JP2016082241A - 半導体装置およびその作製方法、ならびにモジュールおよび電子機器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 787
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 54
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 568
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 499
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 117
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 114
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 109
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 108
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 99
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 211
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 139
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 139
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 132
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 58
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 25
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 16
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 171
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 124
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 88
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 79
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 76
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 62
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 57
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 56
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 51
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 49
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 48
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 46
- 230000006870 function Effects 0.000 description 45
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 43
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 42
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 40
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 38
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 32
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 32
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 29
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 26
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 26
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 19
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 19
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 18
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 18
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 17
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 15
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 14
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 10
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 10
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 8
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 8
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 8
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 6
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M Superoxide Chemical compound [O-][O] OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 2
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005524 hole trap Effects 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M mercury(1+);iodide Chemical compound [Hg]I QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000851 scanning transmission electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
【解決手段】導電体と、半導体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、を有し、半導体は、第1の絶縁体上に配置され、導電体は、半導体上に配置され、第2の絶縁体は、導電体と半導体との間に配置され、第1の絶縁体は、フッ素および水素を有し、第1の絶縁体は、フッ素濃度が水素濃度よりも高い半導体装置である。
【選択図】図1
Description
本発明の一態様は、導電体と、半導体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、を有し、半導体は、第1の絶縁体上に配置され、導電体は、半導体上に配置され、第2の絶縁体は、導電体と半導体との間に配置され、第1の絶縁体は、フッ素および水素を有し、第1の絶縁体は、フッ素濃度が水素濃度よりも高い半導体装置である。
本発明の一態様は、導電体と、半導体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、を有し、半導体は、導電体上に配置され、第1の絶縁体は、導電体と半導体との間に配置され、第2の絶縁体は、半導体上に配置され、第2の絶縁体は、フッ素および水素を有し、第2の絶縁体は、フッ素濃度が水素濃度よりも高い半導体装置である。
