JP2016066662A5 - - Google Patents
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Description
ソース電極140の電極層144は、電極層143の上に形成され、パラジウム(Pd)から主に成る第3の電極層である。電極層144は、ソース電極140における複数の電極層のうち半導体層116から最も離れた最外層である。電極層144は、半導体装置100の外部に露出している。電極層144の厚さB(Z軸方向の長さ)は、10nm以上1000nm以下であればよい。ドライエッチングによる接触抵抗の増大を抑制する観点から、電極層144の厚さB(Z軸方向の長さ)は10nm以上であることが好ましく、製造コストを抑制する観点から、電極層144の厚さBは1000nm以下であることが好ましい。本実施形態では、電極層144の厚さBは、約50nmである。ドライエッチングによる接触抵抗の増大を抑制する観点から、電極層143の厚さAと電極層144の厚さBとの比A/Bは、0.25以上4.0以下であることが好ましく、0.33以上3.3以下であることがいっそう好ましい。本実施形態では、比A/Bは1.0である。
A−2.半導体装置の製造方法
図3は、第1実施形態における半導体装置100の製造方法を示す工程図である。まず、製造者は、基板110の上に半導体層112,114,116を結晶成長によって形成する(工程P110)。本実施形態では、製造者は、有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)を用いて半導体層112,114,116を形成する。
図3は、第1実施形態における半導体装置100の製造方法を示す工程図である。まず、製造者は、基板110の上に半導体層112,114,116を結晶成長によって形成する(工程P110)。本実施形態では、製造者は、有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)を用いて半導体層112,114,116を形成する。
図3の説明に戻り、半導体層112,114,116を形成した後(工程P110)、製造者は、ドライエッチングによってトレンチ122,128およびリセス124を形成する(工程P115)。本実施形態では、製造者は、塩素系ガスを用いたドライエッチングによってトレンチ122,128およびリセス124を形成する。
図3の説明に戻り、ソース電極140を形成した後(工程P132)、製造者は、ボディ電極170を形成する(工程P134)。本実施形態では、製造者は、コンタクトホール138から露出している半導体層114の上に、パラジウム(Pd)から主に成る電極層をボディ電極170として蒸着によって形成する。本実施形態では、製造者は、自己整合を適用し、コンタクトホール138の形成に用いたレジストマスクを、ボディ電極170の形成に利用する。他の実施形態では、製造者は、ソース電極140を形成する前に、ボディ電極170を形成してもよい。
Claims (19)
- 半導体装置の製造方法であって、
半導体層の上に複数の電極層を積層した電極を形成する積層工程と、
前記電極に対して熱処理を行う熱処理工程と
を備え、
前記積層工程は、
アルミニウム(Al)から主に成る第1の電極層を、前記複数の電極層の1つとして形成する工程と、
アルミニウム(Al)より高い融点を有するとともに450℃以上の温度でアルミニウム(Al)と反応する導電性材料、から主に成る第2の電極層を、前記複数の電極層の1つとして、前記第1の電極層の上に形成する工程と、
パラジウム(Pd)から主に成る第3の電極層を、前記複数の電極層のうち前記半導体層から最も離れた電極層として、前記第2の電極層の上に形成する工程と
を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記第2の電極層を形成する工程は、10nm以上の厚さで前記第2の電極層を形成する工程である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2の電極層を形成する工程は、
モリブデン(Mo)から主に成る電極層と、
バナジウム(V)から主に成る電極層と、
チタン(Ti)から主に成る電極層と、
タンタル(Ta)から主に成る電極層と、
タングステン(W)から主に成る電極層と、
ニオブ(Nb)から主に成る電極層と、
白金(Pt)から主に成る電極層と、
ジルコニウム(Zr)から主に成る電極層と、
ハフニウム(Hf)から主に成る電極層と、
のうち少なくとも1つの電極層を、前記第2の電極層として形成する工程である、半導体装置の製造方法。 - 前記第3の電極層を形成する工程は、10nm以上の厚さで前記第3の電極層を形成する工程である、請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の電極層の厚さAと前記第3の電極層の厚さBとの比A/Bは、0.25以上4.0以下である、請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の電極層の厚さAと前記第3の電極層の厚さBとの比A/Bは、0.33以上3.3以下である、請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記積層工程は、前記半導体層の上から、前記半導体層の上に形成された他の電極の上にわたって、前記電極を形成する工程である、請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記積層工程は、窒化ガリウム(GaN)から主に成る前記半導体層の上に、前記電極を形成する工程である、請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記積層工程は、チタン(Ti)およびバナジウム(V)の少なくとも一方から主に成る他の電極層を、前記複数の電極層の1つとして、前記半導体層の上に形成する工程を更に含み、
前記第1の電極層を形成する工程は、前記他の電極層の上に前記第1の電極層を形成する工程である、半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理工程は、1分から10分の間、前記電極に対して前記熱処理を行う工程である、請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理工程は、450℃以上700℃以下の処理温度で、前記電極に対して前記熱処理を行う工程である、請求項1から請求項10までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1から請求項11までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法を用いて製造された半導体装置。
- 半導体装置であって、
半導体層と、
前記半導体層の上に形成された電極と
を備え、
前記電極は、
アルミニウム(Al)から主に成る第1の電極層と、
アルミニウム(Al)より高い融点を有するとともに450℃以上の温度でアルミニウム(Al)と反応する導電性材料、から主に成り、前記第1の電極層の上に積層された第2の電極層と、
パラジウム(Pd)から主に成り、前記電極において前記半導体層から最も離れた電極層として、前記第2の電極層の上に積層された第3の電極層と
を含む、半導体装置。 - 前記第2の電極層の厚さは10nm以上である、請求項13に記載の半導体装置。
- 請求項13または請求項14に記載の半導体装置であって、
前記第2の電極層は、
モリブデン(Mo)から主に成る電極層と、
バナジウム(V)から主に成る電極層と、
チタン(Ti)から主に成る電極層と、
タンタル(Ta)から主に成る電極層と、
タングステン(W)から主に成る電極層と、
ニオブ(Nb)から主に成る電極層と、
白金(Pt)から主に成る電極層と、
ジルコニウム(Zr)から主に成る電極層と、
ハフニウム(Hf)から主に成る電極層と、
のうち少なくとも1つの電極層を含む、半導体装置。 - 前記第3の電極層の厚さは10nm以上である、請求項13から請求項15までのいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記電極は、前記半導体層の上に形成された他の電極を覆う、請求項13から請求項16までのいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体層は、窒化ガリウム(GaN)から主に成る、請求項13から請求項17までのいずれか一項に記載の半導体装置。
- 請求項13から請求項18までのいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記電極は、チタン(Ti)およびバナジウム(V)の少なくとも一方から主に成り、前記半導体層の上に形成された他の電極層を、更に含み、
前記第1の電極層は、前記他の電極層の上に積層されている、半導体装置。
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