 130 b of the lid 130 are bonded is 10 as the vertical height of the sealing frame portion 130 b of the lid 130. %, Which is lower than 90% of the height of the lid 130 in the vertical direction. If the height of the insulating resin 180 bonded to the lid 130 is lower than 10% of the height in the vertical direction of the lid 130, it is between the lid 130 and the integrated circuit element 150. Since the amount of the insulating resin 180 present on the upper surface of the substrate 110 is reduced, the rigidity of the substrate 110 is lowered, and the amount of distortion of the substrate 110 due to an external force may be increased. Further, when the height of the insulating resin 180 bonded to the lid 130 is higher than 90% of the height in the vertical direction of the lid 130, the lid 130 is applied when the insulating resin 180 is applied. When the insulating resin 180 adheres to the upper surface of the resin and the insulating resin 180 is cured, the lid 130 may be deformed. Therefore, by making the vertical height of the portion where the insulating resin 180 and the side surface of the lid body 130 are bonded to be 10% to 90% of the vertical height of the lid body 130, It is possible to reduce the deformation of the lid body 130 by the insulating resin 180 while suppressing the amount of distortion generated in the substrate 110 by an external force. For example, when the height of the lid 130 in the vertical direction is 1.0 mm, the height of the portion where the lid 130 and the insulating resin 180 are bonded is 0.1 mm or more and 0.9 mm or less. For example, the height is 0.7 mm.

次に、絶縁性樹脂１８０の塗布方法は、未硬化状態の絶縁性樹脂１８０が集積回路素子１５０と蓋体との間に塗布し、集積回路素子１５０と基板１１０との間に充填される。充填は、例えば、ディスペンサによって行われる。その後、常温の雰囲気によって、又は、リフロー炉等による加熱によって、絶縁性樹脂１８０は硬化される。   Next, as a method for applying the insulating resin 180, the uncured insulating resin 180 is applied between the integrated circuit element 150 and the lid and filled between the integrated circuit element 150 and the substrate 110. Filling is performed by, for example, a dispenser. Thereafter, the insulating resin 180 is cured by an atmosphere at room temperature or by heating in a reflow furnace or the like.

本実施形態における圧電デバイスは、圧電素子実装領域Ｘと集積回路素子実装領域Ｙとを有する矩形状の基板１１０と、圧電素子実装領域Ｘの上面に実装された圧電素子１２０と、封止基部１３０ａと、封止基部１３０ａの下面の外周縁に設けられている封止枠部１３０ｂとからなる蓋体１３０と、封止枠部１３０ｂの下面と基板１１０の圧電素子実装領域Ｘの上面との間に設けられている接合部材１５０と、基板１１０の集積回路素子実装領域Ｙの上面に実装され、圧電素子１２０と電気的に接続されている集積回路素子１６０と、圧電素子実装領域Ｘ及び集積回路素子実装領域Ｙの上面及び集積回路素子１５０を覆うようにして設けられている絶縁性樹脂１８０と、を備えている。このような圧電デバイスを電子機器等の実装基板上に実装した際に、仮に基板１１０に応力がかかってしまっても、絶縁性樹脂１８０が圧電素子実装領域Ｘ及び集積回路素子実装領域Ｙの上面及び集積回路素子１６０を覆うようにして設けられていることにより、絶縁性樹脂１８０によって応力が分散されるため、導電性接合材１７０にのみ応力が加わることを緩和することができるため、集積回路素子１６０と導電性接合材１７０との界面が剥がれてしまうことを抑えつつ、集積回路素子１６０の導通不良を低減することができる。   The piezoelectric device according to the present embodiment includes a rectangular substrate 110 having a piezoelectric element mounting region X and an integrated circuit element mounting region Y, a piezoelectric element 120 mounted on the upper surface of the piezoelectric element mounting region X, and a sealing base 130a. And a lid body 130 including a sealing frame portion 130b provided on the outer peripheral edge of the lower surface of the sealing base portion 130a, and between the lower surface of the sealing frame portion 130b and the upper surface of the piezoelectric element mounting region X of the substrate 110. The integrated circuit element 160 mounted on the upper surface of the integrated circuit element mounting area Y of the substrate 110 and electrically connected to the piezoelectric element 120, the piezoelectric element mounting area X, and the integrated circuit. And an insulating resin 180 provided so as to cover the upper surface of the element mounting region Y and the integrated circuit element 150. When such a piezoelectric device is mounted on a mounting substrate such as an electronic device, even if stress is applied to the substrate 110, the insulating resin 180 remains on the upper surface of the piezoelectric element mounting region X and the integrated circuit element mounting region Y. In addition, since the stress is dispersed by the insulating resin 180 by being provided so as to cover the integrated circuit element 160, it is possible to reduce the stress from being applied only to the conductive bonding material 170. The conduction failure of the integrated circuit element 160 can be reduced while preventing the interface between the element 160 and the conductive bonding material 170 from being peeled off.