本発明の一態様は、導電体と、半導体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、を有し、半導体は、第1の絶縁体上に配置され、導電体は、半導体上に配置され、第2の絶縁体は、導電体と半導体との間に配置され、第2の絶縁体は、フッ素および水素を有し、第2の絶縁体は、フッ素濃度が水素濃度よりも高い半導体装置である。
本発明の一態様は、導電体と、半導体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、を有し、半導体は、導電体上に配置され、第1の絶縁体は、導電体と半導体との間に配置され、第2の絶縁体は、半導体上に配置され、第1の絶縁体は、フッ素および水素を有し、第1の絶縁体は、フッ素濃度が水素濃度よりも高い半導体装置である。
本発明の一態様は、(1)乃至(4)のいずれか一において、第1の絶縁体は、酸素およびシリコンを有する絶縁体である半導体装置である。
本発明の一態様は、(1)乃至(5)のいずれか一において、第2の絶縁体は、酸素およびシリコンを有する絶縁体である半導体装置である。
本発明の一態様は、(1)乃至(6)のいずれか一において、半導体は、第1の半導体および第2の半導体を有し、第2の半導体は、第1の半導体よりも電子親和力が大きい半導体装置である。
本発明の一態様は、(1)乃至(6)のいずれか一において、半導体は、第1の半導体および第2の半導体を有し、第2の半導体は、第1の半導体よりもエネルギーギャップが大きい半導体装置である。
本発明の一態様は、(1)乃至(6)のいずれか一において、半導体は、インジウム、元素M(アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ)、亜鉛および酸素を有する半導体装置である。
本発明の一態様は、(1)乃至(9)のいずれか一に記載の半導体装置と、プリント基板と、を有するモジュールである。
本発明の一態様は、(1)乃至(9)のいずれか一に記載の半導体装置、または(10)に記載のモジュールと、スピーカー、操作キー、または、バッテリーと、を有する電子機器である。
本発明の一態様は、導電体を形成し、導電体上に第1の絶縁体を成膜し、第1の絶縁体を介して導電体上に半導体を形成し、半導体上に第2の絶縁体を成膜し、第2の絶縁体上に第3の絶縁体を成膜し、第3の絶縁体を介して第2の絶縁体にフッ素を添加する半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、(12)において、第2の絶縁体は、酸素およびシリコンを有する絶縁体である半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、(12)または(13)において、第3の絶縁体は、窒素およびシリコンを有する絶縁体である半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、半導体を形成し、半導体上に第1の絶縁体を成膜し、第1の絶縁体上に第2の絶縁体を成膜し、第2の絶縁体を介して第1の絶縁体にフッ素を添加した後、第1の絶縁体および第2の絶縁体を介して、半導体上に導電体を形成する半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、第1の絶縁体を成膜し、第1の絶縁体上に第2の絶縁体を成膜し、第2の絶縁体を介して第1の絶縁体にフッ素を添加した後、半導体を形成し、半導体上に第3の絶縁体を成膜し、第3の絶縁体を介して、半導体上に導電体を形成する半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、第1の導電体を形成し、第1の導電体上に第1の絶縁体を成膜し、第1の絶縁体上に第2の絶縁体を成膜し、第2の絶縁体を介して第1の絶縁体にフッ素を添加した後、第1の絶縁体および第2の絶縁体を介して、第1の導電体上に半導体を形成し、半導体上に第3の絶縁体を成膜し、第3の絶縁体上に第4の絶縁体を成膜し、第4の絶縁体を介して第3の絶縁体にフッ素を添加した後、第3の絶縁体および第4の絶縁体を介して、半導体上に第2の導電体を形成する半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、(12)乃至(17)のいずれか一において、半導体は、第1の半導体および第2の半導体を有し、第2の半導体は、第1の半導体よりも電子親和力が大きい半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、(12)乃至(17)のいずれか一において、半導体は、第1の半導体および第2の半導体を有し、第2の半導体は、第1の半導体よりもエネルギーギャップが大きい半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、(12)乃至(17)のいずれか一において、半導体は、インジウム、元素M(アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ)、亜鉛および酸素を有する半導体装置の作製方法である。
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタについて説明する。
半導体406bの上下に半導体406aおよび半導体406cを配置することで、トランジスタの電気特性を向上させることができる場合がある。
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。なお、CAAC−OSを、CANC(C−Axis Aligned nanocrystals)を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
次に、微結晶酸化物半導体について説明する。
次に、非晶質酸化物半導体について説明する。
なお、酸化物半導体は、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体を、特に非晶質ライク酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like Oxide Semiconductor)と呼ぶ。
以下では、CAAC−OSおよびnc−OSの成膜モデルの一例について説明する。
以下では、過剰酸素または/および水素トラップを有する絶縁体の一例であるフッ素を有する酸化シリコンについて、図1を用いて説明する。
ここで、加熱処理を行う際に用いることのできる炉の制御方法について、図68を用いて説明する。なお、説明に用いる加熱処理の雰囲気は一例であるため、適宜変更してもよい。
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタについて説明する。
次に、一部形状の異なるトランジスタの作製方法について説明する。図18(A)、図19(A)、図20(A)、図21(A)、図22(A)、図23(A)および図24(A)は、トランジスタの作製方法を説明する上面図である。各上面図には、一点鎖線F1−F2および一点鎖線F3−F4が記され、それに対応した断面図を図18(B)、図19(B)、図20(B)、図21(B)、図22(B)、図23(B)および図24(B)に示す。
次に、一部形状の異なるトランジスタの作製方法について説明する。図27(A)、図28(A)、図29(A)、図30(A)、図31(A)、図32(A)および図33(A)は、トランジスタの作製方法を説明する上面図である。各上面図には、一点鎖線G1−G2および一点鎖線G3−G4が記され、それに対応した断面図を図27(B)、図28(B)、図29(B)、図30(B)、図31(B)、図32(B)および図33(B)に示す。
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した半導体装置の回路の一例について説明する。
図36(A)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、かつそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOSインバータの構成を示している。
図37は、図36(A)に対応する半導体装置の断面図である。図37に示す半導体装置は、トランジスタ2200と、トランジスタ2100と、を有する。また、トランジスタ2100は、トランジスタ2200の上方に配置する。なお、トランジスタ2100として、図23に示したトランジスタを用いた例を示しているが、本発明の一態様に係る半導体装置は、これに限定されるものではない。例えば、図6、図7、図8、図25または図26などに示したトランジスタなどを、トランジスタ2100として用いても構わない。よって、トランジスタ2100については、適宜上述したトランジスタについての記載を参酌する。
また図36(B)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるCMOSアナログスイッチとして機能させることができる。
