JP2016081041A - 多層膜形成方法及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1)基板上に、特定のフルオレン構造を含む繰り返し単位を有する樹脂を含有する下層膜材料をコーティングし、熱処理して硬化させることで下層膜を形成する工程と、(2)下層膜上に、チタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜、ハフニウム酸化膜から選ばれる金属酸化膜材料をコーティングし、金属酸化膜を形成する工程と、(3)金属酸化膜上に、炭化水素膜材料をコーティングし、炭化水素膜を形成する工程と、(4)炭化水素膜上に、珪素酸化膜材料をコーティングし、珪素酸化膜を形成する工程、を含む多層膜形成方法。
【選択図】なし
Description
(1)前記基板上に、下記一般式(1)又は下記一般式(2)で示されるフルオレン構造を含む繰り返し単位を有する樹脂を含有する下層膜材料をコーティングし、熱処理して硬化させることで下層膜を形成する工程と、
(2)前記下層膜上に、チタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜、ハフニウム酸化膜から選ばれる金属酸化膜材料をコーティングし、金属酸化膜を形成する工程と、
(3)前記金属酸化膜上に、炭化水素膜材料をコーティングし、炭化水素膜を形成する工程と、
(4)前記炭化水素膜上に、珪素酸化膜材料をコーティングし、珪素酸化膜を形成する工程、
を含む多層膜形成方法を提供する。
(A)上記の多層膜形成方法によって基板上に形成された多層膜上に、フォトレジスト膜を形成する工程と、
(B)前記フォトレジスト膜に対して露光及び現像を行ってフォトレジストパターンを形成する工程と、
(C)前記フォトレジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行い、前記珪素酸化膜にパターンを転写する工程と、
(D)前記パターンが転写された珪素酸化膜をマスクにしてドライエッチングを行い、前記炭化水素膜にパターンを転写する工程と、
(E)前記パターンが転写された炭化水素膜をマスクにしてドライエッチングを行い、前記金属酸化膜にパターンを転写する工程と、
(F)前記パターンが転写された金属酸化膜をマスクにしてドライエッチングを行い、前記下層膜にパターンを転写する工程、
を含むパターン形成方法を提供する。
更に、スピンコート法を用いて形成する下層膜を、高耐熱性を有するものとすることで、その上に金属酸化膜(無機ハードマスク)を形成する際の高温ベーク処理にも耐えうる下層膜とすることができるため、スピンコート法で得られた下層膜と金属酸化膜(無機ハードマスク)を組み合わせた低コストのパターン形成方法を提供することができる。
ここで、図3−2に、レジスト膜の直下が珪素酸化膜(n値=1.6、k値=0.2)、その下が炭化水素膜(n値=1.5、k値=0.3)、その下がチタン酸化膜(n値=1.6、k値=0.7;膜厚30nm)、その下が下層膜(n値=1.4、k値=0.4;膜厚100nm)、基板がSiのペンタレイヤー用基板において炭化水素膜と珪素酸化膜の膜厚を変化させたときの基板反射率を示す。チタン酸化膜は、波長193nmにおける吸収が非常に大きく、チタン酸化膜上での反射が大きい。これはジルコニウム酸化膜、ハフニウム酸化膜においても同様である。図3−2から、ペンタレイヤーの場合は、珪素酸化膜の膜厚を20nm程度に薄膜化しても基板反射が1%以下になる領域が存在することがわかる。このことから、ペンタレイヤーであれば、反射率の低減と、珪素酸化膜の薄膜化を両立できることがわかる。
(1)前記基板上に、下記一般式(1)又は下記一般式(2)で示されるフルオレン構造を含む繰り返し単位を有する樹脂を含有する下層膜材料をコーティングし、熱処理して硬化させることで下層膜を形成する工程と、
(2)前記下層膜上に、チタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜、ハフニウム酸化膜から選ばれる金属酸化膜材料をコーティングし、金属酸化膜を形成する工程と、
(3)前記金属酸化膜上に、炭化水素膜材料をコーティングし、炭化水素膜を形成する工程と、
(4)前記炭化水素膜上に、珪素酸化膜材料をコーティングし、珪素酸化膜を形成する工程、
を含む多層膜形成方法である。
