JP2015164185A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 第１の絶縁体上に、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間の第３の領域と、を有する酸化物半導体を形成する工程と、
   第２の絶縁体を介して前記第３の領域と重なる領域を有する第１の導電体を形成する工程と、
   前記第１の導電体の側面及び前記第２の絶縁体の側面に接する第３の絶縁体と、前記酸化物半導体の側面に接する領域を有する第４の絶縁体と、を形成する工程と、
   前記第１の領域上に第２の導電体を選択的に成長させる工程と、を有し、
   前記第３の領域は、トランジスタのチャネル形成領域として機能し、
   前記第１の絶縁体は、前記酸化物半導体と重ならない領域において、前記第３の領域と重なる領域よりも膜厚の小さい部分を有し、
   前記第１の絶縁体の前記部分は、前記トランジスタのチャネル長方向において、前記第３の絶縁体と接する領域を有さず、且つ前記第４の絶縁体と接する領域を有さないことを特徴とすることを特徴とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の領域及び前記第２の領域は、シリコンを有し、
   前記第２の導電体は、タングステンを有するガスを用いた化学気相成長法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１において、
   前記第１の領域及び前記第３の領域は、チタンを有し、
   前記第２の導電体は、アルミニウムを有するガスを用いた化学気相成長法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。