本発明の一態様に係るトランジスタを用いた、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図43に示す。
図44は、図43(A)に対応する半導体装置の断面図である。図44に示す半導体装置は、トランジスタ3200と、トランジスタ3300と、容量素子3400と、を有する。また、トランジスタ3300および容量素子3400は、トランジスタ3200の上方に配置する。なお、トランジスタ3300としては、上述したトランジスタ2100についての記載を参照する。また、トランジスタ3200としては、図37に示したトランジスタ2200についての記載を参照する。なお、図37では、トランジスタ2200がpチャネル型トランジスタである場合について説明したが、トランジスタ3200がnチャネル型トランジスタであっても構わない。
図43(B)に示す半導体装置は、トランジスタ3200を有さない点で図43(A)に示した半導体装置と異なる。この場合も図43(A)に示した半導体装置と同様の動作により情報の書き込みおよび保持動作が可能である。
以下では、本発明の一態様に係る撮像装置について説明する。
撮像装置200が有する1つの画素211を複数の副画素212で構成し、それぞれの副画素212に特定の波長帯域の光を透過するフィルタ(カラーフィルタ)を組み合わせることで、カラー画像表示を実現するための情報を取得することができる。
以下では、シリコンを用いたトランジスタと、酸化物半導体を用いたトランジスタと、を用いて画素を構成する一例について説明する。
以下では、上述したトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むCPUについて説明する。
以下では、本発明の一態様に係る表示装置について、図57および図58を用いて説明する。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図59に示す。
201 スイッチ
202 スイッチ
203 スイッチ
210 画素部
211 画素
212 副画素
212B 副画素
212G 副画素
212R 副画素
220 光電変換素子
230 画素回路
231 配線
247 配線
248 配線
249 配線
250 配線
253 配線
254 フィルタ
254B フィルタ
254G フィルタ
254R フィルタ
255 レンズ
256 光
257 配線
260 周辺回路
270 周辺回路
280 周辺回路
290 周辺回路
291 光源
300 シリコン基板
310 層
320 層
330 層
340 層
351 トランジスタ
352 トランジスタ
353 トランジスタ
360 フォトダイオード
361 アノード
363 低抵抗領域
370 プラグ
371 配線
372 配線
373 配線
380 絶縁体
400 基板
401 絶縁体
402 絶縁体
404 導電体
406 半導体
406a 半導体
406b 半導体
406c 半導体
412 絶縁体
413 導電体
416a 導電体
416b 導電体
422 絶縁体
434 導電体
436c 半導体
442 絶縁体
450 半導体基板
452 絶縁体
454 導電体
456 領域
460 領域
462 絶縁体
464 絶縁体
466 絶縁体
468 絶縁体
472a 領域
472b 領域
474a 導電体
474b 導電体
474c 導電体
476a 導電体
476b 導電体
478a 導電体
478b 導電体
478c 導電体
480a 導電体
480b 導電体
480c 導電体
490 絶縁体
492 絶縁体
494 絶縁体
496a 導電体
496b 導電体
496c 導電体
496d 導電体
498a 導電体
498b 導電体
498c 導電体
498d 導電体
500 基板
502 絶縁体
503 絶縁体
504 導電体
506a 半導体
506b 半導体
506c 半導体
511 絶縁体
512 絶縁体
513 導電体
514 導電体
516 導電体
516a 導電体
516b 導電体
522 絶縁体
534 導電体
536a 半導体
536b 半導体
536c 半導体
542 絶縁体
700 基板
704a 導電体
704b 導電体
706a 半導体
706b 半導体
712a 絶縁体
712b 絶縁体
714a 導電体
714b 導電体
716a 導電体
716b 導電体
718a 絶縁体
718b 絶縁体
718c 絶縁体
719 発光素子
720 絶縁体
721 絶縁体
731 端子
732 FPC
733a 配線
734 シール材
735 駆動回路
736 駆動回路
737 画素
741 トランジスタ
742 容量素子
743 スイッチ素子
744 信号線
750 基板
751 トランジスタ
752 容量素子
753 液晶素子
754 走査線
755 信号線
781 導電体
782 発光層
783 導電体
784 隔壁
791 導電体
792 絶縁体
793 液晶層
794 絶縁体
795 スペーサ
796 導電体
797 基板
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 接続部
916 操作キー
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 冷蔵室用扉
933 冷凍室用扉
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
5100 ペレット
5100a ペレット
5100b ペレット
5101 イオン
5102 酸化亜鉛層
5103 粒子
5105a ペレット
5105a1 領域
5105a2 ペレット
5105b ペレット
5105c ペレット
5105d ペレット
5105d1 領域
5105e ペレット
5120 基板
5130 ターゲット
5161 領域
Claims (20)
- 導電体と、半導体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、を有し、
前記半導体は、前記第1の絶縁体上に配置され、
前記導電体は、前記半導体上に配置され、
前記第2の絶縁体は、前記導電体と前記半導体との間に配置され、
前記第1の絶縁体は、フッ素および水素を有し、
前記第1の絶縁体は、フッ素濃度が水素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 導電体と、半導体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、を有し、
前記半導体は、前記導電体上に配置され、
前記第1の絶縁体は、前記導電体と前記半導体との間に配置され、
前記第2の絶縁体は、前記半導体上に配置され、
前記第2の絶縁体は、フッ素および水素を有し、
前記第2の絶縁体は、フッ素濃度が水素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 導電体と、半導体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、を有し、
前記半導体は、前記第1の絶縁体上に配置され、
前記導電体は、前記半導体上に配置され、
前記第2の絶縁体は、前記導電体と前記半導体との間に配置され、
前記第2の絶縁体は、フッ素および水素を有し、
前記第2の絶縁体は、フッ素濃度が水素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 導電体と、半導体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、を有し、
前記半導体は、前記導電体上に配置され、
前記第1の絶縁体は、前記導電体と前記半導体との間に配置され、
前記第2の絶縁体は、前記半導体上に配置され、
前記第1の絶縁体は、フッ素および水素を有し、
前記第1の絶縁体は、フッ素濃度が水素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1の絶縁体は、酸素およびシリコンを有する絶縁体であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記第2の絶縁体は、酸素およびシリコンを有する絶縁体であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記半導体は、第1の半導体および第2の半導体を有し、前記第2の半導体は、前記第1の半導体よりも電子親和力が大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記半導体は、第1の半導体および第2の半導体を有し、前記第2の半導体は、前記第1の半導体よりもエネルギーギャップが大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一において、