図1は本発明の多層膜形成方法の一例を示すフロー図である。図1の多層膜形成方法では、(1)基板1の上に成膜された被加工層2上に下層膜材料をコーティングし、熱処理して硬化させることで下層膜3を形成し、(2)下層膜3上に金属酸化膜材料をコーティングし、金属酸化膜4を形成し、(3)金属酸化膜4上に炭化水素膜材料をコーティングし、炭化水素膜5を形成し、(4)炭化水素膜5上に珪素酸化膜材料をコーティングし、珪素酸化膜6を形成することで、基板1(被加工層2)上に多層膜を形成する。
[(1)工程]
本発明の多層膜形成方法の(1)工程では、基板上に、下記一般式(1)又は下記一般式(2)で示されるフルオレン構造を含む繰り返し単位を有する樹脂を含有する下層膜材料をコーティングし、熱処理して硬化させることで下層膜を形成する。
本発明の多層膜形成方法に用いられる基板(被加工基板)としては、基板上に被加工層が成膜されたものであることが好ましい。基板としては、特に限定されるものではなく、Si、α−Si、p−Si、SiO2、SiN、SiON、W、TiN、Al等からなるものであり、被加工層と異なる材質のものが好適に用いられる。被加工層としては、Si、SiO2、SiON、SiN、p−Si、α−Si、W、W−Si、Al、Cu、Al−Si等種々のLow−k膜及びそのストッパー膜が好適に用いられ、通常50〜10,000nm、特に100〜5,000nm厚さに形成し得る。
本発明の多層膜形成方法に用いられる下層膜材料は、下記一般式(1)又は下記一般式(2)で示されるフルオレン構造を含む繰り返し単位を有する樹脂を含有するものであり、このようなフルオレン構造を含む繰り返し単位を有する樹脂を含有することで、耐熱性やエッチング耐性に優れた下層膜を形成することができる。
(i)上記一般式(1)又は上記一般式(2)で示されるフルオレン構造を含む繰り返し単位を有する樹脂を必須成分とし、通常(ii)有機溶剤を含むものであるが、スピンコート特性、段差基板の埋め込み特性、膜の剛性や耐溶媒性を上げるために、必要に応じて
(iii)ブレンド用ポリマーやモノマー(上記(i)の樹脂以外のポリマー)、
(iv)架橋剤、
(v)酸発生剤、
等を添加してもよい。
一般式(1)又は一般式(2)で示されるフルオレン構造を含む繰り返し単位として、以下のものを例示できる。
また、本発明の多層膜形成方法に用いられる下層膜材料には、上述の一般式(1)又は一般式(2)で示されるフルオレン構造を有する樹脂の縮合に用いるモノマー成分を添加することもできる。モノマー成分の添加は光学定数を変えずに埋め込み特性を向上させるメリットがある。添加量は一般式(1)又は一般式(2)で示されるフルオレン構造を有する樹脂100質量部に対して、好ましくは0〜1,000質量部、より好ましくは0〜500質量部であり、埋め込み特性を観察しながら適宜添加量を調整することができる。モノマー成分の添加量が多すぎるとベーク中にアウトガスとなってパーティクルが発生し、ベーク炉を汚染してしまうことがあるため、モノマー成分を添加する場合は埋め込み特性を確保できる最小限の添加量にとどめておくことが好ましい。
そのため、本発明においても多層膜形成材料(下層膜材料、後述の金属酸化膜材料、後述の珪素酸化膜材料、後述の炭化水素膜材料等)の成分として架橋剤を添加する場合、材料となるポリマーに架橋性の置換基を導入してもよい。架橋剤を特に添加していない場合でも、一般式(1)又は一般式(2)で示されるフルオレン構造を有する樹脂を含有する下層膜材料は250℃以上で加熱することで硬化させることができる。また、特にフルオレン構造を有するノボラック樹脂の場合は、300℃以上で加熱することで後述の反応機構によって架橋させることができる。
本発明の多層膜形成方法に用いられる多層膜形成材料には、架橋剤を添加することができる。架橋剤としては、具体的には、特開2007−199653号公報の(0055)〜(0060)段落に記載されている材料を挙げることができる。
ベークは大気中で行ってもよいし、窒素やヘリウム、アルゴンガス等の不活性ガス中で行ってもよく、不活性ガス中でベークを行った方が膜の収縮量が少なくて済む。また、不活性ガス中でベークを行うことで酸化を防止することができるため、吸収が増大したりエッチング耐性が低下したりすることを防ぐことができる。不活性ガス中のベークは、架橋後のベークで行うことが好ましい。また、酸化を防止するためには酸素濃度をコントロールすることが好ましく、不活性ガス中の酸素濃度としては好ましくは1,000ppm以下、より好ましくは100ppm以下である。
本発明の多層膜形成方法の(2)工程では、上述のようにして形成した下層膜上に、チタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜、ハフニウム酸化膜から選ばれる金属酸化膜材料をコーティングし、金属酸化膜を形成する。
