JP2016066597A - 表示装置、表示装置の作製方法、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】可撓性を有する第1の基板と可撓性を有する第2の基板を、素子を介して重畳する。重畳した第1の基板と第2の基板の周囲を、透光性を有する高分子材料で覆う。高分子材料は、第1の基板及び第2の基板よりも柔らかい材料を用いる。素子としては、例えば、EL素子を用いることができる。
【選択図】図38
Description
本発明の一態様の表示装置100の構成例について、図1乃至図7を用いて説明する。なお、本明細書に開示する表示装置100は、表示素子として発光素子を用いた表示装置を例示する。また、本発明の一態様の表示装置100として、トップエミッション構造(上面射出構造)の表示装置を例示する。ただし、本発明の一態様の表示装置100は、ボトムエミッション構造(下面射出構造)、またはデュアルエミッション構造(両面射出構造)の表示装置とすることも可能である。
図1は、外部電極124が接続され、かつ、層147に覆われた表示装置100の斜視図である。また、図2(A)は、表示装置100の平面図である。図2(B)は、図2(A)にV1−V2の一点鎖線で示す部位の断面図である。図2(C)は、図2(A)にH1−H2の一点鎖線で示す部位の断面図である。また、図3は、図1にA1−A2の一点鎖線で示す部位の詳細な断面図である。なお、図3は、図2(C)に示した断面の一部をより詳細に説明するための図である。
次に、図4を用いて、表示装置100のより具体的な構成例について説明する。図4(A)は、表示装置100の構成を説明するためのブロック図である。表示装置100は、表示領域131、回路132、および回路133を有する。回路132は、例えば走査線駆動回路として機能する。また、回路133は、例えば信号線駆動回路として機能する。
また、図4(B)に示す画素回路137は、トランジスタ431と、容量素子233と、トランジスタ232と、トランジスタ434と、を有する。また、画素回路137は、表示素子として機能できる発光素子125と電気的に接続されている。
図4(C)に示す画素回路137は、トランジスタ431と、容量素子233と、を有する。また、画素回路137は、表示素子として機能できる液晶素子432と電気的に接続されている。
本発明の一態様の表示装置は、様々な形態を用いること、または様々な表示素子を有することが出来る。例えば、EL(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイ(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス・モジュレーション)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子などの少なくとも一つを有することができる。これらの他にも、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していてもよい。また、表示素子として量子ドットを用いてもよい。EL素子を用いた表示装置の一例としては、ELディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface−conduction Electron−emitter Display)などがある。量子ドットを用いた表示装置の一例としては、量子ドットディスプレイなどがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などがある。電子インク、電子粉流体(登録商標)、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、SRAMなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
ここで、カラー表示を実現するための画素構成の一例を、図6を用いて説明しておく。図6(A)、図6(B)、図7(A)、および図7(B)は、図1の表示領域131中に示した領域170を拡大した平面図である。例えば、図6(A)に示すように、3つの画素130をそれぞれ副画素として機能させて、3つまとめて1つの画素140として用いる。3つの画素130それぞれに対応する着色層266を、赤、緑、青、とすることで、フルカラー表示を実現することができる。なお、図6(A)では、赤色の光を発する画素130を画素130Rと示し、緑色の光を発する画素130を画素130Gと示し、青色の光を発する画素130を画素130Bと示している。また、着色層266の色は、赤、緑、青、以外であってもよく、例えば、黄、シアン、マゼンダなどを用いてもよい。
本実施の形態では、表示装置100の作製方法の一例について、図8乃至図24を用いて説明する。なお、図8、図9、図11乃至図14、および図20乃至図23は、図15(A)中のA3−A4の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
〔剥離層を形成する〕
まず、基板101上に剥離層113を形成する(図8(A)参照。)。なお、基板101としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。