前記第2の半導体は、インジウム、元素M(アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ)、亜鉛および酸素を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一に記載の半導体装置と、プリント基板と、を有することを特徴とするモジュール。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一に記載の半導体装置、または請求項10に記載のモジュールと、スピーカー、操作キー、または、バッテリーと、を有することを特徴とする電子機器。
- 導電体を形成し、
前記導電体上に第1の絶縁体を成膜し、
前記第1の絶縁体を介して前記導電体上に半導体を形成し、
前記半導体上に第2の絶縁体を成膜し、
前記第2の絶縁体上に第3の絶縁体を成膜し、
前記第3の絶縁体を介して前記第2の絶縁体にフッ素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12において、
前記第2の絶縁体は、酸素およびシリコンを有する絶縁体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12または請求項13において、
前記第3の絶縁体は、窒素およびシリコンを有する絶縁体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 半導体を形成し、
前記半導体上に第1の絶縁体を成膜し、
前記第1の絶縁体上に第2の絶縁体を成膜し、
前記第2の絶縁体を介して前記第1の絶縁体にフッ素を添加した後、
前記第1の絶縁体および前記第2の絶縁体を介して、前記半導体上に導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の絶縁体を成膜し、
前記第1の絶縁体上に第2の絶縁体を成膜し、
前記第2の絶縁体を介して前記第1の絶縁体にフッ素を添加した後、
半導体を形成し、
前記半導体上に第3の絶縁体を成膜し、
前記第3の絶縁体を介して、前記半導体上に導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の導電体を形成し、
前記第1の導電体上に第1の絶縁体を成膜し、
前記第1の絶縁体上に第2の絶縁体を成膜し、
前記第2の絶縁体を介して前記第1の絶縁体にフッ素を添加した後、
前記第1の絶縁体および前記第2の絶縁体を介して、前記第1の導電体上に半導体を形成し、
前記半導体上に第3の絶縁体を成膜し、
前記第3の絶縁体上に第4の絶縁体を成膜し、
前記第4の絶縁体を介して前記第3の絶縁体にフッ素を添加した後、
前記第3の絶縁体および前記第4の絶縁体を介して、前記半導体上に第2の導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12乃至請求項17のいずれか一において、
前記半導体は、第1の半導体および第2の半導体を有し、前記第2の半導体は、前記第1の半導体よりも電子親和力が大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12乃至請求項18のいずれか一において、
前記半導体は、第1の半導体および第2の半導体を有し、前記第2の半導体は、前記第1の半導体よりもエネルギーギャップが大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12乃至請求項19のいずれか一において、
前記第2の半導体は、インジウム、元素M(アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ)、亜鉛および酸素を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014213913 | 2014-10-20 | ||
JP2014213910 | 2014-10-20 | ||
JP2014213910 | 2014-10-20 | ||
JP2014213913 | 2014-10-20 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020039720A Division JP2020107902A (ja) | 2014-10-20 | 2020-03-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016082241A true JP2016082241A (ja) | 2016-05-16 |
JP2016082241A5 JP2016082241A5 (ja) | 2018-12-06 |
Family
ID=55749714
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015205990A Withdrawn JP2016082241A (ja) | 2014-10-20 | 2015-10-20 | 半導体装置およびその作製方法、ならびにモジュールおよび電子機器 |
JP2020039720A Withdrawn JP2020107902A (ja) | 2014-10-20 | 2020-03-09 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020039720A Withdrawn JP2020107902A (ja) | 2014-10-20 | 2020-03-09 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9698274B2 (ja) |
JP (2) | JP2016082241A (ja) |
TW (1) | TWI667787B (ja) |
WO (1) | WO2016063159A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10243058B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and electrical device |
WO2022004838A1 (ja) * | 2020-07-01 | 2022-01-06 | 日新電機株式会社 | 薄膜トランジスタ |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10714633B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
WO2017153882A1 (en) | 2016-03-11 | 2017-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device |
JP6739198B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2020-08-12 | 三菱電機株式会社 | 表示装置用アレイ基板、表示装置、表示装置用アレイ基板の製造方法、および、表示装置の製造方法 |
KR20190032681A (ko) * | 2017-09-18 | 2019-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치 |
JP6753450B2 (ja) * | 2018-11-12 | 2020-09-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器 |
US20220059704A1 (en) * | 2020-08-21 | 2022-02-24 | Intel Corporation | Transistor cap-channel arrangements |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011109078A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2011119355A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Sony Corp | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
JP2011139047A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2012004549A (ja) * | 2010-05-20 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2012009843A (ja) * | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2012023360A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012033913A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