金属酸化膜の形成は、スピンコート法で行うことが好ましい。スピンコート後、基板温度を例えば250℃以上に上げることによって強固なチタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜、ハフニウム酸化膜を形成することができる。
本発明の多層膜形成方法の(3)工程では、上述のようにして形成した金属酸化膜上に、炭化水素膜材料をコーティングし、炭化水素膜を形成する。
本発明の多層膜形成方法に用いられる炭化水素膜材料としては、炭素密度が高くエッチング耐性の高い材料が選ばれる。このような材料としては、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−ジメチルフェノール、2,5−ジメチルフェノール、3,4−ジメチルフェノール、3,5−ジメチルフェノール、2,4−ジメチルフェノール、2,6−ジメチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、2−t−ブチルフェノール、3−t−ブチルフェノール、4−t−ブチルフェノール、2−フェニルフェノール、3−フェニルフェノール、4−フェニルフェノール、3,5−ジフェニルフェノール、2−ナフチルフェノール、3−ナフチルフェノール、4−ナフチルフェノール、4−トリチルフェノール、レゾルシノール、2−メチルレゾルシノール、4−メチルレゾルシノール、5−メチルレゾルシノール、カテコール、4−t−ブチルカテコール、2−メトキシフェノール、3−メトキシフェノール、2−プロピルフェノール、3−プロピルフェノール、4−プロピルフェノール、2−イソプロピルフェノール、3−イソプロピルフェノール、4−イソプロピルフェノール、2−メトキシ−5−メチルフェノール、2−t−ブチル−5−メチルフェノール、ピロガロール、チモール、イソチモール、4,4’−(9H−フルオレン−9−イリデン)ビスフェノール、2,2’ジメチル−4,4’−(9H−フルオレン−9−イリデン)ビスフェノール、2,2’ジアリル−4,4’−(9H−フルオレン−9−イリデン)ビスフェノール、2,2’ジフルオロ−4,4’−(9H−フルオレン−9−イリデン)ビスフェノール、2,2’ジフェニル−4,4’−(9H−フルオレン−9−イリデン)ビスフェノール、2,2’ジメトキシ−4,4’−(9H−フルオレン−9−イリデン)ビスフェノール、2,3,2’,3’−テトラヒドロ−(1,1’)−スピロビインデン−6,6’−ジオール、3,3,3’,3’−テトラメチル−2,3,2’,3’−テトラヒドロ−(1,1’)−スピロビインデン−6,6’−ジオール、3,3,3’,3’,4,4’−ヘキサメチル−2,3,2’,3’−テトラヒドロ−(1,1’)−スピロビインデン−6,6’−ジオール、2,3,2’,3’−テトラヒドロ−(1,1’)−スピロビインデン−5,5’−ジオール、5,5’−ジメチル−3,3,3’,3’−テトラメチル−2,3,2’,3’−テトラヒドロ−(1,1’)−スピロビインデン−6,6’−ジオール、1−ナフトール、2−ナフトール、2−メチル−1−ナフトール、4−メトキシ−1−ナフトール、7−メトキシ−2−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,7−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン、3−ヒドロキシ−ナフタレン−2−カルボン酸メチル、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、4−ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、5−ビニルノルボルナ−2−エン、α−ピネン、β−ピネン、リモネンなどのノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ポリスチレン、ポリビニルナフタレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルカルバゾール、ポリインデン、ポリアセナフチレン、ポリノルボルネン、ポリシクロデセン、ポリテトラシクロドデセン、ポリノルトリシクレン、ポリ(メタ)アクリレート、及びこれらの共重合体等が挙げられる。
本発明の多層膜形成方法の(4)工程では、上述のようにして形成した炭化水素膜上に、珪素酸化膜材料をコーティングし、珪素酸化膜を形成する。
本発明の多層膜形成方法に用いられる珪素酸化膜材料としては、特開2007−302873号公報に示される露光波長に吸収を有するシルセスキオキサン系の材料を挙げることができる。