次に、剥離層113上に下地層として絶縁層205を形成する(図8(A)参照。)。絶縁層205は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を、単層または多層で形成するのが好ましい。例えば、絶縁層205を、酸化シリコンと窒化シリコンを積層した2層構造としてもよいし、上記材料を組み合わせた5層構造としてもよい。絶縁層205は、スパッタリング法やCVD法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。
次に、絶縁層205上にゲート電極206を形成する(図8(A)参照。)。ゲート電極206は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、ゲート電極206は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
次に、ゲート絶縁層207を形成する(図8(A)参照。)。ゲート絶縁層207は、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化アルミニウムと酸化シリコンの混合物、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはGa−Zn系金属酸化物などを用いればよく、積層または単層で設ける。
半導体層208は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体等を用いて形成することができる。例えば、非晶質シリコンや、微結晶ゲルマニウム等を用いることができる。また、炭化シリコン、ガリウム砒素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、有機半導体等を用いることができる。
次に、ソース電極209a、ドレイン電極209b、配線219、および端子電極216を形成する(図8(C)参照。)。まず、ゲート絶縁層207及び半導体層208上に、ソース電極209a、ドレイン電極209b、配線219、および端子電極216を形成するための導電膜を形成する。
次に、ソース電極209a、ドレイン電極209b、配線219、および端子電極216上に、絶縁層210を形成する(図8(D)参照。)。絶縁層210は、絶縁層205と同様の材料および方法で形成することができる。
次に、レジストマスクを用いて、絶縁層210の一部を選択的にエッチングし、開口128を形成する(図8(D)参照。)。この時、図示しない他の開口も同時に形成することができる。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
次に、絶縁層210上に絶縁層211を形成する(図9(A)参照。)。絶縁層211は、絶縁層205と同様の材料および方法で形成することができる。
次に、絶縁層211上に電極115を形成する(図9(B)参照。)。電極115は、後に形成されるEL層117が発する光を効率よく反射する導電性材料を用いて形成することが好ましい。なお、電極115は単層に限らず、複数層の積層構造としてもよい。例えば、電極115を陽極として用いる場合、EL層117と接する層を、インジウム錫酸化物などのEL層117よりも仕事関数が大きく透光性を有する層とし、その層に接して反射率の高い層(アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など)を設けてもよい。
次に、隔壁114を形成する(図9(C)参照。)。隔壁114は、隣接する画素の発光素子125が意図せず電気的に短絡し、誤発光することを防ぐために設ける。また、後述するEL層117の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが電極115に接触しないようにする機能も有する。隔壁114は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂などの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料で形成することができる。隔壁114は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁114の側壁をこのような形状とすることで、後に形成されるEL層117や電極118の被覆性を良好なものとすることができる。
EL層117の構成については、実施の形態7で説明する。
本実施の形態では電極118を陰極として用いるため、電極118を後述するEL層117に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕事関数の小さい金属単体ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を数nm形成した層を緩衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、インジウム錫酸化物等の導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成してもよい。また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグネシウム−銀等の合金を用いることもできる。
素子形成基板141上に剥離層143と絶縁層145を形成する(図10(A)参照)。素子形成基板141としては、基板101と同様の材料を用いることができる。剥離層143は、剥離層113と同様の材料および方法で形成することができる。また、絶縁層145は、絶縁層205と同様の材料および方法で形成することができる。
次に、素子基板171が有する発光素子125と、対向基板181が有する着色層266が向かい合うように、素子基板171と対向基板181を、接着層120を介して貼り合わせる(図11(A)参照。)。