また、本実施形態における圧電デバイスは、絶縁性樹脂１８０が蓋体１３０の側面と接合している。このようにすることで、仮に圧電デバイスが電子機器等の実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して基板１１０の上面に接合されている集積回路素子１５０に伝わったとしても、その熱が絶縁性樹脂１８０から絶縁性樹脂１８０と接合されている蓋体１３０に伝わることになる。最後に、熱が絶縁性樹脂１８０から大気中に放出されると共に、絶縁性樹脂１８０から蓋体１３０に熱の一部が伝わり、蓋体１３０からも熱が大気中に放出される。このようにすることで、基板１１０に実装された集積回路素子１６０に対して熱の影響をさらに緩和することができる。   In the piezoelectric device according to this embodiment, the insulating resin 180 is bonded to the side surface of the lid body 130. In this way, if the piezoelectric device is mounted on a mounting board such as an electronic device, electronic components such as other power amplifiers mounted on the mounting board generate heat, and the heat is generated by the mounting board. Even if the heat is transferred to the integrated circuit element 150 bonded to the upper surface of the substrate 110 via the heat transfer, the heat is transferred from the insulating resin 180 to the lid body 130 bonded to the insulating resin 180. Finally, heat is released from the insulating resin 180 to the atmosphere, part of the heat is transferred from the insulating resin 180 to the lid 130, and heat is also released from the lid 130 to the atmosphere. By doing so, the influence of heat on the integrated circuit element 160 mounted on the substrate 110 can be further reduced.

また、本実施形態における圧電デバイスは、絶縁性樹脂１８０が、蓋体１３０を囲むようにして封止枠部１３０ｂと接合されている。このようにすることにより、絶縁性樹脂１８０にて、蓋体１３０と基板１１０との界面である封止部材１５０の周囲を保護することができるため、気密性を向上させることができる。また、このようにすることで、仮に圧電デバイスに衝撃が加わったとしても、絶縁性樹脂１８０が蓋体１３０を囲むように形成されているため、絶縁性樹脂１８０により衝撃を吸収し、圧電素子１２０に衝撃が加わることを抑えるため、電極パッド１１１から圧電素子１２０が剥がれてしまうことを抑えることができる。   In the piezoelectric device according to the present embodiment, the insulating resin 180 is joined to the sealing frame portion 130 b so as to surround the lid body 130. By doing so, the insulating resin 180 can protect the periphery of the sealing member 150 that is the interface between the lid 130 and the substrate 110, and thus the airtightness can be improved. Further, in this way, even if an impact is applied to the piezoelectric device, since the insulating resin 180 is formed so as to surround the lid body 130, the impact is absorbed by the insulating resin 180, and the piezoelectric element In order to suppress an impact from being applied to 120, it is possible to prevent the piezoelectric element 120 from peeling off from the electrode pad 111.

また、本実施形態における圧電デバイスは、絶縁性樹脂１８０が、絶縁性樹脂１８０と蓋体１３０の側面とが接合している部分の上下方向の高さが、蓋体１３０の上下方向の高さより低くなるようにして設けられている。このように、絶縁性樹脂１８０と蓋体１３０の側面とが接着している部分の上下方向の高さを、蓋体１３０の上下方向の高さよりも低くなうようにすることで、外力により基板１１０に生じる歪みの量を抑えつつ、絶縁性樹脂１８０により蓋体１３０が変形してしまうことを低減させることが可能となる。   In the piezoelectric device according to the present embodiment, the vertical height of the portion of the insulating resin 180 where the insulating resin 180 and the side surface of the lid 130 are joined is higher than the vertical height of the lid 130. It is provided to be low. As described above, the height in the vertical direction of the portion where the insulating resin 180 and the side surface of the lid 130 are bonded is made lower than the height in the vertical direction of the lid 130, thereby It is possible to reduce the deformation of the lid 130 by the insulating resin 180 while suppressing the amount of distortion generated in the substrate 110.