本発明の多層膜形成方法において、珪素酸化膜の形成はスピンコート法で行うことが好ましい。また、珪素酸化膜の膜厚としては、10〜20nmとすることが好ましい。
このような多層膜形成方法であれば、リソグラフィーにおいてレジスト下層膜として好適に用いることができ、反射防止膜としての最適なn値、k値と埋め込み特性、優れたエッチング耐性を有する多層膜を形成することができる。
また、スピンコート法で全ての膜を形成することで、スパッタリングやCVDで膜を形成する方法に比べてコストを低減することができる。
本発明では、上述のようにして形成された多層膜を用いたパターン形成方法であって、
(A)上述の多層膜形成方法によって基板上に形成された多層膜上に、フォトレジスト膜を形成する工程と、
(B)前記フォトレジスト膜に対して露光及び現像を行ってフォトレジストパターンを形成する工程と、
(C)前記フォトレジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行い、前記珪素酸化膜にパターンを転写する工程と、
(D)前記パターンが転写された珪素酸化膜をマスクにしてドライエッチングを行い、前記炭化水素膜にパターンを転写する工程と、
(E)前記パターンが転写された炭化水素膜をマスクにしてドライエッチングを行い、前記金属酸化膜にパターンを転写する工程と、
(F)前記パターンが転写された金属酸化膜をマスクにしてドライエッチングを行い、前記下層膜にパターンを転写する工程、
を含むパターン形成方法を提供する。
(C)工程に用いられるエッチングガスとしては、フロン系のガスが好適である。
(D)工程に用いられるエッチングガスとしては、酸素ガス、水素ガス、アンモニアガス、二酸化炭素ガス、一酸化炭素ガス、二酸化硫黄ガスから選ばれる1種以上のガスが好適である。
また、(D)工程のドライエッチングは、酸素プラズマエッチングであってもよい。
(E)工程に用いられるエッチングガスとしては、臭素や塩素を含むガスが好適である。
(F)工程に用いられるエッチングガスとしては、酸素ガス、水素ガス、アンモニアガス、二酸化炭素ガス、一酸化炭素ガス、二酸化硫黄ガスから選ばれる1種以上のガスが好適である。
(G)工程に用いられるエッチングガスとしては、被加工層2がSiO2、SiN、シリカ系低誘電率絶縁膜であればフロン系ガスを主体としたエッチングガスが好適であり、被加工層2がp−Si、Al、Wであれば塩素系、臭素系ガスを主体としたエッチングガスが好適である。
なお、本発明において、金属酸化膜4と下層膜3は、上述の被加工層2のエッチングガスに対して耐性を有するものである。
なお、ポリマーの分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)、分散度(Mw/Mn)を示している。
炭化水素膜ポリマー1(比較下層膜ポリマー1) Mw=6,900、Mw/Mn=1.88
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Cyclohexanone:シクロヘキサノン
水
PGEE:プロピレングリコールモノエチルエーテル
GBL:γ−ブチロラクトン
上記下層膜ポリマー1〜8、比較下層膜ポリマー1、2(炭化水素膜ポリマー1、3)で示される樹脂、下層膜ブレンド用モノマー1、2、酸発生剤AG1、架橋剤CR1を、FC−4430(住友スリーエム(株)製)0.1質量%を含む溶媒中に表1に示す割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって下層膜材料(UDL−1〜10、比較例UDL−1)を調製した。
上記チタン酸化膜ポリマー1、2、ジルコニウム酸化膜ポリマー1、ハフニウム酸化膜ポリマー1で示される樹脂を、FC−4430(住友スリーエム(株)製)0.1質量%を含む溶媒中に表2に示す割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって金属酸化膜材料(MHL−1〜4)を調製した。
上記炭化水素膜ポリマー1〜4で示される樹脂、酸発生剤AG1、架橋剤CR1を、FC−4430(住友スリーエム(株)製)0.1質量%を含む溶媒中に表3に示す割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって炭化水素膜材料(HCL−1〜3)を調製した。
上記珪素酸化膜ポリマー1で示される樹脂、酸発生剤AG2を、FC−4430(住友スリーエム(株)製)0.1質量%を含む溶媒中に表4に示す割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって珪素酸化膜材料(SOG−1)を調製した。