WO2012077163A1 (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | 日新電機株式会社 | シリコン酸窒化膜及びその形成方法並びに半導体デバイス |
JP2013021313A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及び半導体装置 |
JP2014195058A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Family Cites Families (111)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
US5270224A (en) * | 1988-03-11 | 1993-12-14 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing a semiconductor device having a region doped to a level exceeding the solubility limit |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3298974B2 (ja) | 1993-03-23 | 2002-07-08 | 電子科学株式会社 | 昇温脱離ガス分析装置 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2004537161A (ja) * | 2001-04-11 | 2004-12-09 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 高抵抗率czシリコンにおけるサーマルドナー生成の制御 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
JP3914114B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2007-05-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP4904671B2 (ja) * | 2004-06-24 | 2012-03-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、その製造方法及び電子機器 |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CA2708335A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
EP1810335B1 (en) | 2004-11-10 | 2020-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
AU2005302964B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101112652B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR101804589B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2018-01-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20130008037A (ko) | 2010-03-05 | 2013-01-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하는 방법 |
JP5731244B2 (ja) | 2010-03-26 | 2015-06-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9577110B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device |
US9443876B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
WO2016063160A1 (en) * | 2014-10-20 | 2016-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, display device, and display module |
-
2015
- 2015-10-08 WO PCT/IB2015/057684 patent/WO2016063159A1/en active Application Filing
- 2015-10-15 US US14/883,971 patent/US9698274B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-16 TW TW104134107A patent/TWI667787B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-10-20 JP JP2015205990A patent/JP2016082241A/ja not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-03-09 JP JP2020039720A patent/JP2020107902A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011109078A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2011119355A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Sony Corp | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
JP2011139047A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2012004549A (ja) * | 2010-05-20 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2012009843A (ja) * | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2012023360A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012033913A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
WO2012077163A1 (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | 日新電機株式会社 | シリコン酸窒化膜及びその形成方法並びに半導体デバイス |
JP2013021313A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及び半導体装置 |
JP2014195058A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10243058B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and electrical device |
WO2022004838A1 (ja) * | 2020-07-01 | 2022-01-06 | 日新電機株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP2022012152A (ja) * | 2020-07-01 | 2022-01-17 | 日新電機株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP7418703B2 (ja) | 2020-07-01 | 2024-01-22 | 日新電機株式会社 | 薄膜トランジスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160111547A1 (en) | 2016-04-21 |
US9698274B2 (en) | 2017-07-04 |
TW201622138A (zh) | 2016-06-16 |
JP2020107902A (ja) | 2020-07-09 |
TWI667787B (zh) | 2019-08-01 |
WO2016063159A1 (en) | 2016-04-28 |
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