（第一変形例）
以下、本実施形態の第一変形例における圧電デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における圧電デバイスのうち、上述した圧電デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における圧電デバイスは、図５及び図６に示されているように、電極パッド２１１と外部端子２１２とを電気的に切り離すための切断部２１７が基板２１０上に設けられている点において、本実施形態と異なる。 (First modification)
Hereinafter, the piezoelectric device according to the first modification of the present embodiment will be described. In addition, about the piezoelectric device in the 1st modification of this embodiment, about the part similar to the piezoelectric device mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted suitably. As shown in FIGS. 5 and 6, the piezoelectric device according to the first modification of the present embodiment is provided with a cutting part 217 on the substrate 210 for electrically separating the electrode pad 211 and the external terminal 212. This is different from the present embodiment.

外部端子２１２は、図６に示されているように第一外部端子２１２ａ、第二外部端子１１２ｂ、第三外部端子２１２ｃ及び第四外部端子２１２ｄによって構成されている。配線パターン２１３は、図６（ａ）に示されているように、第一配線パターン２１３ａ、第二配線パターン２１３ｂ、第三配線パターン２１３ｃ、第四配線パターン２１３ｄ及び第五配線パターン２１３ｅ及び第六配線パターン２１３ｆによって構成されている。また、導体部２１４は、図６に示されているように、第一導体部２１４ａ、第二導体部２１４ｂ、第三導体部２１４ｃ及び第四導体部２１４ｄによって構成されている。接続パターン２１６は、第一接続パターン２１６ａ及び第二接続パターン２１６ｂによって構成されている。切断部２１７は、第一切断部２１７ａ及び第二切断部２１７ｂによって構成されている。   As shown in FIG. 6, the external terminal 212 includes a first external terminal 212a, a second external terminal 112b, a third external terminal 212c, and a fourth external terminal 212d. As shown in FIG. 6A, the wiring pattern 213 includes a first wiring pattern 213a, a second wiring pattern 213b, a third wiring pattern 213c, a fourth wiring pattern 213d, a fifth wiring pattern 213e, and a sixth wiring pattern. The wiring pattern 213f is used. Further, as shown in FIG. 6, the conductor portion 214 includes a first conductor portion 214a, a second conductor portion 214b, a third conductor portion 214c, and a fourth conductor portion 214d. The connection pattern 216 includes a first connection pattern 216a and a second connection pattern 216b. The cutting part 217 includes a first cutting part 217a and a second cutting part 217b.

第一電極パッド２１１ａは、図６に示されているように、基板２１０の上面に設けられている第四配線パターン２１３ｄの一端と接続されている。基板２１０の上面に設けられた第四配線パターン２１３ｄの他端は、第四接続パッド２１５ｄ及び第二切断部２１７ｂと接続されている。また、第二配線パターン２１３ｂの一端は、第二切断部２１７ｂと接続されており、第二配線パターン２１３ｂの他端は、第二接続パッド２１５ｂ及び第二導体部２１４ｂと接続されている。また、第二導体部２１４ｂは、第二外部端子２１２ｂと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド２１１ａは、第二外部端子２１２ｂと電気的に接続されている。また、第二電極パッド２１１ｂは、基板２１０の上面に設けられている第三配線パターン２１３ｃの一端と接続されている。基板２１０の上面に設けられた第三配線パターン２１３ｃの他端は、第三接続パッド２１５ｃを介して、第一切断部２１７ａと接続されている。また、第一配線パターン２１３ａの一端は、第一切断部２１７ａと接続されており、第一配線パターン２１３ａの他端は、第一接続パッド２１５ａ及び第一導体部２１４ａと接続されている。また、第一導体部２１４ａは、第一外部端子２１２ａと電気的に接続されている。よって、第二電極パッド２１１ｂは、第一外部端子２１２ａと電気的に接続されている。   As shown in FIG. 6, the first electrode pad 211 a is connected to one end of a fourth wiring pattern 213 d provided on the upper surface of the substrate 210. The other end of the fourth wiring pattern 213d provided on the upper surface of the substrate 210 is connected to the fourth connection pad 215d and the second cutting portion 217b. One end of the second wiring pattern 213b is connected to the second cutting part 217b, and the other end of the second wiring pattern 213b is connected to the second connection pad 215b and the second conductor part 214b. The second conductor portion 214b is electrically connected to the second external terminal 212b. Therefore, the first electrode pad 211a is electrically connected to the second external terminal 212b. The second electrode pad 211b is connected to one end of a third wiring pattern 213c provided on the upper surface of the substrate 210. The other end of the third wiring pattern 213c provided on the upper surface of the substrate 210 is connected to the first cutting portion 217a via the third connection pad 215c. One end of the first wiring pattern 213a is connected to the first cutting part 217a, and the other end of the first wiring pattern 213a is connected to the first connection pad 215a and the first conductor part 214a. The first conductor portion 214a is electrically connected to the first external terminal 212a. Therefore, the second electrode pad 211b is electrically connected to the first external terminal 212a.