次に、基板101及び剥離層113を絶縁層205から剥離する(図11(B)参照。)。剥離方法としては、機械的な力を加えること(人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理、超音波等)を用いて行えばよい。たとえば、剥離層113に鋭利な刃物またはレーザ光照射等で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する。または、その切り込みに霧状の水を吹き付ける。毛細管現象により水が剥離層113と絶縁層205の間にしみこむことにより、基板101を剥離層113とともに絶縁層205から容易に剥離することができる。
次に、接着層112を介して基板111を絶縁層205に貼り合わせる(図12(A)、図12(B)参照。)。接着層112は、接着層120と同様の材料を用いることができる。本実施の形態では、基板111として、厚さ20μm、ヤング率10GPaのアラミド(ポリアミド樹脂)を用いる。
次に、素子形成基板141及び剥離層143を、絶縁層145から剥離する(図13(A)参照。)。素子形成基板141の剥離は、前述した基板101の剥離と同様の方法で行うことができる。
次に、接着層142を介して基板121を絶縁層145に貼り合わせる(図13(B)参照。)。接着層142は、接着層120と同様の材料を用いることができる。また、基板121は基板111と同様の材料を用いることができる。
次に、端子電極216および開口128と重畳する領域の、基板121、接着層142、絶縁層145、着色層266、オーバーコート層268、および接着層120を除去して、開口122を形成する(図14(A)参照。)。開口122を形成することにより、端子電極216の表面の一部が露出する。
次に、開口122に異方性導電接続層123を形成し、異方性導電接続層123上に外部電極124を設ける(図14(B)参照)。外部電極124は、異方性導電接続層123を介して端子電極216と電気的に接続される。また、外部電極124及び端子電極216を介して、表示装置100に電力や信号が供給される。なお、外部電極124としては、例えばFPC(Flexible printed circuit)や、TCP(Tape Carrier Package)などを用いることができる。TCPは、例えばTAB(Tape Automated Bonding)テープに集積回路が形成された半導体チップを実装したものである。該半導体チップは、TABテープを介して端子電極216と電気的に接続される。
続いて、表示装置100を層147で覆う。図16を用いて表示装置100を覆う層147の作製方法一例を説明する。図16(A)に示す構造体191は凹部192を有する。また、構造体193は凹部194を有する。凹部192及び凹部194は、互いに同様の形状を有することが好ましい。また、凹部192及び凹部194は、それぞれの表面に鏡面加工などを施して、表面の平坦性を高めることが好ましい。
図20(A)は、基板121と着色層266の間にタッチセンサ271を設けた表示装置100の断面図である。具体的には、図20(A)に示す表示装置100は、絶縁層145と着色層266の間に電極272、絶縁層273、電極274、及び絶縁層275を設けている。電極272、及び電極274は、透光性を有する導電性材料を用いて形成することが好ましい。絶縁層273及び絶縁層275は、絶縁層205と同様の材料及び方法で形成することができる。タッチセンサ271は、電極272及び電極274を含む。なお、本実施の形態では、タッチセンサ271として静電容量方式のタッチセンサを例示しているが、抵抗膜方式のタッチセンサを用いてもよい。また、静電容量方式のタッチセンサとしては、例えば、表面型静電容量方式のタッチセンサ、投影型静電容量方式のタッチセンサなどを用いることができる。また、トランジスタなどの能動素子を用いたアクティブ方式のタッチセンサを用いることもできる。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した層147の厚さt1および厚さt2を同じとするための、層147の作製方法例について、図25乃至図27を用いて説明する。
まず、表示装置100に外部電極124を接続した後、表示装置100の側面にスペーサ165を配置する。図25(A)は、スペーサ165が配置された表示装置100の斜視図である。また、図25(B)は、スペーサ165が配置された表示装置100の上面図である。また、図25(C)は、図25(B)中にV3−V4の一点鎖線で示した部位の断面図である。また、図25(D)は、図25(B)中にV5−V6の一点鎖線で示した部位の断面図である。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した作製方法とは異なる表示装置100の作製方法例について、図31乃至図38を用いて説明する。
本実施の形態では、内側に凹部502を有する構造体501を用いて、表示装置100を作製する方法について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した作製方法とは異なる、層147に覆われた表示装置100の作製方法例について、図39乃至図44を用いて説明する。
本実施の形態では、内側に凹部552を有する構造体551を用いて、層147に覆われ表示装置100を作製する方法について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示したトランジスタと置き換えて使用することができるトランジスタの構成例について、図45乃至図49を用いて説明する。