上記ArFレジストポリマー1で示される樹脂、酸発生剤PAG1、Quencher、撥水性ポリマー1を、FC−4430(住友スリーエム(株)製)0.1質量%を含む溶媒中に表5に示す割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによってフォトレジスト膜材料(ArFレジスト1)を調製した。
上記下層膜材料(UDL−1〜10、比較UDL−1)をシリコン基板(ウェハー)上に塗布して、200℃で60秒間ベークしてそれぞれ膜厚100nmの下層膜を形成し、入射角度可変の分光エリプソメーター(VASE;J.A.ウーラム社製)で波長193nmにおける各下層膜の屈折率(n値、k値)と200℃ベーク後の膜厚aを求めた。次いで、UDL−1〜8、比較UDL−1では、ウェハーをホットプレート上350℃で1分間ベークし、350℃ベーク後の膜厚bを測定し、350℃ベーク前後の膜厚の比率を求めた。UDL−9、10では、窒素を封入して酸素濃度を10ppm以下に調整したファーネス中にウェハーを入れ、450℃で30分間ベークし、450℃ベーク後の膜厚bを測定し、450℃ベーク前後の膜厚の比率を求めた。結果を表6、7に示す。
上記金属酸化膜材料(MHL−1〜4)、炭化水素膜材料(HCL−1〜3)、珪素酸化膜材料(SOG−1)をシリコン基板上に塗布して、金属酸化膜材料は350℃で60秒間ベーク、それ以外は200℃で60秒間ベークして、金属酸化膜は膜厚20nm、炭化水素膜は膜厚40nm、珪素酸化膜は膜厚20nmの膜を形成し、入射角度可変の分光エリプソメーター(VASE;J.A.ウーラム社製)で波長193nmにおける各膜の屈折率(n値、k値)を求めた。結果を表8に示す。
[多層膜の形成]
(実施例1〜15、比較例1)
膜厚200nmのSiO2膜(被加工層)が形成された直径300mmのSiウェハー基板上に、表1に記載の下層膜材料(UDL−1〜8、比較UDL−1)をスピンコートにより塗布して、350℃で60秒間ベークし、膜厚100nmの下層膜を形成した(実施例1〜13、比較例1)。同様にして、膜厚200nmのSiO2膜(被加工層)が形成された直径300mmのSiウェハー基板上に、表1に記載の下層膜材料(UDL−9、10)をスピンコートにより塗布して、350℃で60秒間ベークし、その後窒素を封入して酸素濃度を10ppm以下に調整したファーネス中にウェハーを入れ、450℃で30分間ベークし膜厚100nmの下層膜を形成した(実施例14、15)。
膜厚200nmのSiO2膜(被加工層)が形成された直径300mmのSiウェハー基板上に、表1に記載の下層膜材料(UDL−1)をスピンコートにより塗布して、350℃で60秒間ベークし、膜厚100nmの下層膜を形成した。比較例2では、金属酸化膜及び炭化水素膜を形成せずに、下層膜の上に珪素酸化膜材料(SOG−1)をスピンコートにより塗布して、200℃で60秒間ベークし、膜厚20nmの珪素酸化膜を形成し、多層膜(2層)とした。
上述のようにして多層膜を形成した実施例1〜15、比較例1〜2の基板上に、表5に記載のArFレジストをスピンコートにより塗布して、100℃で60秒間ベークし、膜厚70nmのフォトレジスト膜を形成した。これにより、実施例1〜15及び比較例1はペンタレイヤー(5層)、比較例2はトライレイヤー(3層)の構造を形成した。
(a)レジストパターンの珪素酸化膜への転写(エッチング)条件
チャンバー圧力 10.0Pa
RFパワー 1,500W
CF4ガス流量 75ml/min
O2ガス流量 15ml/min
時間 12sec
(b)珪素酸化膜パターンの炭化水素膜への転写(エッチング)条件
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 500W
Arガス流量 75ml/min
O2ガス流量 45ml/min
時間 30sec
(c)炭化水素膜パターンの金属酸化膜への転写(エッチング)条件
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 300W
Cl2ガス流量 30ml/min
BCl3ガス流量 30ml/min
CHF3ガス流量 100ml/min
O2ガス流量 2ml/min
時間 30sec
(d)金属酸化膜パターンの下層膜への転写(エッチング)条件
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 500W
Arガス流量 75ml/min
O2ガス流量 45ml/min
時間 100sec