切断部２１７は、この切断部２１７を切断することにより、電極パッド２１１と外部端子２１２とを電気的に切り離すためのものである。第一切断部２１７ａは、第一配線パターン２１３ａと第三配線パターン２１３ｃとの間に設けられており、第二切断部２１７ｂは、第二配線パターン２１３ｂと第四配線パターン２１３ｄとの間に設けられている。   The cutting part 217 is for electrically separating the electrode pad 211 and the external terminal 212 by cutting the cutting part 217. The first cutting part 217a is provided between the first wiring pattern 213a and the third wiring pattern 213c, and the second cutting part 217b is provided between the second wiring pattern 213b and the fourth wiring pattern 213d. It has been.

本実施形態における圧電デバイスは、電極パッド２１１と外部端子２１２とを電気的に切り離すための切断部２１７が基板２１０上に設けられている。このようにすることにより、第一外部端子２１２ａ及び第二外部端子２１２ｂは、第一切断部２１７ａ及び第二切断部２１７ｂを、配線パターン２１３間から切断するまでの間は、圧電素子１２０を測定するための圧電素子用測定端子として使用することができる。よって、本実施形態のように、基板２１０ｂの下面に新たに圧電素子用測定端子を設ける必要がないので、外部端子２１２の形状を大きくすることが可能となる。   In the piezoelectric device according to the present embodiment, a cutting part 217 for electrically disconnecting the electrode pad 211 and the external terminal 212 is provided on the substrate 210. By doing so, the first external terminal 212a and the second external terminal 212b measure the piezoelectric element 120 until the first cutting portion 217a and the second cutting portion 217b are cut from between the wiring patterns 213. It can be used as a measurement terminal for a piezoelectric element. Therefore, unlike the present embodiment, it is not necessary to newly provide a piezoelectric element measurement terminal on the lower surface of the substrate 210b, so that the shape of the external terminal 212 can be increased.

（第二変形例）
以下、本実施形態の第二変形例における圧電デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における圧電デバイスのうち、上述した圧電デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例における圧電デバイスは、図７に示されているように、導体部１１４の上面及び下面に設けられた保護部材１９０と、を備えている点において、本実施形態と異なる。 (Second modification)
Hereinafter, the piezoelectric device according to the second modification of the present embodiment will be described. In addition, about the part similar to the piezoelectric device mentioned above among the piezoelectric devices in the 2nd modification of this embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted suitably. As shown in FIG. 7, the piezoelectric device according to the second modification example of the present embodiment is different from the present embodiment in that it includes a protection member 190 provided on the upper surface and the lower surface of the conductor portion 114. Different.