図45(A1)に例示するトランジスタ410は、ボトムゲート型のトランジスタの一種であるチャネル保護型のトランジスタである。トランジスタ410は、絶縁層109上にゲート電極として機能できる電極246を有する。また、電極246上に絶縁層116を介して半導体層242を有する。電極246はゲート電極206と同様の材料及び方法で形成することができる。
図46(A1)に例示するトランジスタ430は、トップゲート型のトランジスタの一種である。トランジスタ430は、絶縁層109の上に半導体層242を有し、半導体層242および絶縁層109上に、半導体層242の一部に接する電極244および半導体層242の一部に接する電極245を有し、半導体層242、電極244、および電極245上に絶縁層116を有し、絶縁層116上に電極246を有する。
図47に、半導体層242として酸化物半導体を用いたトランジスタ構造の一例を示す。図47に例示するトランジスタ450は、半導体層242aの上に半導体層242bが形成され、半導体層242bの上面、半導体層242bの側面、および半導体層242aの側面が半導体層242cに覆われた構造を有する。図47(A)はトランジスタ450の上面図である。図47(B)は、図47(A)中のX1−X2の一点鎖線で示した部位の断面図(チャネル長方向の断面図)である。図47(C)は、図47(A)中のY1−Y2の一点鎖線で示した部位の断面図(チャネル幅方向の断面図)である。
ここで、半導体層242a、半導体層242b、および半導体層242cの積層により構成される半導体層242の機能およびその効果について、図50示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図50は、図47(B)にD1−D2の一点鎖線で示す部位のエネルギーバンド構造図である。図50は、トランジスタ450のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造を示している。
本実施の形態では、発光素子125に用いることができる発光素子の構成例について説明する。なお、本実施の形態に示すEL層320が、他の実施の形態に示したEL層117に相当する。
図51(A)に示す発光素子330は、一対の電極(電極318、電極322)間にEL層320が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例として、電極318を陽極として用い、電極322を陰極として用いるものとする。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置が適用された電子機器の例について、図面を参照して説明する。
101 基板
107 絶縁層
109 絶縁層
110 絶縁層
111 基板
112 接着層
113 剥離層
114 隔壁
115 電極
116 絶縁層
117 EL層
118 電極
119 絶縁層
120 接着層
121 基板
122 開口
123 異方性導電接続層
124 外部電極
125 発光素子
128 開口
129 開口
130 画素
131 表示領域
132 回路
133 回路
134 トランジスタ
135 走査線
136 信号線
137 画素回路
140 画素
141 素子形成基板
142 接着層
143 剥離層
145 絶縁層
147 層
152 回路
153 回路
161 機能層
162 半導体チップ
165 スペーサ
170 領域
171 素子基板
181 対向基板
191 構造体
192 凹部
193 構造体
194 凹部
195 充填材
200 表示装置
205 絶縁層
206 ゲート電極
207 ゲート絶縁層
208 半導体層
209 絶縁層
210 絶縁層
211 絶縁層
213 電極
214 層
216 端子電極
217 絶縁層
219 配線
221 基板
224 外部電極
231 表示領域
232 トランジスタ
233 容量素子
235 光
242 半導体層
243 電極
244 電極
246 電極
249 電極
252 トランジスタ
255 不純物元素
264 遮光層
266 着色層
268 オーバーコート層
270 タッチパネル
271 タッチセンサ
272 電極
273 絶縁層
274 電極
275 絶縁層
318 電極
320 EL層
322 電極
330 発光素子
331 発光素子
382 Ec
386 Ec
390 トラップ準位
410 トランジスタ
411 トランジスタ
420 トランジスタ
421 トランジスタ
430 トランジスタ
431 トランジスタ
432 液晶素子
434 トランジスタ
435 ノード
436 ノード
437 ノード
440 トランジスタ
441 トランジスタ
450 トランジスタ
451 トランジスタ
452 トランジスタ
501 構造体
502 凹部
511 層
551 構造体
552 凹部
7100 携帯表示装置
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7105 マイク
7106 スピーカ
7107 操作キー
7108 スタイラス
7131 筐体
7132 筐体
7133 表示部
7134 表示部
7200 照明装置
7201 台部
7202 発光部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め具
7332 筐体