(e)金属酸化膜・下層膜パターンのSiO2膜への転写(エッチング)条件
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 2,200W
C5F12ガス流量 20ml/min
C2F6ガス流量 10ml/min
Arガス流量 300ml/min
O2ガス流量 60ml/min
時間 90sec
実施例1〜15では、表6、7に示されるように350℃又は450℃の高温でベークしても膜減りが少ない下層膜上に、チタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜、ハフニウム酸化膜のような金属酸化膜を形成し、その上に表8に示されるような屈折率(反射防止効果)を有する炭化水素膜、珪素酸化膜を形成する。これにより、金属酸化膜上で光が全反射するために、その上の炭化水素膜と珪素酸化膜の2層の反射防止膜によって基板反射を低減でき、またレジスト直下の珪素酸化膜の膜厚を薄くしても基板反射を抑えることができるために、レジストパターンをスムーズに珪素酸化膜へドライエッチング転写できる。金属酸化膜の優れたドライエッチング耐性によって、下地の被加工基板をドライエッチングした後の形状が良好となる。
6…珪素酸化膜、 7…フォトレジスト膜、 8…露光部分。
Claims (7)
- 基板上に多層膜を形成する方法であって、
(1)前記基板上に、下記一般式(1)又は下記一般式(2)で示されるフルオレン構造を含む繰り返し単位を有する樹脂を含有する下層膜材料をコーティングし、熱処理して硬化させることで下層膜を形成する工程と、
(2)前記下層膜上に、チタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜、ハフニウム酸化膜から選ばれる金属酸化膜材料をコーティングし、金属酸化膜を形成する工程と、
(3)前記金属酸化膜上に、炭化水素膜材料をコーティングし、炭化水素膜を形成する工程と、
(4)前記炭化水素膜上に、珪素酸化膜材料をコーティングし、珪素酸化膜を形成する工程、
を含むことを特徴とする多層膜形成方法。
- 前記(1)工程の熱処理を、250℃以上800℃以下の温度で10秒〜4,000秒間の範囲で行うことを特徴とする請求項1に記載の多層膜形成方法。
- 前記(1)工程の熱処理を、250℃以上700℃以下の温度で10秒〜600秒間の範囲で行うことを特徴とする請求項2に記載の多層膜形成方法。
- 前記(1)〜(4)工程の材料のコーティングを、スピンコート法で行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の多層膜形成方法。
- 前記(1)工程において膜厚30〜20,000nmの下層膜を形成し、前記(2)工程において膜厚3〜100nmの金属酸化膜を形成し、前記(3)工程において膜厚5〜100nmの炭化水素膜を形成し、前記(4)工程において膜厚10〜20nmの珪素酸化膜を形成することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の多層膜形成方法。
- パターン形成方法であって、
(A)請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の多層膜形成方法によって基板上に形成された多層膜上に、フォトレジスト膜を形成する工程と、
(B)前記フォトレジスト膜に対して露光及び現像を行ってフォトレジストパターンを形成する工程と、
(C)前記フォトレジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行い、前記珪素酸化膜にパターンを転写する工程と、
(D)前記パターンが転写された珪素酸化膜をマスクにしてドライエッチングを行い、前記炭化水素膜にパターンを転写する工程と、
(E)前記パターンが転写された炭化水素膜をマスクにしてドライエッチングを行い、前記金属酸化膜にパターンを転写する工程と、
(F)前記パターンが転写された金属酸化膜をマスクにしてドライエッチングを行い、前記下層膜にパターンを転写する工程、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記(F)工程のドライエッチングを、酸素ガス、水素ガス、アンモニアガス、二酸化炭素ガス、一酸化炭素ガス、二酸化硫黄ガスから選ばれる1種以上のエッチングガスを用いて行うことを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。
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