保護部材１９０は、基板１１０の反りで導体部１１４の外周縁と基板１１０との界面から導体が剥がれてしまうことで導体部１１４と基板１１０との界面に隙間が生じることを抑え、導体部１１４を保護するためのものである。また、保護部材１９０は、図７に示すように、基板１１０に設けられた導体部１１４の上面を被覆するようにして設けられている。また、保護部材１９０は、例えば、ガラスフリットペーストをスクリーン印刷法で基板１１０に設けられた導体部１１４の上面に塗布され乾燥することで設けられる。また、保護部材１９０の上下方向の厚みは、０．０１〜０．０３ｍｍとなっている。   The protective member 190 prevents the conductor from being peeled off from the interface between the outer peripheral edge of the conductor portion 114 and the substrate 110 due to warping of the substrate 110, thereby preventing a gap from being generated at the interface between the conductor portion 114 and the substrate 110. It is for protecting. Further, as shown in FIG. 7, the protective member 190 is provided so as to cover the upper surface of the conductor portion 114 provided on the substrate 110. Further, the protective member 190 is provided, for example, by applying a glass frit paste to the upper surface of the conductor portion 114 provided on the substrate 110 by a screen printing method and drying the glass frit paste. Moreover, the thickness of the up-down direction of the protection member 190 is 0.01-0.03 mm.

保護部材１９０を覆うようにして、本実施形態と同様に絶縁性樹脂１８０が設けられている。このようにすることにより、保護部材１９０と絶縁性樹脂１８０の二つによって、基板１１０の反りによる導体部１１４の周辺の変形をさらに抑えることで導体部１１４の外周縁と基板１１０との界面から導体が剥がれてしまうことをさらに低減することができる。よって、このような圧電デバイスは、導体部１１４の外周縁と基板１１０との界面に隙間が生じることを抑えつつ、導体部１１４の導通性をさらに向上させることができる。   An insulating resin 180 is provided so as to cover the protective member 190 as in the present embodiment. By doing so, the protective member 190 and the insulating resin 180 can further suppress deformation of the periphery of the conductor portion 114 due to warpage of the substrate 110, thereby preventing the outer periphery of the conductor portion 114 and the substrate 110. It is possible to further reduce the peeling of the conductor. Therefore, such a piezoelectric device can further improve the conductivity of the conductor portion 114 while suppressing a gap from occurring at the interface between the outer peripheral edge of the conductor portion 114 and the substrate 110.

本実施形態の第一変形例における圧電デバイスは、導体部１１４の上面及び下面に設けられた保護部材１９０と、を備えている。このようにすることにより、基板１１０の反りによる導体部１１４の周辺の変形を抑えることで導体部１１４の外周縁と基板１１０との界面から導体が剥がれてしまうことを低減することができる。よって、このような圧電デバイスは、導体部１１４の外周縁と基板１１０との界面に隙間が生じることを抑えつつ、導体部１１４の導通性を向上させることができる。   The piezoelectric device according to the first modification of the present embodiment includes a protection member 190 provided on the upper surface and the lower surface of the conductor portion 114. By doing so, it is possible to reduce the peeling of the conductor from the interface between the outer peripheral edge of the conductor portion 114 and the substrate 110 by suppressing the deformation around the conductor portion 114 due to the warp of the substrate 110. Therefore, such a piezoelectric device can improve the conductivity of the conductor portion 114 while suppressing a gap from being generated at the interface between the outer peripheral edge of the conductor portion 114 and the substrate 110.

（第四変形例）
以下、本実施形態の第四変形例における圧電デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第四変形例における圧電デバイスのうち、上述した圧電デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第四変形例における圧電デバイスは、図８に示されているように、導体部３１４が貫通孔の内壁面に導体膜が形成されている点において本実施形態と異なる。 (Fourth modification)
Hereinafter, the piezoelectric device according to the fourth modification of the present embodiment will be described. Note that, in the piezoelectric device according to the fourth modified example of the present embodiment, the same portions as those of the above-described piezoelectric device are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. As shown in FIG. 8, the piezoelectric device according to the fourth modification example of the present embodiment is different from the present embodiment in that the conductor portion 314 has a conductor film formed on the inner wall surface of the through hole.

導体部３１４は、図８に示されているように、貫通孔の内壁面に導体膜が形成されていることで設けられている。導体部３１４の両端は、本実施形態と同様に外部端子３１２、配線パターン３１３又は接続パターン３１６と電気的に接続されている。また、導体部３１４は、図８に示すように、第一導体部３１４ａ、第二導体部３１４ｂ、第三導体部３１４ｃ、第四導体部３１４ｄ、第五導体部３１４ｅ及び第六導体部３１４ｆによって構成されている。   As shown in FIG. 8, the conductor portion 314 is provided by forming a conductor film on the inner wall surface of the through hole. Both ends of the conductor portion 314 are electrically connected to the external terminal 312, the wiring pattern 313, or the connection pattern 316 as in the present embodiment. Further, as shown in FIG. 8, the conductor portion 314 includes a first conductor portion 314a, a second conductor portion 314b, a third conductor portion 314c, a fourth conductor portion 314d, a fifth conductor portion 314e, and a sixth conductor portion 314f. It is configured.

