JP2016086231A - 撮像装置および画像取得装置 - Google Patents
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Abstract
Description
電荷検出回路と、基板上に設けられた画素電極およびシールド電極と、電荷検出回路および画素電極と電気的に接続された電荷蓄積ノードと、画素電極およびシールド電極上に位置する光電変換層と、光電変換層上に位置する上部電極とを含む単位画素セル、およびシールド電極と電気的に接続され、シールド電圧を発生するシールド電圧発生回路を備え、
電荷検出回路は、所定のタイミングで画素電極を初期化電圧に設定するためのリセットトランジスタを含み、上部電極の電圧とシールド電圧との差の絶対値は、上部電極の電圧と初期化電圧との差の絶対値よりも大きい、撮像装置。この構成によれば、シールド電圧が印加されたシールド電極によって、光電変換層において光電変換により発生した信号電荷を捕捉する。したがって、隣接する単位画素セル間の混色やクロストークを抑制することができる。また、単位画素セルにおける画素領域を小さくできる。
[項目2]
単位画素セルは、1次元または2次元に複数配列された、項目1に記載の撮像装置。
[項目3]
電荷蓄積ノードは光電変換層において、光電変換により生成した正孔を信号電荷として蓄積し、シールド電圧は初期化電圧よりも小さい項目1又は2に記載の撮像装置。この構成によれば、信号電荷が正孔である場合に、効率的に、隣接する単位画素セル間の混色やクロストークを抑制することが可能となる。
[項目4]
シールド電圧は負電圧である項目3に記載の撮像装置。この構成によれば、電荷捕捉領域の光電変換層表面における面積を画素電極よりも小さくでき、より小さい画素領域を有する撮像装置を実現し得る。
[項目5]
電荷蓄積ノードは光電変換層において、光電変換により生成した電子を信号電荷として蓄積し、シールド電圧は初期化電圧よりも大きい項目1又は2に記載の撮像装置。
[項目6]
複数の単位画素セルのそれぞれは、上部電極上にマイクロレンズを有していない項目1から5のいずれかに記載の撮像装置。この構成によれば、オンチップマイクロレンズを有しない構成において、隣接する単位画素セル間の混色やクロストークを抑制したり、画素領域を小さくしたりすることが可能となる。
[項目7]
被写体を基準にして複数の異なる照射方向から、順次、照明光を出射し、照明光で被写体を照射する照明システムと、被写体を透過した照明光が入射する位置に配置され、異なる照射方向に応じて異なる複数の画像を取得する項目1から6のいずれかに記載の撮像装置と、複数の画像を合成して、複数の画像の各々よりも分解能の高い被写体の高分解能画像を形成する画像処理部とを備える画像取得装置。この構成によれば、1つの撮像装置によって得られる複数の低分解能画像を合成することにより、高分解能の画像を取得することができる。また、シールド電極に印加するシールド電圧を変更することによって解像度を変化させることができる。
図1から図5を参照しながら、本実施形態に係る撮像装置を説明する。
図1は第1の実施形態に係る撮像装置101の回路構成を模式的に示している。撮像装置101は、複数の単位画素セル14と周辺回路とを備えている。
図2は、本実施形態による撮像装置101中の単位画素セル14のデバイス構造の断面を模式的に示している。
層間絶縁層43A中には、リセットトランジスタ12のn型不純物領域41Bと接続されたコンタクトプラグ45A、増幅トランジスタ11のゲート電極39Bと接続されたコンタクトプラグ45B、およびコンタクトプラグ45Aとコンタクトプラグ45Bとを接続する配線46Aが埋設されている。これにより、リセットトランジスタ12のn型不純物領域41B(ドレイン電極)が増幅トランジスタ11のゲート電極39Bと電気的に接続されている。
次に図1、図4Aおよび図4Bを参照しながら、撮像装置101の動作を説明する。
以下図面を参照しながら、本実施形態に係る画像取得装置を説明する。
10 光電変換部
11 増幅トランジスタ
12 リセットトランジスタ
13 アドレストランジスタ
14 単位画素セル
15 垂直走査回路
16 光電変換部制御線
17 垂直信号線
18 負荷回路
19 カラム信号処理回路
20 水平信号読出し回路
21 電源配線
22 差動増幅器
23 フィードバック線
24 電荷蓄積ノード
25 電荷検出回路
26 アドレス信号線
27 リセット信号線
31 半導体基板
31C 層間絶縁層
38A、38B、38C ゲート絶縁層
39A、39B、39C ゲート電極
41B、41C、41D n型不純物領域
42 素子分離領域
43A、43B、43C 層間絶縁層
45A、45B コンタクトプラグ
46A、46B、46C 配線
47A、47B、47C、48 プラグ
49 配線
50 画素電極
51 光電変換層
51A 電荷捕捉領域
51B 領域
52 上部電極
60 シールド電圧発生回路
61 シールド電極
80 被写体
81 照明システム
81’ 平行光光源
80A〜81I 領域
81a〜81i 光源
82 機構
82A ゴニオ機構
82B 回転機構
90 画像処理部
101 撮像装置
102 画像取得装置
Claims (7)
- 電荷検出回路と、
基板上に設けられた画素電極およびシールド電極と、
前記電荷検出回路および前記画素電極と電気的に接続された電荷蓄積ノードと、
前記画素電極およびシールド電極上に位置する光電変換層と、
前記光電変換層上に位置する上部電極と、
を含む単位画素セル、および
前記シールド電極と電気的に接続され、シールド電圧を発生するシールド電圧発生回路
を備え、
前記電荷検出回路は、所定のタイミングで前記画素電極を初期化電圧に設定するためのリセットトランジスタを含み、
前記上部電極の電圧と前記シールド電圧との差の絶対値は、前記上部電極の電圧と前記初期化電圧との差の絶対値よりも大きい、撮像装置。 - 前記単位画素セルは、1次元または2次元に複数配列された、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記電荷蓄積ノードは前記光電変換層において、光電変換により生成した正孔を信号電荷として蓄積し、
前記シールド電圧は前記初期化電圧よりも小さい請求項1又は2に記載の撮像装置。 - 前記シールド電圧は負電圧である請求項3に記載の撮像装置。
- 前記電荷蓄積ノードは前記光電変換層において、光電変換により生成した電子を信号電荷として蓄積し、
前記シールド電圧は前記初期化電圧よりも大きい請求項1又は2に記載の撮像装置。 - 前記複数の単位画素セルのそれぞれは、前記上部電極上にマイクロレンズを有していない請求項1から5のいずれかに記載の撮像装置。
- 被写体を基準にして複数の異なる照射方向から、順次、照明光を出射し、前記照明光で前記被写体を照射する照明システムと、
前記被写体を透過した前記照明光が入射する位置に配置され、前記異なる照射方向に応じて異なる複数の画像を取得する請求項1から6のいずれかに記載の撮像装置と、
前記複数の画像を合成して、前記複数の画像の各々よりも分解能の高い前記被写体の高分解能画像を形成する画像処理部と、
を備える画像取得装置。
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