7334 表示部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7410 携帯電話機
7411 筐体
7412 表示部
7413 操作用ボタン
7414 外部接続部
7415 スピーカ
7416 マイク
7417 カメラ
7501 筐体
7502 表示部
7503 操作ボタン
7504 外部接続ポート
7505 スピーカ
7506 マイク
7701 筐体
7702 筐体
7703 表示部
7704 操作キー
7705 レンズ
7706 接続部
9310 携帯情報端末
9313 ヒンジ
9315 筐体
9316 表示パネル
9320 携帯情報端末
9322 表示部
9325 非表示部
9330 携帯情報端末
9333 表示部
9335 筐体
9336 筐体
9337 情報
9339 操作ボタン
9340 携帯情報端末
9345 携帯情報端末
9354 筐体
9355 情報
9356 情報
9357 情報
9358 表示部
9600 タブレット型端末
9625 スイッチ
9626 スイッチ
9627 電源スイッチ
9628 操作スイッチ
9629 留め具
9630 筐体
9631 表示部
9632 領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリ
9636 DCDCコンバータ
9637 コンバータ
9638 操作キー
9639 ヒンジ部
9700 自動車
9701 車体
9702 車輪
9703 ダッシュボード
9704 ライト
9710 表示部
9711 表示部
9712 表示部
9713 表示部
9714 表示部
9715 表示部
9721 表示部
9722 表示部
9723 表示部
117A EL層
117B EL層
130B 画素
130G 画素
130R 画素
130Y 画素
165a スペーサ
165b スペーサ
209a ソース電極
209b ドレイン電極
242a 半導体層
242b 半導体層
242c 半導体層
320a 電荷発生層
383a Ec
383b Ec
383c Ec
9630a 筐体
9630b 筐体
Claims (12)
- 第1の基板と、第2の基板と、第1の層と、を有する表示装置の作製方法であって、
前記第1の基板は、第1の面と、第2の面と、を有し、
前記第2の基板は、第3の面と、第4の面と、を有し、
前記第1の面側または記第3の面側の少なくとも一方の面側に素子を形成する第1の工程と、
前記第1の面と前記第3の面を向かい合わせて、
前記第1の基板と前記第2の基板を互いに重ねる第2の工程と、
構造体の凹部に第1の充填材を入れた後、前記第1の充填材を硬化させて第2の層を形成する第3の工程と、
前記第2の面または前記第4の面の一方を前記第2の層と向かい合わせ、前記第1の基板と前記第2の基板を前記第2の層上に配置する第4の工程と、
前記第2の層、前記第1の基板、および前記第2の基板を前記構造体から分離する第5の工程と、
前記構造体の前記凹部に第2の充填材を入れる第6の工程と、
前記第2の面または前記第4の面の他方を前記第2の充填材と向かい合わせ、前記第1の基板、前記第2の基板、および前記第2の層を前記第2の充填材上に配置する第7の工程と、
前記第2の充填材を硬化させて、前記第2の充填材と前記第2の層が一体化した前記第1の層を形成する第8の工程と、
を有する表示装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第1の層のヤング率は、
前記第1の基板および前記第2の基板のヤング率よりも
小さいことを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1の基板および前記第2の基板のヤング率は、
1GPa以上100GPa以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1の層のヤング率は、
前記第1の基板および前記第2の基板のヤング率の
50分の1以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記素子は、発光素子であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1の基板と前記第2の基板の少なくとも一方は、
透光性を有する基板であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1の層は、透光性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第1の層は、一体物であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記第1の層は、
シリコーンゴムであることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記第1の基板と前記第2の基板はトランジスタを介して
重畳することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項10において、
前記トランジスタは、チャネルが形成される半導体層に、
酸化物半導体を用いることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の作製方法で作製された表示装置と、
アンテナ、バッテリ、操作スイッチ、マイク、または、スピーカと、
を有する電子機器。
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