本実施形態の第四変形例における圧電デバイスは、本実施形態と同様の効果に加えて、貫通孔の内壁面にのみ形成された導体膜は、本実施形態と比較し、基板３１０の反りによる導体部３１４の周辺の変形に、より柔軟に変形することができるため、導体部３１４の導通性を向上させることができる。また、第三変形例における圧電デバイスを構成する基板３１０は、本実施形態における圧電デバイスを構成する基板１１０よりも、安価にすることでき、生産性を向上させることができる。   In the piezoelectric device according to the fourth modification of the present embodiment, in addition to the same effects as those of the present embodiment, the conductor film formed only on the inner wall surface of the through hole is caused by the warp of the substrate 310 as compared with the present embodiment. Since the deformation around the conductor portion 314 can be more flexibly deformed, the conductivity of the conductor portion 314 can be improved. Moreover, the board | substrate 310 which comprises the piezoelectric device in a 3rd modification can be made cheaper than the board | substrate 110 which comprises the piezoelectric device in this embodiment, and can improve productivity.

尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記の実施形態では、圧電素子は、ＡＴ用圧電素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲圧電素子を用いても構わない。   In addition, it is not limited to this embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the above embodiment, the case where the piezoelectric element is an AT piezoelectric element has been described. However, a tuning fork-type bending having a base and two flat-plate-shaped vibrating arms extending in the same direction from the side surface of the base is described. A piezoelectric element may be used.

また、圧電素子１２０のベベル加工方法について説明する。
所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板１２１とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板１２１とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板１２１とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板１２１が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。 A bevel processing method for the piezoelectric element 120 will be described.
A polishing material provided with media and abrasive grains having a predetermined particle size and a quartz base plate 121 having a predetermined size are prepared. The abrasive prepared in the cylindrical body and the quartz base plate 121 are placed, and the open end of the cylindrical body is closed with a cover. The quartz base plate 121 that rotates the cylindrical body containing the abrasive and the quartz base plate 121 with the central axis of the cylindrical body as the rotation axis is polished with the abrasive and beveled.

上記の実施形態では、接合部材１５０が蓋体１３０の封止枠部１３０ｂの下面に設けられた場合を説明したが、接合部材１５０が基板１１０上面の外周縁に環状に設けられるようにしても構わない。このような接合部材１５０は、例えば、ガラスフリットペーストがスクリーン印刷法で基板１１０の圧電素子実装領域Ｘの外周縁に沿って塗布され乾燥することで設けられる。   In the above embodiment, the case where the joining member 150 is provided on the lower surface of the sealing frame portion 130b of the lid 130 has been described. However, the joining member 150 may be provided annularly on the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate 110. I do not care. Such a joining member 150 is provided by, for example, applying glass frit paste along the outer peripheral edge of the piezoelectric element mounting region X of the substrate 110 and drying it by screen printing.

１１０、２１０、３１０・・・基板
１１１、２１１、３１１・・・電極パッド
１１２、２１２、３１２・・・外部端子
１１３、２１３、３１３・・・配線パターン
１１４、２１４、３１４・・・導体部
１１５、２１５、３１５・・・接続パッド
１１６、２１６、３１６・・・接続パターン
２１７・・・切断部
１２０・・・圧電素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０・・・蓋体
１３１・・・封止基部
１３２・・・封止枠部
１４０・・・導電性接着剤
１５０・・・接合部材
１６０・・・集積回路素子
１７０・・・導電性接合材
１８０・・・絶縁性樹脂
１９０・・・保護部材
Ｋ・・・収容空間 110, 210, 310 ... Substrate 111, 211, 311 ... Electrode pad 112, 212, 312 ... External terminal 113, 213, 313 ... Wiring pattern 114, 214, 314 ... Conductor part 115 215, 315 ... connection pads 116, 216, 316 ... connection pattern 217 ... cutting part 120 ... piezoelectric element 121 ... crystal base plate 122 ... excitation electrode 123 ... lead-out Electrode 130 ... Lid 131 ... Sealing base 132 ... Sealing frame 140 ... Conductive adhesive 150 ... Joining member 160 ... Integrated circuit element 170 ... Conductive joining Material 180 ... Insulating resin 190 ... Protection member K ... Storage space

Claims (6)

圧電素子実装領域と集積回路素子実装領域とを有する矩形状の基板と、
前記圧電素子実装領域の上面に実装された圧電素子と、
封止基部と、前記封止基部の下面の外周縁に設けられている封止枠部とからなる蓋体と、
前記封止枠部の下面と前記基板の圧電素子実装領域の上面との間に設けられている接合部材と、
前記基板の集積回路素子実装領域の上面に実装され、前記圧電素子と電気的に接続されている集積回路素子と、
前記圧電素子実装領域及び前記集積回路素子実装領域の上面及び前記集積回路素子を覆うようにして設けられている絶縁性樹脂と、を備えていることを特徴とする圧電デバイス。 A rectangular substrate having a piezoelectric element mounting area and an integrated circuit element mounting area;
A piezoelectric element mounted on the upper surface of the piezoelectric element mounting region;
A lid comprising a sealing base and a sealing frame provided on the outer peripheral edge of the lower surface of the sealing base;
A bonding member provided between the lower surface of the sealing frame portion and the upper surface of the piezoelectric element mounting region of the substrate;
An integrated circuit element mounted on the upper surface of the integrated circuit element mounting region of the substrate and electrically connected to the piezoelectric element;
A piezoelectric device comprising: an insulating resin provided so as to cover the piezoelectric element mounting region, the upper surface of the integrated circuit element mounting region, and the integrated circuit element. 請求項１に記載の圧電デバイスであって、
前記絶縁性樹脂が前記蓋体の側面と接合していることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 1,
The piezoelectric device, wherein the insulating resin is bonded to a side surface of the lid. 請求項２に記載の圧電デバイスであって、
前記絶縁性樹脂が前記蓋体を囲むようにして前記蓋体と接合されていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 2,
The piezoelectric device, wherein the insulating resin is joined to the lid so as to surround the lid. 請求項１に記載の圧電デバイスであって、
前記絶縁性樹脂と前記蓋体の側面とが接合している部分の上下方向の高さが、前記蓋体の上下方向の高さより低くなっていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 1,
A piezoelectric device characterized in that the vertical height of the portion where the insulating resin and the side surface of the lid are joined is lower than the vertical height of the lid. 請求項１記載の圧電デバイスであって、
前記基板の下面に設けられた外部端子と、
前記電極パッド及び前記外部端子と電気的に接続され、前記基板の上面に設けられた配線パターンと、
前記外部端子と電気的に接続され、前記基板の下面に設けられた接続パターンと、
前記配線パターンと、前記接続パターン又は前記外部端子とを電気的に接続され、前記基板に設けられた導体部と、を備え、
前記絶縁性樹脂が、前記導体部の上面を覆うようにして設けられていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 1,
An external terminal provided on the lower surface of the substrate;
A wiring pattern electrically connected to the electrode pad and the external terminal and provided on the upper surface of the substrate;
A connection pattern electrically connected to the external terminal and provided on the lower surface of the substrate;
The wiring pattern, the connection pattern or the external terminal is electrically connected, and includes a conductor portion provided on the substrate,
The piezoelectric device, wherein the insulating resin is provided so as to cover an upper surface of the conductor portion. 請求項５記載の圧電デバイスであって、
前記電極パッドと前記外部端子とを電気的に切り離すための切断部が前記基板上に設けられていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 5, wherein
A piezoelectric device, wherein a cutting portion for electrically separating the electrode pad and the external terminal is provided on the substrate.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2019188675A1 (en) * 2018-03-28 2019-10-03 株式会社大真空 Piezoelectric vibration device
JP2019176339A (en) * 2018-03-28 2019-10-10 株式会社大真空 Piezoelectric vibration device

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WO2019188675A1 (en) * 2018-03-28 2019-10-03 株式会社大真空 Piezoelectric vibration device
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